JPH02263761A - 鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子 - Google Patents
鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子Info
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- JPH02263761A JPH02263761A JP1086043A JP8604389A JPH02263761A JP H02263761 A JPH02263761 A JP H02263761A JP 1086043 A JP1086043 A JP 1086043A JP 8604389 A JP8604389 A JP 8604389A JP H02263761 A JPH02263761 A JP H02263761A
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Landscapes
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は強誘電性磁器組成物、特に、電気機械結合係数
が大きく、低温焼結可能な強誘電性磁器組成物およびそ
れを利用した圧電素子に関する。
が大きく、低温焼結可能な強誘電性磁器組成物およびそ
れを利用した圧電素子に関する。
（従来技術）
一般に、磁器圧電材料は、加工性、量産性および特性に
優れていることから、フィルター、圧電ブザー、あるい
はバイモルフ等の圧電素子に応用されている。この種の
圧電材料としては、チタン酸鉛系強誘電性磁器、チタン
酸ジルコン酸鉛系強誘電性磁器およびチタン酸バリウム
系強誘電性磁器が実用に供されている。
優れていることから、フィルター、圧電ブザー、あるい
はバイモルフ等の圧電素子に応用されている。この種の
圧電材料としては、チタン酸鉛系強誘電性磁器、チタン
酸ジルコン酸鉛系強誘電性磁器およびチタン酸バリウム
系強誘電性磁器が実用に供されている。
しかし、これらの強誘電性磁器は、焼結温度が１１００
℃以上と高温であることから、金属板等の基板と一体化
した複合体を得ることができなかった。
℃以上と高温であることから、金属板等の基板と一体化
した複合体を得ることができなかった。
また、強誘電性磁器が鉛酸化物含有強誘電性磁・器であ
る場合、その成分として揮発性のＰｂを含むため、焼成
時にＰｂＯの一部が組成から失われ易く、特性の再現性
および均一性を図ることが困難であった。
る場合、その成分として揮発性のＰｂを含むため、焼成
時にＰｂＯの一部が組成から失われ易く、特性の再現性
および均一性を図ることが困難であった。
さらに、これらの強誘電性磁器を、発振子（共振子）用
として利用する場合、電気機械結合係数が大きいためフ
ィルターの帯域幅が広くなく、使用に際し一部安定性に
欠けていた。
として利用する場合、電気機械結合係数が大きいためフ
ィルターの帯域幅が広くなく、使用に際し一部安定性に
欠けていた。
このため特開昭５８−２０４５７９号公報にて、圧電セ
ラミックにケイ酸ガラス化合物、ソーダガラス化合物、
あるいは鉛ガラス化合物を１〜３０ｗｔ％添加させるこ
とにより、フィルターの帯域幅を狭くし、安定度を向上
させた化合物入り圧電磁器が提案されている。
ラミックにケイ酸ガラス化合物、ソーダガラス化合物、
あるいは鉛ガラス化合物を１〜３０ｗｔ％添加させるこ
とにより、フィルターの帯域幅を狭くし、安定度を向上
させた化合物入り圧電磁器が提案されている。
（従来技術の問題点）
しかしながら、前記ガラス化合物入り圧電磁器は、ガラ
ス化合物の添加により電気機械結合係数が著しく低下す
るため、エネルギー変換効率が低下するという問題があ
った。
ス化合物の添加により電気機械結合係数が著しく低下す
るため、エネルギー変換効率が低下するという問題があ
った。
また、従来の強誘電性磁器組成物を広がり振動モードの
セラミック共振子に適応した場合、厚み縦振動であるス
プリアス振動に起因する異常発振を生ずるという問題も
あった。
セラミック共振子に適応した場合、厚み縦振動であるス
プリアス振動に起因する異常発振を生ずるという問題も
あった。
（問題点を解決するための手段）
本発明の強誘電性磁器組成物は、主成分である強誘電性
磁器に対して、Ｐｂの酸化物とＧｅの酸化物がそれぞれ
添加含有され、Ｐｂの酸化物をＰｂＯに換算し、Ｇｅの
酸化物をＧｅＯ２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比
を一般式：ｘＰｂＯ・ｙＧｅ０２として表したときＸ？
ｙがそれぞれｘ＝１〜ａ、ｙ＝ｘ〜３であり、かつ添加
、含有されたＰｂＯとＧｅＯ２の合計量が０．０１〜３
０重量％であることを特徴とする。
磁器に対して、Ｐｂの酸化物とＧｅの酸化物がそれぞれ
添加含有され、Ｐｂの酸化物をＰｂＯに換算し、Ｇｅの
酸化物をＧｅＯ２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比
を一般式：ｘＰｂＯ・ｙＧｅ０２として表したときＸ？
ｙがそれぞれｘ＝１〜ａ、ｙ＝ｘ〜３であり、かつ添加
、含有されたＰｂＯとＧｅＯ２の合計量が０．０１〜３
０重量％であることを特徴とする。
また、本発明の圧電素子は、上述の強誘電性磁器組成物
からなる板状の強誘電性磁器板と、この強誘電性磁器板
の両主表面に形成された電極と、からなることを特徴と
する。
からなる板状の強誘電性磁器板と、この強誘電性磁器板
の両主表面に形成された電極と、からなることを特徴と
する。
さらに、本発明の圧電素子は、上述の強誘電性磁器組成
物からなる仮焼粉末を含有する厚膜ペーストが金属製の
基板上に塗布、焼き付けられて一体化され、この焼き付
けによって形成された強誘電性磁器層の表面に電極が形
成されたことを特徴とする。
物からなる仮焼粉末を含有する厚膜ペーストが金属製の
基板上に塗布、焼き付けられて一体化され、この焼き付
けによって形成された強誘電性磁器層の表面に電極が形
成されたことを特徴とする。
本発明の強誘電性磁器組成物の主成分である強誘電性磁
器としては、チタン酸バリウム系強誘電性磁器、チタン
酸鉛系強誘電性磁器、チタン酸ジルコン酸鉛系強誘電性
磁器、メタニオブ酸鉛系強誘電性磁器および鉛含有複合
ペロブスカイト系磁器が代表的なものとして挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
器としては、チタン酸バリウム系強誘電性磁器、チタン
酸鉛系強誘電性磁器、チタン酸ジルコン酸鉛系強誘電性
磁器、メタニオブ酸鉛系強誘電性磁器および鉛含有複合
ペロブスカイト系磁器が代表的なものとして挙げられる
が、これらに限定されるものではない。
チタン酸バリウム系強誘電性磁器には、真性および変性
チタン酸バリウム系強誘電性磁器が含まれる。
チタン酸バリウム系強誘電性磁器が含まれる。
チタン酸鉛系強誘電性磁器とは、真性および変性チタン
酸鉛を意味し、変性チタン酸鉛には、単純酸化物である
Ｃｒ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５． Ｂｉ ２０３
． ＭｎＯ２など金属酸化物を添加したもの、Ｐｂサイ
トをＭｇ、Ｃａ。
酸鉛を意味し、変性チタン酸鉛には、単純酸化物である
Ｃｒ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５． Ｂｉ ２０３
． ＭｎＯ２など金属酸化物を添加したもの、Ｐｂサイ
トをＭｇ、Ｃａ。
Ｓｒ、Ｂａ’ＰＬａ２０３．Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３等の
希土類で置換したもの、およびＰｂＴｉＯ３の一部を後
述の一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）で示される少なくとも一種
の複合ペロブスカイト化合物で置換した２成分系、３成
分系その他の多成分系磁器あるいはこれらの組合せたも
のが含まれる。
希土類で置換したもの、およびＰｂＴｉＯ３の一部を後
述の一般式（Ｉ）〜（ＶＩ）で示される少なくとも一種
の複合ペロブスカイト化合物で置換した２成分系、３成
分系その他の多成分系磁器あるいはこれらの組合せたも
のが含まれる。
また、チタン酸ジルコン酸鉛系強誘電性磁器とは、真性
および変性チタン酸ジルコン酸鉛を意味し、変性チタン
酸ジルコン酸鉛には、Ｐｂ（Ｔｉ、 Ｚｒ）０３にＣｒ
’２０３． Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５． Ｂ １２０３
． ＭｎＯ２など金属酸化物を添加したもの、Ｐｂサイ
トをＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属やＬ
ａ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３等の希土類で置換した
もの、およびＰｂ（Ｔｉ、Ｚｒ）０３の一部を後述の一
般式（Ｉ）〜（ＶＩ）で示される少なくとも一種の複合
ペロブスカイト化合物で置換した３成分系、４成分系そ
の他の多成分系磁器あるいはこれらの組合せたものが含
まれる。
および変性チタン酸ジルコン酸鉛を意味し、変性チタン
酸ジルコン酸鉛には、Ｐｂ（Ｔｉ、 Ｚｒ）０３にＣｒ
’２０３． Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５． Ｂ １２０３
． ＭｎＯ２など金属酸化物を添加したもの、Ｐｂサイ
トをＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等のアルカリ土類金属やＬ
ａ２Ｏ３，Ｎｄ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３等の希土類で置換した
もの、およびＰｂ（Ｔｉ、Ｚｒ）０３の一部を後述の一
般式（Ｉ）〜（ＶＩ）で示される少なくとも一種の複合
ペロブスカイト化合物で置換した３成分系、４成分系そ
の他の多成分系磁器あるいはこれらの組合せたものが含
まれる。
さらに、メタニオブ酸鉛系強誘電性磁器とは、真性およ
び変性メタニオブ酸鉛を意味し、変性メタニオブ酸鉛に
は、単純酸化物であるＣｒ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔａ２
０５．Ｂｉ２Ｏ３，ＭｎＯ２など金属酸化物を添加した
もの、Ｐｂの一部をＭＢ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａ等の
アルカリ土類金属やＬａ２０３ｅＮｄ２０３ｔＹ２０３
等の希土類で置換したもの、およびメタニオブ酸鉛に後
述の一般式（Ｉ）〜（■）で示される少なくとも一種の
複合ペロブスカイト化合物で添加した２成分系、３成分
系その他の多成分系磁器が含まれる。
び変性メタニオブ酸鉛を意味し、変性メタニオブ酸鉛に
は、単純酸化物であるＣｒ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５゜Ｔａ２
０５．Ｂｉ２Ｏ３，ＭｎＯ２など金属酸化物を添加した
もの、Ｐｂの一部をＭＢ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｂａ等の
アルカリ土類金属やＬａ２０３ｅＮｄ２０３ｔＹ２０３
等の希土類で置換したもの、およびメタニオブ酸鉛に後
述の一般式（Ｉ）〜（■）で示される少なくとも一種の
複合ペロブスカイト化合物で添加した２成分系、３成分
系その他の多成分系磁器が含まれる。
鉛含有複合ペロブスカイト系磁器には、後述の一般式（
１）〜（Ｖｌ）で示される鉛含有複合へロブスカイト化
合物の他、それらの２種以上のもしくはそれらの少なく
とも１種と他の複合ペロブスカイト化合物とからなる２
成分系、３成分系その他の多成分系磁器が含まれる。た
とえば、 Ｐｂ （Ｆｅ２ｚａＷｘｚ３） ０３ｓ Ｐｂ （Ｆｅ
１７２Ｎｂ １／２） ０３等の１成分系、Ｐｂ（Ｆｅ
ｌ／２Ｎｂｌ／２）０３−Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）
０３等の２成分系、Ｐｂ （Ｍｎｘ／ａＮＪ／３） ０
ｓ−Ｐｂ （Ｆｅ １／２Ｎｂｌ／２）０３−Ｐｂ （
Ｆｅ２／ａＷｘ／３）Ｏａｔ Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）０３−Ｐｂ（Ｆｅ１／２
Ｎｂｌ／２）０３−Ｐｂ （Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０３
等の３成分系複合ヘロフスカイト化合物等が挙げられる
。
１）〜（Ｖｌ）で示される鉛含有複合へロブスカイト化
合物の他、それらの２種以上のもしくはそれらの少なく
とも１種と他の複合ペロブスカイト化合物とからなる２
成分系、３成分系その他の多成分系磁器が含まれる。た
とえば、 Ｐｂ （Ｆｅ２ｚａＷｘｚ３） ０３ｓ Ｐｂ （Ｆｅ
１７２Ｎｂ １／２） ０３等の１成分系、Ｐｂ（Ｆｅ
ｌ／２Ｎｂｌ／２）０３−Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）
０３等の２成分系、Ｐｂ （Ｍｎｘ／ａＮＪ／３） ０
ｓ−Ｐｂ （Ｆｅ １／２Ｎｂｌ／２）０３−Ｐｂ （
Ｆｅ２／ａＷｘ／３）Ｏａｔ Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）０３−Ｐｂ（Ｆｅ１／２
Ｎｂｌ／２）０３−Ｐｂ （Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０３
等の３成分系複合ヘロフスカイト化合物等が挙げられる
。
前記複合ベロアスカイト化合物の代表的なものとしては
、 一般式（１）：Ａ”（Ｂ２＋１／３Ｂ”２／３）（１３
で示される化合物、たとえば、 Ｂａ（Ｚｎ１／Ｊｂ２／３）０３ｔ Ｂａ （Ｃｄｘ／
Ｊｔ）＋７３）０３ｓＢａ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０
３ｓ ５ｒ（Ｃｄ１／ａＮｂ２／３）０３ｓＰｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）０３ツＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３
）０３ｔＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０３ｊ Ｐｂ
（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）０３ｔＰｂ（Ｎｉ ｔ／３Ｔ
ａ２／３）０３＊Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）０３；
一般式（１１）＝Ａ”（Ｂ ”１／２Ｂ”１／２）０３
で示される化合物、たとえば、 Ｂａ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０３．Ｂａ（Ｓｅ１／２
Ｎｂ１／２）０３＋Ｃａ（Ｃｒ１／２Ｎｂ１／２）０３
．Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０３゜Ｐｂ（Ｆｅ１／
２Ｔａ１／２）０３．Ｐｂ（ＳＣ１／２Ｎｂ１７２）０
３゜Ｐｂ（ＳＣ１／２Ｔａ１／２）０３．Ｐｂ（Ｙｂ１
／２Ｎｂ１／２）０３゜Ｐｂ（Ｙｂ１７２Ｔａ１／２）
０３９Ｐｂ（Ｌｕ１／２Ｎｂ１／２）０３ＩＰｂ（Ｉｎ
ｘ７２Ｎｂ１７ｚ）０３； 一般式（１１１）’Ａ２＋（Ｂ”１／２Ｂ”１／２）０
３で示される化合物、たとえば、 Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｗｘ／２）口３ＩＰｂ（Ｍｎ１／２Ｗ
１／２）０３シＰｂ（Ｚｎ１／２胃１／２）０３．Ｐｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）０３゜Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｗｘ／
２）０３＊Ｐｂ（Ｎｉ １ｚ２Ｗｔ／２）０３ｓＰｂ（
Ｍｇｔ／２Ｔｅｔ７２）０３ｙＰｂ（Ｍｎ１／２Ｗ１／
２）０３ｓＰｂ（Ｃｄ１／２Ｗｘ／２）０３； 一般式（ＩＶ）＝Ａ２”（Ｂ”２／３Ｂ”１／３）０３
で示される化合物、たとえば、 Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０３； 一般式（Ｖ）二Ａ２＋（Ｂ２＋１／２Ｂ４＋１／２）０
３で示される化合物、たとえば、 Ｐｂ（Ｓｎ１／２Ｓｂ１／２）０３．Ｌａ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）０３゜Ｗｂ（Ｍ８ｔ／２Ｔｉ １／２）０３
；および・一般式（■戸（Ａ”１／２Ａ”１７２） Ｂ
４＋０３で示される化合物、たとえば、 （Ｎａ１／２Ｌａ１／２）Ｔ１０３９（Ｋ１／２Ｌａ１
／２）Ｔｉ０３ｐ（Ｎａｔ／２Ｃｅｔ／２）ＴｉＱ３ｓ
（Ｎａ１７Ｊｄｔ／２）ＴｉＯ３’（Ｎｄｔ／２Ｂｉ
ｘ／２）Ｔｉ０３シ（Ｋ１／２Ｂｉ ｔ／２）Ｔｉ０
３などが挙げられる。
、 一般式（１）：Ａ”（Ｂ２＋１／３Ｂ”２／３）（１３
で示される化合物、たとえば、 Ｂａ（Ｚｎ１／Ｊｂ２／３）０３ｔ Ｂａ （Ｃｄｘ／
Ｊｔ）＋７３）０３ｓＢａ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０
３ｓ ５ｒ（Ｃｄ１／ａＮｂ２／３）０３ｓＰｂ（Ｍｇ
１／３Ｎｂ２／３）０３ツＰｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３
）０３ｔＰｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）０３ｊ Ｐｂ
（Ｍｇ１／３Ｔａ２／３）０３ｔＰｂ（Ｎｉ ｔ／３Ｔ
ａ２／３）０３＊Ｐｂ（Ｃｄ１／３Ｎｂ２／３）０３；
一般式（１１）＝Ａ”（Ｂ ”１／２Ｂ”１／２）０３
で示される化合物、たとえば、 Ｂａ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０３．Ｂａ（Ｓｅ１／２
Ｎｂ１／２）０３＋Ｃａ（Ｃｒ１／２Ｎｂ１／２）０３
．Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０３゜Ｐｂ（Ｆｅ１／
２Ｔａ１／２）０３．Ｐｂ（ＳＣ１／２Ｎｂ１７２）０
３゜Ｐｂ（ＳＣ１／２Ｔａ１／２）０３．Ｐｂ（Ｙｂ１
／２Ｎｂ１／２）０３゜Ｐｂ（Ｙｂ１７２Ｔａ１／２）
０３９Ｐｂ（Ｌｕ１／２Ｎｂ１／２）０３ＩＰｂ（Ｉｎ
ｘ７２Ｎｂ１７ｚ）０３； 一般式（１１１）’Ａ２＋（Ｂ”１／２Ｂ”１／２）０
３で示される化合物、たとえば、 Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｗｘ／２）口３ＩＰｂ（Ｍｎ１／２Ｗ
１／２）０３シＰｂ（Ｚｎ１／２胃１／２）０３．Ｐｂ
（Ｍｇ１／２Ｗ１／２）０３゜Ｐｂ（Ｃｄ１／２Ｗｘ／
２）０３＊Ｐｂ（Ｎｉ １ｚ２Ｗｔ／２）０３ｓＰｂ（
Ｍｇｔ／２Ｔｅｔ７２）０３ｙＰｂ（Ｍｎ１／２Ｗ１／
２）０３ｓＰｂ（Ｃｄ１／２Ｗｘ／２）０３； 一般式（ＩＶ）＝Ａ２”（Ｂ”２／３Ｂ”１／３）０３
で示される化合物、たとえば、 Ｐｂ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０３； 一般式（Ｖ）二Ａ２＋（Ｂ２＋１／２Ｂ４＋１／２）０
３で示される化合物、たとえば、 Ｐｂ（Ｓｎ１／２Ｓｂ１／２）０３．Ｌａ（Ｍｇ１／２
Ｗ１／２）０３゜Ｗｂ（Ｍ８ｔ／２Ｔｉ １／２）０３
；および・一般式（■戸（Ａ”１／２Ａ”１７２） Ｂ
４＋０３で示される化合物、たとえば、 （Ｎａ１／２Ｌａ１／２）Ｔ１０３９（Ｋ１／２Ｌａ１
／２）Ｔｉ０３ｐ（Ｎａｔ／２Ｃｅｔ／２）ＴｉＱ３ｓ
（Ｎａ１７Ｊｄｔ／２）ＴｉＯ３’（Ｎｄｔ／２Ｂｉ
ｘ／２）Ｔｉ０３シ（Ｋ１／２Ｂｉ ｔ／２）Ｔｉ０
３などが挙げられる。
（作用）
本発明は、主成分のチタン酸バリウム系、チタン酸鉛系
、チタン酸ジルコン酸鉛系、メタニオブ酸鉛系および鉛
含有複合ペロブスカイト系等の強誘電性磁器に、副成分
として、Ｐｂの酸化物をＰｂｏに換算し、Ｇｅの酸化物
をＧｅＯ２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比を一般
式：ｘＰｂＯ−ｙＧｅ０２として表したときｘ、ｙがそ
れぞれｘ＝１〜６． ｙ＝ｌ〜３となるように添加、含
有させて焼成すると、液相焼結により異相セラミックバ
ルクを生成させることによって、主成分のチタン酸バリ
ウム系、チタン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系、メタ
ニオブ酸鉛系および鉛含有複合ペロブスカイト系等の強
誘電性磁器が本来有する電気機械結合係数を低下させる
ことなく８５０〜１０００℃の低温で焼結させることを
可能にし、それによって、従来、不可能であった金属製
の基板との一体焼結を可能にしたものである。
、チタン酸ジルコン酸鉛系、メタニオブ酸鉛系および鉛
含有複合ペロブスカイト系等の強誘電性磁器に、副成分
として、Ｐｂの酸化物をＰｂｏに換算し、Ｇｅの酸化物
をＧｅＯ２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比を一般
式：ｘＰｂＯ−ｙＧｅ０２として表したときｘ、ｙがそ
れぞれｘ＝１〜６． ｙ＝ｌ〜３となるように添加、含
有させて焼成すると、液相焼結により異相セラミックバ
ルクを生成させることによって、主成分のチタン酸バリ
ウム系、チタン酸鉛系、チタン酸ジルコン酸鉛系、メタ
ニオブ酸鉛系および鉛含有複合ペロブスカイト系等の強
誘電性磁器が本来有する電気機械結合係数を低下させる
ことなく８５０〜１０００℃の低温で焼結させることを
可能にし、それによって、従来、不可能であった金属製
の基板との一体焼結を可能にしたものである。
また、本発明に係る強誘電性磁器は、スクリーン印刷法
、塗布法、プレス成形法、押出し成形法。
、塗布法、プレス成形法、押出し成形法。
シート成形法、ホットプレス法等の任意の方法で成形あ
るいは加工でき、たとえば、厚膜ペーストをスクリーン
印刷法により金属製の基板の表面に印刷し、焼結させる
ことにより、一体焼結型の圧電素子を得ることがｔきる
。
るいは加工でき、たとえば、厚膜ペーストをスクリーン
印刷法により金属製の基板の表面に印刷し、焼結させる
ことにより、一体焼結型の圧電素子を得ることがｔきる
。
副成分としてＰｂの酸化物とＧｅの酸化物がそれぞれ添
加含有され、Ｐｂの酸化物をＰｂｏに換算し、［ｒｅの
酸化物をＧｅＯ２に換算し、ＰｂＯとＧｅ０９のモル比
を一般式：ｘＰｂＯ−ｙＧｅ０２として表したときＸｙ
３’がそれぞれｘ＝１〜６． ｙ＝ｌ〜３であり、かつ
添加、含有されたＰｂｏとＧｅＯ２の合計量が０．０１
〜３０重量％としたのは、０．０１重量％未満ではその
効果がさほど期待されず、また、３０重量％を超えると
、焼結温度は低くなるが、電気機械結合係数の低下が目
立つようになるからである。
加含有され、Ｐｂの酸化物をＰｂｏに換算し、［ｒｅの
酸化物をＧｅＯ２に換算し、ＰｂＯとＧｅ０９のモル比
を一般式：ｘＰｂＯ−ｙＧｅ０２として表したときＸｙ
３’がそれぞれｘ＝１〜６． ｙ＝ｌ〜３であり、かつ
添加、含有されたＰｂｏとＧｅＯ２の合計量が０．０１
〜３０重量％としたのは、０．０１重量％未満ではその
効果がさほど期待されず、また、３０重量％を超えると
、焼結温度は低くなるが、電気機械結合係数の低下が目
立つようになるからである。
特に、添加、含有されたＰｂＯとＧｅＯ２の合計量を０
．１〜１０重量％にすると、焼結温度が低く、かつ、電
気機械結合係数が大きな強誘電性磁器組成物が得られる
。また、×、ｙの値をｘ＝１−６ｔｙ＝１〜３としたの
は、低温での焼結を可能とするために、Ｐｂの酸化物お
よびＧｅの酸化物で、その融点が８５０℃以下となるも
のを選んだ。さらに、本発明に係る強誘電性磁器組成物
は、その主成分が鉛酸化物含有強誘電性磁器である場合
に、高抗折強度を示すようになる。これは、主成分中の
酸化鉛と副成分中の酸化鉛との間に化学的結合力が生じ
、粒界での機械的強度が高められるからであると考えら
れる。
．１〜１０重量％にすると、焼結温度が低く、かつ、電
気機械結合係数が大きな強誘電性磁器組成物が得られる
。また、×、ｙの値をｘ＝１−６ｔｙ＝１〜３としたの
は、低温での焼結を可能とするために、Ｐｂの酸化物お
よびＧｅの酸化物で、その融点が８５０℃以下となるも
のを選んだ。さらに、本発明に係る強誘電性磁器組成物
は、その主成分が鉛酸化物含有強誘電性磁器である場合
に、高抗折強度を示すようになる。これは、主成分中の
酸化鉛と副成分中の酸化鉛との間に化学的結合力が生じ
、粒界での機械的強度が高められるからであると考えら
れる。
以下に、本発明の実施例について説明する。
（実施例１）
原料としてＰｂ３Ｏ４，Ｔｉ ０２． ＺｒＯ２および
Ｎｂ２Ｏ５を用い、これらをＰｂＴｉ ｏ、 ４８ｚｒ
０．５２０３−１ 、０ｗｔ％Ｎｂ２Ｏ５の組成を有す
る主成分となる強誘電性磁器が得られるように秤量する
とともに、副成分の原料としてＰｂ３Ｏ４およびＧｅＯ
２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算し、ＧｅＯ２をＧ
ｅＯ２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比を一般式：
ｘＰｂＯ・ｙＧｅ０２として表したときＸ、Ｙがそれぞ
れｘ＝１〜Ｂ、 ｙ＝１〜３となるように、第１表に示
す割合で添加、含有し、２０時時間式混合して混合物を
得た。
Ｎｂ２Ｏ５を用い、これらをＰｂＴｉ ｏ、 ４８ｚｒ
０．５２０３−１ 、０ｗｔ％Ｎｂ２Ｏ５の組成を有す
る主成分となる強誘電性磁器が得られるように秤量する
とともに、副成分の原料としてＰｂ３Ｏ４およびＧｅＯ
２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算し、ＧｅＯ２をＧ
ｅＯ２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比を一般式：
ｘＰｂＯ・ｙＧｅ０２として表したときＸ、Ｙがそれぞ
れｘ＝１〜Ｂ、 ｙ＝１〜３となるように、第１表に示
す割合で添加、含有し、２０時時間式混合して混合物を
得た。
次に、この混合物を脱水、乾燥し、８５０℃で２時間仮
焼した後、粉砕し、仮焼粉末を得た。
焼した後、粉砕し、仮焼粉末を得た。
次に、得られた仮焼粉末に樹脂と溶剤からなる有機バイ
ンダを１０重量％混合して厚膜ペーストを調製した。
ンダを１０重量％混合して厚膜ペーストを調製した。
次に、調製した厚膜ペーストを直径２０ｍｍ、厚さ０．
１ｍＩＩＩｌの耐熱性金属、たとえばＮｉ−Ｃｒ系の金
属製の基板の上に直径１８ｍ＋ｎの円としてスクリーン
印刷した後、第１表に示す焼成温度で焼成して、５０μ
ＩＩＩ厚の一体焼結型の複合体を得た。
１ｍＩＩＩｌの耐熱性金属、たとえばＮｉ−Ｃｒ系の金
属製の基板の上に直径１８ｍ＋ｎの円としてスクリーン
印刷した後、第１表に示す焼成温度で焼成して、５０μ
ＩＩＩ厚の一体焼結型の複合体を得た。
次に、この得られた複合体のセラミック表面に焼付は法
により銀電極を形成し、銀電極と金属製の基板の間に８
０℃で３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印加して３０分間
分極処理を行い、磁器圧電体の試料（試料番号１〜６）
ｔ−得た。
により銀電極を形成し、銀電極と金属製の基板の間に８
０℃で３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印加して３０分間
分極処理を行い、磁器圧電体の試料（試料番号１〜６）
ｔ−得た。
各試料について、比誘電率（Ｃｒ）および円板の屈曲振
動の電気機械結合係数（Ｋｖ）を測定し、この結果を第
１表に示した。
動の電気機械結合係数（Ｋｖ）を測定し、この結果を第
１表に示した。
なお、第１表には、比較例として副成分のＰｂ３Ｏ４お
よびＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号７）、Ｐ
ｂＴｉ ０．４ＢＺｒＯ０５２０３−１，０ｗｔ％Ｎｂ
２Ｏ５の仮焼粉末に副成分としてＰｂｏ：１３２ｏ３−
ｓｉｏ２系ガラス化合物を０．１ｗｔ％を添加して調製
した厚膜ペーストを用いて作製した試料（試料番号３）
、および ＰｂＴｉ０．４８ｚｒ０．５２０３＝１．０ｗｔ％Ｎｂ
２Ｏ５の仮焼粉末に副成分としてＭａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・
５ｉ０２系ガラス化合物を５ｗｔ％を添加して調製した
厚膜ペーストを用いて作製した試料（試料番号９）につ
いても同様の測定を行い、その結果をあわせて示してい
る。
よびＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号７）、Ｐ
ｂＴｉ ０．４ＢＺｒＯ０５２０３−１，０ｗｔ％Ｎｂ
２Ｏ５の仮焼粉末に副成分としてＰｂｏ：１３２ｏ３−
ｓｉｏ２系ガラス化合物を０．１ｗｔ％を添加して調製
した厚膜ペーストを用いて作製した試料（試料番号３）
、および ＰｂＴｉ０．４８ｚｒ０．５２０３＝１．０ｗｔ％Ｎｂ
２Ｏ５の仮焼粉末に副成分としてＭａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・
５ｉ０２系ガラス化合物を５ｗｔ％を添加して調製した
厚膜ペーストを用いて作製した試料（試料番号９）につ
いても同様の測定を行い、その結果をあわせて示してい
る。
（実施例２）
まず、副成分の原料としてＰｂ３Ｏ４とＧｅＯ２を用い
、Ｐｔ１ｓＯａｔ）’ｂｏに換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ
２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ’２のモル比を一般式：ｘ
ＰｂＯ・ｙＧｅ０２として表したときＸｙｙがそれぞれ
ｘ＝５．ｙ＝３とするとともに、主成分に対しては、第
２表に示すような配合比で添加。
、Ｐｔ１ｓＯａｔ）’ｂｏに換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ
２に換算し、ＰｂｏとＧｅＯ’２のモル比を一般式：ｘ
ＰｂＯ・ｙＧｅ０２として表したときＸｙｙがそれぞれ
ｘ＝５．ｙ＝３とするとともに、主成分に対しては、第
２表に示すような配合比で添加。
含有させた以外は、実施例１と同様にして仮焼粉末得た
。
。
次に、得られた仮焼粉末に有機バインダを２〜３重量％
加え、２０時時間分して造粒し、プレス成型して）４
、５ｍｍＸ１０ｍｍＸ２０ｍｃの角板を形成し、この角
板を第２表に示す温度で２時間焼成して磁器角板の試料
（試料番号１０〜１６）を得た。
加え、２０時時間分して造粒し、プレス成型して）４
、５ｍｍＸ１０ｍｍＸ２０ｍｃの角板を形成し、この角
板を第２表に示す温度で２時間焼成して磁器角板の試料
（試料番号１０〜１６）を得た。
各試料について３点曲げ試験法（支持点間距離：１１ｍ
ｍ）により抗折強度（ｋｇ／ｃｍ２）を測定し、その結
果を第２表に示した。
ｍ）により抗折強度（ｋｇ／ｃｍ２）を測定し、その結
果を第２表に示した。
なお、試料番号ｔｏ、１３．１６は、本発明の範囲外で
ある。
ある。
（実施例３）
まず、原料としてＰｂ３Ｏ４，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，５
ｎ０２，５ｂ２０３およびＭｎＯ２を用い、０．０５Ｐ
ｂ（Ｓｎ、、２Ｓｂ１，２）０３−０、４７ＰｂＴｆ０
３−０．４８ＰｂＺｒ０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の組
成を有する強誘電性磁器が得られるように秤量し、仮焼
温度を９００℃とした以外は、実施例１と同様にして仮
焼粉末を得た。なお、第３表には、ＰｂＯとＧｅＯ２の
モル比、およびＰｂＯとＧｅＯ２との合計量の主成分に
対する添加量（ｗｔ％）を示している。
ｎ０２，５ｂ２０３およびＭｎＯ２を用い、０．０５Ｐ
ｂ（Ｓｎ、、２Ｓｂ１，２）０３−０、４７ＰｂＴｆ０
３−０．４８ＰｂＺｒ０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の組
成を有する強誘電性磁器が得られるように秤量し、仮焼
温度を９００℃とした以外は、実施例１と同様にして仮
焼粉末を得た。なお、第３表には、ＰｂＯとＧｅＯ２の
モル比、およびＰｂＯとＧｅＯ２との合計量の主成分に
対する添加量（ｗｔ％）を示している。
次に、得られた仮焼粉末に有機バインダを６〜７ｗｔ％
加えて２０時間間層した後、ドクターブレード法により
シート成形し、パンチングして直径２０ｍｍ、厚さ０．
１ｍｍの円板を形成し、この円板を第３表に示す焼成温
度で２時間焼成して磁器円板を得た。次に、得られた磁
器円板の両主表面に銀電極を焼付け、両電極間に８°０
℃で３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印加して３０分間分
極処理を行い、磁器圧電体の試料（試料番号１８〜２２
）を得た。
加えて２０時間間層した後、ドクターブレード法により
シート成形し、パンチングして直径２０ｍｍ、厚さ０．
１ｍｍの円板を形成し、この円板を第３表に示す焼成温
度で２時間焼成して磁器円板を得た。次に、得られた磁
器円板の両主表面に銀電極を焼付け、両電極間に８°０
℃で３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印加して３０分間分
極処理を行い、磁器圧電体の試料（試料番号１８〜２２
）を得た。
各試料について、比誘電率（εｒ）および円板の拡がり
振動の電気機械結合係数（Ｋｐ）を測定し、その結果を
第３表に示した。
振動の電気機械結合係数（Ｋｐ）を測定し、その結果を
第３表に示した。
なお、第３表には比較例として副成分のＰｂ３Ｏ４およ
びＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号１７）、０
、０５Ｐｂ （Ｓｎ １７２Ｓｂ １／２） ０３−０
、４７Ｐ ｂＴ １０３−０．４８Ｐ ｂＺｒ０３−
０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＰｂＯ
−Ｂ２Ｏ３・５ｉ０２系ガラメガラス化５ｗｔ％を添加
して実施例８と同様にして作製した試料（試料番号２４
）、および０、０５Ｐｂ （Ｓｎ １／２ｓｂ １ｚ２
） ０３−０．４７ＰｂＴ １ｏ３−０．４８ＰｂＺｒ
０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の仮焼粉末に副成分として
Ｎａ２０４２０３−３ｉ０２系ガラス化合物を０．１ｗ
ｔ％を添加して実施例８と同様にして作製した試料（試
料番号２５）についても同様の測定を行い、その結果を
あわせて示している。
びＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号１７）、０
、０５Ｐｂ （Ｓｎ １７２Ｓｂ １／２） ０３−０
、４７Ｐ ｂＴ １０３−０．４８Ｐ ｂＺｒ０３−
０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＰｂＯ
−Ｂ２Ｏ３・５ｉ０２系ガラメガラス化５ｗｔ％を添加
して実施例８と同様にして作製した試料（試料番号２４
）、および０、０５Ｐｂ （Ｓｎ １／２ｓｂ １ｚ２
） ０３−０．４７ＰｂＴ １ｏ３−０．４８ＰｂＺｒ
０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の仮焼粉末に副成分として
Ｎａ２０４２０３−３ｉ０２系ガラス化合物を０．１ｗ
ｔ％を添加して実施例８と同様にして作製した試料（試
料番号２５）についても同様の測定を行い、その結果を
あわせて示している。
また、第３表中の試料番号２３は、本発明の範囲外であ
る。
る。
（実施例４）
まず、副成分の原料としてＰｂ３Ｏ４とＧｅＯ□を用い
、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に
換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比を一般式：ｘＰｂＯ
・ｙＧｅ０２として表したときＸ＋Ｙがそれぞれｘ＝５
．ｙ＝３とするとともに、主成分に対しては、第４表に
示すような配合比で添加。
、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に
換算し、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比を一般式：ｘＰｂＯ
・ｙＧｅ０２として表したときＸ＋Ｙがそれぞれｘ＝５
．ｙ＝３とするとともに、主成分に対しては、第４表に
示すような配合比で添加。
含有させた以外は、実施例３と同様にして仮焼粉末を得
た後、実施例２と同様の方法で磁器角板の試料（試料番
号２６〜３２）を得た。
た後、実施例２と同様の方法で磁器角板の試料（試料番
号２６〜３２）を得た。
各試料について３点曲げ試験法（支持点間距離： Ｉ
Ｉｍｍ）により抗折強度（ｋｇ／Ｃ１１１”）を測定し
、その結果を焼成温度とともに、第４表に示した。
Ｉｍｍ）により抗折強度（ｋｇ／Ｃ１１１”）を測定し
、その結果を焼成温度とともに、第４表に示した。
なお、試料番号２６，２９．３２は、本発明の範囲外で
ある。
ある。
（実施例５）
まず、原料としてＰｂ３Ｏ４，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｍ
ｎＯ２およびＮｂ２Ｏ５を用い０．０５Ｐｂ（Ｍｎ１
ｚ３Ｎｂ２７３）０３−０．４５ＰｂＴｉ０３−０、５
０ＰｂＺｒ０３の組成を有する強誘電性磁器を得られる
ように秤量した以外は、実施例３と同様にして仮焼粉末
を得た。なお、第５表には、ＰｂＯとＧｅＯ２のモル比
、およびＰｂＯとＧｅＯ２との合計量の主成分に対する
添加量（ｗｔ％）を示している。
ｎＯ２およびＮｂ２Ｏ５を用い０．０５Ｐｂ（Ｍｎ１
ｚ３Ｎｂ２７３）０３−０．４５ＰｂＴｉ０３−０、５
０ＰｂＺｒ０３の組成を有する強誘電性磁器を得られる
ように秤量した以外は、実施例３と同様にして仮焼粉末
を得た。なお、第５表には、ＰｂＯとＧｅＯ２のモル比
、およびＰｂＯとＧｅＯ２との合計量の主成分に対する
添加量（ｗｔ％）を示している。
次に、得られた仮焼粉末に有機バインダを２〜３ｗｔ％
加えて２０時間間層した後、造粒し、プレス成形して直
径１５ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板を形成し、この円板を第
５表に示す焼成温度で２時間焼成して磁器円板を得た。
加えて２０時間間層した後、造粒し、プレス成形して直
径１５ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板を形成し、この円板を第
５表に示す焼成温度で２時間焼成して磁器円板を得た。
次に、得られた磁器円板の両主表面に銀電極を焼付け、
８０℃中で両電極間に３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印
加して３０分間分極処理を行い、磁器圧電体の試料（試
料番号３４〜３３）を得た。
８０℃中で両電極間に３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印
加して３０分間分極処理を行い、磁器圧電体の試料（試
料番号３４〜３３）を得た。
各試料について、比誘電率（εｒ）および円板の拡がり
振動の電気機械結合係数（Ｋｐ）を測定し、その結果を
第５表に示した。
振動の電気機械結合係数（Ｋｐ）を測定し、その結果を
第５表に示した。
なお、第５表には比較例として副成分のＰｂ３０″４お
よびＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号３３）、
０、０５Ｐｂ （ｔ４ｎ１７３Ｎｂ２ｙ３） ０３−０
．４５ＰｂＴｉ０３−０．５０ＰｂＺｒ０３の仮焼粉末
に副成分としてＰｂｏ・Ｂ２Ｏ３・Ｓ ｉ０２系ガラス
化合物をＯ，１ｗｔ％を添加して実施例５と同様にして
作製した試料（試料番号４０）、および ０、０５Ｐｂ （Ｍｎ１７３Ｎｂ２７３） ０３−０．
４５ＰｂＴｉ０３−０．５０ＰｂＺｒ０３の仮焼粉末に
副成分としてＮａ２０−Ｂ２Ｏ３・Ｓｔ ０２系ガラス
化合物を５ｗｔ％を添加して実施例５と同様にして作製
した試料（試料番号４１）についても同様の測定を行い
、その結果をあわせて示している。
よびＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号３３）、
０、０５Ｐｂ （ｔ４ｎ１７３Ｎｂ２ｙ３） ０３−０
．４５ＰｂＴｉ０３−０．５０ＰｂＺｒ０３の仮焼粉末
に副成分としてＰｂｏ・Ｂ２Ｏ３・Ｓ ｉ０２系ガラス
化合物をＯ，１ｗｔ％を添加して実施例５と同様にして
作製した試料（試料番号４０）、および ０、０５Ｐｂ （Ｍｎ１７３Ｎｂ２７３） ０３−０．
４５ＰｂＴｉ０３−０．５０ＰｂＺｒ０３の仮焼粉末に
副成分としてＮａ２０−Ｂ２Ｏ３・Ｓｔ ０２系ガラス
化合物を５ｗｔ％を添加して実施例５と同様にして作製
した試料（試料番号４１）についても同様の測定を行い
、その結果をあわせて示している。
また、第５表中の試料番号３９は、本発明の範囲外であ
る。
る。
（実施例６）
まず、実施例５で０．０５Ｐｂ（ｔ４ｎｔ／３Ｎｂ２ｚ
ｓ）Ｏ３−０．４５ＰｂＴｉ０３−０．５０ＰｂＺｒ０
３の組成となるように秤量するとともに、副成分の原料
としてＰｂ３Ｏ４とＧｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂ
ｏに換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式：
ｘＰｂＯ−ｙＧｅ０２のモル比ををｘ＝５． ｙ＝３と
するとともに、主成分に対して、第６表に示すような配
合比で添加、含有させた以外は、実施例５と同様にして
仮焼粉末を得た後、実施例２と同様にして磁器角板の試
料（試料番号４２〜４３）を得た。
ｓ）Ｏ３−０．４５ＰｂＴｉ０３−０．５０ＰｂＺｒ０
３の組成となるように秤量するとともに、副成分の原料
としてＰｂ３Ｏ４とＧｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂ
ｏに換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式：
ｘＰｂＯ−ｙＧｅ０２のモル比ををｘ＝５． ｙ＝３と
するとともに、主成分に対して、第６表に示すような配
合比で添加、含有させた以外は、実施例５と同様にして
仮焼粉末を得た後、実施例２と同様にして磁器角板の試
料（試料番号４２〜４３）を得た。
各試料について３点曲げ試験法（支持点間距＠＝１１ｍ
ｍ）により抗折強度（ｋｇ／Ｃｍ２）を測定し、その結
果を焼成温度とともに、第６表に示した。
ｍ）により抗折強度（ｋｇ／Ｃｍ２）を測定し、その結
果を焼成温度とともに、第６表に示した。
なお、試料番号４２．４５，４Ｂは、本発明の範囲外で
ある。
ある。
（実施例７）
まず、原料としてＰｂ３Ｏ４，ＴｌＯ２，Ｌａ２Ｏ３お
よびＭｎＯ２を用い、Ｐｂｏ、 ５５Ｌａ（１，１０Ｔ
ｉ０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の組成を有する強誘電性
磁器が得られるように秤量し、仮焼温度を９５０℃とし
た以外は、実施例１と同様にして仮焼粉末を得た。なお
、第７表には、ＰｂＯとＧｅＯ２のモル比、およびＰｂ
ＯとＧｅＯ２との合計量の主成分に対する添加量（ｗｔ
％）を示している。
よびＭｎＯ２を用い、Ｐｂｏ、 ５５Ｌａ（１，１０Ｔ
ｉ０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の組成を有する強誘電性
磁器が得られるように秤量し、仮焼温度を９５０℃とし
た以外は、実施例１と同様にして仮焼粉末を得た。なお
、第７表には、ＰｂＯとＧｅＯ２のモル比、およびＰｂ
ＯとＧｅＯ２との合計量の主成分に対する添加量（ｗｔ
％）を示している。
次に、得られた仮焼粉末に、有機バインダを４〜５ｗｔ
％加えて２０時間間層した後、押出し成形してグリーン
シートを得、これをパンチングして直径１０ｍｍ。
％加えて２０時間間層した後、押出し成形してグリーン
シートを得、これをパンチングして直径１０ｍｍ。
厚さ０．５ｍｍの円板を形成し、この円板を第７表に示
す焼成温度で２時間焼成して磁器円板を得た。
す焼成温度で２時間焼成して磁器円板を得た。
次に１．得られた磁器円板の両主表面に銀電極を焼付け
、両電極間に８０℃中で３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を
印加して３０分間分極処理を行い、磁器圧電体の試料（
試料番号５０〜５４）を得た。
、両電極間に８０℃中で３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を
印加して３０分間分極処理を行い、磁器圧電体の試料（
試料番号５０〜５４）を得た。
各試料について、比誘電率（εｒ）および円板の厚み方
向の振動の電気機械結合係数（Ｋｔ）を測定し、その結
果を第７表に示した。
向の振動の電気機械結合係数（Ｋｔ）を測定し、その結
果を第７表に示した。
なお、第７表には比較例として副成分のＰｂ３Ｏ４およ
びＧａＯ２を添加していない試料（試料番号４９）、Ｐ
ｂ□、 ８５Ｌａｏ、 １０ＴＩＯ３−０，７ｗｔ％Ｍ
ｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＰｂＯ・８２０３・Ｓ
ｉＯ□系ガラメガラス化合物ｔχを添加して実施例７と
同様にして作製した試料（試料番号５６）、およびＰｂ
Ｏ，８！５ＬａＯ，ｔ、’ｒｔｏ３−ｏ、 ７ｗｔ％Ｍ
ｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＮａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・
５ｉ０２系ガラス化金物を１０ｗｔ％を添加して実施例
７と同様にして作製した試料（試料番号５７）について
も同様の測定を行い、その結果をあわせて示している。
びＧａＯ２を添加していない試料（試料番号４９）、Ｐ
ｂ□、 ８５Ｌａｏ、 １０ＴＩＯ３−０，７ｗｔ％Ｍ
ｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＰｂＯ・８２０３・Ｓ
ｉＯ□系ガラメガラス化合物ｔχを添加して実施例７と
同様にして作製した試料（試料番号５６）、およびＰｂ
Ｏ，８！５ＬａＯ，ｔ、’ｒｔｏ３−ｏ、 ７ｗｔ％Ｍ
ｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＮａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・
５ｉ０２系ガラス化金物を１０ｗｔ％を添加して実施例
７と同様にして作製した試料（試料番号５７）について
も同様の測定を行い、その結果をあわせて示している。
また、第７表中の試料番号５５は、本発明の範囲外であ
る。
る。
（実施例３）
まず、実施例７でＰｂ□、 ８５Ｌａｏ、 １（、Ｔｉ
０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の組成となるように秤量し
た主成分に対して、副成分の原料としてＰｂ３Ｏ４とＧ
ｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂ。
０３−０．７ｗｔ％ＭｎＯ２の組成となるように秤量し
た主成分に対して、副成分の原料としてＰｂ３Ｏ４とＧ
ｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂ。
に換算し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式： ｘ
ＰｂＯ・ｙＧｅＯ２のモル比ををｘ＝５．ｙ＝３とする
とともに、第８表に示すような配合比で添加、含有させ
た以外は、実施例２と同様にして磁器角板の試料（試料
番号５８〜６４）を得た。
ＰｂＯ・ｙＧｅＯ２のモル比ををｘ＝５．ｙ＝３とする
とともに、第８表に示すような配合比で添加、含有させ
た以外は、実施例２と同様にして磁器角板の試料（試料
番号５８〜６４）を得た。
各試料について３点曲げ試験法（支持点間距離：１１ｍ
ｍ）により抗折強度（ｋｇ／Ｃｍ２）を測定し、その結
果を焼成温度とともに、第８表に示した。
ｍ）により抗折強度（ｋｇ／Ｃｍ２）を測定し、その結
果を焼成温度とともに、第８表に示した。
なお、試料番号５Ｂ、６１．６４は、本発明の範囲外で
ある。
ある。
（実施例９）
まず、原料としてＢａＣＯ３，Ｔｉ０２．ＣａＣｆ１３
およびＭｎＯ２を用い、これらを（ＢａＯ，９２ｃａ０
．０６）Ｔｉ０３−０．２ｗｔ％ＭｎＯ２の組成を有す
る強誘電性磁器が得られるように秤量し、仮焼温度を１
１００℃とした以外は、実施例１と同様にして仮焼粉末
を得た。なお、第９表には、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比
、およびＰｂｏとＧｅＯ２との合計量の主成分に対する
添加量（ｗｔ％）を示している。
およびＭｎＯ２を用い、これらを（ＢａＯ，９２ｃａ０
．０６）Ｔｉ０３−０．２ｗｔ％ＭｎＯ２の組成を有す
る強誘電性磁器が得られるように秤量し、仮焼温度を１
１００℃とした以外は、実施例１と同様にして仮焼粉末
を得た。なお、第９表には、ＰｂｏとＧｅＯ２のモル比
、およびＰｂｏとＧｅＯ２との合計量の主成分に対する
添加量（ｗｔ％）を示している。
次に、得られた仮焼粉末に、有機バインダを６〜７ｗｔ
％加えて２０時間間層して厚膜ペーストを調製した。
％加えて２０時間間層して厚膜ペーストを調製した。
次に、調製した厚膜ペーストをドクターブレード法によ
りシート成形し、パンチングして直径１０＠釦、厚さ０
．１ｍｍの円板を形成し、この円板を第９表に示す焼成
温度で２時間焼成して磁器円板を得た。
りシート成形し、パンチングして直径１０＠釦、厚さ０
．１ｍｍの円板を形成し、この円板を第９表に示す焼成
温度で２時間焼成して磁器円板を得た。
次に、得られた磁器円板の両主表面に銀電極を焼付け、
両電極間に８０℃で３〜４ＫＶ／ｎ＋ｍの直流電圧を印
加して３０分間分極処理を行い、磁器圧電体の試料（試
料番号６６〜６３）を得た。
両電極間に８０℃で３〜４ＫＶ／ｎ＋ｍの直流電圧を印
加して３０分間分極処理を行い、磁器圧電体の試料（試
料番号６６〜６３）を得た。
各試料について、比誘電率（εｒ）および円板の拡がり
振動の電気機械結合係数（Ｋｐ）を測定し、その結果を
第８表に示した。
振動の電気機械結合係数（Ｋｐ）を測定し、その結果を
第８表に示した。
なお、第９表には比較例として副成分のＰｂ３Ｏ４およ
びＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号６５）、（
ＢａＯ，９２Ｃａ０． ｏθ）’ｒｉｏ３−ｏ、 ２ｗ
ｔ％ＭｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＰｂＯ−Ｂ２Ｏ
３・５ｉ０２系ガラメガラス化１ｗｔ％を添加して実施
例９と同様にして作製した試料（試料番号６９）、およ
び（Ｂａ□、 ９２Ｃａｏ、ｏ３）’ｒ；ｏ３−ｏ、
２ｗｔ％ＭｎＯ３の仮焼粉末に副成分としてＮａ２Ｏ・
Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ□系ガラメガラス化合物ｗｔ％を添加
して実施例９と同様にして作製した試料（試料番号７０
）についても同様の測定を行い、その結果をあわせて示
している。
びＧｅＯ２を添加していない試料（試料番号６５）、（
ＢａＯ，９２Ｃａ０． ｏθ）’ｒｉｏ３−ｏ、 ２ｗ
ｔ％ＭｎＯ２の仮焼粉末に副成分としてＰｂＯ−Ｂ２Ｏ
３・５ｉ０２系ガラメガラス化１ｗｔ％を添加して実施
例９と同様にして作製した試料（試料番号６９）、およ
び（Ｂａ□、 ９２Ｃａｏ、ｏ３）’ｒ；ｏ３−ｏ、
２ｗｔ％ＭｎＯ３の仮焼粉末に副成分としてＮａ２Ｏ・
Ｂ２Ｏ３・ＳｉＯ□系ガラメガラス化合物ｗｔ％を添加
して実施例９と同様にして作製した試料（試料番号７０
）についても同様の測定を行い、その結果をあわせて示
している。
（以下余白）
第
表
第
表
第
表
第
表
第
表
第８表
第９表
第１表〜第９表の結果から明らかなように、本発明に係
る強誘電性磁器組成物は、副成分を含まない強誘電性磁
器よりも１００℃〜４００℃低い焼成温度で焼結するこ
とができ、しかもそれとほぼ同程度の電気機械結合係数
および比誘電率を示している。
る強誘電性磁器組成物は、副成分を含まない強誘電性磁
器よりも１００℃〜４００℃低い焼成温度で焼結するこ
とができ、しかもそれとほぼ同程度の電気機械結合係数
および比誘電率を示している。
また、本発明に係る強誘電性磁器組成物は、ｘＰｂＯ・
ｙＧｅ０２（ｘ＝１〜６．ｙ＝１−３）のモル比となる
ように添加する副成分となるＰｂ３Ｏ４およびＧａＯ２
の量の増加とともに、電気機械結合係数および比誘電率
が低下するが、その度合は、ＰｂＯ・Ｂ２Ｏ３・５ｉ０
２系ガラス化合物やＮａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・Ｓ １−０２
系ガラス化合物を添加した場合と比較して著しく少ない
。
ｙＧｅ０２（ｘ＝１〜６．ｙ＝１−３）のモル比となる
ように添加する副成分となるＰｂ３Ｏ４およびＧａＯ２
の量の増加とともに、電気機械結合係数および比誘電率
が低下するが、その度合は、ＰｂＯ・Ｂ２Ｏ３・５ｉ０
２系ガラス化合物やＮａ２Ｏ・Ｂ２Ｏ３・Ｓ １−０２
系ガラス化合物を添加した場合と比較して著しく少ない
。
（実施例１０）
まず、原料としてＰｂ３Ｏ４，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｍ
ｎＯ２およびＮｂ２Ｏ５を用い、 ０、１Ｐｂ（Ｍｎ、３Ｎｂ２７３）０３−０．５２Ｐｂ
Ｔｔ０３−０．３８ＰｂＺｒ０３の組成を有する強誘電
性磁器を得られるように秤量し、副成分の原料としてＰ
ｂ３Ｏ４とＧｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算
し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式：＊ＰｂＯ・
ｙＧｅ０２のモル比ををｘ＝５．ｙ＝３とするとともに
、主成分に対して、第１０表に示すような配合比で添加
。
ｎＯ２およびＮｂ２Ｏ５を用い、 ０、１Ｐｂ（Ｍｎ、３Ｎｂ２７３）０３−０．５２Ｐｂ
Ｔｔ０３−０．３８ＰｂＺｒ０３の組成を有する強誘電
性磁器を得られるように秤量し、副成分の原料としてＰ
ｂ３Ｏ４とＧｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算
し、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式：＊ＰｂＯ・
ｙＧｅ０２のモル比ををｘ＝５．ｙ＝３とするとともに
、主成分に対して、第１０表に示すような配合比で添加
。
含有させた以外は、実施例３と同様にして仮焼粉末を得
た。
た。
次に、得られた仮焼粉末に有機バインダを２〜３ｗｔ％
加えて２０時間間層した後、造粒し、プレス成形して角
板を形成し、この角板を第１０表に示す焼成温度で２時
間焼成して、−辺が５ｍｍで厚さ０．５ｍｍの磁器角板
を得た。
加えて２０時間間層した後、造粒し、プレス成形して角
板を形成し、この角板を第１０表に示す焼成温度で２時
間焼成して、−辺が５ｍｍで厚さ０．５ｍｍの磁器角板
を得た。
次に、得られた磁器角板の両主表面に銀電極を焼付け、
８０℃中で両電極間に３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印
加して３０分間分極処理を行い、面内に垂直方向に分極
された発振子（共振子）の試料（試料番号７１〜７３）
を得た。
８０℃中で両電極間に３〜４ＫＶ／ｍｍの直流電圧を印
加して３０分間分極処理を行い、面内に垂直方向に分極
された発振子（共振子）の試料（試料番号７１〜７３）
を得た。
各試料を第１図の発振回路にそれぞれ接続し、発振周波
数４５５Ｋ）Ｉｚで発振させた。図中、１は発振子、Ｉ
Ｃ１は反転増幅器、Ｒ４は抵抗、ＣＬｌ、Ｃｕ２はコン
デンサである。そして、各試料について、この発振回路
で１００回動作させ、この１００回のうち、発振周波数
が４５５ＫＨｚから４．５ＭＨｚへの異常発振が発生し
た回数を第１０表に示した。
数４５５Ｋ）Ｉｚで発振させた。図中、１は発振子、Ｉ
Ｃ１は反転増幅器、Ｒ４は抵抗、ＣＬｌ、Ｃｕ２はコン
デンサである。そして、各試料について、この発振回路
で１００回動作させ、この１００回のうち、発振周波数
が４５５ＫＨｚから４．５ＭＨｚへの異常発振が発生し
た回数を第１０表に示した。
なお、第１０表中の試料番号７１．７３，７５，７７は
、本発明の範囲外である。
、本発明の範囲外である。
（以下余白）
第１０表
第１０表の結果から明らかなように、本発明に係る強誘
電性磁器組成物を用いた発振子では、異常発振が全く認
められなかったが、副成分を含まない本発明の範囲外の
ものでは、第２図に示すように、厚み縦振動のスプリア
スが生じ４．５ＭＨｚ付近での異常光ｉが認められた。
電性磁器組成物を用いた発振子では、異常発振が全く認
められなかったが、副成分を含まない本発明の範囲外の
ものでは、第２図に示すように、厚み縦振動のスプリア
スが生じ４．５ＭＨｚ付近での異常光ｉが認められた。
これは、強誘電性磁器に添加した副成分が結晶粒界の強
度を高めるだけでなく、発振子として利用した場合、主
振動に悪影響を与えることなく、厚み縦振動のスプリア
スを低下させるためであると考えられる。
度を高めるだけでなく、発振子として利用した場合、主
振動に悪影響を与えることなく、厚み縦振動のスプリア
スを低下させるためであると考えられる。
したがって、本発明に係る強誘電性磁器組成物は、基本
発振周波数より高い振動の減衰に有利である。なお、こ
のような効果は、拡がり振動を利用した発振子だけでな
く、辺振動を利用する発振子等の材料としての強誘電性
磁器組成物についても認められた。
発振周波数より高い振動の減衰に有利である。なお、こ
のような効果は、拡がり振動を利用した発振子だけでな
く、辺振動を利用する発振子等の材料としての強誘電性
磁器組成物についても認められた。
（実施例１１）
まず、原料としてＰｂ３Ｏ４，Ｆｅ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５
およびＷＯ３を用い、 ０．７０Ｐｂ（Ｆｅ１７２Ｎｂ１７２）０３−０．３０
Ｐｂ（Ｆｅ２ｚ３Ｌ７３）０３の組成を有する強誘電性
磁器が得られるように秤量し、副成分の原料としてＰｂ
３Ｏ４とＧｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算し
、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式： ｘＰｂｏ・
ｙＧｅ０２のモル比ををｘ＝５．ｙ＝３とするとともに
、主成分に対して、第１１表に示すような配合比で添加
。
およびＷＯ３を用い、 ０．７０Ｐｂ（Ｆｅ１７２Ｎｂ１７２）０３−０．３０
Ｐｂ（Ｆｅ２ｚ３Ｌ７３）０３の組成を有する強誘電性
磁器が得られるように秤量し、副成分の原料としてＰｂ
３Ｏ４とＧｅＯ２を用い、Ｐｂ３Ｏ４をＰｂｏに換算し
、ＧｅＯ２をＧｅＯ２に換算し、一般式： ｘＰｂｏ・
ｙＧｅ０２のモル比ををｘ＝５．ｙ＝３とするとともに
、主成分に対して、第１１表に示すような配合比で添加
。
含有させた以外は、実施例３と同様にして仮焼粉末を得
た。
た。
次に、得られた仮焼粉末に、有機バインダを２〜３ｗｔ
％加えて２０時間間層して造粒した後、プレス成形して
円板を成形し、これを第１１表に示す焼成温度で２時間
焼成して、直径１０ｍｍ、厚さ１．０市の磁器円板を得
た。
％加えて２０時間間層して造粒した後、プレス成形して
円板を成形し、これを第１１表に示す焼成温度で２時間
焼成して、直径１０ｍｍ、厚さ１．０市の磁器円板を得
た。
次に、得られた磁器円板の両主表面に銀電極を焼き付け
てコンデンサの試料（試料番号７９〜８４）を得た。
てコンデンサの試料（試料番号７９〜８４）を得た。
各試料について、比誘電率（εｒ）および抗折強度（ｋ
ｇ／ｃｍりを測定し、その結果を第１１表に示した。
ｇ／ｃｍりを測定し、その結果を第１１表に示した。
なお、試料番号７９，８１．８３は、本発明の範囲外で
ある。
ある。
（実施例１２）
まず、原料としてＰｂ３Ｏ４，ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｆ
ｅ２Ｏ３，ＷＯ３を用い、これらを０．１６Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２７３）０３−０、４８Ｐｂ （Ｆｅ１／２
Ｎｂ１７ｚ） ０３−０．３６Ｐｂ（Ｆｅ２／５Ｗｔ７
３） ０３の組成を有する強誘電体磁器が得られるよう
に秤量し、実施例８と同様にして仮焼粉末を得た。
ｅ２Ｏ３，ＷＯ３を用い、これらを０．１６Ｐｂ（Ｚｎ
１／３Ｎｂ２７３）０３−０、４８Ｐｂ （Ｆｅ１／２
Ｎｂ１７ｚ） ０３−０．３６Ｐｂ（Ｆｅ２／５Ｗｔ７
３） ０３の組成を有する強誘電体磁器が得られるよう
に秤量し、実施例８と同様にして仮焼粉末を得た。
次に、得られた仮焼粉末に、有機バインダを２〜３ｗｔ
χ加えて２０時間間層して造粒した後、プレス成形して
円板を成形し、これを第１２表に示す焼成温度で２時間
焼成して、直径１０ｍＩ！ｌ、厚さ１．０ｍｍの磁器円
板を得た。
χ加えて２０時間間層して造粒した後、プレス成形して
円板を成形し、これを第１２表に示す焼成温度で２時間
焼成して、直径１０ｍＩ！ｌ、厚さ１．０ｍｍの磁器円
板を得た。
次に、得られた磁器円板の両主表面に銀電極を焼き付け
てコンデンサの試料（試料番号８５〜８３）を得た。
てコンデンサの試料（試料番号８５〜８３）を得た。
各試料について、比誘電率（εｒ）および抗折強度（ｋ
ｇｌｃ、ｌ１１２）を測定し、その結果を第１２表に示
した。
ｇｌｃ、ｌ１１２）を測定し、その結果を第１２表に示
した。
なお、第１２表中の試料番号８５．８７は、本発明の範
囲外である。
囲外である。
（以下余白）
第１１表および第１２表の結果から明らかなように、酸
化鉛を含む複合ペロブスカイト系のコンデンサ材料につ
いてもＰｂの酸化物をＰｂＯに換算し、Ｇｅの酸化物を
ＧｅＯ２に換算し、ＰｂＯとＧｅＯ２のモル比を一般式
：ｘＰｂＯ・ｙＧｅ０２（ｘ＝１−６． ｙ＝１〜３）
として、これらを副成分として０．０１〜３０重量％添
加、含有させたことにより、比誘電率および抗折強度を
向上させることが受きる。
化鉛を含む複合ペロブスカイト系のコンデンサ材料につ
いてもＰｂの酸化物をＰｂＯに換算し、Ｇｅの酸化物を
ＧｅＯ２に換算し、ＰｂＯとＧｅＯ２のモル比を一般式
：ｘＰｂＯ・ｙＧｅ０２（ｘ＝１−６． ｙ＝１〜３）
として、これらを副成分として０．０１〜３０重量％添
加、含有させたことにより、比誘電率および抗折強度を
向上させることが受きる。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、８５
０〜１０００℃の低い焼成温度で焼結し、しかも、電気
機械結合係数が大きく、比誘電率が大きい強誘電性磁器
が得られるので、エネルギー変換効率が高い圧電素子を
製造できる。
０〜１０００℃の低い焼成温度で焼結し、しかも、電気
機械結合係数が大きく、比誘電率が大きい強誘電性磁器
が得られるので、エネルギー変換効率が高い圧電素子を
製造できる。
また、焼結温度が低いことから金属製の基板との一体焼
結が可能となり、一体焼結型のブザーやバイモルフ等の
電歪素子を製造できるだけではなく、焼成時、ＰｂＯ雰
囲気調整が不要となり、匣や焼成炉の延命化、および省
エネルギー化を図ることができるなど優れた効果が得ら
れる。
結が可能となり、一体焼結型のブザーやバイモルフ等の
電歪素子を製造できるだけではなく、焼成時、ＰｂＯ雰
囲気調整が不要となり、匣や焼成炉の延命化、および省
エネルギー化を図ることができるなど優れた効果が得ら
れる。
さらに、抗折強度を低下させることがなく、しかも、発
振子に利用した場合に、スプリアスの発生を防止するこ
とができる。
振子に利用した場合に、スプリアスの発生を防止するこ
とができる。
第１図はセラミック発振子を含む発振回路を示す回路図
、第２図は第１図の発振回路での主振動である拡がり振
動とスプリアス振動の厚み縦振動を示す図である。 １・・・セラミック発振子 ＩＣ１・・・反転増幅器 Ｒ１・・・抵抗 ＣＬｌ、Ｃｌ３・・・コンデンサ。
、第２図は第１図の発振回路での主振動である拡がり振
動とスプリアス振動の厚み縦振動を示す図である。 １・・・セラミック発振子 ＩＣ１・・・反転増幅器 Ｒ１・・・抵抗 ＣＬｌ、Ｃｌ３・・・コンデンサ。
Claims (3)
- （１）主成分である強誘電性磁器に対して、副成分とし
てＰｂの酸化物とＧｅの酸化物がそれぞれ添加含有され
、Ｐｂの酸化物をＰｂＯに換算し、Ｇｅの酸化物をＧｅ
Ｏ＿２に換算し、ＰｂＯとＧｅＯ＿２のモル比を一般式
：ｘＰｂＯ・ｙＧｅＯ＿２として表したときｘ，ｙがそ
れぞれｘ＝１〜６，ｙ＝１〜３であり、かつ添加、含有
されたＰｂＯとＧｅＯ＿２の合計量が０．０１〜３０重
量％であることを特徴とする強誘電性磁器組成物。 - （２）請求項（１）に記載の強誘電性磁器組成物からな
る板状の強誘電性磁器板と、この強誘電性磁器板の両主
表面に形成された電極と、からなることを特徴とする圧
電素子。 - （３）請求項（１）に記載の強誘電性磁器組成物からな
る仮焼粉末を含有する厚膜ペーストが金属製の基板上に
塗布，焼き付けられて一体化され、この焼き付けによっ
て形成された強誘電性磁器層の表面に電極が形成された
ことを特徴とする圧電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086043A JP2504176B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086043A JP2504176B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02263761A true JPH02263761A (ja) | 1990-10-26 |
| JP2504176B2 JP2504176B2 (ja) | 1996-06-05 |
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ID=13875650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086043A Expired - Fee Related JP2504176B2 (ja) | 1989-04-04 | 1989-04-04 | 鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504176B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005303282A (ja) * | 2004-03-16 | 2005-10-27 | E I Du Pont De Nemours & Co | 厚膜誘電性組成物および厚膜導電性組成物 |
| JP2006193351A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪磁器組成物、圧電／電歪素子、及び圧電／電歪素子の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466450A (en) * | 1977-11-01 | 1979-05-29 | Univ Illinois | Unhomogeneous phase ceramic condenser |
| JPS6359362U (ja) * | 1986-10-06 | 1988-04-20 | ||
| JPH02197182A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電性磁器体 |
| JPH02239151A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-21 | Tdk Corp | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
-
1989
- 1989-04-04 JP JP1086043A patent/JP2504176B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
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| JP2006193351A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Ngk Insulators Ltd | 圧電／電歪磁器組成物、圧電／電歪素子、及び圧電／電歪素子の製造方法 |
| US7425790B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-09-16 | Ngk Insulators, Ltd. | Piezoelectric/electrostrictive porcelain composition, piezoelectric/electrostrictive device, and method of piezoelectric/electrostrictive device |
| US7901729B2 (en) | 2005-01-11 | 2011-03-08 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of manufacturing a piezoelectric/electrostrictive device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2504176B2 (ja) | 1996-06-05 |
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