JPH02260682A - 可視光半導体レーザ装置 - Google Patents
可視光半導体レーザ装置Info
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- JPH02260682A JPH02260682A JP8310789A JP8310789A JPH02260682A JP H02260682 A JPH02260682 A JP H02260682A JP 8310789 A JP8310789 A JP 8310789A JP 8310789 A JP8310789 A JP 8310789A JP H02260682 A JPH02260682 A JP H02260682A
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- semiconductor laser
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明はＡｊ！ＧａＩｎＰ系の可視光半導体レーザ装置
に関する。
に関する。
（ロ） 従来の技術
ＡｉＩＧａＩｎＰは６−帯°の波長を有し、可視光半導
体レーザ装置の材料として用いられている。
体レーザ装置の材料として用いられている。
第６図は従来のＭＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置を示し
、例えば昭和６３年秋季応用物理学会予稿乗、４ｐ−Ｚ
Ｃ−１０，８３６頁に開示されティる。
、例えば昭和６３年秋季応用物理学会予稿乗、４ｐ−Ｚ
Ｃ−１０，８３６頁に開示されティる。
図において（１１）はｎ型ＧａＡｓからなる基板、（１
２）はｎ型（Ａｌ１ ｍ 、 ｔＧａｓ 、 ｓ ）＠
、 ｇＩｎ＊ 、 ｉＰからなるｎ型クラッド層、（
１３）はアンドープの（ＡＲｍＧａ＋−ｔ）＊、１Ｉｎ
０．、Ｐからなる活性層、（１４）はｐ型（ＡＲｅ、ｔ
ｃａｓ、ｓ）＊、５Ｉｆｌｅ、ｓＰからなるｐ型りラッ
ド層である。これらの層は周知のＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ
法等を用いて基板（１１）の−主面上に順次エピタキシ
ャル成長きれる。
２）はｎ型（Ａｌ１ ｍ 、 ｔＧａｓ 、 ｓ ）＠
、 ｇＩｎ＊ 、 ｉＰからなるｎ型クラッド層、（
１３）はアンドープの（ＡＲｍＧａ＋−ｔ）＊、１Ｉｎ
０．、Ｐからなる活性層、（１４）はｐ型（ＡＲｅ、ｔ
ｃａｓ、ｓ）＊、５Ｉｆｌｅ、ｓＰからなるｐ型りラッ
ド層である。これらの層は周知のＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ
法等を用いて基板（１１）の−主面上に順次エピタキシ
ャル成長きれる。
またｐ型りラッド層（１４）にはエツチングにより幅５
ｐａのりッジが形成されている。
ｐａのりッジが形成されている。
（１５）はｐ型りラッド層（１４）上にエピタキシャル
成長されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層で、マスク
によりｐ層りラッド層（ロ）のりッジ頂部には積層され
ていない、 （１６）は露出したｐ型りラッド層（１０
の頂部及びブロック層（１５）上にエピタキシャル成長
されたｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層である。
成長されたｎ型ＧａＡｓからなるブロック層で、マスク
によりｐ層りラッド層（ロ）のりッジ頂部には積層され
ていない、 （１６）は露出したｐ型りラッド層（１０
の頂部及びブロック層（１５）上にエピタキシャル成長
されたｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層である。
（１７）はキャップ層（１６）上に形成されたＡｕ／Ｚ
ｎ／Ａｕからなるｐ型電極、（１８）は基板（１１）の
他主面上に形成されたＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ型電極
である。
ｎ／Ａｕからなるｐ型電極、（１８）は基板（１１）の
他主面上に形成されたＡｕＧｅ／Ａｕからなるｎ型電極
である。
斯る装置では活性層（１３）のＭ組成比をｘ＝０．１と
した時、波長６４９ｎｍのレーザ光が得られる。
した時、波長６４９ｎｍのレーザ光が得られる。
一方、現在、可視光レーザ光を用いた計測器やＰＯ５（
ｐｏｉｎｔ ｏｆ ５ａｌｅｓ）システムに用いられる
バーコードスキャナの光源として波長６３２． Ｉｉｌ
ｎｍのＨｅ−Ｎａレーザが用いられている。そこで、斯
るＨｅ−Ｎｅレーザと同じ波長が発振可能であり、軽量
、小型、低消費電力であるＡ＆ＧａＩｎＰ系半導体レー
ザ装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザに代わる光源として望まれ
ている。このために、上記従来装置をより短波長発振さ
せる必要がある。
ｐｏｉｎｔ ｏｆ ５ａｌｅｓ）システムに用いられる
バーコードスキャナの光源として波長６３２． Ｉｉｌ
ｎｍのＨｅ−Ｎａレーザが用いられている。そこで、斯
るＨｅ−Ｎｅレーザと同じ波長が発振可能であり、軽量
、小型、低消費電力であるＡ＆ＧａＩｎＰ系半導体レー
ザ装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザに代わる光源として望まれ
ている。このために、上記従来装置をより短波長発振さ
せる必要がある。
ＪＶＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置を短波長化する方
法として、 ■活性層のＭ組成比を大きくする ■活性層を超格子構造とする（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔａｒｓ、 Ｖｏｌ、 ２４、Ｎｏ、 ２４（
１９８８）、 ｐ、 １４８９参照）■各層の成長温度
を７００°Ｃより大とする（Ｊａｐａｔａｓｅ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、
Ｖｏｌ、２７、Ｎｏ、１１（１９ＢＢ＞、ｐ、２０９Ｂ
参照〉 ■活性層にＺｎを拡散させる（ＩＥＥＥ、Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｑ
Ｅ−２３、Ｎｏ、６（１９８７）、ｐ、７０４参照） ことが考え粂れている。
法として、 ■活性層のＭ組成比を大きくする ■活性層を超格子構造とする（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ
Ｌｅｔｔａｒｓ、 Ｖｏｌ、 ２４、Ｎｏ、 ２４（
１９８８）、 ｐ、 １４８９参照）■各層の成長温度
を７００°Ｃより大とする（Ｊａｐａｔａｓｅ Ｊｏｕ
ｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、
Ｖｏｌ、２７、Ｎｏ、１１（１９ＢＢ＞、ｐ、２０９Ｂ
参照〉 ■活性層にＺｎを拡散させる（ＩＥＥＥ、Ｊｏｕｒｎａ
ｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｑ
Ｅ−２３、Ｎｏ、６（１９８７）、ｐ、７０４参照） ことが考え粂れている。
しかし乍ら、■の方法ではＭ組成比率の増加と共に活性
層（１３）の結晶性が低下するため、発振しきい値が大
きくなり、連続動作が困難となる０例えば、活性層（１
３）のＭ組成比をｘ＝０．２とすると、発振波長は６３
０〜６４０ｎｍとなり、Ｈｅ−Ｎｅレーザの波長と略等
しくなるが、発振しきい値電流密度は１０ｋＡ／ｃｍ”
以上となり、実用的でなくなる。
層（１３）の結晶性が低下するため、発振しきい値が大
きくなり、連続動作が困難となる０例えば、活性層（１
３）のＭ組成比をｘ＝０．２とすると、発振波長は６３
０〜６４０ｎｍとなり、Ｈｅ−Ｎｅレーザの波長と略等
しくなるが、発振しきい値電流密度は１０ｋＡ／ｃｍ”
以上となり、実用的でなくなる。
また、■、■、■の方法では、装置の発振動作が不安定
になり、活性Ｊｉ！（１３）の劣化が激しくなるため、
装置の製造歩留りが低く、寿命が短いといった問題が生
じる。
になり、活性Ｊｉ！（１３）の劣化が激しくなるため、
装置の製造歩留りが低く、寿命が短いといった問題が生
じる。
（ハ〉 発明が解決しようとする課題
したがって、本発明は装置の発振しきい値が低く、製造
歩留りが高く、且つ寿命が長いＡｔ！ＧａＩｎＰ系の可
視光半導体レーザ装置を提供するものである。
歩留りが高く、且つ寿命が長いＡｔ！ＧａＩｎＰ系の可
視光半導体レーザ装置を提供するものである。
（ニ） 課題を解決するための手段
本発明は、ＧａＡｓ基板と、該ＧａＡｓ基板の一主面上
に積層されたＧａＩｎＰバッファ層と、該ＧａＸａＰバ
ッファ層上に積層され、Ａｉ’ＧａＩｎＰからなる活性
層を含むＭＧａＩｎＰ系半導体層と、を備えた可視光半
導体レーザ装置であって、上記課題を解決するため、上
記ＧａＡｓ基板の一生面には（１００）面から［０１１
コ方向に５°以上傾斜した面が用いられていることを特
徴とする。
に積層されたＧａＩｎＰバッファ層と、該ＧａＸａＰバ
ッファ層上に積層され、Ａｉ’ＧａＩｎＰからなる活性
層を含むＭＧａＩｎＰ系半導体層と、を備えた可視光半
導体レーザ装置であって、上記課題を解決するため、上
記ＧａＡｓ基板の一生面には（１００）面から［０１１
コ方向に５°以上傾斜した面が用いられていることを特
徴とする。
（ホ）作用
本発明は、ＧａＡｓ基板の結晶成長面に（１００）面か
ら［０１１］方向に５°以上傾斜した面を用いることに
よって、この上に積層されるＡｊ！ＧａＩｎＰ系半導体
層のバンドギャップが広がる。
ら［０１１］方向に５°以上傾斜した面を用いることに
よって、この上に積層されるＡｊ！ＧａＩｎＰ系半導体
層のバンドギャップが広がる。
くべ） 実施例
本発明は、ＡｅＧａＩｎＰ系の半導体層のバンドギャッ
プがＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化するといった
現象を利用するものである。またこの現象は本発明者ら
によて初めて見いだされたものである。
プがＧａＡｓ基板の面方位に依存して変化するといった
現象を利用するものである。またこの現象は本発明者ら
によて初めて見いだされたものである。
第２図に斯る現象の一例を示す、同図はＧａＡｓ基板の
一生面を（１００）面から［０１１］方向に種々傾け、
この上に形成したＧａｓ 、 １Ｉｎｓ 、 ｓＰのフ
ォトルミネッセンス（ＰＬ）からピークエネルギを測定
したものである。また、このＧａｓ 、 ｇＩｎｏ 、
＋Ｐは成長温度７１０℃、成長圧カフ０Ｔｏｒｒの減
圧ＭＯＣＶＤ法を用いて形成されたものである０図から
明らかな如く、傾斜角の増加に伴いピークエネルギは増
加していき、傾斜角が５°以上になると飽和していく。
一生面を（１００）面から［０１１］方向に種々傾け、
この上に形成したＧａｓ 、 １Ｉｎｓ 、 ｓＰのフ
ォトルミネッセンス（ＰＬ）からピークエネルギを測定
したものである。また、このＧａｓ 、 ｇＩｎｏ 、
＋Ｐは成長温度７１０℃、成長圧カフ０Ｔｏｒｒの減
圧ＭＯＣＶＤ法を用いて形成されたものである０図から
明らかな如く、傾斜角の増加に伴いピークエネルギは増
加していき、傾斜角が５°以上になると飽和していく。
第３図は基板の一主面上にＧａｓ、ｇＩｎｏ、ｓＰを形
成し、この上に（Ｍ’ ｔＧａ＋−ｇ）ｅ、ｇＩｎｏ、
１Ｐ（ｘ≧０）を形成した時の（ＡＩ！、Ｇａ、−、）
。ｇＩｎｏ 、 ｓＰのＭ組成比に対するフォトルミネ
ッセンスのピーク波長を示したものである。ここで基板
の一生面として、（１００）面から［０１１：１方向に
０° ５” ７°傾斜した面を夫々用いた。また
−例として、Ｍ組成比Ｘを０．１５とし、基板の傾斜角
をＱ” ５°とした時のフォトルミネッセンスのス
ペクトルを第４図及び第５図に示す、また、測定はいず
れも室温で行った。
成し、この上に（Ｍ’ ｔＧａ＋−ｇ）ｅ、ｇＩｎｏ、
１Ｐ（ｘ≧０）を形成した時の（ＡＩ！、Ｇａ、−、）
。ｇＩｎｏ 、 ｓＰのＭ組成比に対するフォトルミネ
ッセンスのピーク波長を示したものである。ここで基板
の一生面として、（１００）面から［０１１：１方向に
０° ５” ７°傾斜した面を夫々用いた。また
−例として、Ｍ組成比Ｘを０．１５とし、基板の傾斜角
をＱ” ５°とした時のフォトルミネッセンスのス
ペクトルを第４図及び第５図に示す、また、測定はいず
れも室温で行った。
第３図から明らかな如く、基板傾斜によるピーク波長の
変化量はＭ組成比Ｘにかかわらず略一定となっている０
例えば第４図及び第５図に示されるように最組成比ｘ＝
０．１５の時、傾斜角ｏ’ ｓ。
変化量はＭ組成比Ｘにかかわらず略一定となっている０
例えば第４図及び第５図に示されるように最組成比ｘ＝
０．１５の時、傾斜角ｏ’ ｓ。
のピーク波長は夫々６４２．２ａｍ、 ６２２．Ｏｎｍ
であり、その変化量は約２０ｎｍとなる。また、基板の
傾斜角に対するピーク波長は、Ｍ組成比Ｘにかかわらず
第２図に示したＧａｓ、１１０ｍ、ｓＰの場合と同様に
５＠以上で飽和していく傾向にあった。
であり、その変化量は約２０ｎｍとなる。また、基板の
傾斜角に対するピーク波長は、Ｍ組成比Ｘにかかわらず
第２図に示したＧａｓ、１１０ｍ、ｓＰの場合と同様に
５＠以上で飽和していく傾向にあった。
以上より、Ａｔ’ＧａＩｎＰ系の半導体レーザ装置にお
いて、基板の一生面に（１００）面から［０１１］方向
に傾斜した面を用いることにより、短波長化が図れるこ
とは明らかである。但し本発明における基板の一生面に
は（１００）面から［０１１］方向に５°以上、好まし
くは５〜７°傾斜した面が選択される。これは、傾斜角
が５°以上で最大且つ同程度の波長変化が得られること
に加え、この面上に形成きれるＧａｓ、５Ｉｎ６．ａＰ
及び（ＡＲｇＧａ＋−ｘ）ｅ、１ｌｎａ、ｓＰから結晶
欠陥が急激に減少し、結晶性が向上することによる０例
えば基板の（１０Ｇ）面上に形成されたＧａｓ、ｓＩｎ
。、Ｐにはヒロックと呼ばれる結晶欠陥が約１００００
個／ ｃｍ ”発生していたが、５°傾斜した面上では
１００個／ ｃｍ ’以下となる。即ち、本発明は、基
板の一生面に（１００）面から［０１１１方向へ５°以
上の傾斜面を用いることによって、所望の短波長化をす
るのに活性層のＭ組成比を極力小さくし、活性層の結晶
性の低下を抑えることにとどまらず、活性層の結晶性を
向上させることができるものである。
いて、基板の一生面に（１００）面から［０１１］方向
に傾斜した面を用いることにより、短波長化が図れるこ
とは明らかである。但し本発明における基板の一生面に
は（１００）面から［０１１］方向に５°以上、好まし
くは５〜７°傾斜した面が選択される。これは、傾斜角
が５°以上で最大且つ同程度の波長変化が得られること
に加え、この面上に形成きれるＧａｓ、５Ｉｎ６．ａＰ
及び（ＡＲｇＧａ＋−ｘ）ｅ、１ｌｎａ、ｓＰから結晶
欠陥が急激に減少し、結晶性が向上することによる０例
えば基板の（１０Ｇ）面上に形成されたＧａｓ、ｓＩｎ
。、Ｐにはヒロックと呼ばれる結晶欠陥が約１００００
個／ ｃｍ ”発生していたが、５°傾斜した面上では
１００個／ ｃｍ ’以下となる。即ち、本発明は、基
板の一生面に（１００）面から［０１１１方向へ５°以
上の傾斜面を用いることによって、所望の短波長化をす
るのに活性層のＭ組成比を極力小さくし、活性層の結晶
性の低下を抑えることにとどまらず、活性層の結晶性を
向上させることができるものである。
第１図に本発明装置の一実施例を示す。
図において、（１）はキャリア濃度２Ｘ１０”ＣＩＩ＋
−”のｎ型ＧａＡｓからなる基板で、その−主面（１ａ
）を研摩により（１００）面から［０１１１方向に５°
以上、例えば５°傾斜したものである。
−”のｎ型ＧａＡｓからなる基板で、その−主面（１ａ
）を研摩により（１００）面から［０１１１方向に５°
以上、例えば５°傾斜したものである。
（２）はバッファ層、（３）はｎ型クラッド層、（４）
は活性層、（５）はｐ型りラッド層、く６）はキャップ
層で、これらの層は成長温度６２０〜６７０℃例えば６
７０”Ｃ，反応室内圧カフ０Ｔｏｒｒの減圧Ｐｉｏｃｖ
ｏ法を用いて、基板（１）の−主面（１ａ）上に順次積
層される。下表にこれらの層の他の形成条件を示す。
は活性層、（５）はｐ型りラッド層、く６）はキャップ
層で、これらの層は成長温度６２０〜６７０℃例えば６
７０”Ｃ，反応室内圧カフ０Ｔｏｒｒの減圧Ｐｉｏｃｖ
ｏ法を用いて、基板（１）の−主面（１ａ）上に順次積
層される。下表にこれらの層の他の形成条件を示す。
以下余白
（７）はキャップ層（６）上にスパッタ法を用いて積層
された５ｉｎｓからなるブロック層で、キャップ層（６
）に達する幅１＋＋ｓのストライブ溝（８）がエツチン
グ形成されている。
された５ｉｎｓからなるブロック層で、キャップ層（６
）に達する幅１＋＋ｓのストライブ溝（８）がエツチン
グ形成されている。
（９）は露出したキャップ層（６）上及びブロック層（
７）上にＣｒ膜、Ａｕ膜がこの順に真空蒸着されたＡｕ
／Ｃｒ電極からなるｐ型電極、（１０）は基板（１）の
他主面（ｌｂ）上にＣｒ膜、Ｓｎ膜、Ａｕ膜がこの順に
真空蒸着されたＡｕ／Ｓｎ／Ｃｒ電極からなるｎ型電極
である。これらの電極は４００℃の熱処理によって、キ
ャップ層（６）あるいは基板（１）とオーミンク接触す
る。
７）上にＣｒ膜、Ａｕ膜がこの順に真空蒸着されたＡｕ
／Ｃｒ電極からなるｐ型電極、（１０）は基板（１）の
他主面（ｌｂ）上にＣｒ膜、Ｓｎ膜、Ａｕ膜がこの順に
真空蒸着されたＡｕ／Ｓｎ／Ｃｒ電極からなるｎ型電極
である。これらの電極は４００℃の熱処理によって、キ
ャップ層（６）あるいは基板（１）とオーミンク接触す
る。
また、装置の動作電圧の増加を抑える目的で、ｐ型りラ
ッド層（５）とキャップ層（６〉の間にＧａ。、 ａＩ
ｎｓ 、 ＩＰからなる周知の中間層を設けてもよい。
ッド層（５）とキャップ層（６〉の間にＧａ。、 ａＩ
ｎｓ 、 ＩＰからなる周知の中間層を設けてもよい。
以上、本実施例ではブロック層（７）に５ｉ０＊を用い
た所謂オキサイドストライプ構造のものについて説明し
たが、本発明は第６図に示す従来装置の様なインナース
トライプ構造等の他の構造にも容易に適用し得る。
た所謂オキサイドストライプ構造のものについて説明し
たが、本発明は第６図に示す従来装置の様なインナース
トライプ構造等の他の構造にも容易に適用し得る。
また、本実施例装置では活性層（４）のＭ組成比Ｘを０
．１５としたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、所望の波長を得るため、種々の値が選択きれること
は勿論である０例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザの代用を目的
として、６３０ｍｍ程度の波長を得る場合、例えば基板
（１）の傾斜角を５６として、活性層（４）のＭ組成比
Ｘを０．１〜０．１５とすれば良い。
．１５としたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、所望の波長を得るため、種々の値が選択きれること
は勿論である０例えば、Ｈｅ−Ｎｅレーザの代用を目的
として、６３０ｍｍ程度の波長を得る場合、例えば基板
（１）の傾斜角を５６として、活性層（４）のＭ組成比
Ｘを０．１〜０．１５とすれば良い。
（ト）発明の効果
本発明によれば、基板の一生面に（１００）面から［０
１１］方向に５°以上傾斜した面を用いることにより、
ＡＩ！ＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置の短波長化を図る
ことができる。したがって、所望の波長を得る場合従来
よりも活性層のＭ組成比を小さくすることができるので
しきい値電流の増加を抑えることができる。また、本発
明装置の活性層は結晶欠陥（ヒロック）が少なく、結晶
性良く形成されるので、本発明装置の製造歩留りは高く
なり、寿命も長くなる。
１１］方向に５°以上傾斜した面を用いることにより、
ＡＩ！ＧａＩｎＰ系半導体レーザ装置の短波長化を図る
ことができる。したがって、所望の波長を得る場合従来
よりも活性層のＭ組成比を小さくすることができるので
しきい値電流の増加を抑えることができる。また、本発
明装置の活性層は結晶欠陥（ヒロック）が少なく、結晶
性良く形成されるので、本発明装置の製造歩留りは高く
なり、寿命も長くなる。
第１図は本発明装置の一実施例を示す断面図、第２図は
基板傾斜角に対するＰＬピークエネルギを示す特性図、
第３図はＭ組成比に対するピーク波長を示す特性図、第
４図及び第５図はＭ組成比を０．１５とし、基板の傾斜
角を夫々０＠ ５＠としたときのＰＬスペクトル特性図
、第６図は従来装置を示す断面図である。
基板傾斜角に対するＰＬピークエネルギを示す特性図、
第３図はＭ組成比に対するピーク波長を示す特性図、第
４図及び第５図はＭ組成比を０．１５とし、基板の傾斜
角を夫々０＠ ５＠としたときのＰＬスペクトル特性図
、第６図は従来装置を示す断面図である。
Claims (1)
- （１）ＧａＡｓ基板と、該ＧａＡｓ基板の一主面上に積
層されたＧａＩｎＰバッファ層と、該ＧａＩｎＰバッフ
ァ層上に積層され、ＡｌＧａＩｎＰからなる活性層を含
むＡｌＧａＩｎＰ系半導体層と、を備え、上記ＧａＡｓ
基板の一主面には（１００）面から［０１１］方向に５
゜以上傾斜した面が用いられていることを特徴とする可
視光半導体レーザ装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1083107A JPH077863B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 可視光半導体レーザ装置 |
| US07/412,786 US5016252A (en) | 1988-09-29 | 1989-09-26 | Semiconductor laser device |
| US07/664,866 US5146466A (en) | 1988-09-29 | 1991-04-11 | Semiconductor laser device |
| US07/896,386 US5264389A (en) | 1988-09-29 | 1992-06-10 | Method of manufacturing a semiconductor laser device |
| US08/134,293 US5411915A (en) | 1988-09-29 | 1993-10-08 | Method of manufacturing a single crystal layers |
| US08/372,147 US5619519A (en) | 1988-09-29 | 1995-01-13 | Semiconductor laser device |
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| JP1083107A JPH077863B2 (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | 可視光半導体レーザ装置 |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPH0750453A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
| JPH0750452A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128423A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Sharp Corp | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP1083107A patent/JPH077863B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128423A (ja) * | 1987-11-12 | 1989-05-22 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0750453A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
| JPH0750452A (ja) * | 1994-05-20 | 1995-02-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 可視光半導体レ−ザ装置とその製造方法 |
| US6518159B1 (en) | 1999-10-28 | 2003-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077863B2 (ja) | 1995-01-30 |
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