JPH022646A - 電極の形成方法 - Google Patents
電極の形成方法Info
- Publication number
- JPH022646A JPH022646A JP63147441A JP14744188A JPH022646A JP H022646 A JPH022646 A JP H022646A JP 63147441 A JP63147441 A JP 63147441A JP 14744188 A JP14744188 A JP 14744188A JP H022646 A JPH022646 A JP H022646A
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- JP
- Japan
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- electrode
- layer
- alloy
- resist
- shape
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置を搭載する台〔以後サブマウントと
記す〕の表面に配置された電極の形成方法に関するもの
である。
記す〕の表面に配置された電極の形成方法に関するもの
である。
従来の技術
ファイバーを用いた光通信の光源に用いる発光ダイオー
ドや半導体レーザーにおいては、ファイバーへ効率よく
光を入射させるため制限された領域にのみ電流全流して
発光領域を制限している。
ドや半導体レーザーにおいては、ファイバーへ効率よく
光を入射させるため制限された領域にのみ電流全流して
発光領域を制限している。
電流全制限するとその領域での電流密度が高くなるため
発熱量が大きい。このため光通信用の発光ダイオードや
半導体レーザーでは、熱伝導性の良い材料の上に発光ダ
イオードや半導体レーザーなどの半導体装置を搭載して
、熱放散を向上させ、半導体装置の温度上昇を極力防い
でいる。この場合、熱伝導性の良い材料の表面疋は、半
導体装置を接着するためのろう材として、スズやハンダ
などの低融点金属が配置される。このような熱伝導性の
良い材料の表面に低融点金属により電極を形成したもの
を半導体装置サブマウントとして用いる。
発熱量が大きい。このため光通信用の発光ダイオードや
半導体レーザーでは、熱伝導性の良い材料の上に発光ダ
イオードや半導体レーザーなどの半導体装置を搭載して
、熱放散を向上させ、半導体装置の温度上昇を極力防い
でいる。この場合、熱伝導性の良い材料の表面疋は、半
導体装置を接着するためのろう材として、スズやハンダ
などの低融点金属が配置される。このような熱伝導性の
良い材料の表面に低融点金属により電極を形成したもの
を半導体装置サブマウントとして用いる。
従来、この種のサブマウントは第３図に示すような構成
であった。第３図において、１はシリコｙ（Ｓｉ）、２
は酸化珪素（ＳｉＯ２）、３はりＯム（Ｃｒ）−白金（
Ｐｔ）・金（人ｕ）、４はスズ（Ｓｎ）、了は金体Ｕ）
である。
であった。第３図において、１はシリコｙ（Ｓｉ）、２
は酸化珪素（ＳｉＯ２）、３はりＯム（Ｃｒ）−白金（
Ｐｔ）・金（人ｕ）、４はスズ（Ｓｎ）、了は金体Ｕ）
である。
すなわち、従来装置では、Ｃｒ−Ｐｔ・ムｕ３上にろう
材としてのＳｎ４とＡｕ７とを連続蒸着して電極を形成
していた。
材としてのＳｎ４とＡｕ７とを連続蒸着して電極を形成
していた。
発明が解決しようとする課題
このような従来の構成では、Ｓｎを含む電極がサブマウ
ント表面全面に形成されている。Ｓｎを含む電極は上部
に半導体装置を搭載するためのろう材として用いるので
あるが、サブマウント表面上にろう材としての電極以外
の機能部を形成したい場合には、Ｓｎを含む電極を全面
ではなく一部に形成する必要がある。Ｓｎは非常に酸化
しやすい材料であるため一般にＳｎ４の表面ＶＣＡｕ７
を薄く蒸着して酸化を防いでいる。ところがムｕ７の蒸
着時にＡｕ７とＳｎ４との合金化が進行し人ｕ／Ｓｎ合
金層が形成される。この人ｕ ／Ｓ ｎ合金はエツチン
グ除去が困難であるため５ｎ−Ａｕ電極（４、７）全所
定の形状にすることができない。またムＵ了の蒸着前に
Ｓｎ４をフォトリソグラフィ法によシ所定の形状にした
場合、フォ） ＩＪングラフィでのレジスト除去工程時
にＳｎ４表面が酸化してしまいろう材としては不適当と
なる。このように従来は所定の形状の主たる金属がＳｎ
である電極をなかなか得難いという問題があった。
ント表面全面に形成されている。Ｓｎを含む電極は上部
に半導体装置を搭載するためのろう材として用いるので
あるが、サブマウント表面上にろう材としての電極以外
の機能部を形成したい場合には、Ｓｎを含む電極を全面
ではなく一部に形成する必要がある。Ｓｎは非常に酸化
しやすい材料であるため一般にＳｎ４の表面ＶＣＡｕ７
を薄く蒸着して酸化を防いでいる。ところがムｕ７の蒸
着時にＡｕ７とＳｎ４との合金化が進行し人ｕ／Ｓｎ合
金層が形成される。この人ｕ ／Ｓ ｎ合金はエツチン
グ除去が困難であるため５ｎ−Ａｕ電極（４、７）全所
定の形状にすることができない。またムＵ了の蒸着前に
Ｓｎ４をフォトリソグラフィ法によシ所定の形状にした
場合、フォ） ＩＪングラフィでのレジスト除去工程時
にＳｎ４表面が酸化してしまいろう材としては不適当と
なる。このように従来は所定の形状の主たる金属がＳｎ
である電極をなかなか得難いという問題があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので所定の形状
の主たる金属がＳｎである電極の形成方法を提供するも
のである。
の主たる金属がＳｎである電極の形成方法を提供するも
のである。
課題を解決するための手段
この問題点を解決するために、本発明はＳｎ蒸着後にま
ずレジストで得ようとする形状とは反転した形状を形成
し、ＡｕまたはＳｎを含むＡｕを蒸着したのちレジスト
上のムＵまたはＳｎを含むムＵおよびレジスト６上去（
リフトオフ）し、しかるのちムＵまたはＳｎを含むムＵ
が残った部分以外のＳｎｉエツチング除去することによ
り目的の形状を得るものである。
ずレジストで得ようとする形状とは反転した形状を形成
し、ＡｕまたはＳｎを含むＡｕを蒸着したのちレジスト
上のムＵまたはＳｎを含むムＵおよびレジスト６上去（
リフトオフ）し、しかるのちムＵまたはＳｎを含むムＵ
が残った部分以外のＳｎｉエツチング除去することによ
り目的の形状を得るものである。
作用
この発明によると、所定の形状の主たる金属がＳｎであ
る電極がムＵまたはＡｕ合金でＳｎを被った構造で得ら
れ、Ｓｎの酸化のない電極を形成することができる。
る電極がムＵまたはＡｕ合金でＳｎを被った構造で得ら
れ、Ｓｎの酸化のない電極を形成することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例により形成されたサブマウン
トの断面図であり、第２図は同実施例の形成方法’ｒｌ
ｌｌｉに示した工程順断面図である。第１図、第２図に
おいて、１はｓｉ、２は５ｉｎ２．３はｃｒ−ｐｔ−ム
ｕ、４はＳｎ、５はレジスト、６は金／スズ合金（スズ
含有量１２％）、アはＡｕである。
トの断面図であり、第２図は同実施例の形成方法’ｒｌ
ｌｌｉに示した工程順断面図である。第１図、第２図に
おいて、１はｓｉ、２は５ｉｎ２．３はｃｒ−ｐｔ−ム
ｕ、４はＳｎ、５はレジスト、６は金／スズ合金（スズ
含有量１２％）、アはＡｕである。
このようなサブマウントは以下の方法で作製される。第
２図乙のように、Ｓｉ１上に、熱酸化により、厚さ１ｏ
００ｏ入のＳｉＯ□２を形成する。
２図乙のように、Ｓｉ１上に、熱酸化により、厚さ１ｏ
００ｏ入のＳｉＯ□２を形成する。
次いでＯｒを５００人、ｐｔを１０００人１人Ｕを４０
ｏＯ人の厚さで連続蒸着して０ｒ−Ｐｔ・ムｕ３を形成
する。０ｒ−Ｐｔ・ムｕ３上にＳｎ４を２μｍ蒸着し、
レジスト５で第１図に示すＳｎ４？！極形状とは反転し
た形状を形成する。その後第２図すのように、ムｕ／Ｓ
ｎ合４．（Ｓｎ含有量１２％）６を１０００人、ムＵ了
を２０００人蒸着する。そしてレジスト５の段差を利用
してレジスト６上のムｕ７とＡｕ／Ｓｎ合金６およびレ
ジスト５′！ｉ−アセトンを用いて除去（リフトオフ）
して、第２図Ｃのように得ようとする形状の入ｕ／Ｓｎ
合金６゜Ａｕ７電極を形成する。そして、この人ｕ ／
Ｓ ｎ合金１入Ｕ電極をマスクとして硝酸：水：１：１
０の混合液でムｕ／Ｓｎ合金・ムＵ電極部以外のＳｎ４
をエツチング除去することにより、第１図に示すような
形状のＳｎ電極を得る。以上の方法により所望形状のＳ
ｎ電極を得ることができる。
ｏＯ人の厚さで連続蒸着して０ｒ−Ｐｔ・ムｕ３を形成
する。０ｒ−Ｐｔ・ムｕ３上にＳｎ４を２μｍ蒸着し、
レジスト５で第１図に示すＳｎ４？！極形状とは反転し
た形状を形成する。その後第２図すのように、ムｕ／Ｓ
ｎ合４．（Ｓｎ含有量１２％）６を１０００人、ムＵ了
を２０００人蒸着する。そしてレジスト５の段差を利用
してレジスト６上のムｕ７とＡｕ／Ｓｎ合金６およびレ
ジスト５′！ｉ−アセトンを用いて除去（リフトオフ）
して、第２図Ｃのように得ようとする形状の入ｕ／Ｓｎ
合金６゜Ａｕ７電極を形成する。そして、この人ｕ ／
Ｓ ｎ合金１入Ｕ電極をマスクとして硝酸：水：１：１
０の混合液でムｕ／Ｓｎ合金・ムＵ電極部以外のＳｎ４
をエツチング除去することにより、第１図に示すような
形状のＳｎ電極を得る。以上の方法により所望形状のＳ
ｎ電極を得ることができる。
なお、実施例ではＳｎ４上の金属としてムｕ ／Ｓ ｎ
合金６とムｕ７との場合を示したが、Ａｕ了だけでも同
様の効果が得られることは明らかである。
合金６とムｕ７との場合を示したが、Ａｕ了だけでも同
様の効果が得られることは明らかである。
発明の効果
以上のように本発明によれば、主たる電極金属としてＳ
ｎを用いる場合に、まず、Ｓｎ上にレジストによる反転
パターン層を設け、ついで、ムＵまたはｋ ｕ／Ｓ ｎ
合金を蒸着し、リフトオフによって、Ａｕまたはムｕ
／Ｓ ｎ合金を所望形状になし、これをマスクにして、
Ｓｎを所望形状に電極形成することにより、Ｓｎの酸化
のない電極が容易に実現できる。
ｎを用いる場合に、まず、Ｓｎ上にレジストによる反転
パターン層を設け、ついで、ムＵまたはｋ ｕ／Ｓ ｎ
合金を蒸着し、リフトオフによって、Ａｕまたはムｕ
／Ｓ ｎ合金を所望形状になし、これをマスクにして、
Ｓｎを所望形状に電極形成することにより、Ｓｎの酸化
のない電極が容易に実現できる。
第１図は本発明の一実施例により形成されたすブマウン
トの断面図、第２図ａ ％ Ｏは本発明の形成方法を順
に示した工程順断面図、第３図は従来のサブマウントの
断面図である。 １・・・・・・シリコン（Ｓｉ ）、２・・川・酸化珪
素（ｓｉｏ２３・・・・・・クロム（Ｃｒ）・白金（ｐ
ｔ）・金（ムＵ）、４・・・・・スズ（Ｓｎ）、６・・
・・・・レジスト、６・・・・・・金／カ（Ａｕ／Ｓｎ
）合金、７・・す・・金（Ａｕ）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名区 区
トの断面図、第２図ａ ％ Ｏは本発明の形成方法を順
に示した工程順断面図、第３図は従来のサブマウントの
断面図である。 １・・・・・・シリコン（Ｓｉ ）、２・・川・酸化珪
素（ｓｉｏ２３・・・・・・クロム（Ｃｒ）・白金（ｐ
ｔ）・金（ムＵ）、４・・・・・スズ（Ｓｎ）、６・・
・・・・レジスト、６・・・・・・金／カ（Ａｕ／Ｓｎ
）合金、７・・す・・金（Ａｕ）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名区 区
Claims (1)
- 第１層電極材のスズ蒸着面上に所望形状とは反転した形
状のレジスト層を形成し、ついで、全面に金またはスズ
を含む金による第２層電極材を蒸着したのち、前記レジ
スト層上の前記第２層電極材および前記レジストを除去
し、しかるのち前記第２層電極材の残存パターンをマス
クとして、前記スズを選択除去することを特徴とする電
極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147441A JPH022646A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63147441A JPH022646A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 電極の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022646A true JPH022646A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15430409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63147441A Pending JPH022646A (ja) | 1988-06-15 | 1988-06-15 | 電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH022646A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223387A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US5790577A (en) * | 1995-10-05 | 1998-08-04 | Nippondenso Co., Ltd. | High output semiconductor laser element having robust electrode structure |
| KR100781859B1 (ko) * | 2003-09-22 | 2007-12-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 레이저 소자의 제조 방법 |
-
1988
- 1988-06-15 JP JP63147441A patent/JPH022646A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04223387A (ja) * | 1990-12-25 | 1992-08-13 | Matsushita Electron Corp | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US5790577A (en) * | 1995-10-05 | 1998-08-04 | Nippondenso Co., Ltd. | High output semiconductor laser element having robust electrode structure |
| KR100781859B1 (ko) * | 2003-09-22 | 2007-12-03 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 레이저 소자의 제조 방법 |
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