JPH04263488A - 薄銅張回路基板の製造法 - Google Patents

薄銅張回路基板の製造法

Info

Publication number
JPH04263488A
JPH04263488A JP3044071A JP4407191A JPH04263488A JP H04263488 A JPH04263488 A JP H04263488A JP 3044071 A JP3044071 A JP 3044071A JP 4407191 A JP4407191 A JP 4407191A JP H04263488 A JPH04263488 A JP H04263488A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper foil
circuit board
etching
clad circuit
polishing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3044071A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2985325B2 (ja
Inventor
Kenji Ishii
賢治 石井
Takamasa Nakai
中井 孝昌
Hiroyuki Matsumoto
博之 松本
Kenichi Moriyama
森山 賢一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Original Assignee
Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Gas Chemical Co Inc filed Critical Mitsubishi Gas Chemical Co Inc
Priority to JP3044071A priority Critical patent/JP2985325B2/ja
Priority to US07/833,448 priority patent/US5242540A/en
Priority to DE69220588T priority patent/DE69220588T2/de
Priority to EP92102319A priority patent/EP0499958B1/en
Publication of JPH04263488A publication Critical patent/JPH04263488A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2985325B2 publication Critical patent/JP2985325B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/26Cleaning or polishing of the conductive pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/025Abrading, e.g. grinding or sand blasting
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0353Making conductive layer thin, e.g. by etching
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、エッチングにより薄銅
箔張回路基板を製造する方法の改良に関するものであり
、銅箔張回路基板として表面に付着性ダストのないもの
を使用するものであり、通常の銅箔張回路基板を用いた
場合に発生した〜数μm オーダーの微細な突起の無い
薄銅箔張回路基板を製造するものである。 【0002】 【従来の技術】本願発明者らは先に特開平2−6018
9 、−25090、−25089、−22896、−
22887、同2−97688 などに薄銅箔張回路基
板の製造法を提案した。 【0003】これらの製造法は、厚み精度の高い薄銅箔
張回路基板を工業的に製造可能とする。しかしながら、
得られた銅箔表面を厳密に観察したところ、ランダムな
位置に〜数μm の突起があることを発見した。 【0004】このような突起は、一級品以上の銅箔張回
路基板を用いた場合にも製造した薄銅箔張回路基板の銅
箔表面にも見られるものであった。この原因を究明した
ところ、このような高級な銅箔張回路基板の場合でも樹
脂粉を主体とする主に平均粒子径 3〜10μmの付着
性ダストがランダムに付着しており、この少なくとも一
部が全面のエッチング時にレジストとして働き、該突起
を発生させることが確認された。 【0005】このような突起は、通常の回路を形成する
場合には実質的に害を与えないものであるが、特に微細
な回路パターンを形成する場合には、レジスト自体より
も薄層とあり、欠陥の発生原因となるという問題があっ
た。 【0006】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
突起のない精密エッチング法による薄銅箔張回路基板を
製造する方法を提供することにある。 【0007】 【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、平
均厚さ  12μm 以上の銅箔と電気絶縁体とより製
造された銅箔張回路基板(a) を銅エッチング液を用
い、 0.01 〜0.4 μm/秒の範囲から選択し
た所定のエッチング速度で全面をエッチングして少なく
とも片面にもとの銅箔の厚さの10〜80%を残存させ
、かつ、該残存銅箔の厚みが所望厚さに対して±1.0
 μm 以内としてなる薄銅箔張回路基板を製造する方
法において、該銅箔張回路基板(a) として、該銅箔
表面に直径 3μm 以上の付着性ダストが実質的にな
いものを使用することを特徴とする薄銅箔張回路基板の
製造法である。 【0008】また、本発明は、該銅箔張回路基板(a)
 が、少なくとも2段からなる表面研磨処理することに
より付着性ダストを除去したものであること、該表面研
摩処理により除去される銅の厚さが 2μm 以下であ
ることであり、表面研摩処理の少なくとも初段階が機械
的研摩処理であること、該機械的研摩処理が#600〜
#1000 の羽布研摩であること、該表面研摩処理の
最終段が、 #1000〜#1200 の羽布研摩又は
#180〜#400の研摩材を用いたジェットスクラバ
ー研摩であることからなる薄銅箔張回路基板の製造法で
ある。 【0009】まず、本発明の銅箔と電気絶縁体とより製
造された銅箔張回路基板は、平均厚さ12μm 以上で
平均厚さに対する厚さのバラツキが±1.0 μm 以
内の銅箔を使用したものであれば特に限定はなく電子、
電気材料用として用いられている種々の市販品等いずれ
も使用可能であり、片面或いは両面銅張のフィルム、シ
ート、繊維強化絶縁樹脂積層板、金属芯積層板、内層に
プリント配線網を形成した多層シールド板などである。 【0010】ここに、電気絶縁体層は、ポリイミド樹脂
、ポリエステル樹脂等のフィルムやシート、熱硬化性樹
脂や耐熱性の熱可塑性樹脂とガラス (E−ガラス、D
−ガラス、S−ガラス、SII−ガラス、T−ガラス、
石英ガラス (クオーツ) その他) 、セラミックス
類 (アルミナ、窒化硼素、その他) 、全芳香族ポリ
アミド、ポリイミド、セミカーボン、フッ素樹脂、その
他の耐熱性エンジニアリングプラスチックなどを一種或
いは二種以上適宜併用してなる繊維、チョップなどを用
いた多孔質フィルム或いはシート状の補強基材とを組み
合わせてなるプリプレグを用いて製造されるもの、又は
、鉄、アルミニウム板等に絶縁性の接着剤や接着フィル
ムを被覆してなるものなどである。尚、12〜16μm
 の薄銅箔を使用した銅張積層板或いはシートの製造法
としては、銅箔と鏡面板との間に銅箔よりも熱膨張率の
大きいアルミニウム箔等の40〜100 μm 程度の
シートを挿入して積層成形する方法が好適である。 【0011】本発明においては、上記した銅箔張回路基
板(a) として、その表面に平均径が3μm 以上の
付着性ダストのないものを使用する。このような銅箔張
回路基板は、通常市販されていない。本発明では付着性
ダストを除去し、除去後に作業環境中などからこのよう
な付着性ダストが再付着しないようにして、全面の精密
エッチングを行う。 【0012】上記の該付着性ダストの除去方法としては
、一般的にロール研磨、バフ研磨、ジェット・スクラバ
ー研磨、ブリッスルブラシ研磨、手磨きなどの機械的或
いは物理的研磨;スルーホールメッキ工程に使用されて
いるようなデスミア処理液、化学研磨液、酸性エマルジ
ョン溶液、その他の薬品溶液を用いる化学研磨、これら
に超音波振動等を併用する方法;機械的研磨法と化学的
研磨法との組合せなどが挙げられる。 【0013】処理方法は、 3μm 以上、特に 2μ
m 以上の付着性ダストが除去され、かつ、深さが 5
μm 以上、好ましくは 3μm 以上、特に 2μm
 以上の研磨傷が発生しないように選択するものであり
、この条件が保たれる限り限定されない。研磨傷が発生
した場合、その後の精密エッチング処理によってこの傷
を除くには、少なくとも傷の深さの2倍以上の銅箔層を
除去することが必要であり、取り除くことが不可能な場
合も生じるとによる。 又、研磨によって除去される銅箔厚さは 2μm以下の
範囲とすることが、製造した薄銅箔張回路基板の銅箔厚
み精度を保つ面から好ましい。 【0014】研磨処理方法としては、生産性と信頼性(
多量に連続的に処理し、かつ、全てが実質的に付着性ダ
ストがないものとする点)とから、少なくとも2段階か
らなる研磨を行うことが好ましく、特に第1段階として
機械的研磨を行うことが好ましい。 【0015】第1段階の機械的研磨としては、#600
〜#1000 の羽布研磨;#100〜#220のアル
ミナ質系やシリコンカーバイド系などの研磨材を用いた
ジェット・スクラバー研磨、ブリッスルブラシ研磨、ブ
ラシ洗浄研磨、綿羽布や羊毛羽布を用いたポリッシャー
洗浄研磨などが挙げられ、最終段階の研磨としては、 
#1000〜#1200 の羽布研摩又は#180〜#
400の研摩材を用いたジェット・スクラバー研摩など
の機械的研摩を行う方法;デスミア処理液、化学研磨液
、酸性エマルジョン溶液などの化学的洗浄研磨を行う方
法;さらにこれら化学的洗浄研磨を超音波洗浄機内など
にて行う方法が挙げられる。また、第1段階の研磨とし
てデスミア処理液により処理して付着樹脂成分を実質的
に除去した後、最終段階に上記の機械的研磨を実施する
ことも好ましい。 【0016】機械的研摩処理に用いる研磨機は、一般的
な横型湿式研磨機や縦型湿式研磨機が使用される。ブラ
シを使用する場合、ブラシの回転方向はコンベア方向に
対して正転、逆転のどちらでもよいが、好ましくは正転
、逆転を組み合わせた往復ブラシが好ましい。ブラシの
回転数はブラシ表面速度 600〜1200m/min
 になるように調整し、ブラシ圧力は、ブラシ面全体が
均一になるように、しかも研磨しろが 2μm以下とな
り、局部的に傷などが発生しないように調整する。さら
に、研磨機は、オシレーション機構を具備したものがよ
り好ましく、そのストロークは 5〜15mmで 10
0〜500 回/min の範囲で選択するのがよい。 【0017】また、シェット・スクラバー研磨の場合、
アルミナ系やシリコンカーバイド系などの研磨材を用い
、これを水などに懸濁させた分散液を 1〜3kg/c
m2 のポンプ圧力で噴射させることによる。 【0018】上記した方法によってなる該銅箔表面に平
均径 3μm 以上の付着性ダストが実質的にない銅張
回路基板(a) の全面を本発明者らの先の提案の方法
等を使用して、その全面を精密にエッチングして本発明
の薄銅箔張回路基板を製造する。 【0019】銅箔張回路基板(a) をエッチングする
本発明の銅エッチング液は、過酸化水素/硫酸、塩化銅
、過硫酸塩又は塩化鉄などを主剤とする水溶液であって
、通常のエッチングに用いられるエッチング液に比較し
てエッチング成分の濃度を低く保つ方法、温度を低く保
つ方法、銅箔面上の供給エッチング液の接触量を均等で
かつ少なくする方法(スプレー法の場合にはスプレー圧
力を下げること)又は上記方法を適宜組み合わせること
によってエッチング速度を低下させ  0.01〜0.
4 μm/秒の範囲、好ましく0.01〜0.3 μm
/秒の範囲、より好ましく0.03〜0.2 μm/秒
の範囲、特に0.05〜0.11μm/秒の範囲から選
択された所定のエッチング速度としたものである。 【0020】本発明では過酸化水素/硫酸系および塩化
銅系のエッチング液が好適である。また、エッチング速
度が 0.4μm/秒より速いと僅かなエッチング処理
時間の差によりエッチングの進行度が異なり、所望の厚
みとの差が大きくなるばかりでなく、厚みの場所による
バラツキが大きくなる傾向があり、所定の銅箔厚みに対
するバラツキ幅を±1.0 μm 以内にすることが困
難となるので好ましくない。又、エッチング速度が0.
01μm/秒より遅い場合には、エッチングに時間がか
かり実用的でない。 【0021】ここに過酸化水素/硫酸系の銅エッチング
液の場合、過酸化水素1.5〜4w/v%、硫酸 3〜
7w/v%、銅濃度10〜100 g/リットルでかつ
過酸化水素、硫酸及び銅濃度が所定濃度の±1.0 %
以内に制御され、温度25〜60℃で±1.0 deg
.以内に制御されてなるものであり、適宜、過酸化水素
の安定剤、銅の光沢化剤などの添加剤−例えば、メタノ
ール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどの一
価アルコール;エチレングリコール、プロピレングリコ
ール、ブタンジオール、ペンタンジオールなどの二価ア
ルコール;グリセリン、ペンタエリスリトールなどの三
価以上のアルコール−を加えたものが挙げられる。塩化
銅系の銅エッチング液の場合、塩化第二銅  0.25
〜3 mol/リットル、塩酸 1〜5 mol/リッ
トルでかつ塩酸濃度が所定濃度の±0.3 mol/リ
ットル以内、温度25〜55℃で±5.0 deg.以
内に制御されてなるものである。後者の塩化第二銅系の
場合、特に現場でそのまま次の工程に使用する場合には
好適なものとして挙げられ、さらに前記した塩化第二銅
系のエッチング液で処理した後、前記した過酸化水素/
硫酸系の銅エッチング液や化学研磨液で処理する方法が
例示される。 【0022】エッチング装置としては、基板を水平、斜
め或いは垂直にして搬送しつつ銅エッチング液をスプレ
ーしてエッチングする既存のパターンエッチング用のマ
シーンが使用可能である。本発明では、銅箔張回路基板
(a) を垂直に立てた状態で搬送しつつエッチングす
る方法(=垂直エッチング法、垂直エッチングマシーン
)が特に好適である。また、エッチング終了後、直ちに
、清浄化、防錆、乾燥を連続的に行うようにした装置を
用いるのが好ましい。 【0023】好適な垂直エッチングマシーンの具体的な
概念の例を説明すれば、立てた銅箔張回路基板(a) 
の搬送方向に沿い、その上端に設けた送り用駆動具(1
) にて駆動され、その下方で左右両側にほぼ全面的に
軸を縦方向として対抗設置され、各々搬送方向に沿いか
つ軸に配された多数のローラー(2) を備えてなる銅
張回路基板(a) を挟み込んで送るローラー部(3)
 と、搬送方向に沿いかつローラー部(3) の下端に
設けた基板(a) の支えローラー(4) とから少な
くともなる基板(a)の搬送部(A) 並びに搬送方向
に沿い、その左右両側に設けた多数のスプレーノズル(
5) を備えたノズル部(B) とからなるものである
。また、支えローラー(4) は、搬送方向に沿いその
側面に設けた駆動軸(6) でローラー(2) と同じ
送り速度で駆動されるようにしたものが好適である。 【0024】この垂直エッチングマシーンによるエッチ
ング条件は上記した速度、薬液などによるが、特にスプ
レー圧力 0.3〜1.3 kg/cm2、好ましくは
 0.3〜0.8 kg/cm2、特に 0.4〜1.
3 kg/cm2の範囲から選択するのが好適である。 この好適なスプレー圧力は、通常のパターンエッチング
の場合や垂直型のエッチングマシーンを使用する場合に
比較して小さいものであり、スプレー圧力による基板(
a) のエッチングマシーンを使用する場合に比較して
も小さいものである。垂直型ではこのような低いスプレ
ー圧力の適用が可能であることから、基板が 0.1m
m程度と薄い場合にもエッチング中に基板がスプレーに
より『バタツキ』などが実質的になくなり、搬送も容易
となりより均質なエッチングを可能とするものである。 【0025】なお、エッチングにより所定厚みの銅箔と
するためには、エッチング液によって所定のエッチング
条件 (エッチング液の種類と濃度、温度、スプレー圧
力、基板(a) の送り速度など) 下におけるエッチ
ング速度を測定して、エッチング時間を設定すると共に
このエッチング速度を保つエッチング液管理を行う方法
を使用する。例えば、両面から同一厚みの銅を除去する
場合には、左右両面のスプレー圧を同一として所定時間
エッチングする方法による。また、互いに異なる所定厚
みの銅箔とするためには、左右のスプレー圧力又は使用
スプレー数、特にスプレー数を調整して左右の面のエッ
チング速度を所望の速度範囲で所望の速度比に設定する
方法が使用できる。その他に、エッチングに使用する両
面銅張回路基板として例えば片側に35μm電解銅箔、
反対面に18μm電解銅箔を張ったものを用いて両面を
同一量速度でエッチングする方法;両面に18μm電解
銅箔を張ったものを用いて片側の全面或いは特に周囲に
プラスチックフィルム等の剥離性の保護膜を形成し、片
面のみエッチングする方法;両面銅張回路基板を垂直に
立てて行う方法などが例示される。さらに、片面の銅箔
は完全に除去し、反対面は所望の厚みの薄銅箔とする方
法は、上記した互いに異なる所定厚みの銅箔とするため
の方法において、銅箔完全除去側面のエッチング速度を
上記よりもさらに大きく設定する方法による。 【0026】エッチング後の清浄化とは、中和、酸洗浄
、水洗、湯洗などの公知の不純物の除去法でよく、用い
た銅エッチング液、その安定剤その他の成分を考慮して
適宜選択する。好適には、弱酸性の水溶液や水で常温或
いは加温下に洗浄後、酸洗し、炭酸ソーダ 1〜5 w
t%の水溶液で20〜50℃で中和処理する方法が挙げ
られる。 防錆処理としては、公知の銅の防錆剤を0.01〜1 
wt%を含有し、適宜界面活性剤などを併用した水溶液
にて20〜50℃で処理することが好適である。ついで
、通常、熱風などを吹きつけて乾燥する。 【0027】又、防錆、乾燥処理後に、剥離可能な樹脂
、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プ
ロピレン樹脂、エチレン−酢酸ビニル樹脂、塩化ビニリ
デン、ポリアクリレート共重合体、1,2−ポリブタジ
エン樹脂、ポリエステル樹脂、その他の熱可塑性樹脂製
のフィルム類やフォトレジストフィルム;パラフィンワ
ックス、ポリエチレンワックス、ロジン、低分子量ポリ
スチレンなどの汎用溶媒溶解性の樹脂類;フォトレジス
ト樹脂液などを圧着などして銅箔面を被覆することも好
ましい。 【0028】 【実施例】実施例1 500×500mm で板厚 1.6mm、平均厚さ1
8μmの銅箔を両面に張ったガラス布基材エポキシ樹脂
積層板を各々10枚を用い、下記に示した清浄化処理を
行った。 ■;羽布研磨機 (石井表記製、両面オシレーション式
研磨機)      使用羽布:#600    羽布
圧力(負荷電流値): 9〜10A(アンヘ゜ア)  
    当り幅  :10〜15mm        
オシレーション回数    : 480回/min(分
)       コンベヤー速度: 2m/min ■
;ジェット・スクラバー研磨機 (石井表記製、ジェッ
ト・スクラバー研磨機)       研磨材    
    :日本カーリット製、サクランダム#220 
     研磨材量      :20%(500ml
(ミリリットル)メスシリンタ゛ー 水中に 100m
l沈殿)       コンベヤー速度: 1〜3 m
/min(      スラリー圧力  : 2.0 
 kg/cm2      処理時間      : 
40sec〜2min■:デスミア処理 処理液        : KMnO4  50±10
g/l(リットル) 処理温度      : 75 
℃± 5℃処理時間      : 7〜10min 
【0029】上記の清浄化処理前後の銅張積層板銅箔表
面の 3〜10μmのダストについて測定した。また、
銅箔の厚み減少も測定した結果を下記に示した。                          
                 清  浄  化 
 処  理  ダストの種類          原板
      ■      ■    ■+■  ■+
■  ■+■  ・付着樹脂          15
〜 33    5〜15     0      0
       0       0   ・〃異物  
           0〜  5    0〜 2 
  0〜 5    0       0      
 0   ・シミ状付着        30〜100
   10〜50  20〜70    0     
 0〜10    0   銅箔厚み減少 (μm) 
  −       0.2    <0.1    
     0.5          0.5    
      0.4  【0030】上記の〔■+■〕
の清浄化処理を行った板  10枚を用い、東京化工機
製の縦型エッチングマシーンを用い、下記に示した条件
で精密エッチングを行い銅箔厚さ9μmの薄銅張回路基
板を製造した。 ・エッチング液 : H2O2濃度                   
2.1〜2.4 w/v %H2SO4 濃度    
             3.6〜4.1 w/v 
%n−プロパノール濃度           2〜4
   w/v %銅濃度              
        15〜20  g/l・エッチング条
件.  ・有効エッチングチャンバ長さ      2.0 m
・温度                      
   35 ±1℃・スプレー圧力  左右     
         1.0 kg/cm2  ・エッチ
ング時間        92sec(秒):コンベャ
ー速度  1.3 m/min    ・エッチング速度                 
0.09 μm/sec(秒)   【0031】ついで、濃度  0.01〜0.05%の
硫酸水溶液での室温下のスプレー水洗処理し、Na2C
O3 5%水溶液での室温下のスプレー中和処理し、濃
度 0.3%のベンゾトリアゾール水溶液で40℃でス
プレー防錆処理し、 100℃の熱風で乾燥した。得ら
れた薄銅張板  10枚すべてについて、銅箔表面の突
起などの外観不良について観察したところ、欠点は見出
されなかった。また、銅箔の厚さをそれぞれ縦横 3等
分して得られる一枚当たり18個の長方形内の任意の点
の銅箔厚さを測定したところ平均 8.9μm、最大 
9.3μm、最小 8.6μmで平均厚さに対するバラ
ツキは±0.4 μm、所望の厚さに対するバラツキは
±0.4 μmで、測定点の95%が8.7〜9.3 
μmの範囲にあり、表面凹凸は 2.0〜3.0 μm
であった。さらに、得られた薄銅張板を25℃、60%
RHで30時間保持したが、錆の発生は見られなかった
。なお、銅箔の厚みは、うず電流方式で測定した。 【0032】 【発明の効果】以上、発明の詳細な説明および実施例か
ら明白なように、本発明の銅箔表面に平均径 3μm以
上の付着性ダストが実質的にない銅箔張回路基板(a)
 を用いる方法によれば、平均的な厚み精度に極めて優
れているのみでなく、局所的な〜数μm程度の山状の突
起が実質的にない薄銅箔張基板を極めて生産性よく製造
できるものであり、得られた薄銅箔張基板を使用してよ
り微細なプリント配線網を有するプリント配線板をより
高い信頼性のもとに製造可能とするものであり、その産
業上の意義は極めて大きいものである。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  平均厚さ  12μm以上の銅箔と電
    気絶縁体とより製造された銅箔張回路基板(a) を銅
    エッチング液を用い、 0.01 〜0.4 μm/秒
    の範囲から選択した所定のエッチング速度で全面をエッ
    チングして少なくとも片面にもとの銅箔の厚さの10〜
    80%を残存させ、かつ、該残存銅箔の厚みが所望厚さ
    に対して±1.0 μm 以内としてなる薄銅箔張回路
    基板を製造する方法において、該銅箔張回路基板(a)
     として、該銅箔表面に平均径 3μm 以上の付着性
    ダストが実質的にないものを使用することを特徴とする
    薄銅箔張回路基板の製造法
  2. 【請求項2】  該銅箔張回路基板(a) が、少なく
    とも2段からなる表面研磨処理することにより付着性ダ
    ストを除去したものである請求項1記載の薄銅箔張回路
    基板の製造法
  3. 【請求項3】  該表面研摩処理により除去される銅の
    厚さが 2μm 以下である請求項2記載の薄銅箔張回
    路基板の製造法
  4. 【請求項4】  該表面研摩処理の少なくとも初段階が
    機械的研摩処理である請求項2記載の薄銅箔張回路基板
    の製造法
  5. 【請求項5】  該機械的研摩処理が#600〜#10
    00 の羽布研摩である請求項4記載の薄銅箔張回路基
    板の製造法
  6. 【請求項6】  該表面研摩処理の最終段が
    、 #1000〜#1200 の羽布研摩又は#180
    〜#400の研摩材を用いたジェットスクラバー研摩で
    ある請求項3記載の薄銅箔張回路基板の製造法
JP3044071A 1991-02-18 1991-02-18 薄銅張回路基板の製造法 Expired - Fee Related JP2985325B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3044071A JP2985325B2 (ja) 1991-02-18 1991-02-18 薄銅張回路基板の製造法
US07/833,448 US5242540A (en) 1991-02-18 1992-02-06 Process for producing thin copper foil-clad circuit board substrate
DE69220588T DE69220588T2 (de) 1991-02-18 1992-02-12 Verfahren zur Herstellung eines mit einer dünnen Kupferfolie kaschierten Substrats für Leiterplatten
EP92102319A EP0499958B1 (en) 1991-02-18 1992-02-12 Process for producing thin copper foil-clad circuit board substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3044071A JP2985325B2 (ja) 1991-02-18 1991-02-18 薄銅張回路基板の製造法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04263488A true JPH04263488A (ja) 1992-09-18
JP2985325B2 JP2985325B2 (ja) 1999-11-29

Family

ID=12681398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3044071A Expired - Fee Related JP2985325B2 (ja) 1991-02-18 1991-02-18 薄銅張回路基板の製造法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5242540A (ja)
EP (1) EP0499958B1 (ja)
JP (1) JP2985325B2 (ja)
DE (1) DE69220588T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001512066A (ja) * 1997-07-29 2001-08-21 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 微細構造化ポリマー基材
JP2003110223A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板の製造方法
JP2006346874A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Nippon Steel Chem Co Ltd 銅張積層板及びその製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW406138B (en) * 1994-03-04 2000-09-21 Ibm Apparatus, and corresponding method, for chemically etching substrates
US5468345A (en) * 1994-05-04 1995-11-21 Kirby; Ronald K. Method of making a high-definition printed circuit
AT401355B (de) * 1994-09-08 1996-08-26 Andritz Patentverwaltung Scheibenfilter zum abtrennen von flüssigkeiten aus einer suspension, insbesondere faserstoffsuspension
JP4653345B2 (ja) * 2001-06-26 2011-03-16 イビデン株式会社 パターン検査方法
JP2003017862A (ja) * 2001-07-02 2003-01-17 Nitto Denko Corp 多層配線基板の製造方法
JP2003037178A (ja) * 2001-07-25 2003-02-07 Nec Corp 半導体集積回路装置
KR100675628B1 (ko) * 2002-10-16 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 절연막 식각장치 및 식각방법
CN101866093B (zh) * 2009-04-20 2013-08-28 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 快门挡片的制作方法
CN102291952B (zh) * 2011-08-05 2013-04-24 奥士康精密电路(惠州)有限公司 多层pcb板的制备方法
US20130186764A1 (en) * 2012-01-19 2013-07-25 Kesheng Feng Low Etch Process for Direct Metallization
CN107404804B (zh) * 2016-05-20 2020-05-22 鹏鼎控股(深圳)股份有限公司 电路板及其制作方法
CN116924823B (zh) * 2023-09-15 2023-12-12 江苏固家智能科技有限公司 陶瓷基板与铜箔无尘复合仓

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2040746A1 (de) * 1970-08-17 1972-02-24 Aeg Isolier Kunststoff Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten
JPS5222380B2 (ja) * 1973-05-30 1977-06-17
JPS5925979A (ja) * 1982-08-02 1984-02-10 Matsushita Electric Works Ltd 銅張積層板の表面清浄化方法
JPS63252777A (ja) * 1987-04-09 1988-10-19 Toyo Ink Mfg Co Ltd レジストパタ−ンの形成方法
EP0342669B1 (en) * 1988-05-20 1995-08-23 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards
JPH01318281A (ja) * 1988-06-20 1989-12-22 Shin Etsu Chem Co Ltd フレキシブル印刷配線基板の製造方法
NL8802028A (nl) * 1988-08-16 1990-03-16 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting.

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001512066A (ja) * 1997-07-29 2001-08-21 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 微細構造化ポリマー基材
JP2003110223A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板の製造方法
JP2006346874A (ja) * 2005-06-13 2006-12-28 Nippon Steel Chem Co Ltd 銅張積層板及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5242540A (en) 1993-09-07
EP0499958B1 (en) 1997-07-02
EP0499958A2 (en) 1992-08-26
JP2985325B2 (ja) 1999-11-29
DE69220588T2 (de) 1997-12-04
EP0499958A3 (en) 1993-04-07
DE69220588D1 (de) 1997-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04263488A (ja) 薄銅張回路基板の製造法
US4917758A (en) Method for preparing thin copper foil-clad substrate for circuit boards
EP1310142B1 (en) Improved adhesion of polymeric materials to metal surfaces
EP0442197A2 (en) Composition and method for improving adhesion of coatings to copper surfaces
CN103781941B (zh) 铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板的制造方法
EP2253739A1 (en) Etching method
JP2797488B2 (ja) 薄銅箔張回路基板の製造法
US20050170077A1 (en) Adhesion method
JP2001200382A (ja) 浴の補充法
JP4836365B2 (ja) 回路板製造のための組成物
JP2001348684A (ja) アルミニウムまたはアルミニウム合金の表面粗化剤およびそれを用いる表面粗化法
JP2876779B2 (ja) 薄銅箔張回路基板の製造法
JP3431931B2 (ja) 銅及び銅合金の表面処理方法
JPH0325995A (ja) 薄銅箔張回路基板の製造法
JPH0260189A (ja) 薄銅箔張回路基板の製造法
JPH01292890A (ja) 薄銅張回路基板の製造法
JP2748467B2 (ja) 片面薄銅箔張回路基板の製造法
JPH11214825A (ja) 内層用回路板の表面処理方法
JPH03140481A (ja) 銅張り板の表面処理法
JPH0222896A (ja) 両面薄銅箔張回路基板の製造法
JPH0225089A (ja) 片面薄銅箔張回路基板の製造法
KR20240009210A (ko) 밀착력 향상을 위한 코팅 용액 및 그를 이용한 코팅 방법
JP2004207403A (ja) 配線用板の表面処理方法
JP2000340949A (ja) 内層用回路板の表面処理方法及び多層プリント配線板の製造方法
JPH0732311B2 (ja) 内層用回路板の銅回路の処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees