JPH02264314A

JPH02264314A - 1/2 vcc generation circuit

Info

Publication number: JPH02264314A
Application number: JP1085945A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Ikeda; 豊池田
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1989-04-05
Filing date: 1989-04-05
Publication date: 1990-10-29
Anticipated expiration: 2011-01-29
Also published as: JPH087638B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、　ｌ／２Ｖｃｃ発生回路に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a l/2Vcc generation circuit.

［従来の技術］第４図は、従来のｌ／２Ｖｃｃ発生回路の回路図である
。[Prior Art] FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional 1/2Vcc generation circuit.

図において（１）は４００にΩ前後の高抵抗、（２）は
コンデンサ、（３）　（５）はＮチャンネルＭＯＳトラ
ンジスタ（以下ＮｃｈＴｒという）　、（４）（６）は
ＰチャンネルＭＯ５トランジスタ（以下ＰｃｈＴｒとい
う）、（７）は出力である。In the figure, (1) is a high resistance of around 400Ω, (2) is a capacitor, (3) and (5) are N-channel MOS transistors (hereinafter referred to as NchTr), and (4) and (6) are P-channel MO5 transistors (hereinafter referred to as NchTr). PchTr), (7) is the output.

次に動作について説明する。ＮｃｈＴｒ（５）のゲート
の電位Ｖ。Ｓは、Ｖ、、　＝　　ｌ／２　Ｖｃｃ　＋　Ｖｔ、ｈｎとなっ
ている。ここでＶｔｈｎはＮｃｈＴｒのスレッショール
ド電圧である。ａまた、ＰｃｈＴｒ（６）のゲートの電
位Ｖ。Ｂは、Ｖ、６＝　　ｌ／２　Ｖｃｃ　−Ｖｔｈｐである。ここ
でＶｔｈｐはＰｃｈＴｒのスレッショールド電圧である
。Next, the operation will be explained. Potential V of the gate of NchTr (5). S is V,, = l/2 Vcc + Vt, hn. Here, Vthn is the threshold voltage of the NchTr. a Also, the potential V of the gate of PchTr (6). B is V, 6 = l/2 Vcc - Vthp. Here, Vthp is the threshold voltage of PchTr.

出力（７）の電圧をＶｏｕｔとするとＶｏｕｔ＝　　１／　２Ｖｃｃのときは、ＮｃｈＴｒ　
（５）及びＰｃｈＴｒ（６）　とがＯＦＦ　Ｌ／ている
。If the voltage of output (7) is Vout, when Vout = 1/2Vcc, NchTr
(5) and PchTr (6) are OFF L/.

Ｖｏｕｔ＞　　ｔ／　２ＶｃｃとなるとＰｃｈＴｒ　（
６）はＯＮするので、ＶｏｕＬ（７）値は下がり、　１
／２Ｖｃｃに落ち着く。When Vout > t/2Vcc, PchTr (
6) is turned on, the VouL (7) value decreases and becomes 1
It settles down to /2Vcc.

Ｖｏｕｔ＜　　１／　２ＶｃｃとなるとＮｃｈＴｒ（５
）はＯＮするのでＶｏｕ　ｔの値は上がり、　ｌ／２Ｖ
ｃｃに落ち着く。When Vout<1/2Vcc, NchTr(5
) turns on, so the value of Vout increases and becomes l/2V
I settled on cc.

［発明が解決しようとする３題］従来の１／２Ｖｃｃ発生回路は以上のように構成されて
いるのでＶｏｕｔは　１／２Ｖｃｃに自動調整されては
いるが、Ｖｏｕｔの変化に追従できる範囲はＮｃｈＴｒ
（５）　　ＰｃｈＴｒ（６）の電流供給能力により制限
を受ける。ＮｃｈＴｒ　（５）、ＰｃｈＴｒ（６）のＷ
を大きくすることにより、上記の範囲は拡大できるが、
そうすると消費電流が大きくなるという問題が生じる。[Three problems to be solved by the invention] Since the conventional 1/2 Vcc generation circuit is configured as described above, Vout is automatically adjusted to 1/2 Vcc, but the range in which it can follow changes in Vout is limited to NchTr.
(5) Limited by the current supply capability of PchTr (6). W of NchTr (5), PchTr (6)
The above range can be expanded by increasing
This causes a problem of increased current consumption.

この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、消費電流の増加を極力押えながら、Ｖｏｕｔ
の安定化を行うことを目的とする。This invention was made to solve the above-mentioned problems, and while suppressing the increase in current consumption as much as possible, Vout
The purpose is to stabilize the

［課題を解決するための手段］この発明に係る　１／２Ｖｃｃ発生回路は、レベル検出
回路を設けて、その出力電圧により、　１／２Ｖｃｃ発
生回路出力段の動作しているトランジスタの数を変化さ
せる。[Means for Solving the Problems] The 1/2 Vcc generation circuit according to the present invention includes a level detection circuit, and changes the number of operating transistors in the output stage of the 1/2 Vcc generation circuit according to the output voltage of the level detection circuit. .

［作用］Ｖｏｕ　ｔの変化の小さい場合は、Ｗの小さいトランジ
スタだけ使い、Ｖｏｕｔの変化の大きい場合は、Ｗの大
きなトランジスタも使うことにより、Ｖｏｕ　ｔの一定
化と消費電流の低下という相反する条件を満足させる。[Function] When the change in Vout is small, only a transistor with a small W is used, and when the change in Vout is large, a transistor with a large W is also used, thereby achieving the contradictory conditions of keeping Vout constant and reducing current consumption. satisfy.

［実施例］以下、この発明の実施例を図について説明する。第１図
は　１／２Ｖｃｃ発生回路の回路図、第２図は第１図の
回路に付属するレベルコントロール回路の回路図である
。図において（１）〜（７）は第４図の従来例に示した
ものと同等であるので説明を省略する。（８）　、　（
１０）　、　（１５）　、　（１Ｂ）はＮｃｈＴｒ　。[Example] Hereinafter, an example of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram of a 1/2 Vcc generation circuit, and FIG. 2 is a circuit diagram of a level control circuit attached to the circuit of FIG. In the figure, (1) to (7) are the same as those shown in the conventional example of FIG. 4, so their explanation will be omitted. (8) , (
10), (15), and (1B) are NchTr.

（９）、（１１）、（１４）、（１７）はＰｃｈＴｒで
ある。（１２）、（１３）はレベルコントロール回路の
出力である。(9), (11), (14), and (17) are PchTr. (12) and (13) are the outputs of the level control circuit.

次に動作について説明する。Next, the operation will be explained.

レベルコントロール回路の出力（１２）の電圧をＶｃｎ
　、レベルコントロール回路の出力（１３）の電圧をＶ
ｃｐ　トするとＶｃｎは、Ｖｏｕ　ｔ≧Ｖｃｃ−３Ｖｔ
ｈｐ　テは“Ｈ′″、Ｖｏｕｔ＜Ｖｃｃ−３Ｖｔｈｐ　
”ｅは“Ｌ”とナル。したがって　１／２Ｖｃｃ発生回
路最終段のｐｃｈＴｒ部は、ＰｃｈＴｒ　（６）　、　
（９）が動作するが、これは特価的にはＷが大きくなっ
たことになる。後者の場合は、ＰｃｈＴｒ　（６）だけ
動作している。The voltage of the output (12) of the level control circuit is Vcn
, the voltage of the output (13) of the level control circuit is V
cp then Vcn becomes Vout≧Vcc-3Vt
hp Te is "H'", Vout<Vcc-3Vthp
"e" is "L" and null. Therefore, the pchTr section at the final stage of the 1/2Vcc generation circuit is PchTr (6),
(9) works, but this means that W has become larger at a special price. In the latter case, only PchTr (6) is operating.

レベルコントロール回路の出力（１３）の電圧Ｖｃｐは
、Ｖｏｕｔ≦３ＶｔｈｎではＬ″　Ｖｏｕｔ＞　３Ｖｔ
ｈｎでは、“Ｈ′″となる。従って　１／２Ｖｃｃ発生
回路の最終段のＮｃｈＴｒ部はＮｃｈＴｒ　（５）　、
　（８）が動作するが、後者の場合は、ＮｃｈＴｒ　（
５）だけ動作している。The voltage Vcp of the output (13) of the level control circuit is L'' when Vout≦3Vthn, Vout>3Vt
At hn, it becomes "H'". Therefore, the final stage NchTr section of the 1/2Vcc generation circuit is NchTr (5),
(8) works, but in the latter case, NchTr (
Only 5) is working.

以４ＦのようにＶｏｕ　Ｌの変化が大きい場合は、特価
的にＷが大きくなっている。When the change in Vou L is large as in the case of 4F, W is increased at a special price.

第３図はこの発明の他の実施例によるレベルコントロー
ル回路の回路図である。第２図のレベルコントロール回
路にインバータ（１９）、ＮｃｈＴｒ　（２０）、Ｐｃ
ｈＴｒ（２１）を追加し、更に、信号（１８）ＲＡＳに
５ｔａｎｄ　ｂｙ状態のときに“Ｈ′″となる信号を使
えば、５ｔａｎｄ　ｂｙ状態の消費−電流を低下できる
。FIG. 3 is a circuit diagram of a level control circuit according to another embodiment of the invention. The level control circuit in Figure 2 includes an inverter (19), an NchTr (20), and a Pc
By adding hTr (21) and further using a signal (18) RAS that becomes "H'" in the 5-tand-by state, the current consumption in the 5-tand-by state can be reduced.

［発明の効果］以上のようにこの発明によれば、　ｌ／２Ｖｃｃ発生回
路の出力電圧を自動補正できる出力電圧値の範囲を、消
費電流をあまり増加させずに拡大できる。[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, the range of output voltage values in which the output voltage of the 1/2Vcc generation circuit can be automatically corrected can be expanded without significantly increasing current consumption.

[Brief explanation of drawings]

第１図はこの発明の一実施例による　１／２Ｖｃｃ発生
回路の回路図、第２図は第１図の回路に付属するレベル
コントロール回路である。第３図はこの路図である。図において、（１）は高抵抗、（２）はコンデンサ、（
３）　、　（５）　、　（８）　、　（１０）　、　（
１５）　、　（１６）　、　（２０）はＮｃｈＴｒ、（
４）　、（６）　、（９）　、（１１）、（１４）、（
１７）、（２１）はＰｃｈＴｒ、（７）は出力、　（１
２）、（１３）はレベルコントロール回路の出力、（１
８）は“Ｉｎ　、（１９）はインバータである。なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。FIG. 1 is a circuit diagram of a 1/2 Vcc generation circuit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a level control circuit attached to the circuit of FIG. Figure 3 shows this route map. In the figure, (1) is a high resistance, (2) is a capacitor, (
3), (5), (8), (10), (
15), (16), (20) are NchTr, (
4) , (6) , (9) , (11), (14), (
17), (21) are PchTr, (7) is output, (1
2), (13) are the outputs of the level control circuit, (1
8) is "In", and (19) is an inverter. In the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts.

Claims

[Claims]

In the 1/2 Vcc generation circuit, the gate width of the MOS transistor at the final output stage (hereinafter W
A 1/2 Vcc generation circuit having a circuit configuration that changes the voltage at a special price.