JPH02255593A - プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター - Google Patents
プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプターInfo
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- JPH02255593A JPH02255593A JP7577789A JP7577789A JPH02255593A JP H02255593 A JPH02255593 A JP H02255593A JP 7577789 A JP7577789 A JP 7577789A JP 7577789 A JP7577789 A JP 7577789A JP H02255593 A JPH02255593 A JP H02255593A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、プラズマＣＶＤで使用する黒鉛サセプターに
関する。
関する。
（従来の技術）
従来、プラズマＣＶＤ用サセプターとしては、単に黒鉛
を機械加工したもの、加工後に純化処理をおこなって表
面加工精度な〜（Ｒａ２〜５μｍ、 ’Ｂｘａｘ １５
〜３ Ｑ ｐｙ＠ ）としたもの、ガラス状炭素で表面
を被覆し鏡面状に仕上げたものが知られている（例えば
特開昭６４−４７０１９号公報）。
を機械加工したもの、加工後に純化処理をおこなって表
面加工精度な〜（Ｒａ２〜５μｍ、 ’Ｂｘａｘ １５
〜３ Ｑ ｐｙ＠ ）としたもの、ガラス状炭素で表面
を被覆し鏡面状に仕上げたものが知られている（例えば
特開昭６４−４７０１９号公報）。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、このような黒鉛サセプターに於いては、
プラズマＣＶＤによりウエノ・上にシリコン酸化膜やシ
リコン窒化膜を成膜するさいに１その膜内にサセプター
から発生したダストが取シ込まれ、異物を含まない優れ
た膜を安定してつくシに＜＜、シかも、サセプターの表
面通常加工では、表面がちらいために、外部加熱により
サセプターに与えられた熱がウエノ１に均一に伝わらな
いのでウェハ内あるいはウェハ間において均一な膜の形
成が困難である、等の欠点があった。
プラズマＣＶＤによりウエノ・上にシリコン酸化膜やシ
リコン窒化膜を成膜するさいに１その膜内にサセプター
から発生したダストが取シ込まれ、異物を含まない優れ
た膜を安定してつくシに＜＜、シかも、サセプターの表
面通常加工では、表面がちらいために、外部加熱により
サセプターに与えられた熱がウエノ１に均一に伝わらな
いのでウェハ内あるいはウェハ間において均一な膜の形
成が困難である、等の欠点があった。
へた、ガラス状炭素被覆サセプターにおいては、シリコ
ン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜するさいに、サセプタ
ー上に堆積するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜がサセ
プター表面が鏡面のために剥がれやすくそれが形成膜中
に取り込まれる等の欠点があった。
ン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜するさいに、サセプタ
ー上に堆積するシリコン酸化膜やシリコン窒化膜がサセ
プター表面が鏡面のために剥がれやすくそれが形成膜中
に取り込まれる等の欠点があった。
本発明は、以上の欠点を解決することを目的とするもの
である。
である。
（課題を解決するための手段）
即ち、本発明は、ウェハ接触面の表面粗さをそれ以外の
他面よりも小さくし、しかも表面全体をガラス“状炭素
で被覆してなることを特徴とするプラズマＣＶＤ用黒鉛
サセプターである。
他面よりも小さくし、しかも表面全体をガラス“状炭素
で被覆してなることを特徴とするプラズマＣＶＤ用黒鉛
サセプターである。
以下、さらに詳しく本発明を説明すると、本発明の好ま
しい態様は、ウェハ接触面の表面粗さをＲａ １ａｍ以
下、Ｒｍａｘ １０μｍ以下、好ましくはＲａ Ｏ，５
μｍ以下、Ｒｘｎａｘ ７μｍ以下にし、それ以外の他
面の表面粗さをＲａ ２〜５ Ｊｉｍ、Ｒｘｎａｘ １
５〜４０μｍにし、しかもサセプター全面を膜厚２〜５
μｍのガラス状炭素で被覆してなるプラズマＣＶＤ用黒
鉛サセプターである。
しい態様は、ウェハ接触面の表面粗さをＲａ １ａｍ以
下、Ｒｍａｘ １０μｍ以下、好ましくはＲａ Ｏ，５
μｍ以下、Ｒｘｎａｘ ７μｍ以下にし、それ以外の他
面の表面粗さをＲａ ２〜５ Ｊｉｍ、Ｒｘｎａｘ １
５〜４０μｍにし、しかもサセプター全面を膜厚２〜５
μｍのガラス状炭素で被覆してなるプラズマＣＶＤ用黒
鉛サセプターである。
ウェハ接触面の表面粗さを上記のようにすることにより
、外部ヒータからサセプターに与えられた熱が均一にウ
ェハに伝わシ形成膜の均一性が向上する。また、ウェハ
に接触しない他面の表面粗さを上記のようにしかつサセ
プター全面な膜厚２〜５μｍのガラス状炭素で被覆する
ことによシ、サセプター表面が鏡面とならないため、サ
セプター表面に堆積されるシリコン酸化膜やシリコン窒
化膜の剥離が生じない。しかも、表面がガラス状炭素で
被覆されているために黒鉛ダストの発生がなく、異物を
含まない優れた膜を安定してつくれるようになる。ガラ
ス状炭素を５μｍこえて被覆するとサセプター表面が鏡
面化してしまい剥離が生じゃすくなシ、ウェハ上に成膜
されるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に剥離した物質
が取り込まれやすくなるので好ましくはない。
、外部ヒータからサセプターに与えられた熱が均一にウ
ェハに伝わシ形成膜の均一性が向上する。また、ウェハ
に接触しない他面の表面粗さを上記のようにしかつサセ
プター全面な膜厚２〜５μｍのガラス状炭素で被覆する
ことによシ、サセプター表面が鏡面とならないため、サ
セプター表面に堆積されるシリコン酸化膜やシリコン窒
化膜の剥離が生じない。しかも、表面がガラス状炭素で
被覆されているために黒鉛ダストの発生がなく、異物を
含まない優れた膜を安定してつくれるようになる。ガラ
ス状炭素を５μｍこえて被覆するとサセプター表面が鏡
面化してしまい剥離が生じゃすくなシ、ウェハ上に成膜
されるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜に剥離した物質
が取り込まれやすくなるので好ましくはない。
以下、本発明の具体的な製造方法の例を示す。
まず第１図に例示したようなプラズマＣＶＤ用サセプタ
ーを従来法に従い表面精度〜 で機械加工する。サセプターは、この形状に限定される
ことなく、例えば、パンケーキ状、毎葉式形状であって
もよい。このとき表面粗さはＲａ ２〜５μｍ、 Ｒｍ
ａｘ １５〜３ Ｑ ｐ＠となるので、次いで、サセプ
ター基材のウェハ接触面のみをサンドペーパー 工業用
バットなどの研磨材を用いて、表面層する。あるいは、
サセプター全面をサンドペーパー 工業用バットなどの
研磨材を用いて表面粗さＲａ １ μｍ以下、 Ｒｍａ
ｘ １Ｑμｍ以下、好ましくはＲａ Ｑ、５ μｍ以下
、 Ｒｍａｘ ７ ｆｉｍ以下に研磨した後、ウェハ接
触面のみをがムテープ、ざ一ル紙等でマスクしサンドブ
ラスト等で他の表面なＲａ ２μｍ以上、 Ｒｍａｘ
１５μｍ以上にあらしてもよい。
ーを従来法に従い表面精度〜 で機械加工する。サセプターは、この形状に限定される
ことなく、例えば、パンケーキ状、毎葉式形状であって
もよい。このとき表面粗さはＲａ ２〜５μｍ、 Ｒｍ
ａｘ １５〜３ Ｑ ｐ＠となるので、次いで、サセプ
ター基材のウェハ接触面のみをサンドペーパー 工業用
バットなどの研磨材を用いて、表面層する。あるいは、
サセプター全面をサンドペーパー 工業用バットなどの
研磨材を用いて表面粗さＲａ １ μｍ以下、 Ｒｍａ
ｘ １Ｑμｍ以下、好ましくはＲａ Ｑ、５ μｍ以下
、 Ｒｍａｘ ７ ｆｉｍ以下に研磨した後、ウェハ接
触面のみをがムテープ、ざ一ル紙等でマスクしサンドブ
ラスト等で他の表面なＲａ ２μｍ以上、 Ｒｍａｘ
１５μｍ以上にあらしてもよい。
以上のようにして得られたサセプター基材の表面を、特
公昭５２−３９６８４号公報に記載の方法を用いて、膜
厚２〜５μｍのガラス状炭素で被覆する。以下、その被
覆方法について簡単に説明すると、ガラス状炭素の原料
であるポリ塩化ビニール等の有機物ポリマーを不活性化
雰囲気下。
公昭５２−３９６８４号公報に記載の方法を用いて、膜
厚２〜５μｍのガラス状炭素で被覆する。以下、その被
覆方法について簡単に説明すると、ガラス状炭素の原料
であるポリ塩化ビニール等の有機物ポリマーを不活性化
雰囲気下。
３５０〜４５０℃で熱分解しピッチ状の炭素前駆体を得
る。この炭素前駆体をトリクレンなどの有機溶剤に溶解
し、それをサセプター基材表面に塗布した後、真空中も
しくは不活性化雰囲気下、１０００℃以上で焼成する。
る。この炭素前駆体をトリクレンなどの有機溶剤に溶解
し、それをサセプター基材表面に塗布した後、真空中も
しくは不活性化雰囲気下、１０００℃以上で焼成する。
この塗布−焼成工程を繰シ返し行ない、゛サセプター基
材表面をガラス状炭素で被覆する。高純度が要求される
用途にたいしては、必要に応じて、例えば１６００℃以
上で塩素、フッ素等のハロデフガスな導入することで高
純度のサセプターを得ることができる。
材表面をガラス状炭素で被覆する。高純度が要求される
用途にたいしては、必要に応じて、例えば１６００℃以
上で塩素、フッ素等のハロデフガスな導入することで高
純度のサセプターを得ることができる。
（実施例）
以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的に本発明を
説明する。
説明する。
実施例１
第１図に示すプラズマＣＶＤ用サセプター（８００ｘ１
５０ｘ４）を機械加工（表面精度Ｒａ３．２μ＠ 、
Ｒｍａｘ ２２μＷＬ）シウエハ接触面を工業用バット
（住友スリーエム■社製スコッチシライト ７４４８）
で鏡面に仕上げた（ Ｒａ０１５μｍ ’Ｒｍａｘ ６
．５ Ａｍ ）。このサセプターの表面にポリ塩化ビニ
ールを窒素雰囲気中３９０℃で熱分解しタール状の炭素
前駆体ぎツチを得、トリクレンにこの炭素前駆体を濃度
１５重量％で溶解し、その溶液をサセプター基材の表面
に塗布し、真空雰囲気下、１２００℃で焼成した。この
塗布−焼成工程を４回縁シ返し行ない、膜厚６．５μｍ
でガラス状炭素を基サセプター表面に被覆した。
５０ｘ４）を機械加工（表面精度Ｒａ３．２μ＠ 、
Ｒｍａｘ ２２μＷＬ）シウエハ接触面を工業用バット
（住友スリーエム■社製スコッチシライト ７４４８）
で鏡面に仕上げた（ Ｒａ０１５μｍ ’Ｒｍａｘ ６
．５ Ａｍ ）。このサセプターの表面にポリ塩化ビニ
ールを窒素雰囲気中３９０℃で熱分解しタール状の炭素
前駆体ぎツチを得、トリクレンにこの炭素前駆体を濃度
１５重量％で溶解し、その溶液をサセプター基材の表面
に塗布し、真空雰囲気下、１２００℃で焼成した。この
塗布−焼成工程を４回縁シ返し行ない、膜厚６．５μｍ
でガラス状炭素を基サセプター表面に被覆した。
その結果、ガラス状炭素被覆後の表面粗さは、ウェハ接
触面がＲａ［］、３μ７ＦＬ、 Ｒｍａｘ ６．０μｒ
ｒＬ１それ以外の他面がＲａ ３．０ μｍ 、 Ｒ
ｍａｘ ２１μｍのゾラズＷＣＶＤ用黒鉛サセプターが
得られた。
触面がＲａ［］、３μ７ＦＬ、 Ｒｍａｘ ６．０μｒ
ｒＬ１それ以外の他面がＲａ ３．０ μｍ 、 Ｒ
ｍａｘ ２１μｍのゾラズＷＣＶＤ用黒鉛サセプターが
得られた。
比較例１
表面をガラス状炭素で被覆しないこと以外は、実施例１
と同様にしてプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造し
た。
と同様にしてプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造し
た。
比較例２
サセプター基材のウエノ・接触面の鏡面仕上げ及びガラ
ス状炭素被覆を施さない以外は実施例１と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造した。
ス状炭素被覆を施さない以外は実施例１と同様にしてプ
ラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを製造した。
比較例６
ウェハ接触面とそれ以外の他面との表面粗さを変えるこ
となく、サセプター基材の全面をスコッチプライト７４
４８で鏡面に仕上げた後、ガラス状炭素な膜厚３．５μ
ｍで被覆したこと以外は実施例１と同様処してプラズマ
ＣＶＤ用黒鉛サセプターを得た。
となく、サセプター基材の全面をスコッチプライト７４
４８で鏡面に仕上げた後、ガラス状炭素な膜厚３．５μ
ｍで被覆したこと以外は実施例１と同様処してプラズマ
ＣＶＤ用黒鉛サセプターを得た。
上記４例のサセプターを評価するため、拡散炉型プラズ
マＣＶＤ装置を用い、４インチＳ１ウエハを５枚ずつセ
ットしてペルジャー内に入れ、外部加熱によりそれを３
００℃に加熱しサセプター間に高周波１３．５６ ＭＨ
ｚをかけ８１）１．とＮＨ５を原料ガスとしてペルジャ
ー内に導入し真空度１ｔｏｒｒで高周波プラズマを立て
、Ｓ１ウエノ蔦上にシリコン窒化膜を１．２μ雷形成し
たときの膜厚のバラツキ及び異物量を顕微鏡で調べた。
マＣＶＤ装置を用い、４インチＳ１ウエハを５枚ずつセ
ットしてペルジャー内に入れ、外部加熱によりそれを３
００℃に加熱しサセプター間に高周波１３．５６ ＭＨ
ｚをかけ８１）１．とＮＨ５を原料ガスとしてペルジャ
ー内に導入し真空度１ｔｏｒｒで高周波プラズマを立て
、Ｓ１ウエノ蔦上にシリコン窒化膜を１．２μ雷形成し
たときの膜厚のバラツキ及び異物量を顕微鏡で調べた。
その結果を第１表に示す。
（発明の効果）
本発明のプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターを用いると生
成膜の電気比抵抗及び均一性が向上する。
成膜の電気比抵抗及び均一性が向上する。
これＫよシ成膜の歩留りが向上し生産コストの低下等を
図ることができる。
図ることができる。
第１図は、本発明のプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプターの
１例を示す概略正面図である。 １・・・サセプター本体、２・・・ウェハ接触面、３．
、。 それ以外の他面、４・・・ビン 特許出願人 電気化学工業株式会社
１例を示す概略正面図である。 １・・・サセプター本体、２・・・ウェハ接触面、３．
、。 それ以外の他面、４・・・ビン 特許出願人 電気化学工業株式会社
Claims (1)
- １、ウェハ接触面の表面粗さをそれ以外の他面よりも小
さくし、しかも表面全体をガラス状炭素で被覆してなる
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ用黒鉛サセプター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075777A JPH0647516B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1075777A JPH0647516B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02255593A true JPH02255593A (ja) | 1990-10-16 |
| JPH0647516B2 JPH0647516B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=13585985
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1075777A Expired - Lifetime JPH0647516B2 (ja) | 1989-03-28 | 1989-03-28 | プラズマｃｖｄ用黒鉛サセプター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647516B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0814174A1 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-29 | Qqc, Inc. | Glassy carbon coatings having water repellant and corrosion-erosion-, and wear-resistant characteristics |
| JP2002043397A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Hitachi Chem Co Ltd | サセプター |
| US20080006207A1 (en) * | 2006-07-07 | 2008-01-10 | Tokyo Electron Limited | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus |
| JP2012221987A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | 基板カート、薄膜形成装置および太陽電池製造用薄膜形成装置 |
| JP2013251367A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5595700A (en) * | 1979-01-11 | 1980-07-21 | Nec Corp | Vapor phase growing jig |
| JPS6317294A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-25 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ガラス状炭素被覆サセプタ−及びその製造方法 |
| JPS6447019A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Glassy carbon coated susceptor |
-
1989
- 1989-03-28 JP JP1075777A patent/JPH0647516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| US8524005B2 (en) * | 2006-07-07 | 2013-09-03 | Tokyo Electron Limited | Heat-transfer structure and substrate processing apparatus |
| JP2012221987A (ja) * | 2011-04-04 | 2012-11-12 | Shimadzu Corp | 基板カート、薄膜形成装置および太陽電池製造用薄膜形成装置 |
| JP2013251367A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Shimadzu Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0647516B2 (ja) | 1994-06-22 |
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