JPH02299220A - 荷電ビーム描画方法 - Google Patents
荷電ビーム描画方法Info
- Publication number
- JPH02299220A JPH02299220A JP1118643A JP11864389A JPH02299220A JP H02299220 A JPH02299220 A JP H02299220A JP 1118643 A JP1118643 A JP 1118643A JP 11864389 A JP11864389 A JP 11864389A JP H02299220 A JPH02299220 A JP H02299220A
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- JP
- Japan
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- pattern
- drawn
- deflection
- connection
- error
- Prior art date
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- Pending
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、荷電ビームによるパターンの荷電ビーム描画
方法に関するものである。
方法に関するものである。
（従来の技術）
近年、ホトマスクやウェーハの表面に電子ビーム等でパ
ターンを描画する荷電ビーム描画装置が用いられる。こ
の種の従来の荷電ビーム描画方法について第２図により
説明する。同図は、従来の荷電ビーム描画用パターンデ
ータを示す平面図で。
ターンを描画する荷電ビーム描画装置が用いられる。こ
の種の従来の荷電ビーム描画方法について第２図により
説明する。同図は、従来の荷電ビーム描画用パターンデ
ータを示す平面図で。
実線の方形の枠１が１チップ分の描画用チップパターン
データである。一点鎖線で区分し斜線を施した領域が荷
電ビームの偏向範囲２であり、この領域では、描画装置
のステージを動かすことなくビームの偏向のみによりパ
ターンを描画する。これは、メインフィールドと呼ばれ
ている。上記の一点鎖線は、装置のステージ移動誤差を
含むメインフィールドのつなぎ部分３で、これにまたが
るパターンがステージ移動誤差を含むパターン４である
。矢印５はステージ移動順をその方向で示す。
データである。一点鎖線で区分し斜線を施した領域が荷
電ビームの偏向範囲２であり、この領域では、描画装置
のステージを動かすことなくビームの偏向のみによりパ
ターンを描画する。これは、メインフィールドと呼ばれ
ている。上記の一点鎖線は、装置のステージ移動誤差を
含むメインフィールドのつなぎ部分３で、これにまたが
るパターンがステージ移動誤差を含むパターン４である
。矢印５はステージ移動順をその方向で示す。
次に荷電ビーム描画方法について説明する。
荷電ビーム描画装置によるパターンデータの描画は、ビ
ームの偏向とステージの移動の組合わせにより行われる
。描画用チップパターンデータ１を複数の荷電ビームの
偏向範囲２に分ける。例えば左上より一領域の荷電ビー
ムの偏向範囲２を描画するごとに矢印５のようなステー
ジの移動により９次の領域に移り描画する。これを繰り
返し１チップ分の描画を終る。この際にメインフィール
ドのつなぎ部分３にあるステージ移動誤差を含むパター
ン４は、描画精度が低下する。このつなぎ合わせ精度は
、装置の性能上±０．１μ−程度である。
ームの偏向とステージの移動の組合わせにより行われる
。描画用チップパターンデータ１を複数の荷電ビームの
偏向範囲２に分ける。例えば左上より一領域の荷電ビー
ムの偏向範囲２を描画するごとに矢印５のようなステー
ジの移動により９次の領域に移り描画する。これを繰り
返し１チップ分の描画を終る。この際にメインフィール
ドのつなぎ部分３にあるステージ移動誤差を含むパター
ン４は、描画精度が低下する。このつなぎ合わせ精度は
、装置の性能上±０．１μ−程度である。
（発明が解決しようとする課題）
パターンの設計寸法単位が小さくなるにつれ、このつな
ぎ誤差±０．１μｍがパターン精度として問題となるよ
うになってきた。
ぎ誤差±０．１μｍがパターン精度として問題となるよ
うになってきた。
本発明は上記の問題を解決するもので、つなぎ誤差を吸
収する荷電ビーム描画方法を提供するものである。
収する荷電ビーム描画方法を提供するものである。
（課題を解決するための手段）
Ｌ記の課題を解決するため、本発明は、ステージ移動誤
差を含むパターンは、これを含む相隣接するメインフィ
ールドでそれぞれパターンを描画し、重ねるものである
。
差を含むパターンは、これを含む相隣接するメインフィ
ールドでそれぞれパターンを描画し、重ねるものである
。
（作 用）
この描画方法によりつなぎ誤差が分散するので、みかけ
上のパターン精度が向上する。
上のパターン精度が向上する。
（実施例）
本発明の一実施例を第１図（ａ）ないしくｃ）により説
明する。
明する。
第１図（ａ）は、描画用チップパターンデータの要部拡
大平面図で、メインフィールド２ａおよび２ｂの内部に
それぞれパターン６および７と、一点鎖線で描かれたメ
インフィールドのつなぎ部分３にまたがるステージ移動
誤差を含むパターン４がある。
大平面図で、メインフィールド２ａおよび２ｂの内部に
それぞれパターン６および７と、一点鎖線で描かれたメ
インフィールドのつなぎ部分３にまたがるステージ移動
誤差を含むパターン４がある。
これらのパターンを描画する場合、まず第１図（ｂ）に
示すように、左のメインフィールド２ａの描画の際に、
この領域内のパターン６とつなぎ部分にまたがるパター
ン４を、パターンを切らずに偏向で描画する。次に、第
１図（ｃ）に示すように右のメインフィールド２ｂの描
画の際に、この領域内のパターン７とつなぎ部分にまた
がるパターン４をパターンを切らずに偏向で描画する。
示すように、左のメインフィールド２ａの描画の際に、
この領域内のパターン６とつなぎ部分にまたがるパター
ン４を、パターンを切らずに偏向で描画する。次に、第
１図（ｃ）に示すように右のメインフィールド２ｂの描
画の際に、この領域内のパターン７とつなぎ部分にまた
がるパターン４をパターンを切らずに偏向で描画する。
ただし、それぞれの領域内のパターン６および７は適正
ドーズ量Ａで、つなぎ部分にまたがるパターン４は１／
２Ａのドーズ量で行う。パターン４は、つなぎ誤差が０
．１μ■あっても、見かけ上つなぎずれが発生せず、パ
ターン精度が向上する。
ドーズ量Ａで、つなぎ部分にまたがるパターン４は１／
２Ａのドーズ量で行う。パターン４は、つなぎ誤差が０
．１μ■あっても、見かけ上つなぎずれが発生せず、パ
ターン精度が向上する。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明によれば、メインフィール
ドのつなぎ部分にまたがる、ステージ移動誤差を含むパ
ターンは、それぞれのメインフィールドの偏向で重ね描
画することにより、パターン精度が向上する。
ドのつなぎ部分にまたがる、ステージ移動誤差を含むパ
ターンは、それぞれのメインフィールドの偏向で重ね描
画することにより、パターン精度が向上する。
第１図（ａ）ないしくｃ）は本発明による荷電ビームの
描画方法を説明するためのパターンデータの要部拡大平
面図、第２図は従来の描画方法を説明するためのパター
ンデータの平面図である。 １・・・描画用チップパターンデータ、 ２・・・荷
電ビームの偏向範囲、 ３・・・メインフィールドの
つなぎ部分、 ４・・・ステージ移動誤差を含むパター
ン、 ５・・・ステージ移動方向を示す矢印、 ６，７
・・・メインフィールド内のパターン。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 １ 図 ６パターン ７ ノＶターン 口ユー７ 第 ２ 図
描画方法を説明するためのパターンデータの要部拡大平
面図、第２図は従来の描画方法を説明するためのパター
ンデータの平面図である。 １・・・描画用チップパターンデータ、 ２・・・荷
電ビームの偏向範囲、 ３・・・メインフィールドの
つなぎ部分、 ４・・・ステージ移動誤差を含むパター
ン、 ５・・・ステージ移動方向を示す矢印、 ６，７
・・・メインフィールド内のパターン。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 １ 図 ６パターン ７ ノＶターン 口ユー７ 第 ２ 図
Claims (1)
- 荷電ビームの偏向とステージの移動でパターンを描く
荷電ビーム描画方法において、偏向で描くメインフィー
ルドのつなぎ部分にまたがるパターンを、それぞれのメ
インフィールドの偏向により重複して描くことを特徴と
する荷電ビーム描画方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118643A JPH02299220A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 荷電ビーム描画方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1118643A JPH02299220A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 荷電ビーム描画方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02299220A true JPH02299220A (ja) | 1990-12-11 |
Family
ID=14741627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1118643A Pending JPH02299220A (ja) | 1989-05-15 | 1989-05-15 | 荷電ビーム描画方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02299220A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388737B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Exposure method and apparatus |
-
1989
- 1989-05-15 JP JP1118643A patent/JPH02299220A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6388737B1 (en) | 1999-03-15 | 2002-05-14 | Fujitsu Limited | Exposure method and apparatus |
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