JPH02251963A - 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成材料およびパターン形成方法Info
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- JPH02251963A JPH02251963A JP1075317A JP7531789A JPH02251963A JP H02251963 A JPH02251963 A JP H02251963A JP 1075317 A JP1075317 A JP 1075317A JP 7531789 A JP7531789 A JP 7531789A JP H02251963 A JPH02251963 A JP H02251963A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- cyclocarbosilane
- pattern forming
- monomer
- pattern
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/075—Silicon-containing compounds
- G03F7/0754—Non-macromolecular compounds containing silicon-to-silicon bonds
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/167—X-ray
- Y10S430/168—X-ray exposure process
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体素子や集積回路を電子ビームを用いて
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
パターン形成して製作する際に使用する微細パターン形
成材料ならびに同材料を用いた微細パターン形成方法に
関するものである。
従来の技術
従来、ＩＣ及びＬＳＩ等の製造においては、紫外線を用
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化に伴ない、ステッパーレンズの高
ＨＡ化、短波長光源の使用等がすすめられているが、そ
れによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。また
、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、ＡＳＩＣの製造
等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられる
ようになってきている。この電子ビームリソグラフィー
による微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは欠
くことのできないものである。その中でポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭ人）は最も解像性の良いものとして
知られているが、低感度であることが欠点である。それ
故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの報
告が行なわれており、例えばポリメタクリル酸ブチル、
メタクリル酸メチルとメタクリル酸との共重合体・メタ
クリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、メタクリル
酸メチルとイソブチレンとの共重合体・ポリブテン−１
−スルホン、ポリイソプロペニルケトン、含フツ素ポリ
メタクリレート等のポジ型電子線レジストが発表されて
いる。これらのレジストはいずれも、側鎖に電子吸引性
基を導入、または主鎖に分解しやすい結合を導入するこ
とによって、電子ビームによる主鎖切断が容易におこる
ようにしたレジストであり、高感度化をねらったもので
あるが、解像度と感度の両方を十分に満たしたものであ
るとはいえない。
いたホトリソグラフィーによってパターン形成を行なっ
ている。素子の微細化に伴ない、ステッパーレンズの高
ＨＡ化、短波長光源の使用等がすすめられているが、そ
れによって焦点深度が浅くなるという欠点がある。また
、ＬＳＩ素子のパターン寸法の微細化、ＡＳＩＣの製造
等にともない、電子ビームリソグラフィーが用いられる
ようになってきている。この電子ビームリソグラフィー
による微細パターン形成にはポジ型電子線レジストは欠
くことのできないものである。その中でポリメチルメタ
クリレート（ＰＭＭ人）は最も解像性の良いものとして
知られているが、低感度であることが欠点である。それ
故、近年ポジ型電子線レジストの感度を高める多くの報
告が行なわれており、例えばポリメタクリル酸ブチル、
メタクリル酸メチルとメタクリル酸との共重合体・メタ
クリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、メタクリル
酸メチルとイソブチレンとの共重合体・ポリブテン−１
−スルホン、ポリイソプロペニルケトン、含フツ素ポリ
メタクリレート等のポジ型電子線レジストが発表されて
いる。これらのレジストはいずれも、側鎖に電子吸引性
基を導入、または主鎖に分解しやすい結合を導入するこ
とによって、電子ビームによる主鎖切断が容易におこる
ようにしたレジストであり、高感度化をねらったもので
あるが、解像度と感度の両方を十分に満たしたものであ
るとはいえない。
また、電子ビームリソグラフィーにおいては、電子ビー
ムレジストの耐ドライエツチ性の悪さ、電子の前方散乱
、後方散乱のだめの近傍効果によるパターン精度への影
響等の欠点がある。これらの欠点をおぎなうために、レ
ジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた多層レジス
ト法は非常に有効な方法である。第３図は電子ビームリ
ソグラフィーにおける三層レジストプロセスを説明する
図である。近接効果をおさえるために下層膜３１として
有機膜を２〜３μｍ厚塗布し、中間層３２としてＳ ｉ
０２等の無機膜あるいは５ＯＧ（スピ／オン グラス）
等の無機高分子膜を０．２μｍ厚塗布し、上層に電子線
レジスト３３を０．６μｍ厚塗布する（第３図ａ）。露
光後、現像し、レジストパターンを得る（第３図ｂ）。
ムレジストの耐ドライエツチ性の悪さ、電子の前方散乱
、後方散乱のだめの近傍効果によるパターン精度への影
響等の欠点がある。これらの欠点をおぎなうために、レ
ジストの働きを感光層と平坦化層とに分けた多層レジス
ト法は非常に有効な方法である。第３図は電子ビームリ
ソグラフィーにおける三層レジストプロセスを説明する
図である。近接効果をおさえるために下層膜３１として
有機膜を２〜３μｍ厚塗布し、中間層３２としてＳ ｉ
０２等の無機膜あるいは５ＯＧ（スピ／オン グラス）
等の無機高分子膜を０．２μｍ厚塗布し、上層に電子線
レジスト３３を０．６μｍ厚塗布する（第３図ａ）。露
光後、現像し、レジストパターンを得る（第３図ｂ）。
次にこのレジストパターンをマスクとして中間層のドラ
イエツチングを行ない（第３図Ｃ）、次に、中間層をマ
スクとして下層のドライエツチングを行々う（第３図ｄ
）。以上のような多層レジストプロセスを用いることに
より、微細なパターンを高アスペクト比で形成すること
ができる。
イエツチングを行ない（第３図Ｃ）、次に、中間層をマ
スクとして下層のドライエツチングを行々う（第３図ｄ
）。以上のような多層レジストプロセスを用いることに
より、微細なパターンを高アスペクト比で形成すること
ができる。
しかし、三層レジストでは工程がより複雑となり、また
、パターン転写時の寸法シフトが大きくなる等の問題が
あり、実用的であるとはいえない。
、パターン転写時の寸法シフトが大きくなる等の問題が
あり、実用的であるとはいえない。
発明が解決しようとする課題
上記のように、三層レジストプロセスは有効な方法であ
るが、複雑な工程、パターン転写時のレジスト寸法の変
動等の問題点がある。電子ビーム露光の場合、近接効果
によるパターン精度への影響が大へいので、厚い下層膜
を塗布する必要がある。そこで、下層膜のマスクとレジ
スト層との働きを同時にもったシリコン含有レジスト、
無機レジスト等が開発されている。主鎖にシロキサン結
合を有した物、ラダー型ボリンロキサン、カルコゲナイ
ドガラス型無機レジスト等があるが、まだ十分に耐ドラ
イエツチ性を向上させることができず、また、感度も解
像度も悪く、実用にはほど遠いものである。これらのレ
ジストは、現像液として有機溶媒を用いるので、レジス
トの感度変動。
るが、複雑な工程、パターン転写時のレジスト寸法の変
動等の問題点がある。電子ビーム露光の場合、近接効果
によるパターン精度への影響が大へいので、厚い下層膜
を塗布する必要がある。そこで、下層膜のマスクとレジ
スト層との働きを同時にもったシリコン含有レジスト、
無機レジスト等が開発されている。主鎖にシロキサン結
合を有した物、ラダー型ボリンロキサン、カルコゲナイ
ドガラス型無機レジスト等があるが、まだ十分に耐ドラ
イエツチ性を向上させることができず、また、感度も解
像度も悪く、実用にはほど遠いものである。これらのレ
ジストは、現像液として有機溶媒を用いるので、レジス
トの感度変動。
寸法変動も犬きく、プロセス余裕度が少なく、また、環
境汚染等の問題もある。
境汚染等の問題もある。
本発明者らはこの現像を解決するために、高感度ネガ型
電子線レジスト、また、それらを用いた微細パターン形
成方法を完成した。
電子線レジスト、また、それらを用いた微細パターン形
成方法を完成した。
課題を解決するための手段
すなわち、本発明は
一般式：
異なったアルキル基をあられす。）
で表される、シクロカルボシラン系モノマーと、ノボラ
ック樹脂等の溶解抑制剤として働く高分子樹脂と、フォ
ト酸発生剤とからなる３成分系物質をレジストとして使
用することによって、上記のような問題点を解消しよう
というものである。露光することにより、酸発生剤から
ルイス酸が発生し、このルイス酸により、シクロカルボ
シランが重合をおこす。
ック樹脂等の溶解抑制剤として働く高分子樹脂と、フォ
ト酸発生剤とからなる３成分系物質をレジストとして使
用することによって、上記のような問題点を解消しよう
というものである。露光することにより、酸発生剤から
ルイス酸が発生し、このルイス酸により、シクロカルボ
シランが重合をおこす。
ルイス酸により高分子量化したレジストは、ネガ型を示
し、また、ノボ２ツク樹脂を混合しているので、有機ア
ルカリ現像液を使用することができる。
し、また、ノボ２ツク樹脂を混合しているので、有機ア
ルカリ現像液を使用することができる。
また、一般式：
（ただし、Ｒ１・Ｒ２・Ｒ３・Ｒ４は同−又は（ただし
、Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は水素、あるいは同−又は異
なったアルキル基をあられし。
、Ｒ４，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４は水素、あるいは同−又は異
なったアルキル基をあられし。
ｎは正の整数をあられす。）
で表される、ポリンランを光開始剤として、シクロカル
ボシランと混合することにより、上記と同様の重合反応
がおこり、高分子量化して、ネガ型のレジストとして使
用することができる。
ボシランと混合することにより、上記と同様の重合反応
がおこり、高分子量化して、ネガ型のレジストとして使
用することができる。
また、一般式：
（ただし、Ｒ，、Ｒ２、Ｒ３，Ｒ４は水素、あるいは同
−又は異なったアルキル基をあられし。
−又は異なったアルキル基をあられし。
ｎは正の整数をあられす。）
で表される、ポリジシラニレンフエニレンヲ開始剤とし
てシクロカルボシランと混合して、ネガ型のレジストと
して使用することもできる。
てシクロカルボシランと混合して、ネガ型のレジストと
して使用することもできる。
これらのシリコン含有物質を二層レジストの上層レジス
トとして用いることによって、多層レジスＩｆ容易に形
成することができ、また、主鎖にＳ土 、Ｃ，フェニル
基しかないため、耐ドライエツチ性が十分よく、化学増
感の手法により感度も十分よいので、正確な微細レジス
トパターンを形成することができる。
トとして用いることによって、多層レジスＩｆ容易に形
成することができ、また、主鎖にＳ土 、Ｃ，フェニル
基しかないため、耐ドライエツチ性が十分よく、化学増
感の手法により感度も十分よいので、正確な微細レジス
トパターンを形成することができる。
作用
本発明は、前記した高感度シリコン含有電子線レジスト
、および、それを用いたレジストプロセスにより、容易
に微細パターンを形成することができる。工程を簡略化
することができ、パターン転写における寸法シフトもな
く、また、高感度に水溶液を現像液として用いることが
でき、正確な微細レジストパターンを形成することがで
きる。
、および、それを用いたレジストプロセスにより、容易
に微細パターンを形成することができる。工程を簡略化
することができ、パターン転写における寸法シフトもな
く、また、高感度に水溶液を現像液として用いることが
でき、正確な微細レジストパターンを形成することがで
きる。
従って、本発明を用いることによって、正確な高解像度
な微細パターン形成に有効に作用する。
な微細パターン形成に有効に作用する。
実施例
（実施例１）
上記で示されたシクロカルボシランと、フェノ−Ａ［ｌ
ｌｌ１’ｉト、１ 、１−ヒスＣＰ−クロロフェニル
〕−２，２，，２−）リクロロエタンの酸発生剤とかラ
ナルエチルセロソルプアセテート溶液を、半導体基板上
に滴下し、２０００ｒｐｍ！１でスピンコードし、１５
０’Ｃ，２０分間のベーキングを行い、１．２μｍ厚の
レジスト膜を得ることができた。次に、加速電圧５ｏＫ
Ｖ、ドーズ量１ｏμ０ｙｃｄで電子線露光を行った後、
有機アルカリ水溶液で現像を行った所、正確なネガ型レ
ジストパターンが得られた。
ｌｌ１’ｉト、１ 、１−ヒスＣＰ−クロロフェニル
〕−２，２，，２−）リクロロエタンの酸発生剤とかラ
ナルエチルセロソルプアセテート溶液を、半導体基板上
に滴下し、２０００ｒｐｍ！１でスピンコードし、１５
０’Ｃ，２０分間のベーキングを行い、１．２μｍ厚の
レジスト膜を得ることができた。次に、加速電圧５ｏＫ
Ｖ、ドーズ量１ｏμ０ｙｃｄで電子線露光を行った後、
有機アルカリ水溶液で現像を行った所、正確なネガ型レ
ジストパターンが得られた。
（実施例２）
ボリンランとシクロカルボンランとをエチルセロソルブ
アセテート溶液に溶解し、不溶分をろ別し、レジスト溶
液とした。このレジスト溶液を半導体基板上に塗布し、
２００ ＯｒｐｍでスピンコードＬ１６０’Ｃ・２０分
間のベーキングを行い、１．２μｍ厚のレジスト膜を形
成することができた。
アセテート溶液に溶解し、不溶分をろ別し、レジスト溶
液とした。このレジスト溶液を半導体基板上に塗布し、
２００ ＯｒｐｍでスピンコードＬ１６０’Ｃ・２０分
間のベーキングを行い、１．２μｍ厚のレジスト膜を形
成することができた。
次に、加速電圧ｓ ｏＫＶ 、ドーズ量１０μｃ／ｃ１
ｉで電子線露光を行った後、メチルイソブチルケトン（
ＭＩＢＫ）で現像を行った所、正確なネガ型レジストパ
ターンを得ることができた。
ｉで電子線露光を行った後、メチルイソブチルケトン（
ＭＩＢＫ）で現像を行った所、正確なネガ型レジストパ
ターンを得ることができた。
（実施例３）
ポリジシラニレンフェニレンとシクロカルボンランとを
セロソルブアセテートに溶解し、不溶分をろ別し、レジ
スト溶液とした。このレジスト溶液を半導体基板上に滴
下し、２０００ｒｐｔｌでスピンコードし、１５０’（
、，２０分間のベーキングを行い、１．２μｍ厚のレジ
スト膜を形成することができた。次に、加速電圧５ｏｘ
ｖ、ドーズ量１０μＣ／ＣＩで電子線露光を行った後、
ＭＩＢＫで現像を行った所、正確なネガ型レジストパタ
ーンを得ることができた。
セロソルブアセテートに溶解し、不溶分をろ別し、レジ
スト溶液とした。このレジスト溶液を半導体基板上に滴
下し、２０００ｒｐｔｌでスピンコードし、１５０’（
、，２０分間のベーキングを行い、１．２μｍ厚のレジ
スト膜を形成することができた。次に、加速電圧５ｏｘ
ｖ、ドーズ量１０μＣ／ＣＩで電子線露光を行った後、
ＭＩＢＫで現像を行った所、正確なネガ型レジストパタ
ーンを得ることができた。
（実施例４）
本発明の第４の実施例を第１図に示す。半導体基板１上
に下層膜１１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し、２
２０℃、２０分間ベーキングを行った。この上に実施例
１で得られた物質を電子線レジスト１２として０．３μ
ｍ厚塗布し、１６０℃。
に下層膜１１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し、２
２０℃、２０分間ベーキングを行った。この上に実施例
１で得られた物質を電子線レジスト１２として０．３μ
ｍ厚塗布し、１６０℃。
２ｏ分間のベーキングを行った（第１図ａ）。次に、加
速電圧３０ＫＶ、ドーズ量１０μＯ／Ｃ−で電子線露光
を行い、有機アルカリ水溶液で現像を行った所、正確な
微細レジストパターンが得られた（第１図ｂ）。このレ
ジストパターンをマスクとして下層膜１１のエツチング
を行い、正確で垂直な微細レジストパターンを得ること
ができた（第１図Ｃ）。
速電圧３０ＫＶ、ドーズ量１０μＯ／Ｃ−で電子線露光
を行い、有機アルカリ水溶液で現像を行った所、正確な
微細レジストパターンが得られた（第１図ｂ）。このレ
ジストパターンをマスクとして下層膜１１のエツチング
を行い、正確で垂直な微細レジストパターンを得ること
ができた（第１図Ｃ）。
（実施例６）
本発明の第６の実施例を第２図に示す。半導体基板１上
に下層膜２１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し、２
２０’Ｃ，２０分間のベーキングを行った。この上に実
施例２で得られた物質を電子線レジスト２２として０．
３μｍ厚塗布し、１５０’Ｃ。
に下層膜２１として高分子有機膜を２μｍ厚塗布し、２
２０’Ｃ，２０分間のベーキングを行った。この上に実
施例２で得られた物質を電子線レジスト２２として０．
３μｍ厚塗布し、１５０’Ｃ。
２０分間のベーキングを行った（第２図ａ）。次に、加
速電圧３０ＫＶ、ドーズ量１ｏμｃ／ｄで電子線露光を
行い、ＭＩＢＫで現像を行った所、正確な微細レジスト
パター／が得られた（第２図ｂ）。
速電圧３０ＫＶ、ドーズ量１ｏμｃ／ｄで電子線露光を
行い、ＭＩＢＫで現像を行った所、正確な微細レジスト
パター／が得られた（第２図ｂ）。
このレジストパターンをマスクとして下層膜１１のエツ
チングを行い、正確で垂直な微細レジストパターンを得
ることができた（第２図Ｃ）。
チングを行い、正確で垂直な微細レジストパターンを得
ることができた（第２図Ｃ）。
以上のようｋ、本実施例によれば、二層レジストの上層
レジストとして高感度シリコン含有レジストを用いるこ
とによって、高精度に微細なレジストパターンを形成す
ることができる。
レジストとして高感度シリコン含有レジストを用いるこ
とによって、高精度に微細なレジストパターンを形成す
ることができる。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、シクロカルボンラ
ン系モノマーと酸発生剤とを混合して電子線レジストと
して使用することによって、高感度で高解像度、耐ドラ
イエツチ性の高いネガ型レジストパターンを形成するこ
とができる。また、二層レジストの上層レジストとして
使用することにより、容易に高精度で垂直な微細レジス
トパターンを形成することができ、超高密度集積回路の
製造に大きく寄与することができる。
ン系モノマーと酸発生剤とを混合して電子線レジストと
して使用することによって、高感度で高解像度、耐ドラ
イエツチ性の高いネガ型レジストパターンを形成するこ
とができる。また、二層レジストの上層レジストとして
使用することにより、容易に高精度で垂直な微細レジス
トパターンを形成することができ、超高密度集積回路の
製造に大きく寄与することができる。
第１図は本発明における一実施例の工程断面図、第２図
は同地の実施例の工程断面図、第３図は従来の三層レジ
スト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、１１．２１・・・・・・下
層膜、１２．２２・・・・・・電子線レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名＋２
−−−’￥ミシオ祷ＬしジＺト ｔｊ−）１月妾 ）ト１３ ＋４−一−レジ１肋＼１ターン 尊颯 ＋３−−−ｙｌｌη兄 ２４−−−レじストハ″ｑ−ソ
は同地の実施例の工程断面図、第３図は従来の三層レジ
スト法の工程断面図である。 １・・・・・・半導体基板、１１．２１・・・・・・下
層膜、１２．２２・・・・・・電子線レジスト。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか１名＋２
−−−’￥ミシオ祷ＬしジＺト ｔｊ−）１月妾 ）ト１３ ＋４−一−レジ１肋＼１ターン 尊颯 ＋３−−−ｙｌｌη兄 ２４−−−レじストハ″ｑ−ソ
Claims (5)
- （１）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は同一また
は異なったアルキル基をあらわす。） で表される、シクロカルボシラン系のモノマーと、高分
子樹脂系と、ハロゲン化有機化合物の群から選択された
フォト酸発生剤からなることを特徴とする微細パターン
形成材料。 - （２）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素、あ
るいは同一または異なったアルキル基をあらわし、ｎは
正の整数をあらわす。） で表される、ポリシラン系重合体と、シクロカルボシラ
ン系モノマーとからなることを特徴とする微細パターン
形成材料。 - （３）一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は水素、あ
るいは同一又は異なったアルキル基をあらわし、ｎは正
の整数をあらわす。） で表される、ポリジシラニレンフェニレン系重合体から
なることを特徴とする微細パターン形成材料。 - （４）半導体基板上に、高分子有機膜を塗布し熱処理す
る工程と、上記有機膜上に 一般式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （ただし、Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３、Ｒ＿４は同一又は
異なったアルキル基をあらわす。） で表される、シクロカルボシラン系のモノマーと、高分
子樹脂と、フォト酸発生剤からなるレジスト膜を塗布し
熱処理する工程と、パターン露光後、現像しレジストパ
ターンをマスクとして高分子有機膜をエッチングする工
程とからなることを特徴とするパターン形成方法。 - （５）半導体基板上に、高分子有機膜を塗布し熱処理す
る工程と、上記有機膜上に、ポリシラン系重合体とシク
ロカルボシラン系モノマーとからなるレジスト膜、また
は、ポリジシラニレンフェニレン系重合体からなるレジ
スト膜を塗布し、熱処理する工程とパターン描画後、現
像しレジストパターンをマスクとして高分子有機膜をエ
ッチングする工程とからなることを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075317A JP2737225B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
| US07/496,020 US5093224A (en) | 1989-03-27 | 1990-03-20 | Process for producing fine patterns using cyclocarbosilane |
| EP90105610A EP0392236B1 (en) | 1989-03-27 | 1990-03-24 | Process for forming a fine pattern |
| DE69012623T DE69012623T2 (de) | 1989-03-27 | 1990-03-24 | Verfahren zur Herstellung einer feinen Struktur. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075317A JP2737225B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02251963A true JPH02251963A (ja) | 1990-10-09 |
| JP2737225B2 JP2737225B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=13572761
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075317A Expired - Lifetime JP2737225B2 (ja) | 1989-03-27 | 1989-03-27 | 微細パターン形成材料およびパターン形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093224A (ja) |
| EP (1) | EP0392236B1 (ja) |
| JP (1) | JP2737225B2 (ja) |
| DE (1) | DE69012623T2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2586692B2 (ja) * | 1990-05-24 | 1997-03-05 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
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