JPH02258671A - セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法 - Google Patents
セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH02258671A JPH02258671A JP1106490A JP10649089A JPH02258671A JP H02258671 A JPH02258671 A JP H02258671A JP 1106490 A JP1106490 A JP 1106490A JP 10649089 A JP10649089 A JP 10649089A JP H02258671 A JPH02258671 A JP H02258671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- solid solution
- mol
- barium
- titanate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims abstract description 70
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 56
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 claims description 21
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910021523 barium zirconate Inorganic materials 0.000 claims description 16
- DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N barium(2+);dioxido(oxo)zirconium Chemical compound [Ba+2].[O-][Zr]([O-])=O DQBAOWPVHRWLJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052454 barium strontium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 14
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 14
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 12
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 9
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 9
- 125000005402 stannate group Chemical group 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N [Sr].[Ba] Chemical compound [Sr].[Ba] WOIHABYNKOEWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 235000006748 manganese carbonate Nutrition 0.000 description 3
- 239000011656 manganese carbonate Substances 0.000 description 3
- 229940093474 manganese carbonate Drugs 0.000 description 3
- 229910000016 manganese(II) carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 2
- 241001201738 Batia Species 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000016649 Copaifera officinalis Species 0.000 description 1
- 239000004859 Copal Substances 0.000 description 1
- 235000010799 Cucumis sativus var sativus Nutrition 0.000 description 1
- 244000299906 Cucumis sativus var. sativus Species 0.000 description 1
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- -1 and B Chemical compound 0.000 description 1
- XWUPANOEJRYEPL-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-);titanium(4+);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Ba+2] XWUPANOEJRYEPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000029305 taxis Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
- H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮呈上少剋里分団
本発明は、セラミック誘電体用組成物、これを用いて得
られるセラミック誘電体及びその製造方法に関し、詳し
くは、−５５〜＋１２５℃の温度範囲にわたって、比誘
電率が高く、且つ、２０℃の基準値における比誘電率の
変化率が±１５％以下であるセラミック誘電体を製造す
るための組成物、かかる組成物を用いて得られるセラミ
ック誘電体、及びかかる誘電体の製造方法に関する。
られるセラミック誘電体及びその製造方法に関し、詳し
くは、−５５〜＋１２５℃の温度範囲にわたって、比誘
電率が高く、且つ、２０℃の基準値における比誘電率の
変化率が±１５％以下であるセラミック誘電体を製造す
るための組成物、かかる組成物を用いて得られるセラミ
ック誘電体、及びかかる誘電体の製造方法に関する。
従来■伎街
チタン酸バリウムを焼成して、セラミック誘電体を得る
ことはよく知られているが、このセラミック誘電体は、
比誘電率が温度によって大幅に変動する。そこで、ある
温度範囲にわたって、平坦な比誘電率特性を有せしめる
ために、主成分であるチタン酸バリウムに少量の酸化コ
バルトや酸化ニオブを加え、チタン酸バリウム中へのこ
れらの拡散を適度に制御しながら焼成して、セラミック
誘電体を得る方法も、例えば、「エレクトロコンポネン
ト・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ｊ１９７６年第２巻第２４１〜２４
７頁に記載されているように、既に知られている。
ことはよく知られているが、このセラミック誘電体は、
比誘電率が温度によって大幅に変動する。そこで、ある
温度範囲にわたって、平坦な比誘電率特性を有せしめる
ために、主成分であるチタン酸バリウムに少量の酸化コ
バルトや酸化ニオブを加え、チタン酸バリウム中へのこ
れらの拡散を適度に制御しながら焼成して、セラミック
誘電体を得る方法も、例えば、「エレクトロコンポネン
ト・サイエンス・アンド・テクノロジー（Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｃｏｍｐｏｎｅｎｔ ５ｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅ
ｃｈｎｏｌｏｇｙ）Ｊ１９７６年第２巻第２４１〜２４
７頁に記載されているように、既に知られている。
しかしながら、かかるセラミック誘電体においても、特
に、１００℃近傍での比誘電率の負変化率がなお大きく
、従って、例えば、−５５〜＋１２５℃の温度範囲にお
いて、２５℃の基準値にて、比誘電率の変化率が±１５
％以下である米国Ｘ７Ｒ規格や、−５５〜＋１２５℃の
温度範囲において、２０℃の基準値にて、比誘電率の変
化率が±１０％以下である我国Ｂ特性に適合する比誘電
率特性を有するセラミック誘電体を定常的に安定した品
質で工業的に得ることは、従来、困難であった。
に、１００℃近傍での比誘電率の負変化率がなお大きく
、従って、例えば、−５５〜＋１２５℃の温度範囲にお
いて、２５℃の基準値にて、比誘電率の変化率が±１５
％以下である米国Ｘ７Ｒ規格や、−５５〜＋１２５℃の
温度範囲において、２０℃の基準値にて、比誘電率の変
化率が±１０％以下である我国Ｂ特性に適合する比誘電
率特性を有するセラミック誘電体を定常的に安定した品
質で工業的に得ることは、従来、困難であった。
日 く ” しよ゛と る量
本発明は、従来のチタン酸バリウムを主成分とするセラ
ミック誘電体における上記した問題を解決するためにな
されたものであって、特に、１００℃近傍の比誘電率を
高めて、−５５〜＋１２５℃の温度範囲にわたって、２
０℃の基準値における比誘電率の変化率が極めて小さく
、しかも、比誘電率が高いセラミック誘電体を容易に且
つ安定して得ることができるセラミック誘電体用組成物
を提供することを目的とし、更に、かかるセラミック誘
電体及びその製造方法を提供することを目的とする。
ミック誘電体における上記した問題を解決するためにな
されたものであって、特に、１００℃近傍の比誘電率を
高めて、−５５〜＋１２５℃の温度範囲にわたって、２
０℃の基準値における比誘電率の変化率が極めて小さく
、しかも、比誘電率が高いセラミック誘電体を容易に且
つ安定して得ることができるセラミック誘電体用組成物
を提供することを目的とし、更に、かかるセラミック誘
電体及びその製造方法を提供することを目的とする。
■ ゛ るための
本発明によるセラミック誘電体用セラミックは、平均粒
径０．１〜１．５μｍのチタン酸バリウム９８〜６０モ
ル％と、平均粒径０．１〜１．５μｍであって、且つ、
キュリー温度５０〜１１５℃であるチタン酸バリウム系
ペロブスカイト固溶体２〜４０モル％との合計量１００
モル％に対して、Ａ、酸化ニオブ及び酸化タンタルから
選ばれる少なくとも一種の酸化物０．３〜２モル％、及
びＢ、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム
、酸化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選
ばれる少なくとも一種の酸化物０．１〜２モル％ を含有することを特徴とする。
径０．１〜１．５μｍのチタン酸バリウム９８〜６０モ
ル％と、平均粒径０．１〜１．５μｍであって、且つ、
キュリー温度５０〜１１５℃であるチタン酸バリウム系
ペロブスカイト固溶体２〜４０モル％との合計量１００
モル％に対して、Ａ、酸化ニオブ及び酸化タンタルから
選ばれる少なくとも一種の酸化物０．３〜２モル％、及
びＢ、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム
、酸化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選
ばれる少なくとも一種の酸化物０．１〜２モル％ を含有することを特徴とする。
このように、本発明によれば、チタン酸バリウムと共に
１００℃近傍にキュリー温度を有するチタン酸バリウム
系ペロブスカイト固溶体を用い、これを金属酸化物と共
に焼成することによって、得られるセラミック誘電体に
おいて、１００℃近傍での比誘電率の温度に対する変化
率を著しく低減し、かくして、比誘電率の温度変化率の
極めて小さいセラミック誘電体を得ることができる。
１００℃近傍にキュリー温度を有するチタン酸バリウム
系ペロブスカイト固溶体を用い、これを金属酸化物と共
に焼成することによって、得られるセラミック誘電体に
おいて、１００℃近傍での比誘電率の温度に対する変化
率を著しく低減し、かくして、比誘電率の温度変化率の
極めて小さいセラミック誘電体を得ることができる。
本発明において用いるチタン酸バリウム系ペロブスカイ
ト固溶体は、そのキュリー温度が５０〜１１５℃の範囲
であって、チタン酸バリウムの有するペロブスカイト型
構造において、バリウムやチタンに代わって、例えば、
ストロンチウムやジルコニウムやスズが固溶されている
固溶体を意味し、従って、本発明においてぼ、チタン酸
バリウム系ペロブスカイト固溶体として、例えば、チタ
ン酸ジルコン酸バリウム固溶体、チタン酸ストロンチウ
ムバリウム固溶体、チタン酸スズ酸バリウム固溶体、チ
タン酸ジルコン酸バリウムストロンチウム固溶体、チタ
ン酸ジルコン酸スズ酸バリウム固溶体等を挙げることが
できる。これらは単独にて、又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。
ト固溶体は、そのキュリー温度が５０〜１１５℃の範囲
であって、チタン酸バリウムの有するペロブスカイト型
構造において、バリウムやチタンに代わって、例えば、
ストロンチウムやジルコニウムやスズが固溶されている
固溶体を意味し、従って、本発明においてぼ、チタン酸
バリウム系ペロブスカイト固溶体として、例えば、チタ
ン酸ジルコン酸バリウム固溶体、チタン酸ストロンチウ
ムバリウム固溶体、チタン酸スズ酸バリウム固溶体、チ
タン酸ジルコン酸バリウムストロンチウム固溶体、チタ
ン酸ジルコン酸スズ酸バリウム固溶体等を挙げることが
できる。これらは単独にて、又は２種以上の混合物とし
て用いることができる。
また、本発明においては、得られるセラミック誘電体に
おいて、その比誘電率の温度特性や、その他の電気特性
を損なわない範囲において、チタン酸バリウム及びチタ
ン酸バリウム系ベロブスカイト固溶体には、これら以外
のペロブスカイト化合物が固溶されていてもよい。
おいて、その比誘電率の温度特性や、その他の電気特性
を損なわない範囲において、チタン酸バリウム及びチタ
ン酸バリウム系ベロブスカイト固溶体には、これら以外
のペロブスカイト化合物が固溶されていてもよい。
本発明において用いるチタン酸バリウム及びチタン酸バ
リウム系ペロブスカイト固溶体は、酸化ニオブ及び酸化
タンタルのこれら固溶体への拡散を抑制して、不均一な
拡散構造を形成させるために、その平均粒径が０．１〜
１．５μｍの範囲にあることが必要である。平均粒径が
０．１μｍよりも小さいときは、酸化ニオブ及び酸化タ
ンタルの拡散が進みすぎ、組成が均一化するために、平
坦な比誘電率温度特性を得ることができない。他方、平
均粒径が１．５μｍを越えるときは、上記した酸化ニオ
ブ及び酸化タンタルの拡散を抑制することはできるもの
の、−次粒子内に残留する未拡散部分が多くなりすぎる
結果、焼結体全体に対するチタン酸バリウム系ペロブス
カイト固溶体の特性が優先して発現され、か（して、平
坦な比誘電率温度特性を有せしめることができない。
リウム系ペロブスカイト固溶体は、酸化ニオブ及び酸化
タンタルのこれら固溶体への拡散を抑制して、不均一な
拡散構造を形成させるために、その平均粒径が０．１〜
１．５μｍの範囲にあることが必要である。平均粒径が
０．１μｍよりも小さいときは、酸化ニオブ及び酸化タ
ンタルの拡散が進みすぎ、組成が均一化するために、平
坦な比誘電率温度特性を得ることができない。他方、平
均粒径が１．５μｍを越えるときは、上記した酸化ニオ
ブ及び酸化タンタルの拡散を抑制することはできるもの
の、−次粒子内に残留する未拡散部分が多くなりすぎる
結果、焼結体全体に対するチタン酸バリウム系ペロブス
カイト固溶体の特性が優先して発現され、か（して、平
坦な比誘電率温度特性を有せしめることができない。
本発明においては、特に、チタン酸バリウムは、その平
均粒径が０．２〜１．０ ｐ ｍの範囲にあることが好
ましい。尚、ここに、平均粒径とは、ＢＥＴ比面積面積
値ｗ）から次式で計算される値（Ｄｓ）を意味する。但
し、ρは密度である。
均粒径が０．２〜１．０ ｐ ｍの範囲にあることが好
ましい。尚、ここに、平均粒径とは、ＢＥＴ比面積面積
値ｗ）から次式で計算される値（Ｄｓ）を意味する。但
し、ρは密度である。
Ｄｓ＝６／ρＳ譬
本発明によるセラミック誘電体用組成物は、チタン酸バ
リウム９８〜６０モル％と共に、チタン酸バリウム系ペ
ロブスカイト固溶体２〜４０モル％を含有する。
リウム９８〜６０モル％と共に、チタン酸バリウム系ペ
ロブスカイト固溶体２〜４０モル％を含有する。
チタン酸バリウムとチタン酸バリウム系ペロブスカイト
固溶体の配合モル比を本発明に従って規定することによ
って、得られるセラミック誘電体に平坦な比誘電率温度
特性を有せしめることができると共に、誘電正接、焼結
密度、抵抗率等の電気特性についても最善の結果を得る
ことができる。
固溶体の配合モル比を本発明に従って規定することによ
って、得られるセラミック誘電体に平坦な比誘電率温度
特性を有せしめることができると共に、誘電正接、焼結
密度、抵抗率等の電気特性についても最善の結果を得る
ことができる。
チタン酸バリウムに対するチタン酸バリウム系ペロブス
カイト固溶体の配合量が上記範囲をはずれるときは、得
られるセラミック誘電体において、比誘電率の温度依存
性がなお大きく、前記温度範囲にわたって平坦な比誘電
率特性を有せしめることができず、更に、前記した誘電
正接や抵抗等の電気特性においても劣ることとなる。
カイト固溶体の配合量が上記範囲をはずれるときは、得
られるセラミック誘電体において、比誘電率の温度依存
性がなお大きく、前記温度範囲にわたって平坦な比誘電
率特性を有せしめることができず、更に、前記した誘電
正接や抵抗等の電気特性においても劣ることとなる。
特に、本発明においては、チタン酸バリウム系ペロブス
カイト固溶体として、例えば、（ａｌ 一般式（１） ％式％ （式中、Ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５を満たす数である
。） で表わされるチタン酸ジルコン酸バリゲム固溶体、又は （ｂｌ 一般式（Ｉｆ） Ｂａ＋−、Ｓｒ、Ｔｉ０３ （式中、ｙは０．０３≦ｙ≦０．２０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸バリウムストロンチウム固溶体、
又は （Ｃ１一般式（］） ％式％ （式中、２は０．０１≦２≦０．１０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸スズ酸バリウム固溶体、（ｄｌ
上記固溶体の少なくとも２種からなる複合固溶体、又
は （ｅ） これらの混合物 が好ましく用いられる。
カイト固溶体として、例えば、（ａｌ 一般式（１） ％式％ （式中、Ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５を満たす数である
。） で表わされるチタン酸ジルコン酸バリゲム固溶体、又は （ｂｌ 一般式（Ｉｆ） Ｂａ＋−、Ｓｒ、Ｔｉ０３ （式中、ｙは０．０３≦ｙ≦０．２０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸バリウムストロンチウム固溶体、
又は （Ｃ１一般式（］） ％式％ （式中、２は０．０１≦２≦０．１０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸スズ酸バリウム固溶体、（ｄｌ
上記固溶体の少なくとも２種からなる複合固溶体、又
は （ｅ） これらの混合物 が好ましく用いられる。
上記一般式（１）で表わされるチタン酸ジルコン酸バリ
ウム固溶体において、Ｘは、上記したように、０．０３
から０．２０の範囲の数であって、このＸの値が上記範
囲をはずれるときは、得られるセラミック誘電体におい
て、比誘電率の温度依存性がなお大きく、前記温度範囲
にわたって平坦な比誘電率特性を有せしめることができ
ず、更に、前記した誘電正接や抵抗等の電気特性におい
ても劣ることとなる。
ウム固溶体において、Ｘは、上記したように、０．０３
から０．２０の範囲の数であって、このＸの値が上記範
囲をはずれるときは、得られるセラミック誘電体におい
て、比誘電率の温度依存性がなお大きく、前記温度範囲
にわたって平坦な比誘電率特性を有せしめることができ
ず、更に、前記した誘電正接や抵抗等の電気特性におい
ても劣ることとなる。
同様に、前記一般式（ｎ）及び（ＩＩ［）で表わされる
チタン酸ジルコン酸バリウム固溶体及びチタン酸スズ酸
バリウム固溶体において、ｙは、上記したように、０．
０３から０．２０の範囲の数であり、２は、０．０１か
ら０．１０の範囲の数であって、それぞれが、上記範囲
をはずれるときは、得られるセラミック誘電体において
、比誘電率の温度依存性がなお大きく、前記温度範囲に
わたって平坦な比誘電率特性を有せしめることができず
、更に、前記した誘電正接や抵抗等の電気特性において
も劣ることとなる。
チタン酸ジルコン酸バリウム固溶体及びチタン酸スズ酸
バリウム固溶体において、ｙは、上記したように、０．
０３から０．２０の範囲の数であり、２は、０．０１か
ら０．１０の範囲の数であって、それぞれが、上記範囲
をはずれるときは、得られるセラミック誘電体において
、比誘電率の温度依存性がなお大きく、前記温度範囲に
わたって平坦な比誘電率特性を有せしめることができず
、更に、前記した誘電正接や抵抗等の電気特性において
も劣ることとなる。
複合固溶体とは、本発明においては、上記したチタン酸
ジルコン酸バリウム固溶体、チタン酸バリウムストロン
チウム固溶体及びチタン酸スズ酸バリウム固溶体からな
る群より選ばれる少なくとも２種を用いて得られる固溶
体を意味し、例えば、具体例として、チタン酸ジルコン
酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸スズ酸
バリウム等を挙げることができる。
ジルコン酸バリウム固溶体、チタン酸バリウムストロン
チウム固溶体及びチタン酸スズ酸バリウム固溶体からな
る群より選ばれる少なくとも２種を用いて得られる固溶
体を意味し、例えば、具体例として、チタン酸ジルコン
酸バリウムストロンチウム、チタン酸ジルコン酸スズ酸
バリウム等を挙げることができる。
本発明においては、チタン酸バリウム系ペロブスカイト
固溶体及び上記複合固溶体は、それぞれ単独にて、又は
それらの任意の２種以上の混合物として用いられる。
固溶体及び上記複合固溶体は、それぞれ単独にて、又は
それらの任意の２種以上の混合物として用いられる。
更に、本発明によるセラミック誘電体用組成物は、チタ
ン酸バリウムと上記したようなチタン酸バリウム系ペロ
ブスカイト固溶体の合計量１００モル％に対して、酸化
ニオブ及び酸化タンクルから選ばれる少なくとも一種の
酸化物０．３〜２モル％、好ましくは０．３〜１．５モ
ル％を含有すると共に、酸化コバルト、酸化ニッケル、
酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化銅及び希土類元
素の酸化物から選ばれる少なくとも一種の酸化物０．１
〜２モル％、好ましくは０．３〜１．５モル％を含有す
る。
ン酸バリウムと上記したようなチタン酸バリウム系ペロ
ブスカイト固溶体の合計量１００モル％に対して、酸化
ニオブ及び酸化タンクルから選ばれる少なくとも一種の
酸化物０．３〜２モル％、好ましくは０．３〜１．５モ
ル％を含有すると共に、酸化コバルト、酸化ニッケル、
酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化銅及び希土類元
素の酸化物から選ばれる少なくとも一種の酸化物０．１
〜２モル％、好ましくは０．３〜１．５モル％を含有す
る。
本発明においては、酸化ニオブ又は酸化クンクルは、上
記酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム、酸
化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選ばれ
る少なくとも一種の酸化物の存在下に、制御されつつ、
拡散して、前記した不均一な拡散構造を形成する。即ち
、酸化ニオブ又は酸化タンタルは、上記酸化コバルト、
酸化ニッケル、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化
銅又は希土類元素の酸化物は、酸化ニオブ又は酸化タン
タルのチタン酸バリウム又はチタン酸バリウム系ペロブ
スカイト固溶体への拡散を抑制する。
記酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム、酸
化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選ばれ
る少なくとも一種の酸化物の存在下に、制御されつつ、
拡散して、前記した不均一な拡散構造を形成する。即ち
、酸化ニオブ又は酸化タンタルは、上記酸化コバルト、
酸化ニッケル、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化
銅又は希土類元素の酸化物は、酸化ニオブ又は酸化タン
タルのチタン酸バリウム又はチタン酸バリウム系ペロブ
スカイト固溶体への拡散を抑制する。
上記希土類元素としては、例えば、イツトリウム、ラン
タン、セリウム等を挙げることができる。尚、本発明に
おいては、上記酸化物は、焼成することによって酸化物
となる化合物でもよく、従って、例えば、前記金属の水
酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸塩等であってもよい
。
タン、セリウム等を挙げることができる。尚、本発明に
おいては、上記酸化物は、焼成することによって酸化物
となる化合物でもよく、従って、例えば、前記金属の水
酸化物、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸塩等であってもよい
。
このように、本発明によれば、チタン酸バリウム及びチ
タン酸バリウム系ペロブスカイト固溶体に対する酸化物
の配合量を規定することによって、得られるセラミック
誘電体に平坦な比誘電率特性を有せしめることができる
と共に、誘電正接、焼結密度、抵抗率等についても最善
の結果を得ることができる。酸化物の配合量が上記範囲
をはずれるときは、比誘電率の温度依存性がなお大きく
、平坦な特性を有せしめることができない。
タン酸バリウム系ペロブスカイト固溶体に対する酸化物
の配合量を規定することによって、得られるセラミック
誘電体に平坦な比誘電率特性を有せしめることができる
と共に、誘電正接、焼結密度、抵抗率等についても最善
の結果を得ることができる。酸化物の配合量が上記範囲
をはずれるときは、比誘電率の温度依存性がなお大きく
、平坦な特性を有せしめることができない。
更に、本発明による組成物は、焼成温度を低下させるこ
と等を目的として、他のペロブスカイト化合物、酸化ビ
スマス、シリカ、ケイ酸塩、ガラス組成物等を含有して
いてもよい。
と等を目的として、他のペロブスカイト化合物、酸化ビ
スマス、シリカ、ケイ酸塩、ガラス組成物等を含有して
いてもよい。
本発明によれば、例えば、かかる組成物をボールミル等
の適宜手段によって十分に混合した後、ポリビニルアル
コール等の水溶性重合体のような適宜のバインダーを併
用してグリーンベレットに成形し、次いで、このグリー
ンベレットを加熱して、バインダーを分解揮散させた後
、１０００〜１４００℃の温度にて、通常、数時間焼成
することによって、セラミック誘電体を得ることができ
る。また、有機バインダーと共にスリップを調製し、ド
クター・ブレード法等の適宜の方法によってグリーン・
シートを作製し、これに電極を印刷した後、積層し、焼
結して、所謂積層コンデンサーとすることもできる。
の適宜手段によって十分に混合した後、ポリビニルアル
コール等の水溶性重合体のような適宜のバインダーを併
用してグリーンベレットに成形し、次いで、このグリー
ンベレットを加熱して、バインダーを分解揮散させた後
、１０００〜１４００℃の温度にて、通常、数時間焼成
することによって、セラミック誘電体を得ることができ
る。また、有機バインダーと共にスリップを調製し、ド
クター・ブレード法等の適宜の方法によってグリーン・
シートを作製し、これに電極を印刷した後、積層し、焼
結して、所謂積層コンデンサーとすることもできる。
光匪■蓋果
以上のように、本発明の組成物によれば、これを１００
０〜１４００℃の温度で焼成することによって、１００
℃近傍の比誘電率を高めて、−５５〜＋１２５℃の温度
範囲にわたって、２０°Ｃの基阜値における比誘電率の
変化率が極めて小ざく、且つ、高い比誘電率を有するセ
ラミック誘電体を得ることができる。
０〜１４００℃の温度で焼成することによって、１００
℃近傍の比誘電率を高めて、−５５〜＋１２５℃の温度
範囲にわたって、２０°Ｃの基阜値における比誘電率の
変化率が極めて小ざく、且つ、高い比誘電率を有するセ
ラミック誘電体を得ることができる。
従って、かかるセラミック誘電体は例えば、磁器コンデ
ンサーとして好適に用いることができる。
ンサーとして好適に用いることができる。
大詣拠
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこ
れら実施例により何ら限定されるものではない。
れら実施例により何ら限定されるものではない。
実施例Ａ
（チタン酸ジルコン酸バリウム固溶体を用いる実施例）
実施例１
平均粒子径０．５μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｚ） 、平均粒子径０．６μｍの高純度チタン酸
ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑＺｒｏ、 ＋０
３）固溶体、酸化コバルト（Ｃｏｄ）及び酸化ニオブ（
Ｎｂ２０．）を第１表に示す組成にて、ジルコニア・ボ
ールを備えたナイロン製ボールミルにて３時間湿式混合
した後、得られた混合物をボールミルから取出して、乾
燥した。
ＴｉＯｚ） 、平均粒子径０．６μｍの高純度チタン酸
ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑＺｒｏ、 ＋０
３）固溶体、酸化コバルト（Ｃｏｄ）及び酸化ニオブ（
Ｎｂ２０．）を第１表に示す組成にて、ジルコニア・ボ
ールを備えたナイロン製ボールミルにて３時間湿式混合
した後、得られた混合物をボールミルから取出して、乾
燥した。
次いで、バインダーとして８重量％ポリビニルアルコー
ル水溶液を上記混合物１００重量部に対して１０重量部
加え、顆粒に成形した後、３５メツシユのふるいにて整
粒した。
ル水溶液を上記混合物１００重量部に対して１０重量部
加え、顆粒に成形した後、３５メツシユのふるいにて整
粒した。
このようにして得た顆粒を金型と油圧プレスを用いて、
圧力１０００ ｋｇ／ｃｏｔで加圧成形して、直径２０
ｍｍ、厚み約２ｍ１のグリーンペレットに成形し、次い
で、このグリーンベレットを４００°Ｃの温度で３時間
加熱して、ポリビニルアルコールを分解揮散させた後、
１３００℃で３時間焼成して、セラミック誘電体を得た
。
圧力１０００ ｋｇ／ｃｏｔで加圧成形して、直径２０
ｍｍ、厚み約２ｍ１のグリーンペレットに成形し、次い
で、このグリーンベレットを４００°Ｃの温度で３時間
加熱して、ポリビニルアルコールを分解揮散させた後、
１３００℃で３時間焼成して、セラミック誘電体を得た
。
これらセラミック誘電体を厚みが１１となるように両面
を研磨し、イオンコーターにて両面に銀電極を付設した
後、比誘電率、誘電正接、絶縁抵抗及び比誘電率の温度
変化率を測定した。
を研磨し、イオンコーターにて両面に銀電極を付設した
後、比誘電率、誘電正接、絶縁抵抗及び比誘電率の温度
変化率を測定した。
比誘電率と誘電正接は、横河ヒユーレット・パラカード
側製のＬ Ｆインピーダンス・アナライザーにて測定し
、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パラカード側型のＰ
Ａメーターにて測定した。また、２０℃の比誘電率に対
する比誘電率の温度変化率は、恒温槽を用いて、−６０
〜→−１３０°Ｃの温度範囲にわたって、ＩＫＩＩｚに
て測定した。以上の結果を第１表及び第１図に示す。ま
た、平均粒子径（比表面積）は、マイクロメリテイック
ス社製自動比表面積測定装置２２００型を用いて測定し
た。
側製のＬ Ｆインピーダンス・アナライザーにて測定し
、絶縁抵抗は、横河ヒユーレット・パラカード側型のＰ
Ａメーターにて測定した。また、２０℃の比誘電率に対
する比誘電率の温度変化率は、恒温槽を用いて、−６０
〜→−１３０°Ｃの温度範囲にわたって、ＩＫＩＩｚに
て測定した。以上の結果を第１表及び第１図に示す。ま
た、平均粒子径（比表面積）は、マイクロメリテイック
ス社製自動比表面積測定装置２２００型を用いて測定し
た。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度変化率が極めて平坦であるセラミ
ック誘電体を与えることが示される。これに対して、チ
タン酸バリウムに対するチタン酸ジルコン酸バリウムの
配合量が本発明で規定する範囲をはずれるときは、１０
０℃近傍における比誘電率の変化率が大きく、−５５〜
＋１２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有す
る誘電体を得ることができない。
特に、比誘電率の温度変化率が極めて平坦であるセラミ
ック誘電体を与えることが示される。これに対して、チ
タン酸バリウムに対するチタン酸ジルコン酸バリウムの
配合量が本発明で規定する範囲をはずれるときは、１０
０℃近傍における比誘電率の変化率が大きく、−５５〜
＋１２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有す
る誘電体を得ることができない。
実施例２
平均粒子径０．８μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｊＯｚ） ８５モル％と、平均粒子径０．７ｕｍ、
Ｚｒ量が種々に異なる高純度チタン酸ジルコン酸バリウ
ム固溶体１５モル％に第２表に示す量にて酸化コバルト
（Ｃｏｄ）と酸化タンタル（ｒａｚｏｓ）とを加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を得、これらについて、比誘電率、誘電正接、
絶縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。結果を
第２表及び第２図に示す。
ＴｊＯｚ） ８５モル％と、平均粒子径０．７ｕｍ、
Ｚｒ量が種々に異なる高純度チタン酸ジルコン酸バリウ
ム固溶体１５モル％に第２表に示す量にて酸化コバルト
（Ｃｏｄ）と酸化タンタル（ｒａｚｏｓ）とを加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を得、これらについて、比誘電率、誘電正接、
絶縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。結果を
第２表及び第２図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性のいずれに
もすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であ
るセラミック誘電体を与えることが示される。これに対
して、チタン酸ジルコン酸バリウムにおけるＺｒ量が本
発明で規定する範囲をはずれるときは、１００ ’Ｃ近
傍における比誘電率の変化率が非常に大きく、−５５〜
＋１２５°Ｃの範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有
する誘電体を得ることができない。
もすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であ
るセラミック誘電体を与えることが示される。これに対
して、チタン酸ジルコン酸バリウムにおけるＺｒ量が本
発明で規定する範囲をはずれるときは、１００ ’Ｃ近
傍における比誘電率の変化率が非常に大きく、−５５〜
＋１２５°Ｃの範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有
する誘電体を得ることができない。
実施例３
平均粒子径０．６μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｚ） ８０モ°ル％と、平均粒子径０．６μｍ
の高純度チタン酸ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉａ、
９２７、ｒ６．。６０３）固溶体２０モル％に第３表に
示す量にて酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、かか
る混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミック
誘電体を得、これらについて、比誘電率、誘電正接、絶
縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。
ＴｉＯｚ） ８０モ°ル％と、平均粒子径０．６μｍ
の高純度チタン酸ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉａ、
９２７、ｒ６．。６０３）固溶体２０モル％に第３表に
示す量にて酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、かか
る混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミック
誘電体を得、これらについて、比誘電率、誘電正接、絶
縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。
結果を第３表及び第３図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすくれ、
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
実施例４
平均粒子径０，３μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ：＋） ８０モル％と、平均粒子径０．３ ｐ
ｍの高純度チタン酸ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉｏ
、 ｑＺｒｏ、 ＋０３）固溶体２０モル％に第４表に
示す量にて酸化コパルｈ （Ｃｏｏ）、炭酸マンガン（
ＭｎＣＯｚ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を得、これらについて、比誘電率、誘電正接、
絶縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。結果を
第４表及び第４図に示す。
ＴｉＯ：＋） ８０モル％と、平均粒子径０．３ ｐ
ｍの高純度チタン酸ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉｏ
、 ｑＺｒｏ、 ＋０３）固溶体２０モル％に第４表に
示す量にて酸化コパルｈ （Ｃｏｏ）、炭酸マンガン（
ＭｎＣＯｚ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を得、これらについて、比誘電率、誘電正接、
絶縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。結果を
第４表及び第４図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすくれ、
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
実施例５
平均粒子径０．８μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｚ） ８０モル％と、平均粒子径０．８ ｐ
ｍの高純度チタン酸ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉｏ、
ｑｔ−Ｚｒｏ、。、０．）固溶体２０モル％に第５表
に示す量にて酸化コバルト（Ｃｏｏ）及び酸化ニオブ（
Ｎｂ＊Ｏｓ）を加え“、かかる混合物を用いて、実施例
１と同様にして、グリーンベレットに成形し、次いで、
このグリーンベレットを４００℃の温度で３時間加熱し
て、ポリビニルアルコールを分解揮散させた後、１２５
０℃、１３００℃又は１３５０℃にてそれぞれ３時間焼
成して、セラミック誘電体を得た。
ＴｉＯｚ） ８０モル％と、平均粒子径０．８ ｐ
ｍの高純度チタン酸ジルコン酸バリウム（ＢａＴｉｏ、
ｑｔ−Ｚｒｏ、。、０．）固溶体２０モル％に第５表
に示す量にて酸化コバルト（Ｃｏｏ）及び酸化ニオブ（
Ｎｂ＊Ｏｓ）を加え“、かかる混合物を用いて、実施例
１と同様にして、グリーンベレットに成形し、次いで、
このグリーンベレットを４００℃の温度で３時間加熱し
て、ポリビニルアルコールを分解揮散させた後、１２５
０℃、１３００℃又は１３５０℃にてそれぞれ３時間焼
成して、セラミック誘電体を得た。
これらセラミック誘電体について、比誘電率、誘電正接
、絶縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。結果
を第５表及び第５図に示す。
、絶縁抵抗及び比誘電率の温度変化率を測定した。結果
を第５表及び第５図に示す。
本発明による組成物は、いずれの焼結温度でも、焼結性
及び電気特性にすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極
めて平坦であるセラミック誘電体を与えることが示され
ている。
及び電気特性にすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極
めて平坦であるセラミック誘電体を与えることが示され
ている。
実施例Ｂ
（チタン酸バリウムストロンチウム又はチタン酸ジルコ
ン酸バリウムストロンチウムを用いる実施例） 実施例６ 平均粒子径０．５μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ）、平均粒子径０．７μｍの高純度チタン酸バ
リウムストロンチウム（Ｂａａ、 ｑｓｒｏ、 ４ｉ０
ｓ）固溶体、酸化コバルｌ−（Ｃｏｏ）及び酸化ニオブ
（ＮｂｔＯｓ）を第６表に示す組成にて、ジルコニア・
ボールを備えたナイロン製ボールミルにて３時間湿式混
合した後、得られた混合物をボールミルから取出して、
乾燥した。
ン酸バリウムストロンチウムを用いる実施例） 実施例６ 平均粒子径０．５μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ）、平均粒子径０．７μｍの高純度チタン酸バ
リウムストロンチウム（Ｂａａ、 ｑｓｒｏ、 ４ｉ０
ｓ）固溶体、酸化コバルｌ−（Ｃｏｏ）及び酸化ニオブ
（ＮｂｔＯｓ）を第６表に示す組成にて、ジルコニア・
ボールを備えたナイロン製ボールミルにて３時間湿式混
合した後、得られた混合物をボールミルから取出して、
乾燥した。
この混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を調製し、これについて、実施例１と同様にし
て、電気的性質を測定した。結果を第６表及び第６図に
示す。
ク誘電体を調製し、これについて、実施例１と同様にし
て、電気的性質を測定した。結果を第６表及び第６図に
示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度変化率が極めて平坦であるセラミ
ック誘電体を与えることが示される。これに対して、チ
タン酸バリウムに対するチタン酸バリウムストロンチウ
ムの配合量が本発明で規定する範囲をはずれるときは、
１００℃近傍における比誘電率の変化率が大きく、−５
５〜＋１２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を
有する誘電体を得ることができないし、また、２０℃で
の比誘電率の低下を招く。
特に、比誘電率の温度変化率が極めて平坦であるセラミ
ック誘電体を与えることが示される。これに対して、チ
タン酸バリウムに対するチタン酸バリウムストロンチウ
ムの配合量が本発明で規定する範囲をはずれるときは、
１００℃近傍における比誘電率の変化率が大きく、−５
５〜＋１２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を
有する誘電体を得ることができないし、また、２０℃で
の比誘電率の低下を招く。
実施例７
平均粒子径０．８μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ） ８５モル％と、平均粒子径０．６ ｔｔ
ｍ、５ｒｉｌが種々に異なる高純度チタン酸バリウム
ストロンチウム固溶体１５モル％に第７表に示す量にて
酸化コバル） （Ｃｏｏ）と酸化タンタル（ｔａ、Ｏ，
）とを加え、かかる混合物を用いて、実施例１と同様に
して、セラミック誘電体を得、これらについて、電気的
性質を測定した。結果を第７表及び第７図に示す。
ＴｉＯｓ） ８５モル％と、平均粒子径０．６ ｔｔ
ｍ、５ｒｉｌが種々に異なる高純度チタン酸バリウム
ストロンチウム固溶体１５モル％に第７表に示す量にて
酸化コバル） （Ｃｏｏ）と酸化タンタル（ｔａ、Ｏ，
）とを加え、かかる混合物を用いて、実施例１と同様に
して、セラミック誘電体を得、これらについて、電気的
性質を測定した。結果を第７表及び第７図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性のいずれに
もすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であ
るセラミック誘電体を与えることが示される。これに対
して、チタン酸バリウムストロンチウムにおけるＳｒ量
が本発明で規定する範囲をはずれるときは、１００℃近
傍における比誘電率の変化率が非常に大きく、−５５〜
＋１２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有す
る誘電体を得ることができない。
もすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であ
るセラミック誘電体を与えることが示される。これに対
して、チタン酸バリウムストロンチウムにおけるＳｒ量
が本発明で規定する範囲をはずれるときは、１００℃近
傍における比誘電率の変化率が非常に大きく、−５５〜
＋１２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有す
る誘電体を得ることができない。
実施例８
平均粒子径０．６μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ） ８５モル％と、平均粒子径０．６ ｐ
ｍの高純度チタン酸バリウムストロンチウム（Ｂａｏ、
ｑＳｒｏ１ＴｉＯ＋）固溶体１５モル％に第８表に示す
量にて酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）及び酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ２）を加え、かかる混
合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミック誘電
体を得、これらについて、電気的性質を測定した。
ＴｉＯｓ） ８５モル％と、平均粒子径０．６ ｐ
ｍの高純度チタン酸バリウムストロンチウム（Ｂａｏ、
ｑＳｒｏ１ＴｉＯ＋）固溶体１５モル％に第８表に示す
量にて酸化ニッケル（Ｎｉｐ）、酸化マグネシウム（Ｍ
ｇＯ）及び酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ２）を加え、かかる混
合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミック誘電
体を得、これらについて、電気的性質を測定した。
結果を第８表及び第８図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
実施例９
平均粒子径０．３μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
Ｔｉ０３） ８５モル％と、平均粒子径０．５μｍの
高純度チタン酸バリウムストロンチウム（Ｂａｏ、 ｑ
−３ｒｏ、 ｌＴｉ０：＋）固溶体１５モル％に第９表
に示す量にて酸化コバル） （Ｃｏｏ）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ，）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、
かかる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミ
ック誘電体を得、これらについて、電気的性質を測定し
た。
Ｔｉ０３） ８５モル％と、平均粒子径０．５μｍの
高純度チタン酸バリウムストロンチウム（Ｂａｏ、 ｑ
−３ｒｏ、 ｌＴｉ０：＋）固溶体１５モル％に第９表
に示す量にて酸化コバル） （Ｃｏｏ）、炭酸マンガン
（ＭｎＣＯ，）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、
かかる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミ
ック誘電体を得、これらについて、電気的性質を測定し
た。
結果を第９表及び第９図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
実施例１０
平均粒子径０．８μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ） ８０モル％と、平均粒子径０．８μｍの
高純度チタン酸ジルコン酸バリウムストロンチウム（Ｂ
ａｏ、 ｑｔｓｒｏ、 ｏｓＴｉｏ、 ９ＳＺｒ６．
ｏｓｅｓ）固溶体２０モル％に第１０表に示す量にて酸
化コバル） （Ｇｏｄ）及び酸化ニオブ（Ｎｂ、０．）
を加え、かかる混合物を用いて、実施例１と同様にして
、グリーンベレットに成形し、次いで、このグリーンベ
レットを４００℃の温度で３時間加熱して、ポリビニル
アルコールを分解揮散させた後、１２８０℃、１３３０
℃又は１３８０℃にてそれぞれ３時間焼成して、セラミ
ック誘電体を得た。これらセラミック誘電体について、
電気的性質を測定した。結果を第１０表及び第１０図に
示す。
ＴｉＯｓ） ８０モル％と、平均粒子径０．８μｍの
高純度チタン酸ジルコン酸バリウムストロンチウム（Ｂ
ａｏ、 ｑｔｓｒｏ、 ｏｓＴｉｏ、 ９ＳＺｒ６．
ｏｓｅｓ）固溶体２０モル％に第１０表に示す量にて酸
化コバル） （Ｇｏｄ）及び酸化ニオブ（Ｎｂ、０．）
を加え、かかる混合物を用いて、実施例１と同様にして
、グリーンベレットに成形し、次いで、このグリーンベ
レットを４００℃の温度で３時間加熱して、ポリビニル
アルコールを分解揮散させた後、１２８０℃、１３３０
℃又は１３８０℃にてそれぞれ３時間焼成して、セラミ
ック誘電体を得た。これらセラミック誘電体について、
電気的性質を測定した。結果を第１０表及び第１０図に
示す。
本発明による組成物は、いずれの焼結温度でも、焼結性
及び電気特性にすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極
めて平坦であるセラミック誘電体を与えることが示され
ている。
及び電気特性にすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極
めて平坦であるセラミック誘電体を与えることが示され
ている。
実施例Ｃ
（チタン酸スズ酸バリウム固溶体又はチタン酸ジルコン
酸スズ酸バリウム固溶体を用いる実施例）実施例１工 平均粒子径０．５μｍの高純度チタン酸バリウ゛ム（Ｂ
ａＴｉＯｓ） 、平均粒子径０．７μｍの高純度チタン
酸スズ酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑｂｓｎｏ、 ＋１
４０３）固溶体、酸化コバル） （Ｃｏｏ）及び酸化ニ
オブ（ＮｂｚＯｓ）を第１１表に示す組成にて、ジルコ
ニア・ボールを備えたナイロン製ボールミルにて３時間
湿式混合した後、得られた混合物をボールミルから取出
して、乾燥した。
酸スズ酸バリウム固溶体を用いる実施例）実施例１工 平均粒子径０．５μｍの高純度チタン酸バリウ゛ム（Ｂ
ａＴｉＯｓ） 、平均粒子径０．７μｍの高純度チタン
酸スズ酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑｂｓｎｏ、 ＋１
４０３）固溶体、酸化コバル） （Ｃｏｏ）及び酸化ニ
オブ（ＮｂｚＯｓ）を第１１表に示す組成にて、ジルコ
ニア・ボールを備えたナイロン製ボールミルにて３時間
湿式混合した後、得られた混合物をボールミルから取出
して、乾燥した。
この混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を調製し、これについて、実施例１と同様にし
て、電気的性質を測定した。結果を第１１表及び第１１
図に示す。
ク誘電体を調製し、これについて、実施例１と同様にし
て、電気的性質を測定した。結果を第１１表及び第１１
図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度変化率が極めて平坦であるセラミ
ック誘電体を与えることが示される。これに対して、チ
タン酸バリウムに対するチタン酸スズ酸バリウムの配合
量が本発明で規定する範囲をはずれるときは、１００℃
近傍における比誘電率の変化率が大きく、−５５〜＋１
２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有する誘
電体を得ることができないし、また、２０℃での比誘電
率の低下を招く。
特に、比誘電率の温度変化率が極めて平坦であるセラミ
ック誘電体を与えることが示される。これに対して、チ
タン酸バリウムに対するチタン酸スズ酸バリウムの配合
量が本発明で規定する範囲をはずれるときは、１００℃
近傍における比誘電率の変化率が大きく、−５５〜＋１
２５℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有する誘
電体を得ることができないし、また、２０℃での比誘電
率の低下を招く。
実施例１２
平均粒子径０．８μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
Ｔｉ０３） ８０モル％と、平均粒子径０．７ ｐ
ｍ、Ｓｎ量が種々に異なる高純度チタン酸スズ酸バリウ
ム固溶体２０モル％に第１２表に示す量にて酸化コバル
ト（Ｃｏｄ）と酸化タンタル（Ｔａｘｅｓ）とを加え、
かかる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミ
ック誘電体を得、これらについて、電気的性質を測定し
た。結果を第１２表及び第１２図に示す。
Ｔｉ０３） ８０モル％と、平均粒子径０．７ ｐ
ｍ、Ｓｎ量が種々に異なる高純度チタン酸スズ酸バリウ
ム固溶体２０モル％に第１２表に示す量にて酸化コバル
ト（Ｃｏｄ）と酸化タンタル（Ｔａｘｅｓ）とを加え、
かかる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミ
ック誘電体を得、これらについて、電気的性質を測定し
た。結果を第１２表及び第１２図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性のいずれに
もすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であ
るセラミック誘電体を与えることが示される。これに対
して、チタン酸スズ酸バリウムにおけるＳｎ量が本発明
で規定する範囲をはずれるときは、１００℃近傍におけ
る比誘電率の変化率が非常に大きく、−５５〜＋１２５
℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有する誘電体
を得ることができないし、また、比誘電率の低下を招く
。
もすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であ
るセラミック誘電体を与えることが示される。これに対
して、チタン酸スズ酸バリウムにおけるＳｎ量が本発明
で規定する範囲をはずれるときは、１００℃近傍におけ
る比誘電率の変化率が非常に大きく、−５５〜＋１２５
℃の範囲にわたって平坦な比誘電率特性を有する誘電体
を得ることができないし、また、比誘電率の低下を招く
。
実施例１３
平均粒子径０．６μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｔＯｚ） ８０モル％と、平均粒子径０．６ｕｍの
高純度チタン酸スズ酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑｓｓ
ｎｏ、 ｏｓ−０、）固溶体２０モル％に第１３表に示
す量にて酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、かかる
混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミック誘
電体を得、これらについて、電気的性質を測定した。結
果を第１３表及び第１３図に示す。
ＴｔＯｚ） ８０モル％と、平均粒子径０．６ｕｍの
高純度チタン酸スズ酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑｓｓ
ｎｏ、 ｏｓ−０、）固溶体２０モル％に第１３表に示
す量にて酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化マグネシウム（
ＭｇＯ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、かかる
混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミック誘
電体を得、これらについて、電気的性質を測定した。結
果を第１３表及び第１３図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度特性が掻めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
特に、比誘電率の温度特性が掻めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
実施例１４
平均粒子径０．３μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ） ８０モル％と、平均粒子径０．４ ｐ
ｍの高純度チタン酸スズ酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑ
ｂｓｎｏ、。４＝０３）固溶体２０モル％に第１４表に
示す量にて酸化コバル） （Ｃｏｏ）、炭酸マンガン（
ＭｎＣＯａ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を得、これらについて、電気的性質を測定した
。結果を第１４表及び第１４図に示す。
ＴｉＯｓ） ８０モル％と、平均粒子径０．４ ｐ
ｍの高純度チタン酸スズ酸バリウム（ＢａＴｉｏ、 ｑ
ｂｓｎｏ、。４＝０３）固溶体２０モル％に第１４表に
示す量にて酸化コバル） （Ｃｏｏ）、炭酸マンガン（
ＭｎＣＯａ）及び酸化ニオブ（ＮｂｚＯｓ）を加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、セラミッ
ク誘電体を得、これらについて、電気的性質を測定した
。結果を第１４表及び第１４図に示す。
本発明による組成物は、焼結性及び電気特性にすぐれ、
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
特に、比誘電率の温度特性が極めて平坦であるセラミッ
ク誘電体を与えることが示されている。
実施例１５
平均粒子径０．８μｍの高純度チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯｓ） ８５モル％と、平均粒子径０．８．１７
ｍの高純度チタン酸ジルコン酸スズ酸バリウム（Ｂａ
−Ｔｉｏ、 ｗａｓｎｏ、 ａ＋Ｚｒｏ、 ｏｓｏｚ）
固溶体１５モル％に第１５表に示す量にて酸化コバル）
（Ｃｏｄ）及び酸化ニオブ（ＮｂｇＯｓ）を加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、グリーン
ベレットに成形し、次いで、このグリーンベレットを４
００℃の温度で３時間加熱して、ポリビニルアルコール
を分解揮散させた後、１２８０℃、１３３０℃又は１３
８０℃にてそれぞれ３時間焼成して、セラミック誘電体
を得た。これらセラミック誘電体について、電気的性質
を測定した。結果を第１５表及び第１５図に示す。
ＴｉＯｓ） ８５モル％と、平均粒子径０．８．１７
ｍの高純度チタン酸ジルコン酸スズ酸バリウム（Ｂａ
−Ｔｉｏ、 ｗａｓｎｏ、 ａ＋Ｚｒｏ、 ｏｓｏｚ）
固溶体１５モル％に第１５表に示す量にて酸化コバル）
（Ｃｏｄ）及び酸化ニオブ（ＮｂｇＯｓ）を加え、か
かる混合物を用いて、実施例１と同様にして、グリーン
ベレットに成形し、次いで、このグリーンベレットを４
００℃の温度で３時間加熱して、ポリビニルアルコール
を分解揮散させた後、１２８０℃、１３３０℃又は１３
８０℃にてそれぞれ３時間焼成して、セラミック誘電体
を得た。これらセラミック誘電体について、電気的性質
を測定した。結果を第１５表及び第１５図に示す。
本発明による組成物は、いずれの焼結温度でも、焼結性
及び電気特性にすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極
めて平坦であるセラミック誘電体を与えることが示され
ている。
及び電気特性にすぐれ、特に、比誘電率の温度特性が極
めて平坦であるセラミック誘電体を与えることが示され
ている。
第１図１よ、チタン酸ジルコン酸バリウムの配合量の異
なる組成物から得られたセラミック誘電体の比誘電率の
温度依存特性を示すグラフ、第２図は、Ｚｒ１ｌの異な
るチタン酸ジルコン酸バリウムを用いて得られるセラミ
ック誘電体の比誘電率の温度依存特性を示すグラフであ
る。第３図から第５図は、それぞれ本発明による組成物
を用いて得たセラミック誘電体の比誘電率の慕度依存特
性を示すグラフである。 第６図は、チタン酸バリウムストロンチウムの配合量の
異なる組成物から得られたセラミック誘電体の比誘電率
の温度依存特性を示すグラフ、第７図は、Ｓｒ量の異な
るチタン酸バリウムストロンチウムを用いて得られるセ
ラミック誘電体の比誘電率の温度依存特性を示すグラフ
である・第８図から第１０図は、それぞれ本発明による
組成物を用いて得たセラミック誘電体の比誘電率の温度
依存特性を示すグラフである。 第１Ｉ図は、チタン酸スズ酸バリウムの配合量の異なる
組成物から得られたセラミック誘電体の比誘電率の温度
依存特性を示すグラフ、第１２図は、Ｓｎ量の異なるチ
タン酸スズ酸バリウムを用いて得られるセラミック誘電
体の比誘電率の温度依存特性を示すグラフである。第１
３図から第１５図は、それぞれ本発明による組成物を用
いて得たセラミック誘電体の比誘電率の温度依存特性を
示すグラフである゛。 尚、図中、＊印を付したものは比較例を示す。
なる組成物から得られたセラミック誘電体の比誘電率の
温度依存特性を示すグラフ、第２図は、Ｚｒ１ｌの異な
るチタン酸ジルコン酸バリウムを用いて得られるセラミ
ック誘電体の比誘電率の温度依存特性を示すグラフであ
る。第３図から第５図は、それぞれ本発明による組成物
を用いて得たセラミック誘電体の比誘電率の慕度依存特
性を示すグラフである。 第６図は、チタン酸バリウムストロンチウムの配合量の
異なる組成物から得られたセラミック誘電体の比誘電率
の温度依存特性を示すグラフ、第７図は、Ｓｒ量の異な
るチタン酸バリウムストロンチウムを用いて得られるセ
ラミック誘電体の比誘電率の温度依存特性を示すグラフ
である・第８図から第１０図は、それぞれ本発明による
組成物を用いて得たセラミック誘電体の比誘電率の温度
依存特性を示すグラフである。 第１Ｉ図は、チタン酸スズ酸バリウムの配合量の異なる
組成物から得られたセラミック誘電体の比誘電率の温度
依存特性を示すグラフ、第１２図は、Ｓｎ量の異なるチ
タン酸スズ酸バリウムを用いて得られるセラミック誘電
体の比誘電率の温度依存特性を示すグラフである。第１
３図から第１５図は、それぞれ本発明による組成物を用
いて得たセラミック誘電体の比誘電率の温度依存特性を
示すグラフである゛。 尚、図中、＊印を付したものは比較例を示す。
Claims (4)
- （１）平均粒径０．１〜１．５μｍのチタン酸バリウム
９８〜６０モル％と、平均粒径０．１〜１．５μｍであ
つて、且つ、キユリー温度５０〜１１５℃であるチタン
酸バリウム系ペロブスカイト固溶体２〜４０モル％との
合計量１００モル％に対して、 Ａ．酸化ニオブ及び酸化タンタルから選ばれる少なくと
も一種の酸化物０．３〜２モル％、及び Ｂ．酸化コバルト、酸化ニツケル、酸化マグネシウム、
酸化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選ば
れる少なくとも一種の酸化物０．１〜２モル％ を含有することを特徴とするセラミツク誘電体用組成物
。 - （２）チタン酸バリウムストロンチウム固溶体が（ａ）
一般式（ I ） ＢａＴｉ＿１＿−＿ｘＺｒ＿ｘＯ＿３ （式中、ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５を満たす数である
。） で表わされるチタン酸ジルコン酸バリウム固溶体、又は （ｂ）一般式（II） Ｂａ＿１＿−＿ｙＳｒ＿ｙＴｉＯ＿３ （式中、ｙは０．０３≦ｙ≦０．２０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸バリウムストロンチウム固溶体、
又は （ｃ）一般式（III） ＢａＴｉ＿１＿−＿ｚＳｎ＿ｚＯ＿３ （式中、ｚは０．０１≦ｚ≦０．１０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸スズ酸バリウム固溶体、（ｄ）上
記固溶体の少なくとも２種からなる複合固溶体、又は （ｅ）これらの混合物 であることを特徴とする請求項第１項記載のセラミック
誘電体用組成物。 - （３）平均粒径０．１〜１．５μｍのチタン酸バリウム
９８〜６０モル％と、平均粒径０．１〜１．５μｍであ
り、且つ、 （ａ）一般式（ I ） ＢａＴｉ＿１＿−＿ｘＺｒ＿ｘＯ＿３ （式中、ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５を満たす数である
。） で表わされるチタン酸ジルコン酸バリウム固溶体、又は （ｂ）一般式（II） Ｂａ＿１＿−＿ｙＳｒ＿ｙＴｉＯ＿３ （式中、ｙは０．０３≦ｙ≦０．２０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸バリウムストロンチウム固溶体、
又は （ｃ）一般式（III） ＢａＴｉ＿１＿−＿ｚＳｎ＿ｚＯ＿３ （式中、２は０．０１≦ｚ≦０．１０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸スズ酸バリウム固溶体、（ｄ）上
記固溶体の少なくとも２種からなる複合固溶体、又は （ｅ）これらの混合物 ２〜４０モル％との合計量１００モル％に対して、 Ａ．酸化ニオブ及び酸化タンタルから選ばれる少なくと
も一種の酸化物０．３〜２モル％、及び Ｂ．酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム、
酸化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選ば
れる少なくとも一種の酸化物０．１〜２モル％ を含有する組成物を焼結してなることを特徴とするセラ
ミツク誘電体。 - （４）平均粒径０．１〜１．５μｍのチタン酸バリウム
９８〜６０モル％と、平均粒径０．１〜１．５μｍであ
り、且つ、 （ａ）一般式（ I ） ＢａＴｉ＿１＿−＿ｘＺｒ＿ｘＯ＿３ （式中、ｘは０．０２≦ｘ≦０．１５を満たす数である
。） で表わされるチタン酸ジルコン酸バリウム固溶体、又は （ｂ）一般式（II） Ｂａ＿１＿−＿ｙＳｒ＿ｙＴｉＯ＿３ （式中、ｙは０．０３≦ｙ≦０．２０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸バリウムストロンチウム固溶体、
又は （ｃ）一般式（III） ＢａＴｉ＿１＿−＿ｚＳｎ＿ｚＯ＿３ （式中、ｚは０．０１≦ｚ≦０．１０を満たす数である
。） で表わされるチタン酸スズ酸バリウム固溶体、（ｄ）上
記固溶体の少なくとも２種からなる複合固溶体、又は （ｅ）これらの混合物 ２〜４０モル％との合計量１００モル％に対して、 Ａ．酸化ニオブ及び酸化タンタルから選ばれる少なくと
も一種の酸化物０．３〜２モル％、及び Ｂ．酸化コバルト、酸化ニツケル、酸化マグネシウム、
酸化マンガン、酸化銅及び希土類元素の酸化物から選ば
れる少なくとも一種の酸化物０．１〜２モル％ を含有する組成物を１０００〜１４００℃の温度で焼成
することを特徴とするセラミツク誘電体の製造方法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11562988 | 1988-05-11 | ||
| JP63-312716 | 1988-12-09 | ||
| JP31271588 | 1988-12-09 | ||
| JP63-312715 | 1988-12-09 | ||
| JP31271688 | 1988-12-09 | ||
| JP63-115629 | 1988-12-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02258671A true JPH02258671A (ja) | 1990-10-19 |
| JP2681214B2 JP2681214B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=27312995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106490A Expired - Fee Related JP2681214B2 (ja) | 1988-05-11 | 1989-04-26 | セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5084424A (ja) |
| JP (1) | JP2681214B2 (ja) |
| KR (1) | KR960001692B1 (ja) |
| FR (1) | FR2631333B1 (ja) |
| NL (1) | NL195003C (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002274937A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Kyocera Corp | 温度特性に優れた誘電体磁器 |
| WO2005082807A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ |
| JP2018002498A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物及び電子部品 |
| KR20180126567A (ko) * | 2016-04-01 | 2018-11-27 | 덴카 주식회사 | 티탄산바륨질 분말 및 그 제조 방법, 용도 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5287213A (en) * | 1990-07-26 | 1994-02-15 | Fujian Institute Of Research On The Structure Of Matter, Chinese Academy Of Sciences | Barium strontium titanate photorefractive device and method for making the same |
| US5128289A (en) * | 1990-12-07 | 1992-07-07 | Ferro Corporation | X7R dielectric ceramic composition and capacitor made therefrom |
| JP3067815B2 (ja) * | 1991-01-26 | 2000-07-24 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
| JPH05213670A (ja) * | 1991-04-29 | 1993-08-24 | Tam Ceramics Inc | 極微粒子の粒度のチタン酸バリウムを使用する高温焼成のｘ７ｒ誘電セラミック組成物 |
| US5578494A (en) | 1992-03-27 | 1996-11-26 | Abbott Laboratories | Cap actuator for opening and closing a container |
| US5356843A (en) * | 1992-09-10 | 1994-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic compositions and dielectric resonators |
| IL115053A (en) | 1994-09-01 | 1999-11-30 | Cabot Corp | Ceramic slip compositions and method for making the same |
| JP3229528B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2001-11-19 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
| USRE38491E1 (en) | 1995-03-20 | 2004-04-06 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Composition for producing low sintering temperature ceramic dielectrics and method of manufacturing such dielectrics |
| JP3216967B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2001-10-09 | 日本特殊陶業株式会社 | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 |
| US6268054B1 (en) | 1997-02-18 | 2001-07-31 | Cabot Corporation | Dispersible, metal oxide-coated, barium titanate materials |
| EP0865052A3 (en) * | 1997-02-25 | 2000-01-05 | TDK Corporation | High dielectric-constant ceramic composition, and its fabrication process |
| MXPA02001885A (es) * | 1999-08-23 | 2002-11-04 | Cabot Corp | Metodo y auxiliar de sinterizacion basado en silicato. |
| US6733740B1 (en) | 2000-10-12 | 2004-05-11 | Cabot Corporation | Production of dielectric particles |
| US6656590B2 (en) | 2001-01-10 | 2003-12-02 | Cabot Corporation | Coated barium titanate-based particles and process |
| US6673274B2 (en) | 2001-04-11 | 2004-01-06 | Cabot Corporation | Dielectric compositions and methods to form the same |
| EP1286932A1 (en) * | 2001-06-01 | 2003-03-05 | Paratek Microwave, Inc. | Tunable dielectric compositions including low loss glass |
| US20030059366A1 (en) * | 2001-09-21 | 2003-03-27 | Cabot Corporation | Dispersible barium titanate-based particles and methods of forming the same |
| US6702952B2 (en) * | 2001-12-19 | 2004-03-09 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive material and method for preparing the same |
| US20030215606A1 (en) * | 2002-05-17 | 2003-11-20 | Clancy Donald J. | Dispersible dielectric particles and methods of forming the same |
| US20040052721A1 (en) * | 2002-09-13 | 2004-03-18 | Kerchner Jeffrey A. | Dielectric particles having passivated surfaces and methods of forming same |
| US20040121153A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Sridhar Venigalla | High tetragonality barium titanate-based compositions and methods of forming the same |
| EP1798200B1 (en) * | 2004-08-13 | 2017-03-22 | Sakai Chemical Industry Co., Ltd. | Process for producing perovskite compound powder |
| JP5208349B2 (ja) | 2004-09-03 | 2013-06-12 | 富士通株式会社 | 容量素子とその製造方法 |
| TW200706513A (en) * | 2005-04-27 | 2007-02-16 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic, process for producing the same, and laminated ceramic capacitor |
| DE102008032509A1 (de) * | 2008-07-10 | 2010-01-14 | Epcos Ag | Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung der Heizungsvorrichtung |
| KR101452077B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-10-16 | 삼성전기주식회사 | 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 |
| KR102184931B1 (ko) * | 2019-03-18 | 2020-12-01 | 한국과학기술원 | 낮은 유전손실을 갖는 유전체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유전체 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51143898A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
| JPS594802A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | 株式会社日立製作所 | 蒸気発生器 |
| JPS5918162A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1124109B (de) * | 1952-08-02 | 1962-02-22 | Siemens Ag | Keramisches Dielektrikum aus Mischungen von Titanaten mit ueberwiegendem Anteil an Bariumtitanaten |
| USRE29484E (en) * | 1973-03-24 | 1977-11-29 | Nippon Electric Company, Limited | Barium titanate base ceramic composition having a high dielectric constant |
| JPH0639330B2 (ja) * | 1984-01-24 | 1994-05-25 | ソニー株式会社 | チタン酸バリウム・ストロンチウム微粒子の製造方法 |
| JPS6131345A (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-13 | 堺化学工業株式会社 | 組成物の製造方法 |
| US4764494A (en) * | 1985-04-26 | 1988-08-16 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Dielectric ceramic compositions and process for producing the same |
| US4767732A (en) * | 1986-08-28 | 1988-08-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High dielectric constant ceramic material and method of manufacturing the same |
| DE3630064A1 (de) * | 1986-09-04 | 1988-03-10 | Philips Patentverwaltung | Verfahren zur herstellung eines dielektrikums mit perowskitstruktur |
| WO1988008830A1 (en) * | 1986-11-03 | 1988-11-17 | Dean Terence C | Dielectric ceramic with high k, low df and flat tc |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1106490A patent/JP2681214B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-11 KR KR1019890006427A patent/KR960001692B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-11 NL NL8901189A patent/NL195003C/nl active Search and Examination
- 1989-05-11 FR FR898906193A patent/FR2631333B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-01-16 US US07/641,793 patent/US5084424A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51143898A (en) * | 1975-06-06 | 1976-12-10 | Tdk Corp | Dielectric ceramic composition |
| JPS594802A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-11 | 株式会社日立製作所 | 蒸気発生器 |
| JPS5918162A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-30 | 三菱鉱業セメント株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002274937A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Kyocera Corp | 温度特性に優れた誘電体磁器 |
| WO2005082807A1 (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ |
| GB2426515A (en) * | 2004-02-27 | 2006-11-29 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic condenser |
| US7160827B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and multilayer ceramic capacitor |
| GB2426515B (en) * | 2004-02-27 | 2007-10-24 | Murata Manufacturing Co | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic condenser |
| KR20180126567A (ko) * | 2016-04-01 | 2018-11-27 | 덴카 주식회사 | 티탄산바륨질 분말 및 그 제조 방법, 용도 |
| JP2018002498A (ja) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | Tdk株式会社 | 誘電体組成物及び電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2631333B1 (fr) | 1991-03-15 |
| US5084424A (en) | 1992-01-28 |
| NL8901189A (nl) | 1989-12-01 |
| NL195003C (nl) | 2003-05-15 |
| KR960001692B1 (ko) | 1996-02-03 |
| FR2631333A1 (fr) | 1989-11-17 |
| JP2681214B2 (ja) | 1997-11-26 |
| KR900017962A (ko) | 1990-12-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02258671A (ja) | セラミック誘電体用組成物、これを用いて得られるセラミック誘電体及びその製造方法 | |
| US6723673B2 (en) | High dielectric constant very low fired X7R ceramic capacitor, and powder for making | |
| KR101280507B1 (ko) | 유전체 자기 조성물 및 세라믹 전자 부품 | |
| KR940003473B1 (ko) | 세라믹 조성물 및 그 제조방법 | |
| US10964477B2 (en) | Dielectric composition and electronic component | |
| JP2978580B2 (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| CN115172048A (zh) | 一种无铅钛酸钡基x9r型陶瓷电容器材料及其制备方法 | |
| JPH10297967A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP2917505B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2580374B2 (ja) | 複合ペロブスカイト型誘電体磁器粉末の製造方法 | |
| JPH04188504A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6057163B2 (ja) | 高誘電率磁器誘電体組成物 | |
| JP2003217966A (ja) | 磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JPH0794019A (ja) | 電子部品 | |
| JP3071453B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH01315904A (ja) | 誘電体磁器とその製造方法 | |
| JPS63233034A (ja) | 誘電体磁器組成物用原料粉末およびその製造法 | |
| JPH06260026A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH06302219A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0536308A (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPH04334809A (ja) | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器 | |
| JPH04334807A (ja) | 積層セラミックコンデンサ用誘電体磁器 | |
| JPS63170807A (ja) | 非還元性誘電体磁器の製造方法 | |
| JPS63170804A (ja) | 非還元性誘電体磁器の製造方法 | |
| JPH04174908A (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |