JPH02265252A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02265252A JPH02265252A JP1086341A JP8634189A JPH02265252A JP H02265252 A JPH02265252 A JP H02265252A JP 1086341 A JP1086341 A JP 1086341A JP 8634189 A JP8634189 A JP 8634189A JP H02265252 A JPH02265252 A JP H02265252A
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- Japan
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- printed circuit
- resin
- printed
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
プリント基板上に直接搭載したＩＣチップを樹脂封止し
てなる半導体装置の製造方法に関し、プリント基板にＩ
Ｃチップを樹脂封止した後の工程で該プリント基板に他
のデバイスを半田接続する際に発生するＩＣチップの該
プリント基板からの剥離や封止樹脂のクラックを防止す
ることを目的とし、 プリント基板に直接搭載したＩＣチップを樹脂封止した
後、該プリント基板上に搭載する他の電子デバイスの半
田付は作業工程直前に、少なくとも該プリント基板の含
水量が該プリント基板単体時との重量比で０．１３％以
下となるようにベーキング処理を施して構成する。
てなる半導体装置の製造方法に関し、プリント基板にＩ
Ｃチップを樹脂封止した後の工程で該プリント基板に他
のデバイスを半田接続する際に発生するＩＣチップの該
プリント基板からの剥離や封止樹脂のクラックを防止す
ることを目的とし、 プリント基板に直接搭載したＩＣチップを樹脂封止した
後、該プリント基板上に搭載する他の電子デバイスの半
田付は作業工程直前に、少なくとも該プリント基板の含
水量が該プリント基板単体時との重量比で０．１３％以
下となるようにベーキング処理を施して構成する。
〔産業上の利用分野］
本発明はプリント基板上に直接搭載したＩＣチップを樹
脂封止してなる半導体装置に係り、特にプリント基板に
ＩＣチップを樹脂封止した後の工程で該プリント基板に
他の電子デバイスを半田接続する際に発生するＩＣチッ
プの該プリント基板からの剥離や封止樹脂のクラックを
防止して生産性および特性の向上を図った半導体装置の
製造方法に関する。
脂封止してなる半導体装置に係り、特にプリント基板に
ＩＣチップを樹脂封止した後の工程で該プリント基板に
他の電子デバイスを半田接続する際に発生するＩＣチッ
プの該プリント基板からの剥離や封止樹脂のクラックを
防止して生産性および特性の向上を図った半導体装置の
製造方法に関する。
第３図は従来の半導体装置製造方法の一例を示す工程図
であり、第４図は問題点を説明する図である。
であり、第４図は問題点を説明する図である。
工程例を示す第３図はプリント基板上に直接搭載されて
いるＩＣチップを樹脂封止して樹脂封止部を形成した後
、該プリント基板上の所定位置にコネクタや他の電子デ
バイスを半田付けする場合を示したものであり、図では
理解し易くするためコンデンサの如きデバイスを半田接
続する場合について説明する。
いるＩＣチップを樹脂封止して樹脂封止部を形成した後
、該プリント基板上の所定位置にコネクタや他の電子デ
バイスを半田付けする場合を示したものであり、図では
理解し易くするためコンデンサの如きデバイスを半田接
続する場合について説明する。
図（１）で、破線Ａで示す領域はＩＣチップの樹脂封止
領域を、また破線Ｂで示す領域は電子デバイスを半田接
続する領域をそれぞれ示している。
領域を、また破線Ｂで示す領域は電子デバイスを半田接
続する領域をそれぞれ示している。
図で、■はパターン形成された導体２を持つ例えば厚さ
が０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂からなるプリント基
板であり、該プリント基板１の表面所定位置には上記導
体２の所定の電極とワイヤ３で接続された状態にある例
えば−辺が６■程度のＩＣチップ４が図示されない接着
材を介して搭載されている。
が０．５ｍｍのガラスエポキシ樹脂からなるプリント基
板であり、該プリント基板１の表面所定位置には上記導
体２の所定の電極とワイヤ３で接続された状態にある例
えば−辺が６■程度のＩＣチップ４が図示されない接着
材を介して搭載されている。
また図の５は上記の破線Ａで示す領域をカバーする大き
さ（例えば−辺が１２ｆｆ＋ｍ程度）で厚さが０゜７〜
１．０ｍｍのエポキシ樹脂からなる封止材を示している
。
さ（例えば−辺が１２ｆｆ＋ｍ程度）で厚さが０゜７〜
１．０ｍｍのエポキシ樹脂からなる封止材を示している
。
ここで、該封止材５を図示矢印りの如く上記ＩＣチップ
４上の所定位置に載置して悼印方向から見た図（２）に
示す状態とする。
４上の所定位置に載置して悼印方向から見た図（２）に
示す状態とする。
この状態のまま封止材５の部分を１５０〜１７０ ’Ｃ
で加熱すると、該封止材５は軟化してその周囲から垂れ
下がるようになり、結果的に図（３）に示すように上記
ワイヤ３と導体２のボンディング電極部分を含む領域す
なわち図（１）のＡで示す領域が樹脂封止されて樹脂封
止部６を得ることができる。
で加熱すると、該封止材５は軟化してその周囲から垂れ
下がるようになり、結果的に図（３）に示すように上記
ワイヤ３と導体２のボンディング電極部分を含む領域す
なわち図（１）のＡで示す領域が樹脂封止されて樹脂封
止部６を得ることができる。
次いで、図（２）のＢ領域に所定の電子デバイス７を載
置し半田ペースト８を接続部分に塗布した状態で２１５
℃程度の高温状態にあるフロン系液体（例えば商品名：
フロリナート住友３Ｍ■製）９が入れられたチャンバ１
０内の高温のフロンガス９ａで満たされた空間領域にセ
ットし、上記半田ベースト８を融解させて該デバイス７
の導体２に対する半田接続を行うようにしている。
置し半田ペースト８を接続部分に塗布した状態で２１５
℃程度の高温状態にあるフロン系液体（例えば商品名：
フロリナート住友３Ｍ■製）９が入れられたチャンバ１
０内の高温のフロンガス９ａで満たされた空間領域にセ
ットし、上記半田ベースト８を融解させて該デバイス７
の導体２に対する半田接続を行うようにしている。
図（４）はこの状態を示したものであり、その後該チャ
ンバ１０から取り出すことによって図（５）に示す如く
樹脂封止された所要の樹脂封止部６および電子デバイス
７が搭載された回路基板１１を得ることができる。
ンバ１０から取り出すことによって図（５）に示す如く
樹脂封止された所要の樹脂封止部６および電子デバイス
７が搭載された回路基板１１を得ることができる。
一方、プリント基板上に樹脂封止された樹脂封止部を形
成した移譲プリント基板にコネクタや他のデバイス等を
半田接続にて搭載するには、上述の如く−例えば高温の
フロンガス雰囲気中に曝す等の方法で加熱する必要があ
るが、この際の熱でｒＣチップが該プリント基板から剥
離したり封止樹脂にクラックが発生することがある。
成した移譲プリント基板にコネクタや他のデバイス等を
半田接続にて搭載するには、上述の如く−例えば高温の
フロンガス雰囲気中に曝す等の方法で加熱する必要があ
るが、この際の熱でｒＣチップが該プリント基板から剥
離したり封止樹脂にクラックが発生することがある。
問題点を示す第４図はこれらの不具合状態を示したもの
で、主要部である樹脂封止部分を断面で表わしている。
で、主要部である樹脂封止部分を断面で表わしている。
図（イ）は正常な状態にある樹脂封止部を示したもので
、ｌがプリント基板、２が導体、３がワイヤ、４がＩＣ
チップ、５が封止材をそれぞれ表わしており、これらの
各構成要素によって正常な樹脂封止部６が形成されてい
ることは第３図の場合と同様である。
、ｌがプリント基板、２が導体、３がワイヤ、４がＩＣ
チップ、５が封止材をそれぞれ表わしており、これらの
各構成要素によって正常な樹脂封止部６が形成されてい
ることは第３図の場合と同様である。
この場合には、導体２を含むＩＣチ・ンプ４の周囲が封
止材５で完全に覆われているため、安定した特性を持つ
樹脂封止部６が形成されている。
止材５で完全に覆われているため、安定した特性を持つ
樹脂封止部６が形成されている。
また図（ロ）は該樹脂封止部６の周囲にＩＣチップ４に
達するクラック６ａが発生した状態を表わしたもので、
この場合には内存するＩＣチップ４やワイヤ３が部分的
に露出することから特性の低下を誘起すると共に、例え
ばワイヤ３の切断やボンディング部分の剥離の如く露出
部分が損なわれる危険がある。
達するクラック６ａが発生した状態を表わしたもので、
この場合には内存するＩＣチップ４やワイヤ３が部分的
に露出することから特性の低下を誘起すると共に、例え
ばワイヤ３の切断やボンディング部分の剥離の如く露出
部分が損なわれる危険がある。
更に図（ハ）は該樹脂封止部６の裏面すなわちプリント
基板１側で該プリント基板ｌがＩＣチップ４から剥離し
て膨れ上がり該プリント基板１とＩＣチップ４との間に
隙間６ｂが発生した状態を示したもので、この場合には
樹脂材５による封止が不完全になって特性が低下したり
破壊する危険がある。
基板１側で該プリント基板ｌがＩＣチップ４から剥離し
て膨れ上がり該プリント基板１とＩＣチップ４との間に
隙間６ｂが発生した状態を示したもので、この場合には
樹脂材５による封止が不完全になって特性が低下したり
破壊する危険がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の半導体装置の製造方法では、後工程での半田付は
作業工程で該樹脂封止部にクラックが生じたりプリント
基板が変形して膨れあがる等の問題があった。
作業工程で該樹脂封止部にクラックが生じたりプリント
基板が変形して膨れあがる等の問題があった。
［課題を解決するための手段］
上記問題点は、プリント基板に直接搭載したＩＣチップ
を樹脂封止した後、 該プリント基板上に搭載する他の電子デバイスの半田付
は作業工程直前に、少なくとも該プリント基板の含水量
が該プリント基板単体時との重量比で０．１３％以下と
なるようにベーキング処理を施す半導体装置の製造方法
によって解決される。
を樹脂封止した後、 該プリント基板上に搭載する他の電子デバイスの半田付
は作業工程直前に、少なくとも該プリント基板の含水量
が該プリント基板単体時との重量比で０．１３％以下と
なるようにベーキング処理を施す半導体装置の製造方法
によって解決される。
〔作 用］
プリント基板に樹脂封止部を形成した後のデバイス半田
付は作業時の熱によるクラック発生や、核熱によるプリ
ント基板の膨れ等の変形は、該プリント基板に含まれる
水分が気化して体積が膨張することにに起因し、更に該
プリント基板の含水量が該プリント基板単体時との重量
比で０．１３％以下になると上記の如き不具合現象が発
生しないことが確認できた。
付は作業時の熱によるクラック発生や、核熱によるプリ
ント基板の膨れ等の変形は、該プリント基板に含まれる
水分が気化して体積が膨張することにに起因し、更に該
プリント基板の含水量が該プリント基板単体時との重量
比で０．１３％以下になると上記の如き不具合現象が発
生しないことが確認できた。
本発明では、プリント基板に所要の樹脂封止部を形成し
た移譲プリント基板ごとベーキング処理を施して該プリ
ント基板の含水量をほぼ零とし、その状態で他の電子デ
バイスの半田付は作業を実施するように半導体装置の製
造方法を構成している。
た移譲プリント基板ごとベーキング処理を施して該プリ
ント基板の含水量をほぼ零とし、その状態で他の電子デ
バイスの半田付は作業を実施するように半導体装置の製
造方法を構成している。
従って、半田付は作業による熱が付加されてもクランク
の発生がなくまたプリント基板の変形も発生しない半導
体装置を得ることができる。
の発生がなくまたプリント基板の変形も発生しない半導
体装置を得ることができる。
第１図は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
工程図であり、第２図はプリント基板含水量限定の根拠
を説明する図である。
工程図であり、第２図はプリント基板含水量限定の根拠
を説明する図である。
第１図で、（Ａ）は第３図（１）〜（３）で説明した工
程でプリント基Ｆｉｌ上に樹脂封止部６が形成された状
態を示している。
程でプリント基Ｆｉｌ上に樹脂封止部６が形成された状
態を示している。
なお回の破線で示す領域Ｂは第３図同様に電子デバイス
を搭載する領域である。
を搭載する領域である。
ここでその状態のまま図（Ｂ）に示す恒温槽１５にセッ
トし、１２５°Ｃ中に１２〜２４時間放置するベーキン
グ処理を施してプリント基板１に含まれる水分を除去す
る。
トし、１２５°Ｃ中に１２〜２４時間放置するベーキン
グ処理を施してプリント基板１に含まれる水分を除去す
る。
次いで一旦取り出した後、該プリント基板上の所定位置
すなわち図（Ａ）の領域Ｂに電子デバイス７を載置し更
に該プリント基板１の導体２との接続部分に半田ペース
ト８を塗布して図（Ｃ）に示す状態とする。
すなわち図（Ａ）の領域Ｂに電子デバイス７を載置し更
に該プリント基板１の導体２との接続部分に半田ペース
ト８を塗布して図（Ｃ）に示す状態とする。
ここで図（Ｄ）に示すように、第３図（４）と同様に構
成されたチャンバ１０内の高温のフロンガス９ａ雰囲気
中にセットして上記電子デバイス７の半田接続を実施す
るようにしている。
成されたチャンバ１０内の高温のフロンガス９ａ雰囲気
中にセットして上記電子デバイス７の半田接続を実施す
るようにしている。
この場合、図（Ｂ）の恒温槽１５から取り出してから図
（Ｄ）に示すチャンバｌＯに投入するまでの間はプリン
ト基板１は通常雰囲気中に曝されているためこの間に該
プリント基板１が吸湿する。
（Ｄ）に示すチャンバｌＯに投入するまでの間はプリン
ト基板１は通常雰囲気中に曝されているためこの間に該
プリント基板１が吸湿する。
従ってこの間の時間はできるだけ短い方が望ましく、通
常は２〜３時間程度以内をめどとしている。
常は２〜３時間程度以内をめどとしている。
かかる半導体装置の製造方法では、プリント基板１に含
まれる水分がほぼ全部除去された状態で半田付は作業を
行うことができるため、該作業時の熱によって樹脂封止
部にクラックが発生することがなくまたプリント基板自
体に膨れ等の変形が生ずることがない。
まれる水分がほぼ全部除去された状態で半田付は作業を
行うことができるため、該作業時の熱によって樹脂封止
部にクラックが発生することがなくまたプリント基板自
体に膨れ等の変形が生ずることがない。
プリント基板含水量限定の根拠を説明する第２図は、横
軸Ｘに時間を日数でまた縦軸Ｙにはプリント基板単体時
の重量と含水量との比を含水率として％でとったグラフ
であり、各カーブｃ 、、 ｃ ｚ。
軸Ｘに時間を日数でまた縦軸Ｙにはプリント基板単体時
の重量と含水量との比を含水率として％でとったグラフ
であり、各カーブｃ 、、 ｃ ｚ。
ｃ３は当初含水率“０″のプリント基板を三種類の異な
る雰囲気中に曝した場合の吸水の度合を時間経過で示し
たものである。
る雰囲気中に曝した場合の吸水の度合を時間経過で示し
たものである。
なお、カーブｃ１は温度２５°Ｃ１湿度４５％Ｒ，Ｈ。
の通常室内に放置した場合を、カーブＣ２は温度２５°
Ｃ１湿度６０％Ｒ，Ｈ，の雰囲気に、またカーブＣ１は
温度３０″Ｃ９湿度８０％Ｒ，Ｈ，の雰囲気にそれぞれ
放置したときの実験結果である。
Ｃ１湿度６０％Ｒ，Ｈ，の雰囲気に、またカーブＣ１は
温度３０″Ｃ９湿度８０％Ｒ，Ｈ，の雰囲気にそれぞれ
放置したときの実験結果である。
また各カーブ上の・で示す点は、該当する条件で抽出し
たプリント基板を使用し第３図で説明した工程で半田付
は作業を行ったときに、樹脂封止部のクラックやプリン
ト基板の膨れ等の変形（以下不具合点とする）が発生し
なかった場合を示しており、また各カーブ上の×で示す
点は、該当条件で抽出したプリント基板を使用したとき
に前述の不具合点が発生したことを示している。
たプリント基板を使用し第３図で説明した工程で半田付
は作業を行ったときに、樹脂封止部のクラックやプリン
ト基板の膨れ等の変形（以下不具合点とする）が発生し
なかった場合を示しており、また各カーブ上の×で示す
点は、該当条件で抽出したプリント基板を使用したとき
に前述の不具合点が発生したことを示している。
例えば、カーブＣ０では２１点すなわち含水率０．０８
４％の場合とＰ２点すなわち含水率０．１３％の場合で
は前述の不具合点が発生しないが、９８点すなわち含水
率０．１７％の場合では上記不具合点が発生することを
表わしている。
４％の場合とＰ２点すなわち含水率０．１３％の場合で
は前述の不具合点が発生しないが、９８点すなわち含水
率０．１７％の場合では上記不具合点が発生することを
表わしている。
同様にカーブＣ２では、２３点すなわち含水率０．１３
２％の場合は不具合点が発生しないが、含水率０．１９
４％の９３点以降では不具合点が発生することを示して
いる。
２％の場合は不具合点が発生しないが、含水率０．１９
４％の９３点以降では不具合点が発生することを示して
いる。
カーブｃ３の場合も同様である。
従って、各カーブｃ１．ｃ２’、ｃ、上のＰｌ−Ｑｚ−
各点の存在領域から、少なくとも半田付は作業時のプリ
ント基板の上記含水率を０．１３％以下にすれば半田付
は作業時の熱による上記不具合点の発生のない半導体装
置を得ることができる。
各点の存在領域から、少なくとも半田付は作業時のプリ
ント基板の上記含水率を０．１３％以下にすれば半田付
は作業時の熱による上記不具合点の発生のない半導体装
置を得ることができる。
なお上記の各カーブｃｌ、ｃｚ、ｃ３から、第１図で説
明した工程の図（Ｂ）から図（Ｄ）に到る時間の限度を
ほぼ決定することができる。
明した工程の図（Ｂ）から図（Ｄ）に到る時間の限度を
ほぼ決定することができる。
上述の如く本発明により、プリント基板に樹脂封止部を
形成した後の電子デバイス半田付は工程で、該プリント
基板が変形してＩＣチ・ツブが該プリント基板から剥離
したりまた封止樹脂にクラ・ンクが発生する等の不具合
点が生ずることのない半導体装置を提供することができ
る。
形成した後の電子デバイス半田付は工程で、該プリント
基板が変形してＩＣチ・ツブが該プリント基板から剥離
したりまた封止樹脂にクラ・ンクが発生する等の不具合
点が生ずることのない半導体装置を提供することができ
る。
第１回は本発明になる半導体装置の製造方法を説明する
工程図、 第２回はプリント基板含水量限定の根拠を説明する図、 第３図は従来の半導体装置製造方法の一例を示す工程図
、 第４図は問題点を説明する図、 である。図において、 １はプリント基板、 ４はＩＣチップ、６は樹脂封
止部、 ７は電子デバイス、８は半田ペースト、
９ａはフロンガス、１０はチャンバ、 １５
は恒温槽、をそれぞれ表わす。 （Ｂ） （Ｄ） 晃 １ 図 （？≦） （ｆ） １プリント昼木反 ｒ５是豆ぐ文と空ジＢ月Ｔ５ 辰口
工程図、 第２回はプリント基板含水量限定の根拠を説明する図、 第３図は従来の半導体装置製造方法の一例を示す工程図
、 第４図は問題点を説明する図、 である。図において、 １はプリント基板、 ４はＩＣチップ、６は樹脂封
止部、 ７は電子デバイス、８は半田ペースト、
９ａはフロンガス、１０はチャンバ、 １５
は恒温槽、をそれぞれ表わす。 （Ｂ） （Ｄ） 晃 １ 図 （？≦） （ｆ） １プリント昼木反 ｒ５是豆ぐ文と空ジＢ月Ｔ５ 辰口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 プリント基板（１）に直接搭載したＩＣチップ（４）を
樹脂封止した後、 該プリント基板（１）上に搭載する他の電子デバイスの
半田付け作業工程直前に、少なくとも該プリント基板（
１）の含水量が該プリント基板単体時との重量比で０．
１３％以下となるようにベーキング処理を施すことを特
徴とした半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086341A JP2551141B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1086341A JP2551141B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02265252A true JPH02265252A (ja) | 1990-10-30 |
| JP2551141B2 JP2551141B2 (ja) | 1996-11-06 |
Family
ID=13884153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1086341A Expired - Lifetime JP2551141B2 (ja) | 1989-04-05 | 1989-04-05 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2551141B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226145A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置の実装方法 |
-
1989
- 1989-04-05 JP JP1086341A patent/JP2551141B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60226145A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置の実装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2551141B2 (ja) | 1996-11-06 |
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