JPH0226378B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0226378B2 JPH0226378B2 JP59203683A JP20368384A JPH0226378B2 JP H0226378 B2 JPH0226378 B2 JP H0226378B2 JP 59203683 A JP59203683 A JP 59203683A JP 20368384 A JP20368384 A JP 20368384A JP H0226378 B2 JPH0226378 B2 JP H0226378B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultra
- high pressure
- manufacturing
- rotating cylinder
- pressure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
Landscapes
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体装置の製造方法とその製造装
置に係り、特に半導体装置の製造において、打抜
き形成されたリードフレームのような部品、半導
体装置の樹脂モールド形成された外囲器等に生成
するバリを超高圧水噴射によつて除去する方法と
これに用いられる装置に適用されるものである。
置に係り、特に半導体装置の製造において、打抜
き形成されたリードフレームのような部品、半導
体装置の樹脂モールド形成された外囲器等に生成
するバリを超高圧水噴射によつて除去する方法と
これに用いられる装置に適用されるものである。
従来、半導体装置の製造の過程にて、例えばリ
ードフレームの打抜き形成、樹脂モールドによる
外囲器の形成等に生じたバリを除去するのは相当
困難な問題とされていた。すなわち、上記リード
フレームの場合には最近のリードフレームはその
構成材が薄い上に、リードが細くリード間の間隔
も小さく稠密になつており、加工にあたつては変
形に対する許容度も小さく、特に平坦性の保持が
強く要望される。
ードフレームの打抜き形成、樹脂モールドによる
外囲器の形成等に生じたバリを除去するのは相当
困難な問題とされていた。すなわち、上記リード
フレームの場合には最近のリードフレームはその
構成材が薄い上に、リードが細くリード間の間隔
も小さく稠密になつており、加工にあたつては変
形に対する許容度も小さく、特に平坦性の保持が
強く要望される。
上記に対し、従来から知られている石材やコン
クリート等の切断、穿孔を超高圧水噴射によつて
行なう基礎的な技術を応用して行なうものがあ
る。これらに用いられる例えば第３図に示される
超高圧水噴射筒１０１は、その先端に径が0.1〜
0.2mmのノズル部１０１ａを有し、他端を1000
Kg／cm2の超高圧水源に接続して噴射水量を形成す
るもので、ノズル部１０２に近接させてその噴射
域１０３内に被処理部材１０４を置きバリとりが
達成される。上記被処理部材１０４は例えば第４
図に示されるリードフレーム１０５や、第５図に
示される樹脂モールド外囲器１００を有するDIP
型IC１０６であり、前記フレームにはその打抜
き形成されたパターンの各端縁にバリ１０５ａ，
１０５ａ……が、またICの外囲器１００にはこ
のモールド時の金型の接合部にバリ１００ａが発
生する。これらのバリを超高圧水噴射によつて除
く。
クリート等の切断、穿孔を超高圧水噴射によつて
行なう基礎的な技術を応用して行なうものがあ
る。これらに用いられる例えば第３図に示される
超高圧水噴射筒１０１は、その先端に径が0.1〜
0.2mmのノズル部１０１ａを有し、他端を1000
Kg／cm2の超高圧水源に接続して噴射水量を形成す
るもので、ノズル部１０２に近接させてその噴射
域１０３内に被処理部材１０４を置きバリとりが
達成される。上記被処理部材１０４は例えば第４
図に示されるリードフレーム１０５や、第５図に
示される樹脂モールド外囲器１００を有するDIP
型IC１０６であり、前記フレームにはその打抜
き形成されたパターンの各端縁にバリ１０５ａ，
１０５ａ……が、またICの外囲器１００にはこ
のモールド時の金型の接合部にバリ１００ａが発
生する。これらのバリを超高圧水噴射によつて除
く。
上記超高圧水噴射手段は上に述べたバリ１０５
ａ，１００ａを除くには好適であるが、第３図に
も示すように超高圧水の噴射域が径数mmと狭小で
あるため、被処理部材１０４の全域を噴射域１０
３内に曝すには相当の時間を要する上に、被処理
部材を有効に移動させることに困難な問題があ
る。
ａ，１００ａを除くには好適であるが、第３図に
も示すように超高圧水の噴射域が径数mmと狭小で
あるため、被処理部材１０４の全域を噴射域１０
３内に曝すには相当の時間を要する上に、被処理
部材を有効に移動させることに困難な問題があ
る。
この発明は半導体装置の製造における従来の問
題点に鑑みてなされたもので、部品や外囲器に発
生するバリを超高圧水で除去する方法とこれに用
いられる装置を改良する。
題点に鑑みてなされたもので、部品や外囲器に発
生するバリを超高圧水で除去する方法とこれに用
いられる装置を改良する。
この発明にかかる半導体装置の製造方法とその
装置は半導体装置のリード部品、モールド形成さ
れた外囲器のバリ除去に超高圧水をノズルから噴
射させて行なうのに、ノズルで局限された超高圧
噴射水を円形に振らせつつ直線状に進めて施す工
程を特徴とする製造方法であり、また、その装置
は回転筒体にその一端を超高圧水源に接続し他端
に軸に偏心して設けられたノズルを有する水路を
設け、この回転筒体を軸を中心に回転させる回転
駆動機構を備えてなるものである。
装置は半導体装置のリード部品、モールド形成さ
れた外囲器のバリ除去に超高圧水をノズルから噴
射させて行なうのに、ノズルで局限された超高圧
噴射水を円形に振らせつつ直線状に進めて施す工
程を特徴とする製造方法であり、また、その装置
は回転筒体にその一端を超高圧水源に接続し他端
に軸に偏心して設けられたノズルを有する水路を
設け、この回転筒体を軸を中心に回転させる回転
駆動機構を備えてなるものである。
以下にこの発明の１実施例を図面を参照して説
明する。
明する。
第１図はこの発明の製造方法を説明するために
その装置の概略を斜視図で示すもので、装置につ
いては第２図に一部の断面図で示す。各図におい
て、１は回転筒体で、軸心には水路２が同軸に設
けられ、上端には500〜1500Kg／cm2の超高圧水源
の導水管３と同軸の回転自在接手１ａ、下端には
この筒体と同軸の径大部１ｂを有し、上記水路は
径大部１ｂにて屈折して径大部の半径方向に延び
たのち固軸に延びてノズル部１ｃが開端になつて
いる。つまり、軸心からノズル部に至る距離ｄだ
け偏心している。また、回転筒体１は基部１０か
ら延びる支持部３ａ，３ｂにベアリング４ａ，４
ｂを介して支持され、軸を中心に回転が自在であ
る。さらに、回転筒体１は外周にプーリ５が設け
られ、基部１０に取付けされたモータ６によつて
ベルト７で回転駆動される。すなわち、上記プー
リ、モータ、ベルトで回転筒体の回転駆動機構が
構成される。
その装置の概略を斜視図で示すもので、装置につ
いては第２図に一部の断面図で示す。各図におい
て、１は回転筒体で、軸心には水路２が同軸に設
けられ、上端には500〜1500Kg／cm2の超高圧水源
の導水管３と同軸の回転自在接手１ａ、下端には
この筒体と同軸の径大部１ｂを有し、上記水路は
径大部１ｂにて屈折して径大部の半径方向に延び
たのち固軸に延びてノズル部１ｃが開端になつて
いる。つまり、軸心からノズル部に至る距離ｄだ
け偏心している。また、回転筒体１は基部１０か
ら延びる支持部３ａ，３ｂにベアリング４ａ，４
ｂを介して支持され、軸を中心に回転が自在であ
る。さらに、回転筒体１は外周にプーリ５が設け
られ、基部１０に取付けされたモータ６によつて
ベルト７で回転駆動される。すなわち、上記プー
リ、モータ、ベルトで回転筒体の回転駆動機構が
構成される。
上記回転筒体の回転駆動により被処理部材に静
置したままでも第１図に示すように、軸心とノズ
ル部との距離ｄと噴射水の拡がりの半径との和を
半径とした円内で噴射域８となる。したがつてノ
ズルと被処理部材との距離、回転筒体の軸心とノ
ズル部との距離をきめ、これに伴なつて被処理部
材の移行をきめることにより、帯状の処理域が形
成され、板状、帯状のリードフレーム、板状の樹
脂モールド型IC等に生ずるバリに対応できる。
置したままでも第１図に示すように、軸心とノズ
ル部との距離ｄと噴射水の拡がりの半径との和を
半径とした円内で噴射域８となる。したがつてノ
ズルと被処理部材との距離、回転筒体の軸心とノ
ズル部との距離をきめ、これに伴なつて被処理部
材の移行をきめることにより、帯状の処理域が形
成され、板状、帯状のリードフレーム、板状の樹
脂モールド型IC等に生ずるバリに対応できる。
この発明によれば、被処理部材のバリ除去が能
率良く、且つ廉価に達成できる。すなわち、被処
理部材の幅に合わせて処理域を形成することがで
きるので、被処理部材を直線状に移動させるだけ
で帯状の処理域を形成できる顕著な利点がある。
率良く、且つ廉価に達成できる。すなわち、被処
理部材の幅に合わせて処理域を形成することがで
きるので、被処理部材を直線状に移動させるだけ
で帯状の処理域を形成できる顕著な利点がある。
また、この発明によれば、手作業のバリ取り、
ブラスト法、電解法、ホーニング法等に比し他の
部分に損傷を与えることが少く、廉価である利点
もある。
ブラスト法、電解法、ホーニング法等に比し他の
部分に損傷を与えることが少く、廉価である利点
もある。
なお、この発明にかかる装置で回転筒体下部の
径大部は回転の際の重量の均衡を考慮したもので
あり、パイプで水路を構成したものに比し優れて
いる。また、この径大部を回転筒体に着脱自在に
構成すれば、偏心の距離ｄの異なる径大部に交換
することもできる。
径大部は回転の際の重量の均衡を考慮したもので
あり、パイプで水路を構成したものに比し優れて
いる。また、この径大部を回転筒体に着脱自在に
構成すれば、偏心の距離ｄの異なる径大部に交換
することもできる。
第１図および第２図はこの発明を説明するもの
で、第１図は方法を説明するための装置の概略を
示す斜視図、第２図は装置の断面図、第３図は従
来の装置の概略を示す断面図、第４図および第５
図は被処理部材を示し、第４図はリードフレーム
の一部を示す正面図、第５図はDIP型ICの斜視図
である。 １……回転筒体、１ａ……自在接手、１ｂ……
回転筒体の径大部、１ｃ……回転筒体のノズル
部、２……水路、３ａ，３ｂ……回転筒体の支持
部、５，６，７……回転駆動機構（５はプーリ、
６はモータ、７はベルト）、８……噴射域、１０
３……被処理部材、１０４……リードフレーム、
１０４ａ……リードフレームのバリ、１０５……
IC、１００……ICの樹脂モールド外囲器、１０
０ａ……IC外囲器のバリ。
で、第１図は方法を説明するための装置の概略を
示す斜視図、第２図は装置の断面図、第３図は従
来の装置の概略を示す断面図、第４図および第５
図は被処理部材を示し、第４図はリードフレーム
の一部を示す正面図、第５図はDIP型ICの斜視図
である。 １……回転筒体、１ａ……自在接手、１ｂ……
回転筒体の径大部、１ｃ……回転筒体のノズル
部、２……水路、３ａ，３ｂ……回転筒体の支持
部、５，６，７……回転駆動機構（５はプーリ、
６はモータ、７はベルト）、８……噴射域、１０
３……被処理部材、１０４……リードフレーム、
１０４ａ……リードフレームのバリ、１０５……
IC、１００……ICの樹脂モールド外囲器、１０
０ａ……IC外囲器のバリ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体装置のリード部品、モールド形成され
た外囲器のバリに対し超高圧水を噴射させて除去
するバリ除去工程を含む半導体装置の製造におい
て、局限された超高圧噴射水を円形に振らせつつ
直線状に進めて上記被処理部材に噴射させるバリ
除去工程を特徴とする半導体装置の製造方法。 ２ 回転筒体と、この回転筒体の軸方向に一端を
超高圧水源に接続し他端が回転の軸に偏心して設
けられたノズルになる水路と、前記回転筒体をそ
の軸を中心に回転させる回転駆動機構とを具備
し、半導体装置およびその部品の製造において生
成するバリ除去のための半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203683A JPS6181635A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置の製造方法とその製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59203683A JPS6181635A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置の製造方法とその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6181635A JPS6181635A (ja) | 1986-04-25 |
| JPH0226378B2 true JPH0226378B2 (ja) | 1990-06-08 |
Family
ID=16478109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59203683A Granted JPS6181635A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 半導体装置の製造方法とその製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6181635A (ja) |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP59203683A patent/JPS6181635A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6181635A (ja) | 1986-04-25 |
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