JPH03286559A - 高周波集積回路 - Google Patents
高周波集積回路Info
- Publication number
- JPH03286559A JPH03286559A JP8950490A JP8950490A JPH03286559A JP H03286559 A JPH03286559 A JP H03286559A JP 8950490 A JP8950490 A JP 8950490A JP 8950490 A JP8950490 A JP 8950490A JP H03286559 A JPH03286559 A JP H03286559A
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- JP
- Japan
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- frequency
- common electrode
- substrate
- via hole
- circuit elements
- Prior art date
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- Pending
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- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばマイクロ波帯などの高い周波数帯域
で動作する高周波集積回路に関するものである。
で動作する高周波集積回路に関するものである。
［従来の技術〕
第３図は従来の高周波集積回路の一例を示す。
同図において、１はＧａＡｓ等の半導体の基板で、該基
板ｌ上には増幅器２．３その他の高周波回路素子が形成
されている。４は上記増幅器２．３相互間、あるいはこ
れらの増幅器とその他の回路素子とを接続する配線部で
、この配線部をマイクロ波信号が伝播する。
板ｌ上には増幅器２．３その他の高周波回路素子が形成
されている。４は上記増幅器２．３相互間、あるいはこ
れらの増幅器とその他の回路素子とを接続する配線部で
、この配線部をマイクロ波信号が伝播する。
上記のような従来の高周波集積回路では、例えばマイク
ロ波帯のような高周波帯で動作すると、増幅器２．３が
相互に干渉しあって回路全体が設計値と異なる特性を示
したり、増幅器２．３に帰還がかかって不所望な発振を
起こすことがあるという問題がある。
ロ波帯のような高周波帯で動作すると、増幅器２．３が
相互に干渉しあって回路全体が設計値と異なる特性を示
したり、増幅器２．３に帰還がかかって不所望な発振を
起こすことがあるという問題がある。
この発明は、上記のような従来の高周波集積回路に見ら
れた問題を解消した高周波集積回路を得ることを目的と
するものである。
れた問題を解消した高周波集積回路を得ることを目的と
するものである。
この発明の第１の高周波集積回路は、表面に複数の高周
波回路素子が形成された基板中に互いにアイソレーショ
ンの必要な高周波回路素子相互間、あるいはアイソレー
ションの必要な高周波回路素子を囲んで動作周波数にお
ける信号波長λより短い間隔で複数のバイアホールを列
をなして設け、各バイアホールを上記基板の裏面に設け
られた共通電極に接続して上記各バイアホールを高周波
的に接地して構成されている。
波回路素子が形成された基板中に互いにアイソレーショ
ンの必要な高周波回路素子相互間、あるいはアイソレー
ションの必要な高周波回路素子を囲んで動作周波数にお
ける信号波長λより短い間隔で複数のバイアホールを列
をなして設け、各バイアホールを上記基板の裏面に設け
られた共通電極に接続して上記各バイアホールを高周波
的に接地して構成されている。
この発明の第２の高周波集積回路は、表面に複数の高周
波回路素子が形成された基板中に互いにアイソレーショ
ンの必要な高周波回路素子相互間、あるいはアイソレー
ションの必要な高周波回路素子を囲んでバイアホール壁
を設け、該バイアホール壁を上記基板の裏面に設けられ
た共通電極に接続して上記バイアホール壁を高周波的に
接地して構成されている。
波回路素子が形成された基板中に互いにアイソレーショ
ンの必要な高周波回路素子相互間、あるいはアイソレー
ションの必要な高周波回路素子を囲んでバイアホール壁
を設け、該バイアホール壁を上記基板の裏面に設けられ
た共通電極に接続して上記バイアホール壁を高周波的に
接地して構成されている。
この発明による高周波集積回路は上記のように構成され
ているから、アイソレーションの必要な高周波回路素子
相互間、あるいはアイソレーションの必要な高周波回路
素子はバイアホール列あるいはバイアホール壁により形
成された接地壁により高周波的にアイソレーションされ
るから、高周波回路素子相互間の干渉が防止され、回路
全体が設計値と異なる動作特性を示したり、帰還により
不所望な発振が起こることはない。
ているから、アイソレーションの必要な高周波回路素子
相互間、あるいはアイソレーションの必要な高周波回路
素子はバイアホール列あるいはバイアホール壁により形
成された接地壁により高周波的にアイソレーションされ
るから、高周波回路素子相互間の干渉が防止され、回路
全体が設計値と異なる動作特性を示したり、帰還により
不所望な発振が起こることはない。
第１図はこの発明の第１の実施例を示す。同図において
、ｌはＧａＡｓ等の半導体の基板で、該基板ｌ上には増
幅器２．３その他の高周波回路素子が形成されている。
、ｌはＧａＡｓ等の半導体の基板で、該基板ｌ上には増
幅器２．３その他の高周波回路素子が形成されている。
４は上記増幅器２．３相互間、あるいはこれらの増幅器
とその他の回路素子とを接続する配線部で、この配線部
をマイクロ波信号が伝播する。増幅器２．３相互間の基
板中にはバイアホール５１．５２、・・・５ｎからなる
バイアホール列５が形成されている。バイアホール列５
のバイアホール相互間の間隔は動作周波数での信号波長
んより短くなるように設定されている。基板ｌの裏面に
は共通電極７が設けられており、上記各バイアホール５
１．５２、・・・５ｎは共通電極７に接続されている。
とその他の回路素子とを接続する配線部で、この配線部
をマイクロ波信号が伝播する。増幅器２．３相互間の基
板中にはバイアホール５１．５２、・・・５ｎからなる
バイアホール列５が形成されている。バイアホール列５
のバイアホール相互間の間隔は動作周波数での信号波長
んより短くなるように設定されている。基板ｌの裏面に
は共通電極７が設けられており、上記各バイアホール５
１．５２、・・・５ｎは共通電極７に接続されている。
共通電極７は接地あるいは電源電圧Ｖｄｄに接続されて
おり、高周波的に接地されている。周知のように、電磁
波はその信号波長λに比して小さいメツシュ状の接地電
極パターンを殆ど通過することができない。このため、
共通電極７により高周波的に接地された上記バイアホー
ル列５はマイクロ波的に接地導体壁として作用し、増幅
器２と３とをマイクロ波的にアイソレーションして、こ
れらの増幅器が相互に干渉しあうのが防止される。
おり、高周波的に接地されている。周知のように、電磁
波はその信号波長λに比して小さいメツシュ状の接地電
極パターンを殆ど通過することができない。このため、
共通電極７により高周波的に接地された上記バイアホー
ル列５はマイクロ波的に接地導体壁として作用し、増幅
器２と３とをマイクロ波的にアイソレーションして、こ
れらの増幅器が相互に干渉しあうのが防止される。
第１図の実施例では、バイアホール列５は増幅器２と３
との間に設けられており、これらの増幅器相互間をアイ
ソレーションしているが、基板ｌ上に形成された特定の
回路素子を囲むようにバイアホール列を設けて、この特
定の回路素子を他の回路素子あるいは回路からマイクロ
波的にアイソレーションすることもできる。
との間に設けられており、これらの増幅器相互間をアイ
ソレーションしているが、基板ｌ上に形成された特定の
回路素子を囲むようにバイアホール列を設けて、この特
定の回路素子を他の回路素子あるいは回路からマイクロ
波的にアイソレーションすることもできる。
第２図はこの発明の高周波集積回路の他の実施例で、第
１図の実施例と異なる点はバイアホール列の代りに増幅
器２．３間にバイアホール壁６を設け、該バイアホール
壁６の下端を基板ｌの裏面に設けられた共通電極７に接
続したものである。
１図の実施例と異なる点はバイアホール列の代りに増幅
器２．３間にバイアホール壁６を設け、該バイアホール
壁６の下端を基板ｌの裏面に設けられた共通電極７に接
続したものである。
バイアホール壁６はマイクロ波的に接地導体壁として作
用し、第１図の実施例と同様に増幅器２と３とをマイク
ロ波的にアイソレーションすることができる。
用し、第１図の実施例と同様に増幅器２と３とをマイク
ロ波的にアイソレーションすることができる。
第２図の実施例で、バイアホール壁により基板ｌ上の特
定の回路素子のみを、その結線部分を除いて囲むように
設けてもよい。このようにすると、上記特定の回路素子
を他の回路素子あるいは回路から効果的にアイソレーシ
ョンすることができる。
定の回路素子のみを、その結線部分を除いて囲むように
設けてもよい。このようにすると、上記特定の回路素子
を他の回路素子あるいは回路から効果的にアイソレーシ
ョンすることができる。
上記の各実施例で、高周波回路素子としては、増幅器２
．３の他に発振回路その他任意の回路素子を使用するこ
とができ、また、基板ｌとしてＧａＡｓのような半導体
基板を使用したが、アルミナやサファイア等の誘電体基
板を用いてもよい。
．３の他に発振回路その他任意の回路素子を使用するこ
とができ、また、基板ｌとしてＧａＡｓのような半導体
基板を使用したが、アルミナやサファイア等の誘電体基
板を用いてもよい。
以上のように、この発明によれば、表面に高周波回路素
子が形成された基板中に高周波的に接地されたバイアホ
ール列あるいはバイアホール壁を設けたので、高周波回
路素子相互間、あるいは所要の高周波回路素子のみを他
の高周波回路素子あるいは回路から高周波的にアイソレ
ーションすることができるから、例えば上記高周波回路
素子が相互に干渉しあって、高周波集積回路全体が設計
値と異なる特性で動作したり、不所望な発振を起こした
りするのを効果的に防止される。
子が形成された基板中に高周波的に接地されたバイアホ
ール列あるいはバイアホール壁を設けたので、高周波回
路素子相互間、あるいは所要の高周波回路素子のみを他
の高周波回路素子あるいは回路から高周波的にアイソレ
ーションすることができるから、例えば上記高周波回路
素子が相互に干渉しあって、高周波集積回路全体が設計
値と異なる特性で動作したり、不所望な発振を起こした
りするのを効果的に防止される。
第１図はこの発明の高周波集積回路の第１の実施例の主
要部の構成を説明する斜視図、第２図はこの発明の高周
波集積回路の第２の実施例の主要部の構成を説明する斜
視図、第３図は従来の高周波集積回路の一例の主要部の
構成を説明する斜視図である。 １・・・・基板、２．３・・・・高周波回路素子、４・
・・・配線部、５・・・・バイアホール列、５１．５２
・・・５ｎ・・・・バイアホール、６・・・・バイアホ
ール壁、７・・・・共通！［！。 代 理 人 大 岩 増 雄 第 １ 図 第 ２（２１ 第 ３ （２） ／ 暮羊Ｌ ２３° 趨１ｌ１）１藝 ４： 配線部 ５ ： Ｋイｆ！−＋−“Ｊ ５１．５２−５ｎ ：ｔｃイア爪−ル ７： ズ涌ｔ＠
要部の構成を説明する斜視図、第２図はこの発明の高周
波集積回路の第２の実施例の主要部の構成を説明する斜
視図、第３図は従来の高周波集積回路の一例の主要部の
構成を説明する斜視図である。 １・・・・基板、２．３・・・・高周波回路素子、４・
・・・配線部、５・・・・バイアホール列、５１．５２
・・・５ｎ・・・・バイアホール、６・・・・バイアホ
ール壁、７・・・・共通！［！。 代 理 人 大 岩 増 雄 第 １ 図 第 ２（２１ 第 ３ （２） ／ 暮羊Ｌ ２３° 趨１ｌ１）１藝 ４： 配線部 ５ ： Ｋイｆ！−＋−“Ｊ ５１．５２−５ｎ ：ｔｃイア爪−ル ７： ズ涌ｔ＠
Claims (2)
- （１）表面に複数の高周波回路素子が形成された基板中
に互いにアイソレーシヨンの必要な高周波回路素子相互
間、あるいはアイソレーションの必要な高周波回路素子
を囲んで動作周波数における信号波長λより短い間隔で
複数のバイアホールを列をなして設け、各バイアホール
を上記基板の裏面に設けられた共通電極に接続して上記
各バイアホールを高周波的に接地したとを特徴とする高
周波集積回路。 - （２）表面に複数の高周波回路素子が形成された基板中
に互いにアイソレーシヨンの必要な高周波回路素子相互
間、あるいはアイソレーシヨンの必要な高周波回路素子
を囲んでバイアホール壁を設け、該バイアホール壁を上
記基板の裏面に設けられた共通電極に接続して上記バイ
アホール壁を高周波的に接地したことを特徴とする高周
波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8950490A JPH03286559A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 高周波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8950490A JPH03286559A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 高周波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03286559A true JPH03286559A (ja) | 1991-12-17 |
Family
ID=13972609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8950490A Pending JPH03286559A (ja) | 1990-04-03 | 1990-04-03 | 高周波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03286559A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5606196A (en) * | 1995-10-14 | 1997-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-frequency, high-density semiconductor chip package with screening bonding wires |
| US7095114B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with via hole group generating high frequency electromagnetic bonding, manufacturing method thereof, and monolithic microwave integrated circuit |
| JP2007329168A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nec Corp | マイクロ波モノリシック半導体集積回路 |
| US7439621B1 (en) | 2000-11-08 | 2008-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio frequency signal processing device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262452B2 (ja) * | 1982-11-12 | 1987-12-26 | Hitachi Condenser |
-
1990
- 1990-04-03 JP JP8950490A patent/JPH03286559A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6262452B2 (ja) * | 1982-11-12 | 1987-12-26 | Hitachi Condenser |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5606196A (en) * | 1995-10-14 | 1997-02-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High-frequency, high-density semiconductor chip package with screening bonding wires |
| US7439621B1 (en) | 2000-11-08 | 2008-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio frequency signal processing device |
| US7095114B2 (en) | 2001-05-30 | 2006-08-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device with via hole group generating high frequency electromagnetic bonding, manufacturing method thereof, and monolithic microwave integrated circuit |
| JP2007329168A (ja) * | 2006-06-06 | 2007-12-20 | Nec Corp | マイクロ波モノリシック半導体集積回路 |
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