JPH02265236A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents
荷電ビーム描画方法Info
- Publication number
- JPH02265236A JPH02265236A JP1087529A JP8752989A JPH02265236A JP H02265236 A JPH02265236 A JP H02265236A JP 1087529 A JP1087529 A JP 1087529A JP 8752989 A JP8752989 A JP 8752989A JP H02265236 A JPH02265236 A JP H02265236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field
- fields
- doses
- outer periphery
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、荷電ビーム描画方法に関し、特に半導体製造
における微細加工技術に関する。
における微細加工技術に関する。
従来、この種の荷電ビーム描画方法としては、１つのフ
ィールドを一定の所望ドーズＮ （Ｄｏｓａｇｅ）で描
画した上で、ステージをフィールドサイズ分だけ移動さ
せ、次のフィールドの描画を行なう、という処理を繰り
返す事により、所望パターンの描画を実現していた。
ィールドを一定の所望ドーズＮ （Ｄｏｓａｇｅ）で描
画した上で、ステージをフィールドサイズ分だけ移動さ
せ、次のフィールドの描画を行なう、という処理を繰り
返す事により、所望パターンの描画を実現していた。
第５図は従来の描画パターンの一例を示す平面図である
。この場合、描画すべきパターン１が複数のフィールド
２にまたがって配置された様子を示している。
。この場合、描画すべきパターン１が複数のフィールド
２にまたがって配置された様子を示している。
上述した従来の荷電ビーム描画方法では、ビーム偏向器
が持つ歪や、ステージ位置の誤差、′荷電ビームに特有
な空間電荷効果等の影響により、フィールド２の間のフ
ィールド境界において、第６図に示すように、パターン
１のフィールドＡとフィールドＢとの接続図が、境界線
１４を挟んでフィールドＡのエリアパターン１５とフィ
ールドＢのエリアパターン１６とに局所的な段差が生じ
るという問題が有る。
が持つ歪や、ステージ位置の誤差、′荷電ビームに特有
な空間電荷効果等の影響により、フィールド２の間のフ
ィールド境界において、第６図に示すように、パターン
１のフィールドＡとフィールドＢとの接続図が、境界線
１４を挟んでフィールドＡのエリアパターン１５とフィ
ールドＢのエリアパターン１６とに局所的な段差が生じ
るという問題が有る。
このような段差を減少させるために、荷電ビームの偏向
歪を補正する手段を設け、補正を行ないながら描画する
方法を用いる場合があるが、その補正技術が難かしく、
またその段差を完全に無くす事は不可能である。また、
このフィールド境界での段差は、微細加工精度を低下さ
せる大きな要因となる。
歪を補正する手段を設け、補正を行ないながら描画する
方法を用いる場合があるが、その補正技術が難かしく、
またその段差を完全に無くす事は不可能である。また、
このフィールド境界での段差は、微細加工精度を低下さ
せる大きな要因となる。
本発明の目的は、このような問題を解決し、フィールド
の外周から内側に、ある一定の幅を持つマージンエリア
を設け、このマージンエリア内で隣接するフィールドの
描画に互いに補完的なドーズ量を与え、その合計が所望
ドーズ量に等しくなる様にすることにより、フィールド
境界線の段差をなくし、微細加工精度を上げられるよう
にした荷電ビーム描画方法を提供することにある。
の外周から内側に、ある一定の幅を持つマージンエリア
を設け、このマージンエリア内で隣接するフィールドの
描画に互いに補完的なドーズ量を与え、その合計が所望
ドーズ量に等しくなる様にすることにより、フィールド
境界線の段差をなくし、微細加工精度を上げられるよう
にした荷電ビーム描画方法を提供することにある。
本発明の構成は、荷電ビームの所望位置への偏向および
試料を載せたステージのステップ・リピート状の移動に
よって前記試料上に描画を行うベクタスキャン方式の荷
電ビーム描画方法において、前記ステージの移動を伴わ
すに描画のできる領域であるフィールドの外周からこの
フィールド内側にある一定の幅を持つ領域のマージンエ
リアを設け、隣接するフィールドの描画を行う際に、こ
れら各フィールドで各マージンエリアの外周から内側に
向かってドーズ量を漸増させながら、互に補完的にドー
ズ量を与え、これら各ドーズ量の合計が所望ドーズ量と
なるようにしたことを特徴とする。
試料を載せたステージのステップ・リピート状の移動に
よって前記試料上に描画を行うベクタスキャン方式の荷
電ビーム描画方法において、前記ステージの移動を伴わ
すに描画のできる領域であるフィールドの外周からこの
フィールド内側にある一定の幅を持つ領域のマージンエ
リアを設け、隣接するフィールドの描画を行う際に、こ
れら各フィールドで各マージンエリアの外周から内側に
向かってドーズ量を漸増させながら、互に補完的にドー
ズ量を与え、これら各ドーズ量の合計が所望ドーズ量と
なるようにしたことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例を説明するフ
ィールドエリア境界付近の平面図およびその各エリアの
ドーズ量を示すグラフであり、第２図は第１図の描画エ
リアを説明する平面図である。第２図において、フィー
ルド２は、フィールドサイズＦＸ、Ｆｙ（７）幅の矩形
（ＦＸｘＦｙ）から構成され、各フィールド内はステー
ジを停止した状態で荷電ビームの偏向により描画が行わ
れる。各描画パターン１の各フィールド２の外周部には
、Ｘ方向に幅ＭＸ、Ｙ方向に幅Ｍｖをもつマージンエリ
ア４を設けている。
ィールドエリア境界付近の平面図およびその各エリアの
ドーズ量を示すグラフであり、第２図は第１図の描画エ
リアを説明する平面図である。第２図において、フィー
ルド２は、フィールドサイズＦＸ、Ｆｙ（７）幅の矩形
（ＦＸｘＦｙ）から構成され、各フィールド内はステー
ジを停止した状態で荷電ビームの偏向により描画が行わ
れる。各描画パターン１の各フィールド２の外周部には
、Ｘ方向に幅ＭＸ、Ｙ方向に幅Ｍｖをもつマージンエリ
ア４を設けている。
各パターン１のマージンエリア４内には、外周から内側
に向かって漸増するドーズ量を与え、マージンエリア４
の外部パターンエリアには１００％のドーズ量を与える
ようにしている。１つのフィールド２の描画が終了した
ら、ステージをＸ方向にＦ、−ＭＸ、またＸ方向にＦｙ
−Ｍｙだけ移動させ、ステージを停止させた上で、フィ
ールド２内の描画を上述の方法に従って行い、以上の処
理を繰り返し、所望パターン１の描画を行うようにして
りう。
に向かって漸増するドーズ量を与え、マージンエリア４
の外部パターンエリアには１００％のドーズ量を与える
ようにしている。１つのフィールド２の描画が終了した
ら、ステージをＸ方向にＦ、−ＭＸ、またＸ方向にＦｙ
−Ｍｙだけ移動させ、ステージを停止させた上で、フィ
ールド２内の描画を上述の方法に従って行い、以上の処
理を繰り返し、所望パターン１の描画を行うようにして
りう。
このことは、第２図を拡大した第１図（ａ）のように、
フィールドＡ、フィールドＢのマージンエリア４以外の
パターンエリア１１．１２に１００％のドーズ量が、第
１図（ｂ）のように与えられる。このマージンエリア４
ては、フィールド外周から、内側に向かって第１図（ｂ
）のグラフに示した様に０％から１００％に直線的に増
加するドーズ量を与え、フィ−ルド内 れるドーズ量ＤＡと、フィールドＢから与えられるドー
ズ量ＤＢの合計が、１００％となる様にしている。
フィールドＡ、フィールドＢのマージンエリア４以外の
パターンエリア１１．１２に１００％のドーズ量が、第
１図（ｂ）のように与えられる。このマージンエリア４
ては、フィールド外周から、内側に向かって第１図（ｂ
）のグラフに示した様に０％から１００％に直線的に増
加するドーズ量を与え、フィ−ルド内 れるドーズ量ＤＡと、フィールドＢから与えられるドー
ズ量ＤＢの合計が、１００％となる様にしている。
第３図は本実施例によって得られたパターンの平面図で
ある。本実施例によればフィールドＡ。
ある。本実施例によればフィールドＡ。
Ｂのパターン１３が、マージンエリア４があるため段差
なく直線的に接続することができ、フィールド境界にお
ける段差をマージンエリア４でリニアに吸収したことを
示している。
なく直線的に接続することができ、フィールド境界にお
ける段差をマージンエリア４でリニアに吸収したことを
示している。
なお、このマージンエリア４の設定は、パターンデータ
フォーマット上で行なっても良いし、描画装置データ処
理部で行なっても良い。
フォーマット上で行なっても良いし、描画装置データ処
理部で行なっても良い。
第４図は本発明の第２の実施例を説明する描画を行う時
の平面図である。本実施例では、所望パターン］−のエ
ツジ（端部）に、パターンエツジマージンエリア１３を
設定する（ここでＸ方向幅ＭＸ□、ｙ方向幅Ｍｙ２とす
る）。このパターンエツジマージンエリア１３と、マー
ジンエリア４とが重なり合った部分にのみ、隣接したフ
ィールドによる補完的な露光を行ない、他の部分には従
来方法による露光を行なう。
の平面図である。本実施例では、所望パターン］−のエ
ツジ（端部）に、パターンエツジマージンエリア１３を
設定する（ここでＸ方向幅ＭＸ□、ｙ方向幅Ｍｙ２とす
る）。このパターンエツジマージンエリア１３と、マー
ジンエリア４とが重なり合った部分にのみ、隣接したフ
ィールドによる補完的な露光を行ない、他の部分には従
来方法による露光を行なう。
この場合には、補完的な露光を行なうエリアを小さくす
る事ができ、第１の実施例に比べて露光時間を短縮する
事が可能である。
る事ができ、第１の実施例に比べて露光時間を短縮する
事が可能である。
なお、パターンエツジマージンエリアは、パターンデー
タフォーマット上で設定しても良いし、描画装置データ
処理部で行なっても良い。
タフォーマット上で設定しても良いし、描画装置データ
処理部で行なっても良い。
以上説明したように本発明は、フィールド外周から内側
に、ある一定の幅を持つマージンエリアを設け、このマ
ージンエリア内には隣接するフィールドの描画で互いに
補完的なドーズ量を与え、そのマージンエリアの外周か
ら内側に向かってそのドーズ量を漸増させ、ドーズ量の
合計が所望ドーズ量に等しくなるようにすることにより
、フィールド境界でのパターン段差を除き、微細加工精
度を向上させる事ができるという効果がある。
に、ある一定の幅を持つマージンエリアを設け、このマ
ージンエリア内には隣接するフィールドの描画で互いに
補完的なドーズ量を与え、そのマージンエリアの外周か
ら内側に向かってそのドーズ量を漸増させ、ドーズ量の
合計が所望ドーズ量に等しくなるようにすることにより
、フィールド境界でのパターン段差を除き、微細加工精
度を向上させる事ができるという効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の詳細な説明するフィー
ルドエリアの平面図および各エリアのドーズ量を説明す
る特性図、第２図は第１図の描画エリアを説明する平面
図、第３図は第１図の実施例により得られた描画のフィ
ールド境界付近の平面図、第４図は本発明の第２の実施
例の描画パターンの平面図、第５図は従来の露光状■を
示す描画パターンの平面図、第６図は第５図の描画パタ
ーンのフィールド境界付近の平面図である。 １・・・描画パターン、２・・・フィールド、４・・・
マージンエリア、１１．１２・・・フィールドエリア、
１３・・・パターンエツジ・マージンエリア、１４・・
・フィールド境界線、１５．１６・・・エリアパターン
、ＤＡ 、ＤＢ・・・ドーズ量、ＦＸ、Ｆｙ・・・フィ
ールドサイズ、ＭＸ、Ｍｙ、ＭＸ□１Ｍｙ□・・・マー
ジンエリア、福。
ルドエリアの平面図および各エリアのドーズ量を説明す
る特性図、第２図は第１図の描画エリアを説明する平面
図、第３図は第１図の実施例により得られた描画のフィ
ールド境界付近の平面図、第４図は本発明の第２の実施
例の描画パターンの平面図、第５図は従来の露光状■を
示す描画パターンの平面図、第６図は第５図の描画パタ
ーンのフィールド境界付近の平面図である。 １・・・描画パターン、２・・・フィールド、４・・・
マージンエリア、１１．１２・・・フィールドエリア、
１３・・・パターンエツジ・マージンエリア、１４・・
・フィールド境界線、１５．１６・・・エリアパターン
、ＤＡ 、ＤＢ・・・ドーズ量、ＦＸ、Ｆｙ・・・フィ
ールドサイズ、ＭＸ、Ｍｙ、ＭＸ□１Ｍｙ□・・・マー
ジンエリア、福。
Claims (1)
- 荷電ビームの所望位置への偏向および試料を載せたステ
ージのステップ・リピート状の移動によって前記試料上
に描画を行うベクタスキャン方式の荷電ビーム描画方法
において、前記ステージの移動を伴わずに描画のできる
領域であるフィールドの外周からこのフィールド内側に
ある一定の幅を持つ領域のマージンエリアを設け、隣接
するフィールドの描画を行う際に、これら各フィールド
で各マージンエリアの外周から内側に向かってドーズ量
を漸増させながら、互に補完的にドーズ量を与え、これ
ら各ドーズ量の合計が所望ドーズ量となるようにしたこ
とを特徴とする荷電ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087529A JPH02265236A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 荷電ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1087529A JPH02265236A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 荷電ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265236A true JPH02265236A (ja) | 1990-10-30 |
Family
ID=13917527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1087529A Pending JPH02265236A (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 荷電ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02265236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841145A (en) * | 1995-03-03 | 1998-11-24 | Fujitsu Limited | Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1087529A patent/JPH02265236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5841145A (en) * | 1995-03-03 | 1998-11-24 | Fujitsu Limited | Method of and system for exposing pattern on object by charged particle beam |
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