JPH02257406A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、基板上に磁気ヘッドの構成部材を薄膜として
積層して形成して構成される薄膜磁気ヘッドの製造方法
に関するものである。

［従来の技術］ 従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を第４図及び第５図を
参照して説明する。なお第４図は薄膜磁気ヘッドの製造
工程の途中で後述するコイルとその引き出し電極を形成
するためのフォトレジストパターンを形成した状態を示
す斜視図であり、第５図は第４図のＹ−Ｙ’面の断面図
である。

第４図及び第５図において符号１は薄膜磁気ヘッドの基
板である。従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程ではまず基
板１上にヘッドの磁気回路を構成する薄膜から成る下部
磁性層２を形成する。下部磁性層２は基板１より小さな
所定形状に形成され、例えば第４図、第５図に示すよう
に矩形に形成される。

次に下部磁性層２の全体を覆うようにして基板１の上面
全面に絶縁層３を形成し、更にその上に導電層４を形成
する。

そしてこの導電層４をコイルとその引き出し電極の形状
に形成するために導電層４上にコイルと引き出し電極に
対応した形状のフォトレジストパターン４１を形成する
。フォトレジストパターン４１は、下部磁性層２の存在
によって段差が形成された導電層４の上面に形成され、
導電Ｎ４の段差の下面４ａから段差面４ｃを乗り越え、
段差の上面４ｅに連続して形成される。上面４ｅに形成
されるフォトレジストパターン４１の部分はコイルに対
応し、それ以下の部分は引き出し電極に対応する。

次に図示の状態で導電層４をエツチングし、導電層４を
フォトレジストパターン４１の対応したコイルとその引
き出し電極の形状に加工する。そしてフォトレジストパ
ターン４１を除去する。

このようにしてコイルと引き出し電極を形成した後は、
図示していないがその上に絶縁層を介して磁気回路を構
成する上部磁性層を形成し、更にその上に保護層を介し
て保護板を接合する。そしてヘッドの記録媒体摺動面を
加工して薄膜磁気ヘッドが完成する。

［発明が解決しようとする課題］ 従来の薄膜磁気ヘッドでは下部磁性層の厚さは３〜５μ
ｍ程度であり、ヘッドの基板上で下部磁性層による段差
を乗り越える導電層等のパターン形成に関して特別な問
題は生じていなかった。しかし最近では記録の高密度化
に対応するため、薄膜磁気ヘッドにおいて高保磁力媒体
への記録能力が要求され、そのために下部磁佳層の厚さ
が５〜１５μｍ程度必要となる。又マルチチャンネル型
の薄膜磁気ヘッドでは隣接するチャンネル間のクロスト
ークを低減させるために下部磁性層はできるだけ小さい
形状とするのが好ましい、そしてこのように下部磁性層
を厚くし、かつ小さくすると基板上における下部磁性層
による段差が高く急になり、このため以下のような問題
が生じる。

即ち第４図及び第５図に示したフォトレジストパターン
４１に関して一般に段差面４Ｃの上部ではレジストの膜
厚が薄くなり、特に段差面４Ｃの上縁４ｄの角部では膜
厚ｔが最も薄くなる。このため上縁４ｄの角部において
露光過多によるレジストの線細りが生じる。又段差面４
Ｃの下部ではレジスト膜厚が厚くなり、段差面４Ｃの下
縁４ｂの角部では膜厚が最も厚くなる。このためこの部
分で露光不十分によるレジスト残量が生じる傾向がある
。

そしてこのような傾向は上記の段差が高く急になる程顕
著になり、上４４４　ｄの角部におけるレジスト膜厚ｔ
はいっそう薄くなる。

このためイオンミリング等の非選択性エツチングではエ
ツチングが進行するにつれて上縁４ｄの角部でフォトレ
ジストがなくなり、この部分で導電層４がエツチングさ
れ、形成されるコイルと引き出し電極が上縁４ｄの角部
において断線してしまう。

なおこの断線の問題を避けるためにはフォトレジストパ
ターン４１の全体の膜厚を厚くする方法もあるが、そう
するとフォトレジストパターン４１を精度良く形成でき
ず、特に上面４ｅに形成されるコイルのパターンを精度
良く加工できないという問題が生じる。記録の高密度化
に対応するためにコイルのパターンは微細化されるので
、この問題は記録の高密度化に対する障害となる。

そこで本発明の課題は上記のような問題を解決して薄膜
磁気ヘッドの高記録密度化が図れる薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記課題を解決するために、本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法においては、薄膜磁気ヘッドの基板上に形
成された段差を有する面上で前記段差の下面から段差を
乗り越えて段差上面に連続する所定形状のフォトレジス
トパターンを形成する工程を有し、該工程で前記パター
ン形成を２回に分けて行ない、先ず膜厚が厚い第１のフ
ォトレジスト膜により前記段差下面から段差を乗り越え
て段差上面の段差上縁近傍に達する第１のパターンを形
成し、次に膜厚が薄い第２のフォトレジスト膜により少
なくとも前記段差上面に第２のパターンを前記第１のパ
ターンと連続するように形成する構成を採用した。

［作　用］ このような構成によれば、膜厚が厚い第１のフォトレジ
スト膜により第１のパターンを形成することにより、段
差上縁の角部におけるレジスト膜厚を確保できる。又膜
厚が薄い第２のフォトレジスト膜により第２のパターン
を形成することにより、第２のパターンは精度良く形成
できる。そしてこの第１と第２のパターンからなるフォ
トレジストパターンが上述したコイルと引き出し電極を
形成するためのパターンとすれば、前述した段差上縁角
部における断線の問題やパターンの精度の問題を解決で
きる。

［実施例］ 以下、図面に示す実施例に基づいて本発明の詳細な説明
する。

１上叉１」 第１図（Ａ）から（Ｆ）及び第２図は本発明の第１実施
例の製造方法による薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明す
るものである。なお第２図は第１図（Ｃ）のｘ−ｘ’面
の断面を示している。

第１図（Ａ）において符号１は薄膜磁気ヘッドの基板で
あり、ガラスやフェライト等から形成される０本実施例
の製造工程では、まずこの基板１上にパーマロイやセン
ダスト等の軟磁性材料の薄膜をスパッタや蒸着等により
成膜し、フォトリソエツチングにより第１図（Ａ）に示
すように下部磁性層２として所定のパターン、ここでは
矩形に形成する。

次に第１図（Ｂ）に示すように、下部磁性層２の全体を
覆うようにして基板１の上面全面に５ｉ０２等から成る
絶縁層３を成膜し、更にその上面の全面にＡＩ！やＣｕ
等から成る導電・層４を成膜する。

次に導電層４上にコイルとその引き出し電極に対応した
フォトレジストパターンを形成するが、本実施例では従
来と異なりこのパターン形成を２回に分けて行なう、即
ちまず第１図（Ｂ）に示す構成の上面全面にフォトレジ
ストを厚く塗布して膜厚が厚いフォトレジスト膜を形成
し、このレジスト膜の露光、現像プロセスにより第１図
（Ｃ）に示すように第１のフォトレジストパターン２１
を形成する０図示のようにフォトレジストパターン２１
は、引き出し電極に対応し、下部磁性層２の存在により
導電層４に形成される段差の下面４ａから段差面４ｃを
乗り越えて段差の上面４ｅの段差上縁４ｄ近傍に達する
ように形成される。

ここで第２図に示す導電層４の膜厚ｔ４に対してフォト
レジストパターン２１の段差上縁４ｄの角部における膜
厚ｔ、は、 導電層のエツチングレート とする必要がある。こうなるようにフォトレジストパタ
ーン２１の膜厚ｔ２１を厚くする。

次に第１図（Ｃ）に示した構成の上面全面にフォトレジ
ストを薄く塗布して薄いフォトレジスト膜を成膜し、露
光、現像プロセスにより第１図（Ｄ）に示す薄いフォト
レジスト膜から成る第２のフォトレジストパターン２２
を形成する。

フォトレジストパターン２２はコイルに対応した形状で
段差の上面４ｅに形成され、両端部が第１のフォトレジ
ストパターン２１のそれぞれの上に重なって連続するよ
うに形成される。

このように第１と第２のフォトレジストパターン２１．
２２を形成した後、例えばイオンエツチング装置を用い
てイオンエツチングによりパターン２１．２２の下地に
形成されている導電層４をエツチングし、導電層４から
第１図（Ｅ）に示すコイル４ａとその引き出し電極４ｂ
のパターンを形成する。なお第１図（Ｅ）は上記エツチ
ング後でフォトレジストパターン２１．２２を剥離した
状態を示している。

次に第１図（Ｅ）に示す構成の上面全面に５ｉＯ１等か
ら成る不図示の絶縁層を成膜した後、フォトリソエツチ
ングによりその絶縁層と絶縁層３に第１図（Ｆ）に示す
磁気コンタクトホール５を形成すると共に、磁気ギャッ
プ層６を形成する。そして第１図（Ｆ）に示すようにコ
イル４ａをまたぐようにして磁気回路を構成する上部磁
性層フを軟磁性材薄膜の成膜とフォトリソエツチングに
より形成する。上部磁性層７の後端部は磁気コンタクト
ホール５を介して下部磁性層２と接合される。又上部磁
性層７の先端部は磁気ギャップ層６を介して下部磁性層
２と対向する。

次に第１図（Ｆ）の構成の上に不図示の保護層を介して
、不図示の保護板を接合した後、図の奥側の側面を研削
、研摩して記録媒体摺動面として仕上げ、薄膜磁気ヘッ
ドが完成する。

以上のような本実施例の製造方法によれば、第１のフォ
トレジストパターン２１の膜厚を厚（することにより第
２図の段差上ｆｉ４ｄの角部におけるフォトレジストの
膜厚ｔ６を十分に確保することができ、この部分での導
電層４のオーバーエツチングを防ぐことができ、コイル
４ａと引き出し電極４ｂ間の断線を防止できる。

又コイル４ａに対応する第２のフォトレジストパターン
２２の膜厚が薄いことにより、フォトレジストパターン
２２は高精度に形成でき、それによりコイル４ａのパタ
ーン形成を高精度に行なえる。そして本実施例によれば
、下部磁性層２による段差が高くて傾斜が急であっても
問題が生じないので下部磁性層２の厚さを厚くできる。

そしてこれらのことから記録の高密度化に対応すること
ができる。

箋」」Ｕｌ団 ところでマルチチャンネルの薄膜磁気ヘッドでは記録の
高密度化に対応するためには、チャンネル密度を高くす
るためにコイルのパターンの微細化とともに引き出し電
極の微細化も要求され、その線幅の制御が重要な課題と
なる。これに対して上述した第１実施例では引き出し電
極４ｂに対応して段差の下面４ａに形成される第１のフ
ォトレジストパターン２１の膜厚ｔ２１が厚いため、引
き出し電極４ｂのパターン精度が悪くなる。そこでこの
問題を解決するためには、コイルと引き出し電極のため
のフォトレジストパターンの形成に関して本発明の第２
実施例として第３図（Ａ）。

（Ｂ）に示すような方法を採用すれば良い。

本実施例ではまず第３図（Ａ）に示すように、膜厚の厚
いフォトレジスト膜により導電層４の段差に掛る部分だ
けに第１のフォトレジストパターン３１を形成する。即
ちフォトレジストパターン３１は段差の下面４ａの段差
下縁４ｂ近傍から段差面４Ｃを乗り越え段差上面４ｅの
上縁４ｄ近傍に達するところまで形成する。

次に第３図（Ｂ）に示すように薄いフォトレジスト膜に
よりそれぞれコイルと引き出し電極に対応する第２のフ
ォトレジストパターン３２．３２′を段差上面４ｅと段
差下面・４ａのそれぞれに形成し、それぞれ第１のフォ
トレジストパターン３１に連続するように形成する。し
かる後に導電層４のエツチングによりコイルと引き出し
電極を形成する。

このような本実施例によれば導電層４の段差にかかる部
分を除いて段差上面４ｅにおいても段差下面４ａにおい
ても高精度なフォトレジストパターンの形成が可能とな
り、コイルと共に引き出し電極のパターン形成も高精度
に行なえ、記録の高密度化に対応できる。

なお以上のようにフォトレジストパターンの形成を２回
に分けて行なう方法はコイルと引き出し電極のためのフ
ォトレジストパターン形成の場合に限らず、例えば上部
磁性層が段差を乗り越えて形成される場合等にも適用す
ることができる。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように本発明による薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法においては、薄膜磁気ヘッドの基板上に
形成された段差を有する面上で前記段差の下面から段差
を乗り越えて段差上面に連続する所定形状のフォトレジ
ストパターンを形成する工程を有し、該工程で前記パタ
ーン形成を２回に分けて行ない、先ず膜厚が厚い第１の
フォトレジスト膜により前記段差下面から段差を乗り越
えて段差上面の段差上縁近傍に達する第１のパターンを
形成し、次に膜厚が薄い第２のフォトレジスト膜により
少なくとも前記段差上面に第２のパターンを前記第１の
パターンと連続するように形成する構成を採用したので
、段差上縁の角部におけるフォトレジストパターンの膜
厚を十分に確保できるとともにフォトレジストパターン
を高精度に形成することができる。そしてこの方法を例
えばコイルとその引き出し電極のためのフォトレジスト
パターン形成に用いることによりコイルと引き出し電極
の断線を防止できるとともにコイルと引き出し電極を高
精度に形成でき、記録の高密度化に対応できるという優
れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ本発明の第１実施例に
よる薄膜磁気ヘッドの製造工程の説明図、第２図は第１
図（Ｃ）のｘ−ｘ’面の断面図、第３図（Ａ）、（Ｂ）
はそれぞれ本発明の第２実施例によるフォトレジストパ
ターン形成工程の説明図、第４図は従来の製造方法によ
るコイルと引き出し電極のためのフォトレジストパター
ンの形成状態を示す斜視図、第５図は第４図のＹ　−Ｙ
′面の断面図である。 １・・・基板　　　　　　２・・・下部磁性層３・・・
絶縁層　　　　　４・・・導電層４ａ・・・コイル　　
　　４ｂ・・・引き出し電極５・・・磁気コンタクトホ
ール

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）薄膜磁気ヘッドの基板上に形成された段差を有する
   面上で前記段差の下面から段差を乗り越えて段差上面に
   連続する所定形状のフォトレジストパターンを形成する
   工程を有し、該工程で前記パターン形成を２回に分けて
   行ない、先ず膜厚が厚い第１のフォトレジスト膜により
   前記段差下面から段差を乗り越えて段差上面の段差上縁
   近傍に達する第１のパターンを形成し、次に膜厚が薄い
   第２のフォトレジスト膜により少なくとも前記段差上面
   に第２のパターンを前記第１のパターンと連続するよう
   に形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法
   。 ２）前記第１のパターンは前記段差下面の段差下縁近傍
   から段差を乗り越えて段差上面の段差上縁近傍に達する
   ように形成し、前記第２のパターンは前記段差上面と段
   差下面のそれぞれに形成することを特徴とする請求項第
   １項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ３）前記第１及び第２のパターンからなるフォトレジス
   トパターン形成後、イオンエッチングにより、前記フォ
   トレジストパターンの下地に形成されている導電層のパ
   ターンを形成することを特徴とする請求項第１項又は第
   ２項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ４）前記第１と第２のパターンからなるフォトレジスト
   パターンは導電層上に形成され、該導電層からコイルと
   その引き出し電極を形成するためのパターンであること
   を特徴とする請求項第１項から第３項までのいずれか１
   項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。