JPH02255553A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH02255553A JPH02255553A JP1077582A JP7758289A JPH02255553A JP H02255553 A JPH02255553 A JP H02255553A JP 1077582 A JP1077582 A JP 1077582A JP 7758289 A JP7758289 A JP 7758289A JP H02255553 A JPH02255553 A JP H02255553A
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- JP
- Japan
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- calcined
- powder
- composition
- dielectric
- dielectric constant
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、1000℃以下の比較的低温で焼成可能な高
誘電率系の誘電体磁器組成物に関する。
誘電率系の誘電体磁器組成物に関する。
従来の技術
電子機器の小型化に伴う、素子の小型、大容量化への要
求か・ら、近年セラミックコンデンサの市場において積
層型のものが主流になりつつある。
求か・ら、近年セラミックコンデンサの市場において積
層型のものが主流になりつつある。
積層セラミックコンデンサは、通常内部電極と誘電体磁
器を同時焼成することにより得る。従来より高誘電率系
セラミックコンデンサ用の誘電体材料として、チタン酸
バリウム系の、磁器組成物が広く用いられている。しか
゛し、チタン酸バリウム系の磁器は焼成温度は1800
℃程度と高いため、積層コンデンサを製造する場合、内
部電極としてPdあるいはPt等の高価な金属を用いる
必要があった。
器を同時焼成することにより得る。従来より高誘電率系
セラミックコンデンサ用の誘電体材料として、チタン酸
バリウム系の、磁器組成物が広く用いられている。しか
゛し、チタン酸バリウム系の磁器は焼成温度は1800
℃程度と高いため、積層コンデンサを製造する場合、内
部電極としてPdあるいはPt等の高価な金属を用いる
必要があった。
そこで、1000℃以下の温度で焼成でき、内部電極と
してAgs あるいはCu等を主成分とする安価な材
料を用いることが可能な鉛系のペロブスカイト誘電体磁
器組成物が数多く提案されている。
してAgs あるいはCu等を主成分とする安価な材
料を用いることが可能な鉛系のペロブスカイト誘電体磁
器組成物が数多く提案されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、一般に上記の磁器の機械的強度は、チタン酸バ
リウム系の磁器と比較して小さく、焼成後の種々の処理
の際、磁器に欠けや割れが発生する原因となっていた。
リウム系の磁器と比較して小さく、焼成後の種々の処理
の際、磁器に欠けや割れが発生する原因となっていた。
例えば、抗切強度を測定した場合、チタン酸バリウム系
の磁器が1000kg/cm2以上あるのに対して、上
記の磁器は700kg/cm2程度しかない。
の磁器が1000kg/cm2以上あるのに対して、上
記の磁器は700kg/cm2程度しかない。
本発明は、上記の課題を解決する誘電体磁器組成物を提
供することを目的としている。
供することを目的としている。
課題を解決するための手段
本発明は、組成式
%式%
T at−a) z) Oav (ただし、MeはC
a1 SrあるいはBaのうちより選ばれる一種以上の
元素)において、XおよびYが下記のA181 C1D
およびEで囲まれた範囲にあり、 X Y A O,00,15 B O,00,01 G O,10,01 D O,340,45 E O,340,73 かつ、aおよびaZが下式の範囲にある誘電体磁器組成
物にする。
a1 SrあるいはBaのうちより選ばれる一種以上の
元素)において、XおよびYが下記のA181 C1D
およびEで囲まれた範囲にあり、 X Y A O,00,15 B O,00,01 G O,10,01 D O,340,45 E O,340,73 かつ、aおよびaZが下式の範囲にある誘電体磁器組成
物にする。
0.03 ≦ a<1.0
0.002 ≦ aZ ≦ 0.04さらに、上記
組成物100モル部に対して、pbをPboに換算して
、9モル部以下含む誘電体磁器組成物である。
組成物100モル部に対して、pbをPboに換算して
、9モル部以下含む誘電体磁器組成物である。
作用
第1の本発明の誘電体磁器組成物によると、組成を限定
した範囲内では、1000℃以下の温度で焼成でき、誘
電率が8000以上であり、三点曲げ法による抗切強度
が800kg/cm2以上となる。
した範囲内では、1000℃以下の温度で焼成でき、誘
電率が8000以上であり、三点曲げ法による抗切強度
が800kg/cm2以上となる。
第2の本発明の誘電体磁器組成物によると、添加物の作
用により焼結温度をさらに低下させることができる。
用により焼結温度をさらに低下させることができる。
実施例
以下に、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
実施例1
本実施例は特許請求の範囲第1項記載の発明に対応し、
主組成を選択し、その組成の範囲を限定することにより
、課題を解決したものである。
主組成を選択し、その組成の範囲を限定することにより
、課題を解決したものである。
出発原料として化学的に高純度なPbO5CaCO5,
5rCOs、BaCO5、MgO,Nb*Os、WOa
、T i Os、およびCuOを用いた。これらを、純
度補正を行なった上で所定量を秤量し、ボールミルによ
り、15時間混合した。溶媒は純水、ボールは直径4m
mのジルコニア球を用いた。混合物を乾燥したのち、ア
ルミナ製のるつぼに入れ、同質の蓋をし、750℃から
900℃で仮焼した。仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、
ボールミルにより15時間粉砕した。溶媒およびボール
は、混合と同じものを用いた。十分に乾燥して得た粉末
に、ポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体量に対
して10wt%加えて混合し、32メツシユのふるいを
通して造粒した。造粒物を1000kg/cm2の圧力
で、円板状に加圧成形した。成型物中の有機成分を空気
中650℃で2時間熱処理を行なうことにより飛散させ
た。焼成は、試料をマグネシア製磁器容器の中に入れ、
同質の蓋をし、所定の温度まで400℃/hrで昇温し
、2時間保持した後、400℃/hrで降温した。種々
の温度で焼成した焼結体の密度をアルキメデス法により
測定し、最大密度を与える温度を最適焼成温度とし、以
下の電気特性の測定を行なった。
5rCOs、BaCO5、MgO,Nb*Os、WOa
、T i Os、およびCuOを用いた。これらを、純
度補正を行なった上で所定量を秤量し、ボールミルによ
り、15時間混合した。溶媒は純水、ボールは直径4m
mのジルコニア球を用いた。混合物を乾燥したのち、ア
ルミナ製のるつぼに入れ、同質の蓋をし、750℃から
900℃で仮焼した。仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、
ボールミルにより15時間粉砕した。溶媒およびボール
は、混合と同じものを用いた。十分に乾燥して得た粉末
に、ポリビニルアルコール6wt%水溶液を粉体量に対
して10wt%加えて混合し、32メツシユのふるいを
通して造粒した。造粒物を1000kg/cm2の圧力
で、円板状に加圧成形した。成型物中の有機成分を空気
中650℃で2時間熱処理を行なうことにより飛散させ
た。焼成は、試料をマグネシア製磁器容器の中に入れ、
同質の蓋をし、所定の温度まで400℃/hrで昇温し
、2時間保持した後、400℃/hrで降温した。種々
の温度で焼成した焼結体の密度をアルキメデス法により
測定し、最大密度を与える温度を最適焼成温度とし、以
下の電気特性の測定を行なった。
焼結体の両面にCrを下地にしてAuを真空蒸着し、電
極を形成した。誘電率およびtanδを1 kHZN
I V/mmの電界下で測定した。抵抗率を、1kV
/mmの電圧を印加して1分後の値から求めた。また、
焼結体より長さ15mm1 幅3mm1厚さ0.7mm
の直方体を切り出し、三点曲げ法により抗切強度を測定
した。結果は10個の試料の平均を示した。
極を形成した。誘電率およびtanδを1 kHZN
I V/mmの電界下で測定した。抵抗率を、1kV
/mmの電圧を印加して1分後の値から求めた。また、
焼結体より長さ15mm1 幅3mm1厚さ0.7mm
の直方体を切り出し、三点曲げ法により抗切強度を測定
した。結果は10個の試料の平均を示した。
表1に結果を示す。組成の欄のxlylzl および
aは、組成式 %式%( W+−−) −) Os、 (ただし、MeはCa、S
rあるいはBaのうちより選ばれる一種以上の元素)中
のX1y、 z、 およびaにそれぞれ相当する。
aは、組成式 %式%( W+−−) −) Os、 (ただし、MeはCa、S
rあるいはBaのうちより選ばれる一種以上の元素)中
のX1y、 z、 およびaにそれぞれ相当する。
(以下余白)
表1より、請求の範囲内の組成では、1000℃以下の
温度で焼成でき、室温での誘電率が8000以上であり
、三点曲げ法による抗切強度が800kg/cm”以上
となる。
温度で焼成でき、室温での誘電率が8000以上であり
、三点曲げ法による抗切強度が800kg/cm”以上
となる。
実施例2
本実施例は特許請求の範囲第2項記載の発明に対応し%
P bt−P bOに換算して特定量添加すること
により課題を解決したものである。
P bt−P bOに換算して特定量添加すること
により課題を解決したものである。
実施例1と同様の方法により、組成式
%式%
(Cu+/aW+/a) i、s+s) Osで示され
る組成物100モル部に対して、PbをPbOに換算し
てbモル部となるように配合し、焼結体の特性を評価し
た。
る組成物100モル部に対して、PbをPbOに換算し
てbモル部となるように配合し、焼結体の特性を評価し
た。
表2に結果を示す。
(以下余白)
第2表
No、に#印を付したものは請求の範囲外の比較例No
、19は請求項1の範囲内 表2より、添加したPbOの量すの増加とともに焼成温
度は低下した。しかし、bが9モル%より多くなると、
機械的強度が800kg/cm”以下となったので、請
求の範囲から除外した。
、19は請求項1の範囲内 表2より、添加したPbOの量すの増加とともに焼成温
度は低下した。しかし、bが9モル%より多くなると、
機械的強度が800kg/cm”以下となったので、請
求の範囲から除外した。
なお、本発明の効果に対して著しい影響を与えない元素
、例えば、AIN SIN Crx Mn、Fe
、Co5N+1Zn、 Zr1Ta1Sbs およ
びランタニド元素等の含有は、Iwt%程度までなら構
わない。
、例えば、AIN SIN Crx Mn、Fe
、Co5N+1Zn、 Zr1Ta1Sbs およ
びランタニド元素等の含有は、Iwt%程度までなら構
わない。
発明の効果
本発明の誘電体磁器組成物は、1000°C以下の温度
で焼成でき、室温での誘電率が8000以上であり、三
点曲げ法による抗切強度が800kg/cm”以上とな
る。また、絶縁抵抗値も高く、データとして示さなかっ
たが、誘電率の温度変化も良好で、請求の範囲内ではJ
ISのYmF特性を満たしている。
で焼成でき、室温での誘電率が8000以上であり、三
点曲げ法による抗切強度が800kg/cm”以上とな
る。また、絶縁抵抗値も高く、データとして示さなかっ
たが、誘電率の温度変化も良好で、請求の範囲内ではJ
ISのYmF特性を満たしている。
ゆえに、内部電極として安価な材料を使用した積層セラ
ミックコンデンサ用の誘電体材料として使用できる。
ミックコンデンサ用の誘電体材料として使用できる。
図は組成式、
P b+−xMex ((Mg+、−3Nb2〕a)
l−++−zT’ Iy (Cu5W+−−)−
) Os、(ただし、 M eはCa1SrあるいはB
aのうちより選ばれる一種以上の元素)中のXおよびY
における請求の範囲を斜線で示した組成図である。
l−++−zT’ Iy (Cu5W+−−)−
) Os、(ただし、 M eはCa1SrあるいはB
aのうちより選ばれる一種以上の元素)中のXおよびY
における請求の範囲を斜線で示した組成図である。
Claims (2)
- (1)組成式 Pb_1_−_xMe_x{(Mg_1_/_3Nb_
2_/_3)_1_−_y_−_zTi_y(Cu_a
W_1_−_a)_z}O_3、(ただし、MeはCa
、SrあるいはBaのうちより選ばれる一種以上の元素
)において、XおよびYが下記のA、B、C、D、およ
びEで囲まれた範囲にあり、 ▲数式、化学式、表等があります▼ かつ、aおよびaZが下式の範囲、 0.03≦a<1.0 0.002≦aZ≦0.04 にあることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - (2)誘電体磁器組成物100モル部に対して、少なく
ともPbをPbOに換算して、9モル部以下含むことを
特徴とする請求項1記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077582A JPH02255553A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1077582A JPH02255553A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02255553A true JPH02255553A (ja) | 1990-10-16 |
Family
ID=13637979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1077582A Pending JPH02255553A (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02255553A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009001444A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Canon Inc | 圧電材料 |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1077582A patent/JPH02255553A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009001444A (ja) * | 2007-06-20 | 2009-01-08 | Canon Inc | 圧電材料 |
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