JPH0334358A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0334358A JPH0334358A JP1169501A JP16950189A JPH0334358A JP H0334358 A JPH0334358 A JP H0334358A JP 1169501 A JP1169501 A JP 1169501A JP 16950189 A JP16950189 A JP 16950189A JP H0334358 A JPH0334358 A JP H0334358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- outer leads
- heat resistant
- leads
- resin
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関する。
一般に、ＱＥＰやＳＯＰと呼ばれるガルウィング状の外
部リードを有する樹脂封止型のＴＣの組立工程において
は、第７図に示すように、リードフレームｊ上にマウン
ト、ポンディングされた半導体チップを樹脂封止した後
、樹脂ダム部７及びダイパ一部６を切断除去し、外部リ
ード３に半田メツキを施している。
部リードを有する樹脂封止型のＴＣの組立工程において
は、第７図に示すように、リードフレームｊ上にマウン
ト、ポンディングされた半導体チップを樹脂封止した後
、樹脂ダム部７及びダイパ一部６を切断除去し、外部リ
ード３に半田メツキを施している。
従来、その後工程としては、第８図に示すように、外部
リード３の先端部を切断し、外部リード３をガルウィン
グ状に成形後、封止パッケージ２をリードフレーム１に
連結支持している吊りリード５の切断を行なって、第９
図に示すようなガルウィング状の外部リード３を有する
個片のパッケージに分離した状態にて電気特性試験を行
なっている。
リード３の先端部を切断し、外部リード３をガルウィン
グ状に成形後、封止パッケージ２をリードフレーム１に
連結支持している吊りリード５の切断を行なって、第９
図に示すようなガルウィング状の外部リード３を有する
個片のパッケージに分離した状態にて電気特性試験を行
なっている。
上述した従来のＩＣの組立方法では、外部リードを切断
、成形した後電気特性試験を行なうため、試験時に外部
リードに何回か直接接触するコンタクト端子により外部
リードが変形することがあり、更にＩＣはリードフレー
ムより分離されて個片状態にて選別工程を流れるため、
ハンドリング時に外部リードの変形が発生し易く、外部
リードの横曲がりや先端の浮きが生じＱＥＰやＳＯＰの
ような表面実装型ＩＣに重要な外部リードの平坦性（以
下コブラナリティと記す）が損なわれるという欠点があ
る。
、成形した後電気特性試験を行なうため、試験時に外部
リードに何回か直接接触するコンタクト端子により外部
リードが変形することがあり、更にＩＣはリードフレー
ムより分離されて個片状態にて選別工程を流れるため、
ハンドリング時に外部リードの変形が発生し易く、外部
リードの横曲がりや先端の浮きが生じＱＥＰやＳＯＰの
ような表面実装型ＩＣに重要な外部リードの平坦性（以
下コブラナリティと記す）が損なわれるという欠点があ
る。
特に、近年、高密度実装の要求により更に多ピン化、小
型化をはかるため、外部リードのファインピッチ化が進
み、リード間ピッチが０．６５ｍｍ以下のＩＣが増加す
る傾向にあり、ブリット基板上にスクリーン印刷する際
の半田ペースト厚は半田ブリッジを防止するため薄くせ
ざるを得す、半田付は性を向上するためにコブラナリテ
ィは０６１ｍｍ以下が必要であり、ファインピッチ化に
より更に小さな値に押えていく必要がある。
型化をはかるため、外部リードのファインピッチ化が進
み、リード間ピッチが０．６５ｍｍ以下のＩＣが増加す
る傾向にあり、ブリット基板上にスクリーン印刷する際
の半田ペースト厚は半田ブリッジを防止するため薄くせ
ざるを得す、半田付は性を向上するためにコブラナリテ
ィは０６１ｍｍ以下が必要であり、ファインピッチ化に
より更に小さな値に押えていく必要がある。
又、外部リードの強度もファインピッチ化に伴ない、リ
ード幅が小さくなるため従来に比較して弱くなる傾向に
あり、外部からの接触に対して容易にリード変形を起こ
し易く、益々外部リードの横曲がりやコプラナリティ悪
化を招き、電気特性試験後の外部りの横曲がりやコプラ
ナリティの検査及び修正に多大な工数を費やすという問
題がある。
ード幅が小さくなるため従来に比較して弱くなる傾向に
あり、外部からの接触に対して容易にリード変形を起こ
し易く、益々外部リードの横曲がりやコプラナリティ悪
化を招き、電気特性試験後の外部りの横曲がりやコプラ
ナリティの検査及び修正に多大な工数を費やすという問
題がある。
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、リードフ
レームに半導体チップを固着し、結線し、樹脂封止した
後のリードフレームの外部リードに絶縁性を有する耐熱
薄板を耐熱樹脂にて接着して連結した状態にて外部リー
ドの先端を切断し、リードフレーム状にて電気的特性試
験を行なった後、外部ｆノードの成形及び前記耐熱薄板
を含む外部リードを切断、除去することを特徴とする。
レームに半導体チップを固着し、結線し、樹脂封止した
後のリードフレームの外部リードに絶縁性を有する耐熱
薄板を耐熱樹脂にて接着して連結した状態にて外部リー
ドの先端を切断し、リードフレーム状にて電気的特性試
験を行なった後、外部ｆノードの成形及び前記耐熱薄板
を含む外部リードを切断、除去することを特徴とする。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例である絶縁耐熱薄板を接
着した状態のリードフレームの平面図、第２図は外部リ
ード先端を切断した状態のリードフレームの平面図、第
３図は外部リードの成形を行なったＩＣの斜視図、第４
図は絶縁耐熱薄板を切断除去した後のＩＣの斜視図であ
る。
着した状態のリードフレームの平面図、第２図は外部リ
ード先端を切断した状態のリードフレームの平面図、第
３図は外部リードの成形を行なったＩＣの斜視図、第４
図は絶縁耐熱薄板を切断除去した後のＩＣの斜視図であ
る。
まず、第１図に示すように樹脂封止を行なったリードフ
レーム１において、外部リード３上に各辺ごとに該外部
リード３を連結するようにポリイシド等の絶縁性を有す
る耐熱薄板４を耐熱樹脂により接着する。樹脂ダム部７
及びダイパ一部６を切断除去し、外部リード３の表面に
半田メツキを施した後、第２図に示すように、絶縁耐熱
薄板４より外側に位置する外部リード３をある一定幅に
て切断し、リードフレーム１より分離する。この際、外
部リード３は各辺ごとに絶縁耐熱薄板４のみにて連結支
持された状態となる。封止パッケージ２は各コーナに設
けられた吊りリード５のみによりリードフレーム１に連
結支持されており、この状態にて外部リード３にコンタ
クト端子を接触させ電気的特性試験を行ない良品、不良
品に選別する。良品のＩＣにおいては、第３図に示すよ
うに、外部リード３を絶縁耐熱薄板４にて連結した状態
にてガルウィング状に成形し、最後に外部リード３の先
端部を切断して絶縁耐熱薄板４を除去し、第４図に示す
ような所望の寸法及び形状を得る。
レーム１において、外部リード３上に各辺ごとに該外部
リード３を連結するようにポリイシド等の絶縁性を有す
る耐熱薄板４を耐熱樹脂により接着する。樹脂ダム部７
及びダイパ一部６を切断除去し、外部リード３の表面に
半田メツキを施した後、第２図に示すように、絶縁耐熱
薄板４より外側に位置する外部リード３をある一定幅に
て切断し、リードフレーム１より分離する。この際、外
部リード３は各辺ごとに絶縁耐熱薄板４のみにて連結支
持された状態となる。封止パッケージ２は各コーナに設
けられた吊りリード５のみによりリードフレーム１に連
結支持されており、この状態にて外部リード３にコンタ
クト端子を接触させ電気的特性試験を行ない良品、不良
品に選別する。良品のＩＣにおいては、第３図に示すよ
うに、外部リード３を絶縁耐熱薄板４にて連結した状態
にてガルウィング状に成形し、最後に外部リード３の先
端部を切断して絶縁耐熱薄板４を除去し、第４図に示す
ような所望の寸法及び形状を得る。
本発明においては、ＩＣを絶縁耐熱薄板にて各辺ごとの
外部リードを常に連結支持した状態にて、電気的特性試
験及びリード成形の様に直接外部リードに接触する際に
リード変形を発生させていた工程を流すことにより工程
中のリード曲がりや外部リード先端のばらつきを防止で
き、コブラナリティ等の向上により実装時の安定性の向
上を図ることができる。第５図は本発明の第２の実施例
である絶縁耐熱薄板を接着した状態のリードフレームの
平面図、第６図は外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図である。
外部リードを常に連結支持した状態にて、電気的特性試
験及びリード成形の様に直接外部リードに接触する際に
リード変形を発生させていた工程を流すことにより工程
中のリード曲がりや外部リード先端のばらつきを防止で
き、コブラナリティ等の向上により実装時の安定性の向
上を図ることができる。第５図は本発明の第２の実施例
である絶縁耐熱薄板を接着した状態のリードフレームの
平面図、第６図は外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図である。
第２の実施例においては、樹脂封止後のリードフレーム
１の外部リード３上に四角の枠状の絶縁耐熱薄板８を耐
熱樹脂により接着固定する。樹脂ダム部７及びダイパ一
部６を切断除去し、外部リード３の表面に半田メツキを
施した後、第６図に示すように、外部リード３の先端部
を切断した状態にて電気的特性試験を行なう。この場合
は、絶縁耐熱薄板８が各辺の外部リード３のみでなく、
リードフレームｌ上にも接着固定されているため、外部
リード３は横方向、上下方向共しっかりと固定されてお
り、工程中のいかなる外部リード３への接触に対しても
変形を防止できるという利点がある。
１の外部リード３上に四角の枠状の絶縁耐熱薄板８を耐
熱樹脂により接着固定する。樹脂ダム部７及びダイパ一
部６を切断除去し、外部リード３の表面に半田メツキを
施した後、第６図に示すように、外部リード３の先端部
を切断した状態にて電気的特性試験を行なう。この場合
は、絶縁耐熱薄板８が各辺の外部リード３のみでなく、
リードフレームｌ上にも接着固定されているため、外部
リード３は横方向、上下方向共しっかりと固定されてお
り、工程中のいかなる外部リード３への接触に対しても
変形を防止できるという利点がある。
以上説明したように、本発明は樹脂封止後に絶縁耐熱薄
板を耐熱樹脂にて外部リード上に接着し、外部リード先
端をリードフレームより切断した後もこの絶縁耐熱薄板
により各週単位で外部リードを連結固定した状態にて、
電気的特性試験やり−ド成形の様に直接外部リードに接
触する工程を流すことにより接触時やハンドリング時の
リード変形を防止することができる、リード横曲がりを
なくし、コブラナリティを向上させることが可能となる
効果がある。
板を耐熱樹脂にて外部リード上に接着し、外部リード先
端をリードフレームより切断した後もこの絶縁耐熱薄板
により各週単位で外部リードを連結固定した状態にて、
電気的特性試験やり−ド成形の様に直接外部リードに接
触する工程を流すことにより接触時やハンドリング時の
リード変形を防止することができる、リード横曲がりを
なくし、コブラナリティを向上させることが可能となる
効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例である絶縁耐熱薄板を接
着した状態のリードフレームの平面図、第２図は本発明
の第１の実施例の外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図、第３図は本発明の第１の実施例の
外部リードの成形を行なったＩＣの斜視図、第４図は本
発明の第１の実施例の絶縁耐熱薄板を切断除去した後の
ＩＣの斜視図、第５図は本発明の第２の実施例の絶縁耐
熱薄板を接着した状態のリードフレームの平面図、第６
図は本発明の第２の実施例の外部リード先端を切断した
状態のリードフレームの平面図、第７図は従来の樹脂封
止後のリードフレームの平面図、第８図は従来の外部リ
ード先端を切断した状態のリードフレームの平面図、第
９図は従来の外部リードの成形後のＩＣの斜視図である
。 ■・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・封止パ
ッケージ、３・・・・・・外部リード、４・・・・・・
絶縁耐熱薄板、５・・・・・・吊りリード、６・・・・
・・ダイパ一部、７・・・・・・樹脂ダム部、８・・・
・・・絶縁耐熱薄板。
着した状態のリードフレームの平面図、第２図は本発明
の第１の実施例の外部リード先端を切断した状態のリー
ドフレームの平面図、第３図は本発明の第１の実施例の
外部リードの成形を行なったＩＣの斜視図、第４図は本
発明の第１の実施例の絶縁耐熱薄板を切断除去した後の
ＩＣの斜視図、第５図は本発明の第２の実施例の絶縁耐
熱薄板を接着した状態のリードフレームの平面図、第６
図は本発明の第２の実施例の外部リード先端を切断した
状態のリードフレームの平面図、第７図は従来の樹脂封
止後のリードフレームの平面図、第８図は従来の外部リ
ード先端を切断した状態のリードフレームの平面図、第
９図は従来の外部リードの成形後のＩＣの斜視図である
。 ■・・・・・・リードフレーム、２・・・・・・封止パ
ッケージ、３・・・・・・外部リード、４・・・・・・
絶縁耐熱薄板、５・・・・・・吊りリード、６・・・・
・・ダイパ一部、７・・・・・・樹脂ダム部、８・・・
・・・絶縁耐熱薄板。
Claims (1)
- リードフレームに半導体チップを固着し、結線して樹脂
封止した後のリードフレームの外部リードに絶縁性を有
する耐熱薄板を耐熱樹脂にて接着し、外部リード先端切
断後は前記耐熱薄板にて外部リードを連結した状態にて
電気的特性試験及び外部リードの成形を行ない、最終工
程にて前記耐熱薄板を切断除去することを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169501A JP2504194B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1169501A JP2504194B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0334358A true JPH0334358A (ja) | 1991-02-14 |
| JP2504194B2 JP2504194B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=15887689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1169501A Expired - Fee Related JP2504194B2 (ja) | 1989-06-29 | 1989-06-29 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2504194B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590479A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのパツケージ |
| CN112397471A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种sop封装结构及封装方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS6124261A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS6489354A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Flat package |
-
1989
- 1989-06-29 JP JP1169501A patent/JP2504194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5381073A (en) * | 1976-12-27 | 1978-07-18 | Hitachi Ltd | Oroduction of resin seal type semiconductor device and lead frame used the same |
| JPS6124261A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Nec Corp | リ−ドフレ−ム |
| JPS6489354A (en) * | 1987-09-29 | 1989-04-03 | Nec Corp | Flat package |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590479A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nec Kyushu Ltd | Ｉｃのパツケージ |
| CN112397471A (zh) * | 2019-08-16 | 2021-02-23 | 珠海格力电器股份有限公司 | 一种sop封装结构及封装方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2504194B2 (ja) | 1996-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5440452A (en) | Surface mount components and semifinished products thereof | |
| US5375320A (en) | Method of forming "J" leads on a semiconductor device | |
| JPH0546045U (ja) | 半導体パツケージ | |
| US5541447A (en) | Lead frame | |
| WO1999054932A1 (en) | Leadless array package | |
| US6078099A (en) | Lead frame structure for preventing the warping of semiconductor package body | |
| JP4157715B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW200405537A (en) | Lead frame, and method for manufacturing semiconductor device and method for inspecting electrical properties of small device using the lead frame | |
| US5196992A (en) | Resin sealing type semiconductor device in which a very small semiconductor chip is sealed in package with resin | |
| JPH0334358A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH09330962A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JPH0661378A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2669756B2 (ja) | 表面実装部品及びその半製品 | |
| JP2839686B2 (ja) | フィルムキャリヤテープおよびこのフィルムキャリヤテープを用いた半導体装置 | |
| KR0155441B1 (ko) | 지지바를 이용한 다이패드구조로 이루어지는 반도체패키지 | |
| JPH07130937A (ja) | 表面実装型半導体装置およびその製造に用いるリードフレーム | |
| KR100247908B1 (ko) | 반도체장치 | |
| JP2000252404A (ja) | 半導体パッケージ及びその製造方法 | |
| KR100546697B1 (ko) | 반도체 패키지의 와이어 오픈/쇼트 테스터 | |
| JPH0794674A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3024046B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH05291739A (ja) | 接続用端子及びこれを用いた装置の接続方法 | |
| JPH0574982A (ja) | 半導体パツケージ | |
| JPH0547835A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH04280439A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |