JPH02265314A - 半導体集積回路における入力回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分骨〕 この発明は、半導体集積回路における入力回路に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第３図は、従来の半導体集積回路の入力回路の構成例を
示す回路図で、（１）は外部端子、（６Ｊは内部回路、
（７）は入力信号、（８）はインバータの出力、α刀は
インバータである。

第４図は、第３図の外部端子（１）に入る入力信号（７
）とインバータの出力（８）を示す波形図である。以下
、第３図及び第４図によって動作の説明をする。

、外部端子（１）から入った入力信ｆ’ｒ　（７）が、
インバータＯの持つしきい値によりＨｉｇｈ又はＬｏｗ
　のインバータの出力（８月こ変換され、内部回路（６
）へ出力される。第４図は、この様子を示しており、仮
にインバータ（ロ）のしきい値をｏ、５ｖｎｏとすると
、入力信号（７）がインバータ仙のしきい値であるｏ　
、５ＶＤＤより大きいとき、インバータの出力（８）は
Ｈｉｇｈとなり入力信号（７）がインバータ（ロ）のし
きい値より小さいとき、インバータの出力（８）はＬｏ
ｗとなる。

〔発明が解決しようとする課題〕

例としてコンデンサＣと抵抗Ｒを用いたＣＲリセット回
路において、このコンデンサに充電された電荷が、バイ
パスコンデンサなどのために電池交換の際に放電しきら
ないものとする。そのときＣＲリセット回路のコンデン
サの端子電圧が、リセット回路のしきい値電圧より高い
ことがあり、電池交換したにも拘わらずリセットが掛か
らない。

逆に、リセット回路のしきい値定圧が高いとバッテリバ
ックアップなどのアプリケーションでは電圧の低くなっ
たバッテリから商用電源（一般にバックアップ用バッテ
リの電圧よりも高い）ｌこ切り換わるとき、リセットが
掛かつてしまうことがある。

このような不都答に対してインバータのしきい値を変更
したい場合、インバータのしきい値は固定されているた
め変更することができなかった。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、インバータの構造を変えることによりインバ
ータのしきい値の変更を可能とすることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る半導体回路における入力回路は、インバ
ータを構成するトランジスタを組み換える切り換え回路
を設けたものである。

〔作用〕

この発明における半導体回路の入力回路はインバータを
構成するトランジスタを組み換える切り換え回路を選択
信号によりトランジスタの組み換えを行い、インバータ
のしきい値の変更を可能とする。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図によって説明する。第１
図は半導体集積回路の入力回路の構成を示す回路図であ
る。図において（１）　、　（６３、（７）　、　（８
）は第３図の従来例に示したものと同等であるので説明
を省略する。（２）はインバータ、（３）はトランジス
タＡ、（４）はトランジスタＢ、（５）は切り換え回路
、（９）、σＯは選択信号である。第２図（ａ）〜（ｄ
）は、第１図の外部端子（１）に入る入力信号（７）と
インバータの出力（８）の関係を示す波形図である。以
下、第１図及び第２図によって動作の説明をする。

いま入力信号（７）が第２図（ａ）４こ示すごとき波形
であるとする。選択信号（９〕、σＱによって切り換え
回路（５）のトランジスタＡ（３）とトランジスタＢ（
４）をそれぞれＯＦＦ　Ｌ／たときのインバータ（２）
のしきい値を電源電圧ＶＤＤの１／２とする。インバー
タ（２］のしきい値よりも入力信号（７）が大きい場合
、第２図（ｂ）に示すごとくインバータの出力（８］は
Ｈｉｇｈとなり、逆にしきい値よりも入力信号（７）が
小さい場合、インバータの出力（８）はＬＯＷとなる。

選択信号＜９７　、　（ＪＱによって切り換え回路（５
）のトランジスタＡ（３）をＯＦＦ、トランジスタＢ（
４）をＯＮＬ、たときのインバータ（２）のしきい値が
０．４ＶＤＤとなるものとすると、入力信号（７）Ｇこ
対してインバータの出力（８）は第２図（ｃ）に示す波
形となる。

選択信号（ｌｌ）　、　（１０によって切り換え回路（
５）のトランジスタＡ（３）をＯＮ、トランジスタＢ（
４）をＯＦＦ　Ｌ、たときのインバータ（２）のしきい
値が０．３ＶＤＤとなるものとすると、入力信号（７）
に対してインバータの出力（８）は第２図（ｄ）に示す
波形となる。

上記の３つの場合のインバータの出力（３）は内部回路
（６１へ伝えられる。

〔発明の効果〕

以上のように、インバータの構造を変えることができる
ため、インバータのしきい値を変更することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による半導体集積回路の入
力回路構成を示す回路図、第２図（ａ）〜（ｄ）は第１
図の回路における入力信号とインバータの出力の関係を
示す波形図、第３図は従来の半導体集積回路の入力回路
の構成を示す回路図、第４図は第３図の入力信号とイン
バータの出力の関係を示す波形図である。 図において（１）は外部端子、（２）はインバータ、（
３）はトランジスタＡ、（４）はトランジスタＢ１（５
）は切り換え回路、（６７は内部回路、（７ンは入力信
号、（８月よインバータの出力、（９）　、　（ＩＧは
選択信号である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体集積回路の入力回路において、外部端子より入る
   入力信号を受信するインバータのしきい値が、インバー
   タの構造をソフト的にプログラムすることで変化させる
   ことができるインバータと、上記インバータの構造を変
   えるための切り換え回路とを設けたことを特徴とする半
   導体集積回路における入力回路。