JPH02251597A - 強誘電性液晶組成物 - Google Patents

強誘電性液晶組成物

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JPH02251597A
JPH02251597A JP1070711A JP7071189A JPH02251597A JP H02251597 A JPH02251597 A JP H02251597A JP 1070711 A JP1070711 A JP 1070711A JP 7071189 A JP7071189 A JP 7071189A JP H02251597 A JPH02251597 A JP H02251597A
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JP1070711A
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Inventor
Sadao Takehara
貞夫 竹原
Masashi Osawa
大沢 政志
Kayoko Nakamura
佳代子 中村
Tadao Shoji
東海林 忠生
Hiroshi Ogawa
洋 小川
Noburu Fujisawa
宣 藤沢
Takeshi Kuriyama
毅 栗山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawamura Institute of Chemical Research
DIC Corp
Original Assignee
Kawamura Institute of Chemical Research
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電気光学的表示材料として有用な新規液晶組成
物に関するもので、特に強誘電性を有する液晶材料を提
供するものであり、従来の液晶材料と比較して、特に応
答性、メモリー性にすぐれた液晶表示素子への利用可能
性を有する液晶材料を提供するものである。
〔従来技術〕
現在、広く用いられている液晶表示素子は主にネマチッ
ク液晶を利用したTN型と呼ばれるものであって、多く
の長所・利点を有しているもののその応答性においては
、CRTなどの発光型の表示方式と比較すると、格段に
遅いという大きな欠点があった。TN型以外の液晶表示
方式も多く検討されているが、その応答性における改善
はなかなかなされていない。
ところが、強誘電性スメクチック液晶を利用した液晶デ
バイスでは、従来のTN型液晶表示素子の100〜10
00倍の高速応答が可能で、かつ双安定性を有するため
、電源を切っても表示の記憶が得られる(メモリー効果
)ことが、最近明らかになった。このため、光シヤツタ
ーやプリンターヘッド、薄型テレビ等への利用可能性が
極めて大きく、現在、各方面で実用化に向けて開発研究
がなされている。
強誘電性液晶は、液晶相としてはチルト系のキラルスメ
クチック相に属するものであるが、その中でも、実用的
に望ましいものは、最も粘度の低いキラルスメクチック
C(以下、SC“と省略する。)相と呼ばれるものであ
る。
〔発明が解決しようとする課題〕
S01相を示す液晶化合物(以下、SC4化合物という
。)はこれまでにも検討されてきており、既に数多くの
化合物が合成されている。しかじながら、これらのSC
“化合物には単独では強誘電性液晶表示用光スイツチン
グ素子として用いるための以下の条件、即ち、 (イ)室温を含む広い温度範囲で強誘電性を示すこと (ロ)高温域において適当な相系列を有すること (ハ)特にキラルネマチック(以下、N*と省略する。
)相において長い螺旋ピッチを示すこと(ニ)適当なチ
ルト角を持つこと (ホ)粘性が小さいこと (へ)自発分極がある程度以上大きな値であること さらに (ト)(ロ)及び(ハ)の結果として良好な配向を示す
こと (チ)(ホ)及び(へ)の結果として、高速の応答性を
示すこと をすべて満足するようなものは知られていなかった。
そのため、現在では、S09相を示す液晶組成物(以下
、SC“液晶組成物という。)が検討用等に用いられて
いるのが、実情である。
良好な配向性を得るためには、例えば、特開昭61−1
53623号公報等に示されているように、SC″1相
の高温域にN0相を有する液晶において、N*相の螺旋
ピッチの長さを大きくする方法が一般的に有力である。
この場合にS01相とN1相の中間の温度域にスメクチ
ックA(以下、SAと省略する。)相を有する場合に配
向はより良好となり、螺旋ピッチを大きくするには、左
螺旋を生じさせる光学活性物質と、右螺旋を生じさせる
光学活性化合物を組み合せて用いればよいことも知られ
ている。(ネマチック(以下、Nと省略する。)液晶に
光学活性物質を添加して生じる螺旋ピッチを任意の長さ
に調整することは既に公知の技術である。)シかし、こ
れらの技術によっては良好な配向性は得られるものの、
高速応答性が得られるわけではなかった。
高速応答性を示すには、例えば、第12回液晶討論会に
おける特別講演(同討論会予稿集P、98)で示されて
いるように、低粘性のスメクチックC(以下、SCと省
略する。)相を示す母体の液晶組成物(以下、SC母体
液晶という。)に、自発分極(以下、P3と省略する。
)の大きいSC2化合物を添加する方式が優れている。
この方式によれば、螺旋を生じさせる光学活性化合物の
割合が少なくなるため、螺旋ピッチは比較的長くなるが
、配向性が良好となるほど螺旋ピッチを長(しようとす
ると光学活性化合物の添加量を少量にする必要があり、
そのため自発分極が小さくなりすぎ、高速応答性が得ら
れなくなってしまう問題点があった。
また、SC母体液晶としてこれまで用いられてきたもの
は、例えば、ジャパン・デイスプレィ゛86講演予稿集
(352ページ〜)又は特開昭62−583号公報に記
載されている。
(R,R’はアキラルなアルキル基を表わす。)(R,
R’は上記と同様。) の如く、化合物自身又はその同族体が、SC相を示すも
のに限られるか、又はそれに加えて分子長軸に対して垂
直方向に強いダイポール(分極)を示すような液晶化合
物を添加した組成物であり、SC相の温度範囲を広く保
つと粘性が大きくなり、粘性を小さくするとSC相の温
度範囲が狭くなるという問題点があった。
従って、従来技術では良好な配向性と高速応答性を同時
に実現するのは困難なことであった。
本発明、が解決しようとする課題は、高速応答性及び配
向性においてともに充分に満足できる強誘電性液晶組成
物を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は上記課題を解決するために、中温域母体液晶及
び高温液晶を含有し、スメクチックC相を示す液晶組成
物(以下、本発明で使用するSC母体液晶という、)に
、光学活性化合物から成るキラルドーパントを添加して
成る強誘電性液晶組成物であって、特に高温液晶が次の
一般式(A)で表わされる化合物の少なくとも1種を含
有し、室温を含む広い温度範囲でSC0相を示す強誘電
性液晶組成物を提供する。
式中、R”は炭素原子数1〜20の直鎖状又は分岐状の
アルキル基又はアルコキシル基を表わすが、好ましくは
炭素原子数3〜12の直鎖状又はメチル分岐を有するア
ルキル基を表わし、Rbは炭素原子数1〜20の直鎖状
又は分岐状のアルキル基を表わすが、好ましくは炭・素
原子数3〜12の直鎖状又はメチル分岐を有するアルキ
ル基を表わし、 ン基を表わし、 本発明で使用するSC母体液晶は、そのSC相の高温側
において、降温時に、 (イ)I(等方性液体)相→N相→SA相→SC相の相
系列を有するもの (ロ)I相→SA相→SC相の相系列を有するもの (ハ)■相→N相→SC相の相系列を有するもの 又は (ニ)■相→SC相の相系列を有するもののいずれかの
相系列を有するものが用いられるが、(イ)〜(ニ)の
選択は、同時に用いるキラルドーパントによって異なる
。最も繁用性のあるのは(イ)であり、キラルドーパン
トのネマチック性(SC母体液晶に添加した場合に、N
1相の温度範囲を広げ、SA相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ロ)を、キラルドーパントの
スメクチックA性(SC母体液晶に添加した場合に、S
A相の温度範囲を広げ、N1相の温度範囲を狭くしやす
い傾向)が強い場合には(ハ)を、また、SC性が弱く
、N“相やSA相の温度範囲を広げやすい場合などには
(ニ)を用いるのが、最も適している。重要であるのは
sc”液晶組成物とした場合の相系列であって、−船釣
には、I→N0→5A−3C”の相系列が配向性の点で
有利である。一方、■→N”→S01の相系列も配向制
御方法によっては、より良好な配向を示す場合もあり、
また、大きなチルト角が得やすいので、ゲスト・ホスト
方式などには適している。
本発明で使用するSC母体液晶は、(I)主として2環
構造であり、室温に近い温度でSC相を示す化合物又は
その同族体(アルキル鎖のみが異なる化合物)から成る
組成物(以下、中温域母体液晶という。)に、 SC相の上限温度を高くするために、 (■)3環以上の環構造を有する化合物又はその同族体
から成る組成物(以下、高温液晶という。)を加えて成
る組成物である。
(1)中温域母体液晶 本発明で用いる中温域母体液晶とは、それを構成する液
晶化合物が、光学的に不活性であり、2環構造であって
、3環構造の場合には、少なくとも1環はシクロヘキシ
ル環であって、SC相を示す化合物又は、そのアルキル
鎖の炭素原子数、形状のみが異った同族体から成り、そ
の同族体中の少なくとも1種の化合物は10°C以上に
おける任意の1 ’C以上の温度中の範囲でモノトロピ
ックでもよいSC相を示す化合物である。
中温域母体として用いられる化合物の代表的なものを以
下に掲げる。ただし、以下に示す一般式において、R+
、Rzは各々独立的に炭素原子数1〜18のアルキル基
を表わす。
(I−a) (1−b) (1−c) (1−c−14) RlO(トcoo(ト0COORz (I −c−15) R10(防COO灸COOIh (I −c−17) R,COO畳coo灸C0OR。
(1−c−19) (1−c−20) RIOCO(■C00(YC00Rz RIO((防coo承涙C00Rz (I −d) 以上の化合物のうち、中温域母体液晶としては、式(I
−a)及び式(1−b)で表わされる化合物が好ましく
、式(I−a−1)、式(I−a−2)、式(1−a−
5)、式(1−a−6)、式(I−a−41)、式(I
−a−42)及び式(Ib−1)で表わされる化合物が
特に好ましい。
(III)  高温液晶 本発明で用いる高温液晶とは、3環あるいは4環構造か
らなる光学的に不活性な化合物、あるいはそれから成る
組成物であって、各化合物は前記中温域液晶からなるS
C相の上限温度(以下、Tcと略称する。)が50〜6
0”Cの組成物に10%混合した際に、そのTcを1°
C以上上昇しうるちのであり、好ましくは、少なくとも
2環は芳香環(1,4−フェニレン、ピリミジン−2,
5−ジイル。
ピラジン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイル
、あるいはそのフッ素置換体)であり、Tcが90°C
以上で、かつ、SC相の温度域が5°C以上の温度幅を
有する化合物、あるいは、その側鎖のアルキル基の炭素
原子数あるいはその形状が異った同族体であり、特に、
前記一般式(A)で表わされる化合物を少なくとも1種
構成要素として含有することを特徴とするものである。
一般式(A)で表わされる化合物として具体的には、以
下の化合物を挙げることができる。
〈口目 Δコ  −ノ 上記中、Crは結晶相、SCはスメクチックC相、SA
はスメクチックA相、Nはネマチック相、SBはスメク
チックB相、SFはスメクチックF相、■は等方性液体
相を各々表わす。
高温液晶としては、以下の一般式(D)で表わされる化
合物が、前記一般式(A)の化合物と併用して使用する
ことができる。
式中、R1及びR2は各り独立的に炭素原子数1〜18
の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わし、X+及びX
2は各々独立的に−o−,−co。
−oco−、−s−、又は単結合を表わし、Zl及びZ
2は各々独立的に−COO−−0CO−−CIIZO−
OCHz  、  CO3、SCO〜 −GHz−CH
z−−C=C−、又は単結合を表わし、 水素原子のフッ素原子置換体を表わすが、好ましくは、
XI及びx2の少なくとも1個は単結合でフッ素原子置
換体)であり、そのうちの少なくと前記中温域母体液晶
及び高温液晶を含有するSC母体液晶において、中温域
母体液晶の配合割合は、1〜90fi量%が好ましく、
40〜80重量%が特に好ましい、高温液晶の配合割合
は1〜70重量%が好ましく、5〜60重量%が特に好
ましい。
高温液晶中に、上記一般式(A)で示される化合物は1
0%以上、特に50%以上含まれることが好ましい。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、(1)S
C“相を示す化合物、(2)SC“相思外の液晶相のみ
を示す化合物又は(3)液晶性を全く示さない化合物を
用いることができるが、(3)の場合には、SC母体液
晶に添加して得られるSCI液晶組成物の液晶性が低下
する傾向を防止するために、液晶類似の骨格を有する化
合物を用いることが好ましい。
キラルドーパントがSC′″液晶組成物にもたらす諸物
性のうち重要なものは、その誘起する螺旋ピッチ、自発
分極の向き及びその大きさであるが、これらはキラルド
ーパントを構成する各化合物の光学活性部位により最も
大きな影響を受ける。
これまでキラルドーパント、SC2化合物又はネマチッ
ク液晶への添加剤として用いられてきた光学活性化合物
における光学活性基の代表的なものを以下に掲げる。
(IV−1) CH。
+ CH2+T−CI  CJs (IV−8> CH。
−0(−CHz−)TCll  R3 (IV−2) C11゜ 0+CHt−+−j−C[l  C2)1s(IV−3
) CH。
モCHzh−0+CH! +−CHCJs(IV−4) −O(−CI+□+0千C11□÷−CHCzlls(
IV−12) CH−R。
(IV−6) 0        CH3 II       l。
−0−C+ C1h÷rclI−cJs(IV−13) C1!。
[申 CHrCHCHz   0Rs (IV−7) CH。
÷Cfb +−CHR3 (IV−14) C【1゜ −CIT  CL  ORs (IV−21) CH3 −S + CHz−+−1−C1l (CHa−r C
Hx(■ Hs O−CIIRa (IV−33) 一〇−Lu11−に)l。
CH υに5 LIV −41117 −先;量1−L;−U−トC5 C1 1傘 OCHz−CHRs (TV−53) 1・ −CH−0−R5 (IV−62) CP、l −0−CH−R。
(IV−69) CI C0OClb  CHR5 CH。
−0−CIl□−C)l CIl□−〇COR。
(IV−64) CH3 O−Cl1□−Cll  CHz  0Rs(IV−7
1) CH。
OCI  Cl1z  OC0Rs (IV−65) CH。
−OCHCll  0R5 (IV−66) Cll 1・ −0+ CH!→TcH(CHz)rORs(IV−7
2) C11゜ OCRC11z(C1l□)−T−OCOR3(IV−
73) CH3 −0−CIl□−Cll−(Cll t)TOCOR5
(IV−67) −J900CHz   CHにHL;zHs(IV−8
0) COOCHz  CHRs (IV−75) CI+3 0  CHz  CH0Rs (IV−81) N OCHz  CHRs (IV−76) CH。
−3−CH−R5 (IV−82) N −CHRs (IV−83) HICN −Coo  CH2C1l  R5 zH5 CHz  C1l  0R6 (rV−84) CIl□CN 1・ OCHz  C1l  Rs (IV−79) 一〇 C−0−CH−h。
上記各一般式において、mは1〜4の整数を表わし、n
は1〜10の整数を表わし、R3は炭素原子数3〜8の
アルキル基を表わし、R4は炭素原子数2〜10のアル
キル基を表わし、R9は炭素原子数1〜10のアルキル
基を表わし、R2は炭素原子数1〜4のアルキル基を表
わす。
光学活性基として、式(IV−1)〜(IV−22)で
表わされる光学活性基のみを含有する光学活性化合物で
はSC母体液晶に添加してS01液晶組成物とした際に
誘起される自発分極は小さいものが多く、単独でS01
相を示す場合でもそのほとんどがl0nC/e1m”以
下にすぎない。
一方、光学活性基として、式(rV−31)〜(■−9
1)で表わされる光学活性基を含有する光学活性化合物
は、SC母体液晶に添加してSC“液晶組成物とした際
に誘起する自発分極が大きいものが多く、単独でSC*
相を示す場合などでは300nC/cm”以上の大きな
値を示すものも存在する。
このような光学活性基を末端に有するような光学活性化
合物の基本骨格の代表的なものを以下に掲げる。
(V−12) 一〇いH2→))OCHz8 (V−36) 一〇→可べ衿 (V−60) やト□□□ (V−84) ハベ砺oco −の (V−108) 不Σoco −OR今 (V−156) (E)−oC)ltQ (V−180) ※+0CHz−/fj8)− (V−260) 〈今にへ・・・(シ (■ 合coo赫 (■ やべ)ooco林 (V−502) 祖べ)ocFlzo林 (■ や旨)ocn該込 (V−504) ぞX俊coo赫 (V−505) WOCO^込 (V−506) 和x)CH!0八入 (V−507) 如X幣OCH!赫 (V−529) [相]醪一体 N (V−530) [相]1ン込 (V−531) [相](μ込 (V−532) [相]1Y休 (V−533) [相]モ■込 −N (V−534) 舎〈ン鈷 (V−535) +÷4 上記各基本骨格中のベンゼン環あるいはシクロヘキサン
環にフッ素原子、塩素原子、臭素原子、メチル基、メト
キシ基、シアノ基又はニトロ基が置換した各基本骨格も
使用できる。
以上のような基本骨格の片側もしくは両側に前記キラル
基が結合した光学活性化合物がキラルドーパントの構成
成分として有効に使用することができる。特に両側に前
記キラル基が結合した一般式(B) Ql−Z  Q!− 〔式中、Qll及びQ2”は互いに異なった光学活性基
であって、各光学活性基は少なくとも1個の不斉炭素原
子を有し、かつ、Q1*及びQ 1mのうら少なくとも
1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオつ、窒素、フッ
素、塩素あるいは−C−又は−CANと直結した構造を
有する。Zは一般式これらの環上の任意の1〜2個の水
素原子がフッ素原子又はシアノ基に置換した構造を表わ
すが、上の水素原子がフッ素原子又はシアノ基に置換し
ましい。
Yl及びyzは各々独立的に単結合、−C00OCOC
H2O0CI!    CffzCHz−−c = c
 −−cos−又は−5CO−を表わすが、単結合、 
COOOCOCHzo−又は−OCR,−である場合が
好ましく、m=1の場合には、Yl及びY2の内の少な
くとも一方が単結合であることが好ましい。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
す。〕 で表わされる光学活性化合物が好ましい。
−i式(B)で表わされる光学活性化合物において、特
に、少なくとも一方の光学活性基は前記(IV−31)
〜(IV−91)で表わされる基のいずれかであること
が望ましい。
このように、基本骨格の両側に互いに異ったキラル基が
結合した光学活性化合物を用いることによる利点として
以下の点を挙げることができる。
(1)片側にのみキラル基を有する化合物より強い自発
分極を示しうる。
即ち、前記(IV−31)〜(IV−91)で表わされ
る基から選ばれるキラル基と(IV−1)〜(■−22
)で表わされる基から選ばれるキラル基とを基本骨格の
両側に有する化合物と、同一の基本骨格でキラル基とし
ては(IV−31)〜(■−91)で表わされる基から
選ばれる同一の基のみで他の側はアキラルな基である化
合物をそれぞれSC母体液晶に添加して、その外挿値と
して自発分極を求めてみると、両側にキラル基を有する
化合物の方が10〜30nC/cm”あるいはそれ以上
大きい。(IV−1)〜(IV−22)で表わされる基
に由来する自発分極はたかだか10nC/cm”程度で
あるので、両側のキラル基による自発分極の単純和より
も大きくなっていることがわかる。
さらに(IV−31)〜(IV−91)で表わされる基
から選ばれる基であって互いに異ったキラル基を上記基
本骨格の両側に有するような化合物では、両方のキラル
基による自発分極の極性(よく知られた強誘電性液晶で
ある(S)−2−メチルブチルb−デシルオキシベンジ
リデンアミノフェニルシンナメート(DOBAMBG)
の極性をθと決める。)を同一にあわせた場合には非常
に大きい自発分極を得ることができる。
この場合には両側のキラル基による自発分極の単純和よ
りもさらに1oonc/cm”あるいはそれ以上に大き
な自発分極を得ることもできる。
キラルドーパントとしてはその誘起しうる自発分極が大
きい程、その使用量が少なくてもすむので、低粘性のS
C母体液晶の割合を多くすることができ、その結果、S
00液晶組成物の低粘度化が可能となる。結果として、
応答性の向上につながるものである。
(2)  N”相あるいはSC“相に誘起する螺旋ピッ
チが非常に長い化合物、及び非常に短い化合物など、螺
旋ピッチを調整することが可能である。
前述のように良好な配向性を得るためには、そのN“相
あるいはS01相における螺旋ピッチが長いことが重要
である。キラルドーパントは全体として螺旋ピッチが調
整されていればよいのであって、個々の化合物について
は、必ずしもその必要はないが、キラルドーパントの主
成分としてはある程度螺旋ピッチが長い方が、その調整
が容易である。また、螺旋ピッチ調整を主目的として加
える化合物では、その螺旋ピッチが短い程、その添加量
を押えることができるので好都合である。
螺旋ピッチを長くするには、両側のキラル基による螺旋
ピッチの向きが互いに相反すればよいが、(IV−31
)〜(IV−91)で表わされる基から選ばれる基を両
側に有する化合物では、その自発分極の極性は同一であ
ることが好ましい。
(3)大きな自発分極を示しうる特に(IV−31)〜
(IV−91)で表わされる基から選ばれるキラル基で
あって、不斉合成、光学分割等の化学的手法により得ら
れたものは、その光学純度は必ずしも100%ではない
ものが多いが、これらを100%に精製するのはかなり
困難である。しかしながら、天然物から得られた(S)
−2−メチルブタノール由来のキラル基、あるいは微生
物工学的手法で得られるような光学純度の極めて高いキ
ラル基と組み合わせれば、これらはジアステレオマーと
なるため、クロマトグラフィー、再結晶による分離が容
易となり光学純度を100%に近づけることができる。
一般式(B)の化合物は、キラルドーパントの構成成分
として10%以上、好ましくは30%以上、特に好まし
くは50%以上用いるのが有効である。
一般式(B)の化合物中で、特に好ましい基本骨格とキ
ラル基の組み合せを有する化合物を以下に示す。
(Vl−6) 1申 R4CH+  CHz)z  Y   Z’111ゆ QCCHRw 上記一般式中、R4及びR4′は各々独立的に炭素原子
数2〜10のアルキル基を表わし、R9及びRs′は各
々独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基を表わし、
R1は炭素原子数2〜10の直鎖状のアルキル基又は炭
素原子数3〜IOの分岐状のアルキル基、又は炭素原子
数4〜10の少なくとも1個の不斉炭素を含む光学的活
性なアルキル基を表わし、2はO〜5の整数を表わし、
Yは単結合、−o−、−oco−、−coo−、又は−
ocoo −を表わし、Wは、塩素フッ素又は−o−c
nzを表わし、Z′は、 又は @−Z←(ΣΣ巳○)  を表わし、又は−CO
O−、−0CO−、cHzO,0C11□、又は単結合
をまた、0 において環上の任意の1〜2個の水素原子
がフッ素原子又はシアノ基で置換されていてもよい。
上記のキラルドーパントは、SC母体液晶中に1〜60
重量%の割合で添加してS01液晶組成物として用いる
のが適当であるが、さらに好ましくは2〜50重量%の
割合で添加することが好ましい。キラルドーパントの添
加割合が60重量%より多いと、自発分極は増加するが
、キラルドーパント自体が母体液晶にくらべるとはるか
に粘性が大きいため、SC*液晶組成物の粘度が大きく
なり、結果的に高速応答性に悪影響を与える傾向にある
ので好ましくない。また、キラルドーパントの添加量の
増加はその螺旋ピッチを短くするために配向性にも悪影
響を与える傾向にあるので好ましくない。一方、キラル
ドーパントの添加割合が1重量%より少ないと、自発分
極があまりに小さくなりやはり高速応答性は望めない。
S01液晶組成物の自発分極の値は、3〜30nC/c
m”の範囲にあるようにキラルドーパントの添加割合を
調整することが好ましく、SC0相を示すキラルドーパ
ントの場合、単独で1oOnc/cm”程度の自発分極
を示すか、又はそれに相当する檜さの自発分極を誘起す
るキラルドーパントの場合、キラルドーパントの添加割
合は10〜40重量%の範囲が好ましく、300 nC
7cm2以上の強い自発分権を示すキラルドーパントの
場合、キラルドー/(ントの添加割合は、2〜25重量
%の範囲が好ましい。キラルドーパントの誘起する自発
分極が強い程、その最も望ましい添加割合は減少するが
、例示した光学活性化合物からなるキラルドーパントで
はその添加割合が1重世%を下回ることはない。
本発明のSC1液晶組成物は、等方性液体状態からの冷
却時においてN*相、次いでSA相を経てSC*相へと
相転移するが、その際N“相からSA相への相転移温度
(以下N“−3A点という、)から、該N”−3A点の
1度高温側までにおけるN“相に出現する螺旋のピッチ
が3μm以上であるsc”液晶組成物がより好ましく、
該螺旋のピッチが10μm以上であり、N” −3A点
に近づくにつれて該螺旋のピッチが発散的に大きくなる
SC“液晶組成物が特に好ましい。
一般式(B)の光学活性化合物のうち、両側のキラル基
R1”+R1IによってN*相に誘起される螺旋の向き
が互いに逆であるような化合物では、その誘起する螺旋
ピッチはかなり長いため、このような化合物をキラルド
ーパントの主成分として用いる場合には、螺旋ピッチ調
整が不要であるか、あるいは容易であることが多いが、
−船釣には以下のようにして螺旋ピッチを長く調整する
ことができる。
複数の光学活性化合物を含むSC′″液晶組成物のN”
相に出現する螺旋のピッチP(μm)は各光学活性物質
の濃度をC4、各単位濃度あたりの螺旋のピンチをPi
  (μm)とするとおり、(ここでは螺旋のピッチは
右巻きを正、左巻きを負とする。)、これを用いてS0
1液晶組成物の5A−N“点T0におけるPiをP−と
する時、となるようにCiを選べばよい。ここでPiは
N相を有する該SC母体液晶に各光学活性化合物を単位
濃度添加することにより測定が可能である。
実際にはToは各Ciによって変化するが、各光学活性
化合物を該SC母体液晶中に、濃度ΣCiだけ添加した
ときの5A−N”点の変化などから、かなり正確に類推
できることが多く、推定(fi T o ’とそれを用
いて選ばれた組成物のToとが大きく異なる場合には7
1. lに換えてToを用いて再度測定すればよい。
本発明のS04液晶組成物のN“相を示す温度範囲は、
3度以上30度未満の範囲が好ましい。
N*相を示す温度範囲が、3度未満である場合、降温時
にすみやかにSA相に相転移するため、N“相で液晶分
子を充分に配向しにくくなる傾向にあるので好ましくな
い。また、N′″相を示す温度範囲が30度以上である
場合、SC1液晶組成物の透明点が高温になり、セルに
液晶材料を充填する工程等における作業性に悪影響を及
ぼす傾向にあるので好ましくない。
キラルドーパントは、キラルドーパント自体の液晶性の
有無にかかわらず、SC母体液晶に添加した場合に、 (1)  N”相を示す温度範囲を拡大する傾向にある
もの、又は (2)  N”相を示す温度範囲を縮小する傾向にある
もの など、それぞれ固有の性質を有している。本発明のSC
“液晶組成物のN0相を示す温度範囲を上記の好ましい
範囲に調整するためには、(1)の場合、N相を示す温
度範囲が狭いSC母体液晶、又は、N相を示さないSC
母体液晶を用いればよく、(2)の場合、N相を示す温
度範囲が広いSC母体液晶を用いればよい。この方法は
、N”相に限らず、SA相及びSC*相についても同様
に応用することができる。例えば、キラルドーパントが
SC*液晶組成物のSA相のみを拡大し、N*相及びS
00相を縮小するような場合には、SC母体液晶として
、SC相の上限温度が高く、N相の温度範囲が広く、か
つ、SC相→N相→I相の相系列を有するもの、又はS
A相の温度範囲が狭<SC相→SA相→N相→■相の相
系列を有するものを用いればよい。
このようなキラルドーパントの傾向は、SC母体液晶に
一定量のキラルドーパントを添加して得られるsc”液
晶組成物の相転移温度の変化を測定することにより、容
易に知ることができる。この結果から、S01液晶組成
物における各相、特にN1相を示す温度範囲は容易に調
整することができる。
本発明で使用するキラルドーパントとしては、一定量の
SC母体液晶に添加することによって、ある程度以上の
自発分極(以下、P、と省略する。)を誘起することが
必要である。
前述の如く、S08液晶組成物としては、そのPsO値
が、特に室温付近で3〜30nC/c11″の範囲にな
るようにキラルドーパントの添加量を調整すればよい、
しかしながら、キラルドーパントが誘起するPヨの値が
小さい場合には、その添加量がSC母体液晶に対して多
くなり、これに伴なってSC*液晶組成物の粘性が大き
くなり、その結果、高速応答性が得られなくなる傾向に
あるので好ましくない。従って、本発明で使用するキラ
ルドーパントとしては、SC母体液晶に10重量%添加
した場合に1.0 nC7cm”以上のP、を誘起でき
るものが好ましく、5重量%添加した場合に0.5nC
/cm”以上のP!を誘起できるものが特に好ましい。
〔実施例〕
以下に実施例をあげて本発明を具体的に説明するが、本
発明の主旨及び適用範囲は、これらの実施例によって限
定されるものではない。なお、実施例中、「%」は重量
%を表わす。また組成物の相転移温度の測定は、温度調
節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計(D
SC)を併用して行った。
実施例1 SC母体液晶に添加してS09液晶組成物とした際に、
N“相に右巻きの螺旋を出現させる化合物として、式 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN*相に出現させる螺旋のピッチは60°Cに
おいて4.7μmである。)の化合物73%と、左巻き
の螺旋を出現させる化合物として、式、 (この化合物を以下に示したSC母体液晶に10%添加
した際にN4相に出現させる螺旋のピッチは60’Cに
おいて11.9μmである。)の化合物27%とを混合
して、N*相に出現させる螺旋のピッチが調整されたキ
ラルドーパントを調製した。
このキラルドーパントを、以下に示したSC母体液晶に
10%添加して得たSC“液晶組成物の25℃における
自発分極の値は、5.5 nC7cm”であった。
なお、用いたSC母体液晶は前記一般式(I−a−1)
で表わされる化合物から 35% 30% からなる組成物(以下、母体液晶(A)という。)であ
り、57°C以下でSC相を、64.5 ’C以下でS
A相を、69°C以下でN相を各々示した。なお、60
°Cにおける螺旋ピッチの値は外挿的に求めた値である
次に、上記キラルドーパント16%、母体液晶(A)7
5.6%、及び高温液晶として前記式(■−1)の化合
物8.4%からなるSC′″液晶組成物を調製した。
このS00液晶組成物のS00相の上限温度(T c 
)は61°Cであった。
このSC*液晶組成物を、配向処理(ポリイミドコーテ
ィング−ラビング処理)を施した2枚のガラス透明電極
からなる厚さ約2μmのセルに充填し、■相から室温ま
で徐冷を行ったところ、極めて良好な配向性を示し、均
一なモノドメントが得られた。
このセルに電界強度10 Vp−p/μm、50セの矩
形波を印加してその電気光学応答速度を測定したところ
、25°Cで40μ秒の高速応答性が確認された。
このときのチルト角は26.5″、自発分極は15nC
/am”であり、コントラストは良好であった。
実施例2 実施例1において高温液晶として用いた式(■−1)の
化合物に代えて、前記式(I[l−4)の化合物を用い
た以外は実施例1と同様にしてSC*液晶組成物を調製
した。
このsc”液晶組成物のsc”相のTcは58.5°C
であった。
実施例1と同様にしてその電気光学応答速度を測定した
ところ、25°Cで42μ秒であり、このときのチルト
角26.6°でコントラストも良好であった。
実施例3 実施例1において高温液晶として用いた式(■1)の化
合物に代えて、前記式(I[l−5)の化合物を用いた
以外は実施例1と同様にしてS01液晶組成物を調製し
た。
このsc”液晶組成物のsc”相のTcは58.5°C
であった。
実施例1と同様にして、その電気光学応答速度を測定し
たところ、25°Cで49μ秒であり、このときのチル
ト角は26.1 ’でコントラストも良好であった。
参考例 実施例1において高温液晶として一般式(A)の化合物
を用いずに、母体液晶CB)の割合を84%とした以外
は実施例1と同様にして、SC“液晶組成物を調製した
・このSC*液晶組成物のsc”相のTcは57.5°
Cであった。
〔発明の効果〕
本発明の強誘電性液晶組成物は、配向性及び高速応答性
に優れており、かつ、室温を含む広い温度範囲で作動が
可能な液晶材料である。
従って、本発明の強誘電性液晶組成物は、強誘電性スメ
クチック液晶を利用した液晶デバイスの材料として極め
て有用である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中温域母体液晶及び高温液晶を含有し、スメクチッ
    クC相を示す液晶組成物に、光学活性化合物から成るキ
    ラルドーパントを添加して成る強誘電性液晶組成物であ
    って、高温液晶が一般式(A) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R^aは炭素原子数1〜20の直鎖状又は分岐
    状のアルキル基又はアルコキシル基を表わし、R^bは
    炭素原子数1〜20の直鎖状又は分岐状のアルキル基を
    表わし、▲数式、化学式、表等があります▼はトランス
    − 1,4−シクロヘキシレン基を表わし、▲数式、化学式
    、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼又は▲数式、化
    学式、表等があります▼を表わ し、▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学
    式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼ 又は▲数式、化学式、表等があります▼を表わすが、▲
    数式、化学式、表等があります▼及び ▲数式、化学式、表等があります▼の内、少なくとも一
    方は▲数式、化学式、表等があります▼を 表わす。) で表わされる化合物を含有することを特徴とする、室温
    を含む広い温度範囲でキラルスメクチックC相を示す強
    誘電性液晶組成物。 2、R^aがアルキル基であり、▲数式、化学式、表等
    があります▼が ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項1記載
    の強誘電性液晶組成物。 3、▲数式、化学式、表等があります▼が▲数式、化学
    式、表等があります▼、▲数式、化学式、表等がありま
    す▼又は ▲数式、化学式、表等があります▼である請求項2記載
    の強誘電性液晶組成物。 4、R^aがアルキル基であり、▲数式、化学式、表等
    があります▼が ▲数式、化学式、表等があります▼であり、▲数式、化
    学式、表等があります▼が▲数式、化学式、表等があり
    ます▼であ る請求項1記載の強誘電性液晶組成物。 5、キラルドーパントが一般式(B) Q^1^*−Z−Q^2^* 〔式中、Q^1^*及びQ^2^*は互いに異なった光
    学活性基であって、各光学活性基は少なくとも1個の不
    斉炭素原子を有し、かつ、Q^1^*及びQ^2^*の
    うち少なくとも1方の基は、不斉炭素原子が酸素、イオ
    ウ、窒素、フッ素、塩素あるいは▲数式、化学式、表等
    があります▼又は−C≡Nと直結した構造を有する。Z
    は一般式(C) ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、
    化学式、表等があります▼及び▲数式、化学式、表等が
    あります▼ は各々独立的に▲数式、化学式、表等があります▼、▲
    数式、化学式、表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式
    、表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります
    ▼、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学
    式、表等があります▼又はこれら の環上の任意の1〜2個の水素原子がフッ素原子又はシ
    アノ基に置換した構造を表わし、Y^1及びY^2は各
    々独立的に単結合、−COO−、−OCO−、−CH_
    2O−、−OCH_2−、−CH_2CH_2−、−C
    ≡C−、−COS−又は−SCO−を表わし、mは0又
    は1を表わす。) で表わされる液晶性分子の中心骨格(コア)部分を表わ
    す。〕 で表わされる光学活性化合物を含有する請求項1、2、
    3又は4記載の強誘電性液晶組成物。
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