JPH02258694A - Production of oxide superconductor - Google Patents

Production of oxide superconductor

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JPH02258694A
JPH02258694A JP8214989A JP8214989A JPH02258694A JP H02258694 A JPH02258694 A JP H02258694A JP 8214989 A JP8214989 A JP 8214989A JP 8214989 A JP8214989 A JP 8214989A JP H02258694 A JPH02258694 A JP H02258694A
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Japan
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laser
melting
laser beams
oxide
scanning
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JP8214989A
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Japanese (ja)
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Toshiaki Suga
菅 敏昭
Toru Shiobara
融 塩原
Shigeo Nagaya
重夫 長屋
Izumi Hirabayashi
泉 平林
Shoji Tanaka
昭二 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KOKUSAI CHIYOUDENDOU SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Kansai Electric Power Co Inc
SWCC Corp
Original Assignee
KOKUSAI CHIYOUDENDOU SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Kansai Electric Power Co Inc
Showa Electric Wire and Cable Co
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Publication date
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

PURPOSE:To obtain the title superconductor with its crystal unidirectionally orientative solidified by melting and recrystallizing an oxide superconducting substance through irradiation with laser beams having a band pattern in the direction rectangular to the scanning direction. CONSTITUTION:A thin film 1 of an oxide superconducting substance or a substance capable of forming the same by melting and sintering is formed on a continuous base 2. The thin film 1 is then irradiated with laser beams 3 approximately rectangularly; during the process, a scanning is made in the arrow A direction to heat and melt an irradiated zone, and as the laser beams move, the melted zone is cooled and recrystallized. Said laser beams 3 have a band pattern, and the cooling is made in such a manner that a forcedly cooling zone due to e.g. liquid nitrogen is provided immediately after the laser beam pattern. Thence, the band laser is plurally scanned in the direction of crystal orientation under a specified oxygen partial pressure to carry out oxygen annealing.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、YBCO系あるいはBi系などの酸化物超電
導体の製造方法に関し、特に、結晶の一方向凝固を可能
にした酸化物超電導体の製造方法に係わる。
Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing oxide superconductors such as YBCO-based or Bi-based oxide superconductors, and particularly relates to a method for producing oxide superconductors that enable unidirectional solidification of crystals. It is related to the manufacturing method.

〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題]従来か
ら、酸化物超電導体は、その特性が結晶方位により大き
く異なり異方性があることが知られている。特に、結晶
の垂直方向(C軸)は水平面(a、b面〕内に比べ電気
抵抗値が遥かに大きく、酸化物超電導体の特性はa、b
面の構造が支配していると考えられる。
[Prior Art and Problems to be Solved by the Invention] It has been known that oxide superconductors have properties that vary greatly depending on crystal orientation and are anisotropic. In particular, the electrical resistance value in the vertical direction (C axis) of the crystal is much higher than in the horizontal plane (a, b plane), and the characteristics of oxide superconductors are
It is thought that the structure of the surface is dominant.

ところで、通常の合成方法では、特に焼結体(バルク)
の場合、その結晶方位がランダムとなるため、電気・磁
気特性共に実用的なレベルに達していない。
By the way, in normal synthesis methods, especially sintered bodies (bulk)
In the case of , the crystal orientation is random, so both the electrical and magnetic properties have not reached a practical level.

結晶の配向性を上げる方法として、酸化物超電導体を溶
融し、温度勾配を有する電気炉中で相対的に移動させて
再結晶させる方法がある。ここで結晶の配向性は温度勾
配が大きいほど一方向に揃うことが知られているが、電
気炉では熱伝導により均熱化され易く急峻な温度勾配を
形成することが不可能であり、配向性の制御は困難であ
る。
As a method of increasing crystal orientation, there is a method of melting an oxide superconductor and recrystallizing it by moving it relatively in an electric furnace having a temperature gradient. It is known that the larger the temperature gradient, the more aligned the crystal orientation is in one direction, but in an electric furnace, the temperature is easily equalized by heat conduction, making it impossible to form a steep temperature gradient. Controlling sexuality is difficult.

また、酸化物超電導物質にレーザ光を照射して局部的に
加熱溶融し、それを移動(走査)させることにより走査
方向に温度勾配を付けて照射部分を順次結晶化させる試
みが行なわれているが、この場合、照射部分はその中心
部が最も高温になるため、この中心部から放射状に温度
勾配ができ、レーザ光を一方向に走査するにも拘らず、
結晶の配向は一方向に揃わない。従って、配向性の制御
ができないという難点があった。
In addition, attempts have been made to irradiate oxide superconducting materials with laser light to locally heat and melt it, and then move (scan) it to create a temperature gradient in the scanning direction and sequentially crystallize the irradiated areas. However, in this case, the center of the irradiated area is at its highest temperature, so a temperature gradient forms radially from the center, and even though the laser beam is scanned in one direction,
Crystal orientation is not aligned in one direction. Therefore, there was a problem that the orientation could not be controlled.

さらに、YBCO系の酸化物超電導体では一般に溶融後
焼結させた場合、絶縁性の所謂211構造体になってし
まい123構遺体ができないという難点があった。
Furthermore, YBCO-based oxide superconductors generally have the disadvantage that when they are melted and then sintered, they become an insulating so-called 211 structure, resulting in no 123 structure.

また、レーザ光により溶融再結晶化した場合、凝固した
結晶は非常に酸素が欠損した状態となっているため後処
理として酸素アニールを行なう必要がある。ここで、試
料全体を均一に加熱する従来のアニール方法では配向性
をもって凝固した結晶であっても加熱する際に結晶の方
向が乱れ、結果として所望の特性の超電導体を得ること
ができない。
Further, when the crystal is melted and recrystallized by laser light, the solidified crystal is extremely deficient in oxygen, so it is necessary to perform oxygen annealing as a post-treatment. Here, in the conventional annealing method in which the entire sample is heated uniformly, even if crystals are solidified with orientation, the direction of the crystals is disturbed during heating, and as a result, a superconductor with desired characteristics cannot be obtained.

[発明の目的] 本発明は上記従来の難点に鑑みなされたもので、結晶の
一方向の配向性凝固が可能となる酸化物超電導体の製造
方法を提供することを目的とする。
[Object of the Invention] The present invention was made in view of the above-mentioned conventional difficulties, and it is an object of the present invention to provide a method for producing an oxide superconductor that enables unidirectional oriented solidification of crystals.

[課題を解決するための手段] このような目的を達成するために本発明の酸化物超電導
体の製造方法によれば、酸化物超電導物質または溶融・
焼結によって酸化物超電導物質を生成する物質にレーザ
光を照射して再結晶化または結晶化するにあたり、前記
レーザ光として走査方向と垂直方向に平行な帯状パター
ンを有するレーザ光を用いるものである。
[Means for Solving the Problems] In order to achieve such objects, according to the method for producing an oxide superconductor of the present invention, an oxide superconductor or a molten
When recrystallizing or crystallizing a material that generates an oxide superconducting material through sintering by irradiating it with laser light, a laser light having a strip pattern parallel to a direction perpendicular to the scanning direction is used as the laser light. .

この場合、再結晶化または結晶化後の酸化物超電導物質
を、直ちに強制冷却することにより、−方向凝固がより
充分に達成できる。
In this case, solidification in the -direction can be more fully achieved by immediately forcibly cooling the oxide superconducting material after recrystallization or crystallization.

また、以上の製造方法により結晶化した配向性を有する
酸化物超電導物質の結晶を酸素アニールするにあたり、
酸素雰囲気下で帯状パターンを結晶の配向方向と同方向
に走査して酸素アニールするものである。
In addition, in oxygen annealing the crystal of the oriented oxide superconducting material crystallized by the above manufacturing method,
Oxygen annealing is performed by scanning a strip pattern in the same direction as the crystal orientation in an oxygen atmosphere.

[発明の実施例] 以下、本発明による酸化物超電導体の製造方法の一実施
例を図面に従って詳述する。
[Embodiments of the Invention] Hereinafter, an embodiment of the method for producing an oxide superconductor according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第1図に示すように試料1は、長尺の基板2上に形成さ
れた薄膜であり、試料1に対し略直角にレーザ光3を照
射しながら矢印六方向に走査することにより、照射部分
1aが加熱・溶融され、レーザ光3の移動に伴い後方よ
り冷却され再結晶化する。
As shown in FIG. 1, the sample 1 is a thin film formed on a long substrate 2, and by scanning in the six directions of arrows while irradiating the sample 1 with a laser beam 3 approximately at right angles, the irradiated area is 1a is heated and melted, and as the laser beam 3 moves, it is cooled from behind and recrystallized.

実際の操作においては、レーザ光3を固定し、基板2を
走査方向と逆の方向に移動せしめる。
In actual operation, the laser beam 3 is fixed and the substrate 2 is moved in the opposite direction to the scanning direction.

ここで、試料1は酸化物超電導物質または溶融・焼結に
よって酸化物超電導物質を生成する物質の何れでもよく
、後者の溶融・焼結によって酸化物超電導物質を生成す
る物質は、例えばYSBa。
Here, the sample 1 may be either an oxide superconducting material or a material that produces an oxide superconducting material by melting and sintering, and the latter material that produces an oxide superconducting material by melting and sintering is, for example, YSBa.

Cuの酸化物などの超電導材料を固相法によりペレット
化したもの、金属アルコキシドその他の有機・金属化合
物および無機化合物を利用した超電導体溶融のコーテイ
ング膜、ドクターブレード法により作成した原料粉体と
有機バインダー等からなる溶液のスラリーの厚膜等であ
る。
Pelletized superconducting materials such as Cu oxides using the solid phase method, superconductor melt coating films using metal alkoxides and other organic/metallic compounds and inorganic compounds, and raw material powders and organic materials created using the doctor blade method. It is a thick film of a slurry of a solution consisting of a binder, etc.

また、酸化物超電導体原料の高温溶融液中に基板を浸漬
し、急冷す、ることによって作成したアモルファスの厚
膜なども採用することができる。この場合、レーザ溶融
後の密度変化は小さく、クラック等が生じにくい。
Furthermore, an amorphous thick film created by immersing a substrate in a high-temperature melt of an oxide superconductor raw material and rapidly cooling it can also be used. In this case, the change in density after laser melting is small and cracks are less likely to occur.

また酸化物超電導物質としては、上記物質を溶融後焼結
させたものの他、エキシマレーザによるレーザスパッタ
法、CVD法、スプレーパイロリシス法などの方法で基
板2上に形成したもの等を用いることができる。
Furthermore, as the oxide superconducting material, in addition to those obtained by melting and sintering the above-mentioned materials, those formed on the substrate 2 by a method such as a laser sputtering method using an excimer laser, a CVD method, or a spray pyrolysis method can be used. can.

また、基板2は板状体又はテープの何れでもよく、銀、
ジルコニウムなどの金属基板、金属基板上に酸化マグネ
シウム、イツトリウム安定化ジルコニウム(YSZ)、
チタン酸ストロンチウム等のバッファ層を設けたもの、
あるいは酸化マグネシウム、YSZ等の絶縁性基板の何
れも採用できる。但し、基板として金属基板を用いる場
合には、レーザ照射後、基板2を強制冷却し、基板表面
と試料1との反応を防止し、また冷却する際、放射状の
熱拡散が生じないようにする必要がある。
Further, the substrate 2 may be either a plate-like body or a tape, and may be made of silver,
Metal substrates such as zirconium, magnesium oxide on metal substrates, yttrium stabilized zirconium (YSZ),
Those with a buffer layer such as strontium titanate,
Alternatively, any insulating substrate such as magnesium oxide or YSZ may be used. However, if a metal substrate is used as the substrate, the substrate 2 should be forcibly cooled after laser irradiation to prevent reaction between the substrate surface and the sample 1, and also to prevent radial thermal diffusion from occurring during cooling. There is a need.

レーザ光3は第2図に示すようなレーザ源10、単レン
ズ11、シリンダリカルレンズ12およびミラー13を
用いた光学装置によって形成される帯状パターンを有す
るビームが用いられる。このビーム3は、第3図に示す
ようにその走査方向Aと直交する方向xSx’ に平行
に照射される。このようなビームのレーザ光としては、
試料の膜厚により異なるが、通常、例えばYAGレーザ
の場合、40〜50w以上の出力のものを使用する。
The laser beam 3 used is a beam having a strip pattern formed by an optical device using a laser source 10, a single lens 11, a cylindrical lens 12, and a mirror 13 as shown in FIG. This beam 3 is irradiated parallel to a direction xSx' perpendicular to the scanning direction A, as shown in FIG. As such a laser beam,
Although it varies depending on the film thickness of the sample, normally, for example, in the case of a YAG laser, one with an output of 40 to 50 W or more is used.

また、レーザ光の走査速度はビーム形1 mmX 50
μmの場合、5 cm71 sec程度とする。
The scanning speed of the laser beam is 1 mm x 50 mm.
In the case of μm, it is approximately 5 cm71 sec.

このような形状のレーザビーム3を、試料1に対して照
射することにより加熱され溶融した領域は、レーザビー
ムが相対的に移動することにより移動方向に温度勾配が
生じ、後方から順次冷却し始め結晶化する。結晶化はこ
の温度勾配に沿って進行するのでほぼ単一相で走査方向
に一方向凝固した結晶が形成される。
By irradiating the sample 1 with the laser beam 3 having such a shape, the heated and melted region will generate a temperature gradient in the direction of movement due to the relative movement of the laser beam, and will begin to cool down sequentially from the rear. crystallize. Since crystallization progresses along this temperature gradient, crystals are formed that are substantially single-phase and are unidirectionally solidified in the scanning direction.

この場合の冷却は空冷によるものであるが、−般に酸化
物の場合、熱伝導度が低く空冷だけでは急峻な温度勾配
をつけることが困難であるので、好ましい態様において
はレーザビームパターン(加熱領域)の直後に強制冷却
域を設けるものとする。
Cooling in this case is by air cooling, but in the case of oxides, the thermal conductivity is generally low and it is difficult to create a steep temperature gradient with air cooling alone, so in a preferred embodiment, a laser beam pattern (heating A forced cooling zone shall be provided immediately after the

強制冷却域を設ける手段としては、例えば液体ガリウム
、液体窒素、液体空気等の冷媒が用いられる。これら冷
媒を試料1および/または基板2の表面よりノズル等に
よって吹きつけるか、これらの液体を収容した冷却槽に
浸漬して強制冷却を行なう。
As means for providing the forced cooling region, for example, a refrigerant such as liquid gallium, liquid nitrogen, or liquid air is used. These coolants are sprayed onto the surface of the sample 1 and/or the substrate 2 using a nozzle or the like, or forced cooling is performed by immersing them in a cooling tank containing these liquids.

強制冷却域20は第4図に示すようにレーザビームパタ
ーン1aの後方に近接して設けることが好ましい。レー
ザビームパターン1aとの間隔は走査速度、レーザビー
ム出力、ビーム形状径等により適宜選択されるが、約1
mm程度が適当である。
The forced cooling region 20 is preferably provided close to the rear of the laser beam pattern 1a, as shown in FIG. The distance from the laser beam pattern 1a is appropriately selected depending on the scanning speed, laser beam output, beam shape diameter, etc., but it is approximately 1
A value of about mm is appropriate.

このように強制冷却域20を設け、強制的に冷却するこ
とによりレーザ走査方向の温度勾配を大きくシ、結晶化
を高めると共に、任意に核生成して凝固するのを防ぎ所
望の配向性のある結晶化を図ることができる。
In this way, the forced cooling zone 20 is provided, and by forcibly cooling the temperature gradient in the laser scanning direction is increased, crystallization is increased, and arbitrary nucleation and solidification are prevented and the desired orientation is achieved. Crystallization can be achieved.

更に、狭い加熱領域で走査速度を上げることにより、方
向性のある温度勾配を維持することができ、この場合、
通常の溶融、再結晶の過程からは生成できない固相をも
安定に結晶化できる。例えば、YBCO系超電導体の場
合、通常の溶融、凝固による方法では211相の結晶化
しかできないが、本発明の方法によれば123相のもの
が安定に結晶化できる。
Furthermore, by increasing the scanning speed in a narrow heating region, a directional temperature gradient can be maintained;
It is possible to stably crystallize solid phases that cannot be generated through normal melting and recrystallization processes. For example, in the case of a YBCO-based superconductor, only 211 phases can be crystallized using ordinary melting and solidification methods, but 123 phases can be stably crystallized using the method of the present invention.

尚、上述のレーザによる溶融は酸素圧コントロール下で
行なうことが好ましい。
Note that the above-described laser melting is preferably performed under oxygen pressure control.

又、レーザによる急激な加熱に伴う材料成分の蒸発、発
泡を防ぐと共に、再結晶化に伴ってクラックが生じるの
を防ぐ目的でレーザ照射に先行してハロゲンランプ等の
予熱源により予め熱処理を行なうことが望ましい。
In addition, heat treatment is performed using a preheating source such as a halogen lamp prior to laser irradiation in order to prevent material components from evaporating and foaming due to rapid heating by laser, and to prevent cracks from occurring due to recrystallization. This is desirable.

次に、以上のようにして再結晶させた超電導物質の酸素
アニールについて説明する。レーザ溶融により再結晶さ
せたものは非常に酸素欠損した結晶になり易いので、後
処理として酸素アニールを必要とする。この場合、配向
性結晶の方向性を維持して酸素アニールしなければなら
ない。例えば、比較的低温下(YBCO系の場合、40
0℃x10hrs程度)で高酸素圧雰囲気または酸素気
流中で熱処理を行なう。好ましくは、第5図(a)、(
b)に示すようにアニール用の熱源として、帯状パター
ン30のレーザを用いる。帯状のレーザはレーザ溶融に
よって一方向凝固した結晶1゛の配向方向Bに温度分布
Cを生じるようなエネルギー分布を有するものを用いる
Next, oxygen annealing of the superconducting material recrystallized as described above will be explained. Since crystals recrystallized by laser melting tend to be extremely oxygen-deficient crystals, oxygen annealing is required as a post-treatment. In this case, oxygen annealing must be performed while maintaining the directionality of the oriented crystal. For example, at a relatively low temperature (for YBCO type, 40
Heat treatment is performed at a temperature of about 0° C. x 10 hrs in a high oxygen pressure atmosphere or an oxygen stream. Preferably, FIG. 5(a), (
As shown in b), a laser with a strip pattern 30 is used as a heat source for annealing. The belt-shaped laser used has an energy distribution that produces a temperature distribution C in the orientation direction B of the crystal 1, which is unidirectionally solidified by laser melting.

このため、帯状パターンレーザはその幅が結晶の幅より
も広いスリットレーザが用いられる。レーザ出力はレー
ザ溶融に用いたものよりも小さいものが用いられる。こ
れにより結晶の方向性を乱すことなく加熱、酸素吸収が
可能となる。
For this reason, a slit laser whose width is wider than the width of the crystal is used as the band pattern laser. The laser power used is smaller than that used for laser melting. This allows heating and oxygen absorption without disturbing the orientation of the crystal.

このような帯状のレーザを所定酸素分圧下で結品の配向
方向Bに複数回走査することにより結晶に酸素を吸収さ
せ酸素アニールを行なう。走査速度は溶融、焼結時と同
様であるが制御酸素分圧下では多数回走査することが必
要で、例えば酸素分圧が0.2気圧の場合、500回程
変電査する。
By scanning such a band-shaped laser multiple times in the orientation direction B of the crystal under a predetermined oxygen partial pressure, oxygen is absorbed into the crystal and oxygen annealing is performed. The scanning speed is the same as that for melting and sintering, but under controlled oxygen partial pressure, it is necessary to scan multiple times. For example, when the oxygen partial pressure is 0.2 atm, the voltage is changed about 500 times.

このように結晶の配向方向に温度分布を持たせた帯状ビ
ームで酸素を吸収させることにより、結晶の配向性は維
持され、高度に配向した酸化物超電導体を得ることがで
きる。
By absorbing oxygen with a band-shaped beam having a temperature distribution in the crystal orientation direction, the crystal orientation is maintained and a highly oriented oxide superconductor can be obtained.

実施例1 厚さ1μ、幅400μmの基板状に形成した長尺のYB
CO系超電導物質の薄膜に出力50W1ビーム形1 r
nmX 50μmのビームを用いて走査速度5 cm/
secで照射し、再結晶化させた。この時ビームに平行
に1mmの間隔を置いて強制冷却域を設けた。
Example 1 Long YB formed into a substrate shape with a thickness of 1 μm and a width of 400 μm
Output 50 W 1 beam shape 1 r on a thin film of CO-based superconducting material
Scanning speed 5 cm/ using a beam of nm x 50 μm
sec to recrystallize. At this time, a forced cooling area was provided parallel to the beam at an interval of 1 mm.

再結晶化用のa−b軸配向の制御性及び臨界電流密度J
 c (A/crtr)の値(外部磁界0T177K(
以下同じ))をシングルビーム(1つの丸ビーム)を用
いた場合(比較例1)と比較した。
Controllability of a-b axis orientation and critical current density J for recrystallization
c (A/crtr) value (external magnetic field 0T177K (
The same applies hereinafter)) was compared with the case (Comparative Example 1) using a single beam (one round beam).

このシングルビームの場合の出力は5W、ビーム半径5
0μmで複数回走査させた。
The output power for this single beam is 5W, and the beam radius is 5
Scanning was performed multiple times at 0 μm.

表1 実施例2 実施例1で得られた再結晶膜に酸素分圧0.2気圧下で
出力5W、1mmx50μmの帯状レーザパターンを走
査速度10 am/ secで500回走査し、酸素ア
ニールを行なった。一方、比較例2として同酸素分圧下
で400℃で均一アニールを行ない、配向性の維持及び
臨界電流密度Jc(A/Cボ)を比較した。
Table 1 Example 2 The recrystallized film obtained in Example 1 was subjected to oxygen annealing by scanning a strip laser pattern of 1 mm x 50 μm with an output of 5 W and a scanning speed of 10 am/sec 500 times under an oxygen partial pressure of 0.2 atm. Ta. On the other hand, as Comparative Example 2, uniform annealing was performed at 400° C. under the same oxygen partial pressure, and maintenance of orientation and critical current density Jc (A/C Bo) were compared.

表2 表2からも明らかなように、本発明のアニール方法によ
れば結晶の配向性を損うことなく酸素アニールでき、し
かも高いJc値を得ることが出来た。
Table 2 As is clear from Table 2, according to the annealing method of the present invention, oxygen annealing could be performed without impairing crystal orientation, and high Jc values could be obtained.

[発明の効果] 以上の実施例からも明らかなように、本発明による酸化
物超電導体の製造方法によれば、試料を溶融する熱源と
して特定のビーム形状を有するレーザを用い、これを試
料に対し高速で走査するようにしたので試料上に走査方
向に揃った急峻な温度勾配を形成することができ、結晶
方向の制御が容易で高い一方向凝固が可能である。
[Effects of the Invention] As is clear from the above examples, according to the method for producing an oxide superconductor according to the present invention, a laser having a specific beam shape is used as a heat source for melting the sample, and the laser is applied to the sample. On the other hand, since scanning is performed at high speed, a steep temperature gradient aligned in the scanning direction can be formed on the sample, and the crystal direction can be easily controlled and high unidirectional solidification is possible.

又、本発明の酸化物超電導体の製造方法によれば、この
ように一方向凝固した結晶を酸素アニールするにあたり
、帯状レーザを走査させることにより酸素アニールする
ようにしたので、酸素アニール後も結晶の配向性が維持
でき高度に一方向凝固した酸化物超電導体を得ることが
できる。
In addition, according to the method for manufacturing an oxide superconductor of the present invention, oxygen annealing is performed by scanning a strip laser when unidirectionally solidified crystals are annealed with oxygen, so that the crystals remain intact even after oxygen annealing. It is possible to maintain the orientation of the oxide superconductor and obtain a highly unidirectionally solidified oxide superconductor.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による酸化物超電導体の製造方法におけ
るレーザ溶融の状態を示す斜視図、第2図は特定のビー
ム形状を有するレーザ光の発生装置の概略図、第3図は
レーザ光の加熱領域を示す図、第4図はレーザビームパ
ターンと強制冷却域を示す図、第5図(a) 、(b)
はそれぞれ本発明の酸化物超電導体の製造方法における
酸素アニールを示す平面図及び温度分布を示す図である
。 1・・・酸化物超電導物質(試料) 3・・・レーザ光 1°・・・配向性を有する結晶 30・・・帯状パターン B・・・配向方向 A・・・走査方向
FIG. 1 is a perspective view showing the state of laser melting in the method for producing an oxide superconductor according to the present invention, FIG. 2 is a schematic diagram of a laser beam generator having a specific beam shape, and FIG. Figure 4 shows the heating area, Figure 4 shows the laser beam pattern and forced cooling area, Figure 5 (a), (b)
These are a plan view and a diagram showing temperature distribution, respectively, showing oxygen annealing in the method for producing an oxide superconductor of the present invention. 1... Oxide superconducting material (sample) 3... Laser light 1°... Oriented crystal 30... Band-shaped pattern B... Orientation direction A... Scanning direction

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、酸化物超電導物質または溶融・焼結によって酸化物
超電導物質を生成する物質にレーザ光を照射して再結晶
化または結晶化するにあたり、前記レーザ光として走査
方向と垂直方向に平行な帯状パターンを有するレーザ光
を用いたことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。 2、再結晶化または結晶化された酸化物超電導物質は、
直ちに強制冷却されてなる請求項1記載の酸化物超電導
体の製造方法。 3、再結晶化または結晶化された酸化物超電導物質は、
冷却後酸素雰囲気下で走査方向と垂直方向に平行な帯状
パターンを有するレーザ光の反復照射により、酸素アニ
ールすることを特徴とする請求項1または2記載の酸化
物超電導体の製造方法。
[Claims] 1. When recrystallizing or crystallizing an oxide superconducting material or a material that generates an oxide superconducting material by melting and sintering a laser beam, the laser beam is perpendicular to the scanning direction. 1. A method for producing an oxide superconductor, characterized in that a laser beam having a strip pattern parallel to the direction is used. 2. Recrystallized or crystallized oxide superconducting material is
The method for producing an oxide superconductor according to claim 1, wherein the oxide superconductor is immediately forcedly cooled. 3. Recrystallized or crystallized oxide superconducting material is
3. The method for manufacturing an oxide superconductor according to claim 1, wherein after cooling, oxygen annealing is performed in an oxygen atmosphere by repeated irradiation with a laser beam having a strip pattern parallel to a direction perpendicular to the scanning direction.
JP8214989A 1989-03-31 1989-03-31 Production of oxide superconductor Pending JPH02258694A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2008518783A (en) * 2004-11-09 2008-06-05 コミッサリア タ レネルジー アトミーク System and method for producing nanometer sized or submicron sized powders in a continuous flux by pyrolytic laser action

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JP2012040555A (en) * 2004-11-09 2012-03-01 Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives System and method for production of nanometric or sub-micrometric powder in continuous flux under action of pyrolysis laser

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