JPH0226112A - バイアス供給素子 - Google Patents
バイアス供給素子Info
- Publication number
- JPH0226112A JPH0226112A JP17663888A JP17663888A JPH0226112A JP H0226112 A JPH0226112 A JP H0226112A JP 17663888 A JP17663888 A JP 17663888A JP 17663888 A JP17663888 A JP 17663888A JP H0226112 A JPH0226112 A JP H0226112A
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- JP
- Japan
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- high frequency
- line
- bias
- lambda
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマイクロ波集積回路に用いられるバイアス供給
素子に関し、特に、能、動素子にマイクロストリップ線
路を介してバイアスを供給するバイアス供給素子に関す
る。
素子に関し、特に、能、動素子にマイクロストリップ線
路を介してバイアスを供給するバイアス供給素子に関す
る。
従来、トランジスタ等の能８素子を用いたマイクロ゛波
束積回路においては、能動素子に外部から電源を供給し
、マイクロ波増幅等を行なわばている。この場合、マイ
クロ波集積回路の高周波特性に影響を与えないように電
源を供給する必要があり、電源供給回路、すなわちバイ
アス供給回路を工夫する必要がある。
束積回路においては、能動素子に外部から電源を供給し
、マイクロ波増幅等を行なわばている。この場合、マイ
クロ波集積回路の高周波特性に影響を与えないように電
源を供給する必要があり、電源供給回路、すなわちバイ
アス供給回路を工夫する必要がある。
一般に、マイクロ波集積回路に用いられる能動素子は、
内部に設けられた信号線路とバイアス供給用線路とを共
用する端子を有している。このため、信号線路の高周波
特性に影響が生じないように、インピーダンス素子を介
して電源を供給する方法が用いられている。この場合、
インピーダンス素子は非常に高いインピーダンスを有し
ていなければならない。
内部に設けられた信号線路とバイアス供給用線路とを共
用する端子を有している。このため、信号線路の高周波
特性に影響が生じないように、インピーダンス素子を介
して電源を供給する方法が用いられている。この場合、
インピーダンス素子は非常に高いインピーダンスを有し
ていなければならない。
バイアス供給回路としては、この他に高周波回路におけ
るλ／４１１路の特殊な特性を利用したものがある。す
なわち、λ／４線路の−、端に信＠線路を接続し、他端
に高周波接地用コンデンサ、あるいは開放λ／４線路を
介して電源と接続するもので、この場合、理論的には共
振周波数（λ／４）の信号に対しては電源と信＠線路の
間を無限大のインピーダンスに保つことができる。
るλ／４１１路の特殊な特性を利用したものがある。す
なわち、λ／４線路の−、端に信＠線路を接続し、他端
に高周波接地用コンデンサ、あるいは開放λ／４線路を
介して電源と接続するもので、この場合、理論的には共
振周波数（λ／４）の信号に対しては電源と信＠線路の
間を無限大のインピーダンスに保つことができる。
第３図はこの方式を利用したバイアス供給回路の従来例
を示す図である。
を示す図である。
高周波回路基板３５１の上面にはマイクロストリップ線
路である信号Ｉａ３２１、λ／４線路３３、λ／４開放
線路３４、バイアス供給端子６が設けられ、高周波回路
基板３５２の上面には信号線３２２が設けられている。
路である信号Ｉａ３２１、λ／４線路３３、λ／４開放
線路３４、バイアス供給端子６が設けられ、高周波回路
基板３５２の上面には信号線３２２が設けられている。
λ／４開放線路３４は、バイアス供給端子３６と接続さ
れ、また、λ／４線路３３を介して信号線路３２１と接
続されている。能動素子３１は、信号線路３２１，３２
２と接続されており、バイアス供給端子３６に印加され
る電源の供給を受けている。
れ、また、λ／４線路３３を介して信号線路３２１と接
続されている。能動素子３１は、信号線路３２１，３２
２と接続されており、バイアス供給端子３６に印加され
る電源の供給を受けている。
上述した従来のバイアス供給回路のうち、前者において
は、高インピーダンスを実現することが難しく、現実に
は百数十オーム程度しか得ることができず、信号線路の
高周波特性が劣化してしまうという欠点がある。後者の
場合には、無限大のインピーダンスを得ることができる
ものの、譬主要な使用周波数が限定されてしまうので広
帯域化することが難しく、また実装する場合に、回路基
板上の面積を広く必要とするため、高周波回路としての
高集積化が阻まれると同時に同一の面上に形成されるの
で、信号線との間に高周波の空間結合が生じてしまい、
高周波特性の低下を招くという欠点があり、さらには帯
域外の信号に対してはλ／４ｍ路等が短絡インピーダン
スになることもあり、このため能動素子が寄生発信して
しまうという欠点がある。
は、高インピーダンスを実現することが難しく、現実に
は百数十オーム程度しか得ることができず、信号線路の
高周波特性が劣化してしまうという欠点がある。後者の
場合には、無限大のインピーダンスを得ることができる
ものの、譬主要な使用周波数が限定されてしまうので広
帯域化することが難しく、また実装する場合に、回路基
板上の面積を広く必要とするため、高周波回路としての
高集積化が阻まれると同時に同一の面上に形成されるの
で、信号線との間に高周波の空間結合が生じてしまい、
高周波特性の低下を招くという欠点があり、さらには帯
域外の信号に対してはλ／４ｍ路等が短絡インピーダン
スになることもあり、このため能動素子が寄生発信して
しまうという欠点がある。
（１２題を解決するための手段）
本発明のバイアス供給素子は、λ／４ｍ路と、円板状の
λ／４ＷＩ放線路である円板λ／４７ｆｌ放パターンと
、高周波吸収体と、高周波接地コンデンサとを直列接続
してなり、高周波接地コンデンサの１ｊｆｌ放端に所定
バイアスを供給し、λ／４１ａ路の開放端を、回路基板
の基板面に群してほぼ垂直な方向よりマイクロストリッ
プ線路に接続して使用される。
λ／４ＷＩ放線路である円板λ／４７ｆｌ放パターンと
、高周波吸収体と、高周波接地コンデンサとを直列接続
してなり、高周波接地コンデンサの１ｊｆｌ放端に所定
バイアスを供給し、λ／４１ａ路の開放端を、回路基板
の基板面に群してほぼ垂直な方向よりマイクロストリッ
プ線路に接続して使用される。
高周波回路基板から離れた形態でバイアスが供給される
ため、高周波回路基板上の信号線と空間結合を生じるこ
とがなくなる。また、高周波吸収体および高周波接地コ
ンデンサが低域フィルタ型の減衰器を構成し、能動素子
の寄生発振を低減させるので、高周波回路基板の出力信
号は高周波特性の安定したものとなる。
ため、高周波回路基板上の信号線と空間結合を生じるこ
とがなくなる。また、高周波吸収体および高周波接地コ
ンデンサが低域フィルタ型の減衰器を構成し、能動素子
の寄生発振を低減させるので、高周波回路基板の出力信
号は高周波特性の安定したものとなる。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明のバイアス供給素子の構造を示す図、第
２図はその応用例である。
２図はその応用例である。
本寅施例のバイアス供給素子１ｏは、同軸、１／４線路
１、円板λ／４開放パターン２、高周波吸収体３、高周
波接地コンデンサ４、導電体であるケース５、バイアス
供給端子６がら構成されている。
１、円板λ／４開放パターン２、高周波吸収体３、高周
波接地コンデンサ４、導電体であるケース５、バイアス
供給端子６がら構成されている。
上記構成品のうち円板λ／４ｊ１放パターン２、高周波
吸収体３、高周波接地コンデンサ４はケース５の内部に
設゛けられ、同軸λ／４線路１の芯線と直列に接続され
ており、同軸λ／４線路１のシース線は、ケース５と接
続し、シールド効果を持たせている。円板λ／４開放パ
ターン２は従来の２７４間放線路と同様の働きをするも
のである。＾周波接地コンデンサの開放端はケース５の
外部へ突出し、電源と接続されるバイアス供給端子６が
設けられている。このバイアス供給素子１ｏは、第２図
に示すように高周波回路基板７上に設けられたマイクロ
ストリップ線路である信号線９に対して垂直下方に取り
付けられて使用される。信号線９は能動素子８と接続さ
れているので、バイアス供給端子６に電源を接続するこ
とによりバイアスが供給される。このとき、前述の作用
により信号１１９に出力される能動素子８の出力信号に
対しては？Ｉｉｉと信号線路の間のインピーダンスは無
限大となる。また、基板面上から離れた形態でバイアス
を供給し高周波吸収体３、高周波接地コンデン４により
低域フィルタ型の減衰器を構成しているため、使用帯域
が広いものとなっている。さらに、本実施例においては
円板λ／４開放パターン２、高周波吸収体３、高周波接
地コンデンサ４がケース５によってシールドされている
ため、この効果はさらに強いものとなっている。
吸収体３、高周波接地コンデンサ４はケース５の内部に
設゛けられ、同軸λ／４線路１の芯線と直列に接続され
ており、同軸λ／４線路１のシース線は、ケース５と接
続し、シールド効果を持たせている。円板λ／４開放パ
ターン２は従来の２７４間放線路と同様の働きをするも
のである。＾周波接地コンデンサの開放端はケース５の
外部へ突出し、電源と接続されるバイアス供給端子６が
設けられている。このバイアス供給素子１ｏは、第２図
に示すように高周波回路基板７上に設けられたマイクロ
ストリップ線路である信号線９に対して垂直下方に取り
付けられて使用される。信号線９は能動素子８と接続さ
れているので、バイアス供給端子６に電源を接続するこ
とによりバイアスが供給される。このとき、前述の作用
により信号１１９に出力される能動素子８の出力信号に
対しては？Ｉｉｉと信号線路の間のインピーダンスは無
限大となる。また、基板面上から離れた形態でバイアス
を供給し高周波吸収体３、高周波接地コンデン４により
低域フィルタ型の減衰器を構成しているため、使用帯域
が広いものとなっている。さらに、本実施例においては
円板λ／４開放パターン２、高周波吸収体３、高周波接
地コンデンサ４がケース５によってシールドされている
ため、この効果はさらに強いものとなっている。
以上説明したように本発明は、λ／４線路、円板λ／４
パターン、高周波吸収体および高周波接地コンデンサと
を直列に接続して基板と離れた形態でバイアスを供給す
ることにより、高密度な実装を可能とすることができ、
高周波特性が安定するバイアス供給を行なうことができ
る効果がある。
パターン、高周波吸収体および高周波接地コンデンサと
を直列に接続して基板と離れた形態でバイアスを供給す
ることにより、高密度な実装を可能とすることができ、
高周波特性が安定するバイアス供給を行なうことができ
る効果がある。
第１図は本発明のバイアス供給素子の構造を示す図、第
２図は第１図のバイアス供給素子を高周波回路に接続し
た状態を示す斜視図、第３図は従来のバイアス供給方法
を示す図である。 １・・・同軸λ／４線路、 ２・・・円板λ／４１７！ｌ放パターン、３・・・高周
波吸収体、 ４・・・高周波接地コンデンサ、 ５・・・ケース、 ６・・・バイアス供給端子、 ７・・・高周波回路基板、 ８・・・能動素子、 ９・・・信号線、 １０・・・バイアス供給素子。
２図は第１図のバイアス供給素子を高周波回路に接続し
た状態を示す斜視図、第３図は従来のバイアス供給方法
を示す図である。 １・・・同軸λ／４線路、 ２・・・円板λ／４１７！ｌ放パターン、３・・・高周
波吸収体、 ４・・・高周波接地コンデンサ、 ５・・・ケース、 ６・・・バイアス供給端子、 ７・・・高周波回路基板、 ８・・・能動素子、 ９・・・信号線、 １０・・・バイアス供給素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高周波トランジスタ等の能動素子と、信号線路およ
びバイアス供給路を兼用したマイクロストリップ線路と
を用いて回路基板上に構成された高周波回路にバイアス
供給を行なうバイアス供給素子であって、 λ／４線路と、円板状のλ／４開放線路である円板λ／
４開放パターンと、高周波吸収体と、高周波接地コンデ
ンサとを直列接続してなり、前記高周波接地コンデンサ
の開放端に所定バイアスを供給し、前記λ／４線路の開
放端を、前記回路基板の基板面に対してほぼ垂直な方向
より前記マイクロストリップ線路に接続して使用される
供給素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17663888A JPH0226112A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | バイアス供給素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17663888A JPH0226112A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | バイアス供給素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226112A true JPH0226112A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16017081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17663888A Pending JPH0226112A (ja) | 1988-07-14 | 1988-07-14 | バイアス供給素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226112A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102494340A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-06-13 | 哈尔滨工业大学 | 一种煤粉高温氧气点火方法及装置 |
-
1988
- 1988-07-14 JP JP17663888A patent/JPH0226112A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102494340A (zh) * | 2011-12-16 | 2012-06-13 | 哈尔滨工业大学 | 一种煤粉高温氧气点火方法及装置 |
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