JPH02260438A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02260438A JPH02260438A JP8091389A JP8091389A JPH02260438A JP H02260438 A JPH02260438 A JP H02260438A JP 8091389 A JP8091389 A JP 8091389A JP 8091389 A JP8091389 A JP 8091389A JP H02260438 A JPH02260438 A JP H02260438A
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- Japan
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- epoxy resin
- resin composition
- bag
- semiconductor device
- semiconductor
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法に関するものである
。
。
トランジスタ、ＩＣ，、ＬＳＩ等の半導体素子をエポキ
シ樹脂組成物を用いて樹脂封止する場合、一般にトラン
スファーモールド成形法が用いられている。上記トラン
スファーモールド成形法は、通常、タブレット状に成形
されたエポキシ樹脂組成物が用いられ、このタブレット
状品を８０℃前後にプレヒート（予備加熱）する。そし
て、軟化したタブレットをトランスファー成形機のポッ
トに装填してモールド成形し半導体装置を製造するとい
うものである。
シ樹脂組成物を用いて樹脂封止する場合、一般にトラン
スファーモールド成形法が用いられている。上記トラン
スファーモールド成形法は、通常、タブレット状に成形
されたエポキシ樹脂組成物が用いられ、このタブレット
状品を８０℃前後にプレヒート（予備加熱）する。そし
て、軟化したタブレットをトランスファー成形機のポッ
トに装填してモールド成形し半導体装置を製造するとい
うものである。
しかしながら、上記タブレット品は、輸送中に割れたり
または一部欠けたりする場合があり、このような状態の
タブレット品をポットに装填しモールド成形すると、重
量不足という問題が生じ、その結果、流動化したエポキ
シ樹脂組成物が成形金型全体にゆきわたらす封止樹脂に
未充填部分が生じるという問題を有している。また、上
記のようにタブレット品の割れ、欠けにより粉塵の散乱
が発生し、作業環境上の問題も有している。
または一部欠けたりする場合があり、このような状態の
タブレット品をポットに装填しモールド成形すると、重
量不足という問題が生じ、その結果、流動化したエポキ
シ樹脂組成物が成形金型全体にゆきわたらす封止樹脂に
未充填部分が生じるという問題を有している。また、上
記のようにタブレット品の割れ、欠けにより粉塵の散乱
が発生し、作業環境上の問題も有している。
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、作
業環境が向上し、かつエポキシ樹脂組成物の重量不足に
起因する封止樹脂に未充填部分が生じない半導体装置の
製造方法の提供をその目的とする。
業環境が向上し、かつエポキシ樹脂組成物の重量不足に
起因する封止樹脂に未充填部分が生じない半導体装置の
製造方法の提供をその目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置装置
の製造方法は、トランスファーモールド成形によって、
半導体素子を樹脂封止することにより半導体装置を製造
する方法であって、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
、融点が１９０″Ｃ以上の耐熱性を有する袋体に詰めた
ものを用いるという構成をとる。ここで上記袋体とは、
通常の袋のみならず、エポキシ樹脂組成物を袋状に包み
込むことのできるようなフィルムやシートをも含む趣旨
である。
の製造方法は、トランスファーモールド成形によって、
半導体素子を樹脂封止することにより半導体装置を製造
する方法であって、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を
、融点が１９０″Ｃ以上の耐熱性を有する袋体に詰めた
ものを用いるという構成をとる。ここで上記袋体とは、
通常の袋のみならず、エポキシ樹脂組成物を袋状に包み
込むことのできるようなフィルムやシートをも含む趣旨
である。
（作用〕
すなわち、この発明は、トランスファーモールド成形す
るにあたって、従来のように半導体封止用エポキシ樹脂
組成物のタブレットをそのまま用いるのではなく３、エ
ポキシ樹脂組成物を上記特徴を有する袋体に詰めたもの
を用いてトランスファーモールド成形する。そのため、
袋体の緩衝作用により、輸送中におけるタブレットの割
れ、欠けの発生を防止することができる。仮に、割れ、
欠けが生じてもそれは袋体内で生じるため、袋体内のエ
ポキシ樹脂組成物の重量に変化は生じない。
るにあたって、従来のように半導体封止用エポキシ樹脂
組成物のタブレットをそのまま用いるのではなく３、エ
ポキシ樹脂組成物を上記特徴を有する袋体に詰めたもの
を用いてトランスファーモールド成形する。そのため、
袋体の緩衝作用により、輸送中におけるタブレットの割
れ、欠けの発生を防止することができる。仮に、割れ、
欠けが生じてもそれは袋体内で生じるため、袋体内のエ
ポキシ樹脂組成物の重量に変化は生じない。
したがって、エポキシ樹脂組成物の重量不足による不都
合を生じない。しかも、輸送中に発生する微粉末が作業
場に粉塵として飛散することがないため、衛生的な作業
環境を維持することができる。
合を生じない。しかも、輸送中に発生する微粉末が作業
場に粉塵として飛散することがないため、衛生的な作業
環境を維持することができる。
この発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を特殊な
袋体に詰め、これをそのままトランスファーモ・−ルド
成形に供することによって半導体素子の樹脂封止を行う
ものである。
袋体に詰め、これをそのままトランスファーモ・−ルド
成形に供することによって半導体素子の樹脂封止を行う
ものである。
上記エポキシ樹脂組成物を詰める袋体は、エポキシ樹脂
組成物を包み込むことができればよく、シート状（フィ
ルム状）であっても、袋状に成形されたものであっても
よい。ただし、袋体の材質は、エポキシ樹脂組成物を詰
めた状態で予備加熱、成形できるよう、エポキシ樹脂組
成物の通常の成形温度である１７０〜１８０″Ｃを上回
る１９０℃以上の融点を有していることが必要であり、
モールド成形時等の熱で、中身のエポキシ樹脂組成物と
融着しないことが必要である。なお、エポキシ樹脂組成
物と融着しないということは、袋体の素材自身が上記組
成物に対して耐熱融着性を備えていることによってもよ
く、また袋体の内部表面にコーティング等の処理を施し
て熱融着しないようにしてもよい。
組成物を包み込むことができればよく、シート状（フィ
ルム状）であっても、袋状に成形されたものであっても
よい。ただし、袋体の材質は、エポキシ樹脂組成物を詰
めた状態で予備加熱、成形できるよう、エポキシ樹脂組
成物の通常の成形温度である１７０〜１８０″Ｃを上回
る１９０℃以上の融点を有していることが必要であり、
モールド成形時等の熱で、中身のエポキシ樹脂組成物と
融着しないことが必要である。なお、エポキシ樹脂組成
物と融着しないということは、袋体の素材自身が上記組
成物に対して耐熱融着性を備えていることによってもよ
く、また袋体の内部表面にコーティング等の処理を施し
て熱融着しないようにしてもよい。
また、この発明に用いられる上記半導体封止用エポキシ
樹脂組成物としては、従来公知の組成物であるモールド
用成形材料があげられる。例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂等の硬化剤、無機質充填剤およびその他の添
加剤を配合し溶融混練した液状物（例えば、発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）封止用透明樹脂組成物）、そしてこれを
冷却固化し粉砕することにより得られる粉末状物、さら
にこの粉末状物をプレヒートしたものがあげられる。そ
して、上記プレヒートしたものをモールド成形に用いる
と、加熱により気泡を有していないため、封止樹脂にボ
イドを生じることがない。
樹脂組成物としては、従来公知の組成物であるモールド
用成形材料があげられる。例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂等の硬化剤、無機質充填剤およびその他の添
加剤を配合し溶融混練した液状物（例えば、発光ダイオ
ード（ＬＥＤ）封止用透明樹脂組成物）、そしてこれを
冷却固化し粉砕することにより得られる粉末状物、さら
にこの粉末状物をプレヒートしたものがあげられる。そ
して、上記プレヒートしたものをモールド成形に用いる
と、加熱により気泡を有していないため、封止樹脂にボ
イドを生じることがない。
この発明の半導体装置の製造方法は、具体的には例えば
つぎのようにして行われる。まず、第１図に示すように
、袋体１の開口部を上方に開いた状態で、有底筒状のガ
イド容器３の内側に装着し、袋体１内に半導体対土用エ
ポキシ樹脂組成物２を詰める。そして、第２図に示すよ
うに、半導体封止用エポキシ樹脂組成物２を詰めた袋体
１の開口部を縛る等して閉じる。つぎに、上記状態のま
まプレヒートを行ったのち、第３図に示すように、袋詰
めした半導体封止用エポキシ樹脂組成物２をボット５に
そのまま装填し、プランジャ６で矢印方向に押圧し袋体
１の開口部からまたは袋体１を破壊して半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物２を押し出し、てトランスファーモー
ルド成形する。そして、一連の成形作業の完了後、ポッ
ト５内に残った袋体ｌを取り出すことにより半導体装置
を製造することができる。
つぎのようにして行われる。まず、第１図に示すように
、袋体１の開口部を上方に開いた状態で、有底筒状のガ
イド容器３の内側に装着し、袋体１内に半導体対土用エ
ポキシ樹脂組成物２を詰める。そして、第２図に示すよ
うに、半導体封止用エポキシ樹脂組成物２を詰めた袋体
１の開口部を縛る等して閉じる。つぎに、上記状態のま
まプレヒートを行ったのち、第３図に示すように、袋詰
めした半導体封止用エポキシ樹脂組成物２をボット５に
そのまま装填し、プランジャ６で矢印方向に押圧し袋体
１の開口部からまたは袋体１を破壊して半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物２を押し出し、てトランスファーモー
ルド成形する。そして、一連の成形作業の完了後、ポッ
ト５内に残った袋体ｌを取り出すことにより半導体装置
を製造することができる。
このように、この発明の半導体装置の製造方法によれば
、半導体対土用エポキシ樹脂組成物をタブレット状に打
錠したもの、粉末状物、場合によ・つては液状物を袋体
に詰めて輸送しそのままトランスファー成形に用いるこ
とができるため、輸送途中に半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の重量が減少したりすることがない。したがって
、エポキシ樹脂組成物の重量不足に起因する不都合を生
じない。また、エポキシ樹脂組成物を粉末状または液状
のものであってもプレヒートできるため、封止樹脂内の
ボイドの発生を防止することができる。しかも、例えば
粉末状もしくはタブレット状の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用いる場合、袋体に詰めて輸送するため、エ
ポキシ樹脂組成物の微粉末が粉塵として飛散せず、良好
な作業環境を実現することができる。
、半導体対土用エポキシ樹脂組成物をタブレット状に打
錠したもの、粉末状物、場合によ・つては液状物を袋体
に詰めて輸送しそのままトランスファー成形に用いるこ
とができるため、輸送途中に半導体封止用エポキシ樹脂
組成物の重量が減少したりすることがない。したがって
、エポキシ樹脂組成物の重量不足に起因する不都合を生
じない。また、エポキシ樹脂組成物を粉末状または液状
のものであってもプレヒートできるため、封止樹脂内の
ボイドの発生を防止することができる。しかも、例えば
粉末状もしくはタブレット状の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物を用いる場合、袋体に詰めて輸送するため、エ
ポキシ樹脂組成物の微粉末が粉塵として飛散せず、良好
な作業環境を実現することができる。
以上のように、この発明の半導体装置の製造方法では、
トランスファーモールド成形において、半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を袋詰めしたものを用いて半導体装置
の製造を行うため、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
重量不足に起因する不都合を生じない。しかも、半導体
封止用エポキシ樹脂組成物の輸送途中、エポキシ樹脂組
成物の割れ、欠けにより発生する微粉末が作業場に粉塵
として飛散することがないため、衛生的な作業環境を維
持することができる。
トランスファーモールド成形において、半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物を袋詰めしたものを用いて半導体装置
の製造を行うため、半導体封止用エポキシ樹脂組成物の
重量不足に起因する不都合を生じない。しかも、半導体
封止用エポキシ樹脂組成物の輸送途中、エポキシ樹脂組
成物の割れ、欠けにより発生する微粉末が作業場に粉塵
として飛散することがないため、衛生的な作業環境を維
持することができる。
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。
まず、実施例に先立って、下記に示す原料を用いて半導
体封止用エポキシ樹脂組成物を作製した。
体封止用エポキシ樹脂組成物を作製した。
（半導体封止用エポキシ樹脂組成物の作製）下記に示す
原料を用い、従来公知の方法により、各原料を配合し溶
融混練して冷却固化して後粉砕し粉末状の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を作製した。
原料を用い、従来公知の方法により、各原料を配合し溶
融混練して冷却固化して後粉砕し粉末状の半導体封止用
エポキシ樹脂組成物を作製した。
くエポキシ樹脂組成物の原料〉
エポキシ樹脂（０−クレゾールノボラック型）１００部
３５部
６５部
２０部
４５０部
２部
３部
５部
ブロム化エポキシ樹脂
フェノールノボラック樹脂
三酸化アンチモン
溶融シリカ
シランカップリング剤
ＯＰワックス（ヘキスト社製）
カーボンブラック
硬化促進剤（２−フェニルイミダゾール）０．７部
〔実施例〕
第１図に示すように、ガイド容器であるガラス製容器３
の内側に耐熱性ラップ（ポリエチレンテレフタレート製
）１の開口部を上方に開いた状態で装着し、この耐熱性
ラップ１内に、上記のようにして得られた粉末状のエポ
キシ樹脂組成物２（１００ｇ）を詰めた。そして、上記
状態のまま７５℃でプレヒートを行ったのち、第２図に
示すように、粉末状のエポキシ樹脂組成物２を詰めた耐
熱性ラップ１の開口部を縛って閉じ、所定のプレヒート
を行った。つぎに、上記粉末状のエポキシ樹脂組成物２
が詰められた耐熱性ラップｌを、第３図に示すように、
トランスファー成形機４のボット５に装填し、プランジ
ャ６で矢印方向に押圧して１６個取り４２ビンＤＩＰの
トランスファーモールド用金型を用いて半導体装置を製
造した。
の内側に耐熱性ラップ（ポリエチレンテレフタレート製
）１の開口部を上方に開いた状態で装着し、この耐熱性
ラップ１内に、上記のようにして得られた粉末状のエポ
キシ樹脂組成物２（１００ｇ）を詰めた。そして、上記
状態のまま７５℃でプレヒートを行ったのち、第２図に
示すように、粉末状のエポキシ樹脂組成物２を詰めた耐
熱性ラップ１の開口部を縛って閉じ、所定のプレヒート
を行った。つぎに、上記粉末状のエポキシ樹脂組成物２
が詰められた耐熱性ラップｌを、第３図に示すように、
トランスファー成形機４のボット５に装填し、プランジ
ャ６で矢印方向に押圧して１６個取り４２ビンＤＩＰの
トランスファーモールド用金型を用いて半導体装置を製
造した。
なお、上記モールド成形は成形温度１７５℃、注入時間
２０秒、硬化時間１２０秒、成形圧カフ０±５ ｋｇ／
ｃｄの条件で行った。
２０秒、硬化時間１２０秒、成形圧カフ０±５ ｋｇ／
ｃｄの条件で行った。
粉末状のエポキシ樹脂組成物２を詰めた耐熱性ラップ１
の代わりに、上記粉末状のエポキシ樹脂組成物を直径４
８ｍｍのタブレット（重さ１００ｇ）に打錠したものを
用いてこれを７５℃にプレヒートシた。それ以外は、実
施例と同様にして半導体装置を得た。
の代わりに、上記粉末状のエポキシ樹脂組成物を直径４
８ｍｍのタブレット（重さ１００ｇ）に打錠したものを
用いてこれを７５℃にプレヒートシた。それ以外は、実
施例と同様にして半導体装置を得た。
上記のようにして得られた実施測高および比較測高を軟
Ｘ線撮影し、軟Ｘ線写真より１部以上の大きさのボイド
を測定した。また、モールド成形時の温度１７５℃にお
けるエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー（以下ｒｓ
ＦＪと略称す）も同時に測定した。その結果を併せて下
記の表に示した。
Ｘ線撮影し、軟Ｘ線写真より１部以上の大きさのボイド
を測定した。また、モールド成形時の温度１７５℃にお
けるエポキシ樹脂組成物のスパイラルフロー（以下ｒｓ
ＦＪと略称す）も同時に測定した。その結果を併せて下
記の表に示した。
上記の表の結果から、実施測高は比較測高に比べても同
等のボイド数であり、流動性も変化がなかったこのこと
から、この発明の半導体装置の製造方法により得られる
半導体装置は、従来の方法と同等の性能を示しており、
作業性に優れていることがわかる。
等のボイド数であり、流動性も変化がなかったこのこと
から、この発明の半導体装置の製造方法により得られる
半導体装置は、従来の方法と同等の性能を示しており、
作業性に優れていることがわかる。
第１図および第２図は袋体に半導体封止用エポキシ樹脂
組成物を詰める作業を説明する状態図、第３図はこの発
明の詳細な説明する状態図である。 １・・・耐熱性ラップ ２・・・半導体封止用エポキシ
樹脂組成物 特許出願人 日東電工株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦
組成物を詰める作業を説明する状態図、第３図はこの発
明の詳細な説明する状態図である。 １・・・耐熱性ラップ ２・・・半導体封止用エポキシ
樹脂組成物 特許出願人 日東電工株式会社 代理人 弁理士 西 藤 征 彦
Claims (1)
- （１）トランスファーモールド成形によつて、半導体素
子を樹脂封止することにより半導体装置を製造する方法
であつて、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、融点が
１９０℃以上の耐熱性を有する袋体に詰めたものを用い
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8091389A JPH02260438A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8091389A JPH02260438A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260438A true JPH02260438A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13731631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8091389A Pending JPH02260438A (ja) | 1989-03-30 | 1989-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260438A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0747943A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
| EP0742586A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
| US6249171B1 (en) | 1996-04-08 | 2001-06-19 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for galvanically isolating two integrated circuits from each other |
| JP2007301843A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成型品とその成型方法、および、発光装置とその製造方法 |
-
1989
- 1989-03-30 JP JP8091389A patent/JPH02260438A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0747943A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
| EP0742586A3 (en) * | 1995-05-02 | 1998-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to integrated circuits |
| US5912024A (en) * | 1995-05-02 | 1999-06-15 | Texas Instruments Incorporated | Sproutless pre-packaged molding for component encapsulation |
| US5955115A (en) * | 1995-05-02 | 1999-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Pre-packaged liquid molding for component encapsulation |
| US6531083B1 (en) | 1995-05-02 | 2003-03-11 | Texas Instruments Incorporated | Sproutless pre-packaged molding for component encapsulation |
| US6249171B1 (en) | 1996-04-08 | 2001-06-19 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for galvanically isolating two integrated circuits from each other |
| JP2007301843A (ja) * | 2006-05-11 | 2007-11-22 | Nichia Chem Ind Ltd | 樹脂成型品とその成型方法、および、発光装置とその製造方法 |
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