JPH02266583A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、単一縦モードで発振するＡｆＬＧａＡｓ系
半導体レーザ装置、特にゲイン・カプルト・タイプ（Ｇ
ａｉｎ ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｙｐｅ）半導体レーザ装置
およびその製造方法に関するものである。
半導体レーザ装置、特にゲイン・カプルト・タイプ（Ｇ
ａｉｎ ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｙｐｅ）半導体レーザ装置
およびその製造方法に関するものである。
（従来の技術・その解決すべき課題）
第３図（ａ）は例えば特開昭６０−６６４８４号公報に
示されているような従来のインデックス・カブルト・タ
イプ（ｉｎｄｅｘ ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｙｐｅ）の分布
帰還形（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ
：以下ＤＦＢと称す）半導体レーザ装置を示す図である
。同図で、 （２１）はｎ型（以下ではｎ−と記す）
ＧａＡｓ基板、（２２）は基板（２１）上に設けられた
ｎ ＡｊＬ ｏ４Ｇａｏ、 ａ＾Ｓ第１クラッド層
、 （２３）は第１クラッド層（２２）上に設けられた
真性（以下ではＩ−と記す） Ａ！；ＬＯ，ｔＧａｏ
、 ｓＡｓ活性層、（２４）は活性Ｆ＃ （２３）上に
設けられたｐ型（以下ではｐ−と記す） Ａｎ ｏ、
ｆｆ１ｓｃａｏ、 ｔ５ＡＳ光ガイド層、 （２５）
は光ガイド層（２４）上に設けられたｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層である。後程第３図（ｂ）に関して述べるように
、ｐ−Ａｌ１゜、□Ｇａｏ、 、、Ａｓ光ガイド層（２
４）のストライプ状＊（：ｌＯ）の底になる部分および
ｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（２５）の上面にはエツチン
グによりそれぞれ周期的な凹凸からなるコルゲーション
（３１）、（３２）が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層（２５）の上面およびストライプ溝（３０）を
埋めてｐ Ａｎ ｏ、 ｎＧａｏ、 ａＡｓ第２ク
ラッド層（２５）が形成され、該第２クラッド層（２６
）上にｐ −ＧａＡｓコンタクト層（７）が形成されて
いる。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（ア）上には例えばＧ
ｒ／Ａｕ電極層（２８）が、ｎ−ＧａＡｓ基板（２１）
の下面には例えばＡｕ −Ｇｅ／ Ａｕ電極層（２９）
がそれぞれ被着されている。
示されているような従来のインデックス・カブルト・タ
イプ（ｉｎｄｅｘ ｃｏｕｐｌｅｄ ｔｙｐｅ）の分布
帰還形（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｆｅｅｄｂａｃｋ
：以下ＤＦＢと称す）半導体レーザ装置を示す図である
。同図で、 （２１）はｎ型（以下ではｎ−と記す）
ＧａＡｓ基板、（２２）は基板（２１）上に設けられた
ｎ ＡｊＬ ｏ４Ｇａｏ、 ａ＾Ｓ第１クラッド層
、 （２３）は第１クラッド層（２２）上に設けられた
真性（以下ではＩ−と記す） Ａ！；ＬＯ，ｔＧａｏ
、 ｓＡｓ活性層、（２４）は活性Ｆ＃ （２３）上に
設けられたｐ型（以下ではｐ−と記す） Ａｎ ｏ、
ｆｆ１ｓｃａｏ、 ｔ５ＡＳ光ガイド層、 （２５）
は光ガイド層（２４）上に設けられたｎ−ＧａＡｓ電流
阻止層である。後程第３図（ｂ）に関して述べるように
、ｐ−Ａｌ１゜、□Ｇａｏ、 、、Ａｓ光ガイド層（２
４）のストライプ状＊（：ｌＯ）の底になる部分および
ｎ −ＧａＡｓ電流阻止層（２５）の上面にはエツチン
グによりそれぞれ周期的な凹凸からなるコルゲーション
（３１）、（３２）が形成されている。ｎ−ＧａＡｓ電
流阻止層（２５）の上面およびストライプ溝（３０）を
埋めてｐ Ａｎ ｏ、 ｎＧａｏ、 ａＡｓ第２ク
ラッド層（２５）が形成され、該第２クラッド層（２６
）上にｐ −ＧａＡｓコンタクト層（７）が形成されて
いる。ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（ア）上には例えばＧ
ｒ／Ａｕ電極層（２８）が、ｎ−ＧａＡｓ基板（２１）
の下面には例えばＡｕ −Ｇｅ／ Ａｕ電極層（２９）
がそれぞれ被着されている。
上記の半導体レーザ装置は次のようにして製造される０
例えばＭＯＣＶＤ法を用いてｎ−ＧａＡｓ基板（２１）
上にｎ −Ａｎ ｏ、 ａＧａｏ、 ｇＡｓ第１クラッ
）’ Ｍ （２２）、Ｉ −Ａｎ ｏ、 ｘＧａｏ、
９＾Ｓ活性層（２３）、ｐ−Ａｌ ａ、 ｚｓＧａｏ、
ｙｓＡｓ光ガイド層（２４）、ｎ −ＧａＡｓ電流阻
止層（２５）を順次成長形成する０次に第３図（ｂ）に
示すように、電流阻止層（２５）上にフォトレジストを
塗布し、これをレーザな用いた二元干渉露光法によって
露光し、所定周期のストライプパターンを形成する０次
いで、これをマスクとしてリアクティブ・イオン喰エツ
チング法によってエツチングすると、電流阻止層（２５
）上に周期的な凹凸のストライプからなるコルゲーショ
ン（３２）が形成される。引続いて電流阻止層（２５）
上に、フォトレジストをマスクとして、上記周期的凹凸
のストライプ方向と直交する方向に所定の幅の９３（＋
を形成する。このとき、垂直エツチングの得られる条件
でエツチングを行なうと凹凸の側面からのエツチングは
行なわれず、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（２５）上に形成
されていた周期的な凹凸形状は上記エツチングの間も保
存され、最終的にはｐ−Ａｎ。、 ｚｓｃａｏ、 ｙｓ
Ａｓ光ガイド層（２４）上に転写される。
例えばＭＯＣＶＤ法を用いてｎ−ＧａＡｓ基板（２１）
上にｎ −Ａｎ ｏ、 ａＧａｏ、 ｇＡｓ第１クラッ
）’ Ｍ （２２）、Ｉ −Ａｎ ｏ、 ｘＧａｏ、
９＾Ｓ活性層（２３）、ｐ−Ａｌ ａ、 ｚｓＧａｏ、
ｙｓＡｓ光ガイド層（２４）、ｎ −ＧａＡｓ電流阻
止層（２５）を順次成長形成する０次に第３図（ｂ）に
示すように、電流阻止層（２５）上にフォトレジストを
塗布し、これをレーザな用いた二元干渉露光法によって
露光し、所定周期のストライプパターンを形成する０次
いで、これをマスクとしてリアクティブ・イオン喰エツ
チング法によってエツチングすると、電流阻止層（２５
）上に周期的な凹凸のストライプからなるコルゲーショ
ン（３２）が形成される。引続いて電流阻止層（２５）
上に、フォトレジストをマスクとして、上記周期的凹凸
のストライプ方向と直交する方向に所定の幅の９３（＋
を形成する。このとき、垂直エツチングの得られる条件
でエツチングを行なうと凹凸の側面からのエツチングは
行なわれず、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層（２５）上に形成
されていた周期的な凹凸形状は上記エツチングの間も保
存され、最終的にはｐ−Ａｎ。、 ｚｓｃａｏ、 ｙｓ
Ａｓ光ガイド層（２４）上に転写される。
次いで、フォトレジストを除去し、表面洗浄処理を施し
た後、同じ＜ＭＯＣＶＤ法を用いて第３図（ａ）に示す
ようにＰ −Ａｉｏ、 ＜Ｇａａ、 ｇＡｓ第２クラッ
ド、！！（２６）、 ｐ −ＧａＡｓコンタクト層（２
７）を順次成長形成し、コンタクト層（２７）上にＣｒ
／Ａｕ電極層（２８）、基板（２１）の下面にＡｕ−Ｇ
ｅ／Ａｕ電極層（２９）を被着する。
た後、同じ＜ＭＯＣＶＤ法を用いて第３図（ａ）に示す
ようにＰ −Ａｉｏ、 ＜Ｇａａ、 ｇＡｓ第２クラッ
ド、！！（２６）、 ｐ −ＧａＡｓコンタクト層（２
７）を順次成長形成し、コンタクト層（２７）上にＣｒ
／Ａｕ電極層（２８）、基板（２１）の下面にＡｕ−Ｇ
ｅ／Ａｕ電極層（２９）を被着する。
次に上記のインデックス・カブルト・タイプ半導体レー
ザ装置の動作を説明する。電極層（２８）をバイアス電
源（図示せず）の正極、電極層（２９）を負極に接続す
ると、当該半導体レーザ装置を経て電流が流れ、 Ｉ
−Ａｉｏ、ｘＧａｏ、９＾Ｓ活性層（２３）に注入さ
れたキャリアは再結合しても光を輻射する。
ザ装置の動作を説明する。電極層（２８）をバイアス電
源（図示せず）の正極、電極層（２９）を負極に接続す
ると、当該半導体レーザ装置を経て電流が流れ、 Ｉ
−Ａｉｏ、ｘＧａｏ、９＾Ｓ活性層（２３）に注入さ
れたキャリアは再結合しても光を輻射する。
注入レベルを増して行くと誘導輻射が始まり、やがてレ
ーザ発振に至る。レーザ光の一部はストライプ溝（３０
）のｐ −Ａｎ ａ、ｔｓＧａｏ、 ？ＳＡＳ光ガイド
層（２４）に導波される、ストライプ溝（３０）内の光
ガイド層（２４）上に形成されたコルゲーション（３１
）の周期へを、 ４° （１） Δ”ｍ２ｎ。
ーザ発振に至る。レーザ光の一部はストライプ溝（３０
）のｐ −Ａｎ ａ、ｔｓＧａｏ、 ？ＳＡＳ光ガイド
層（２４）に導波される、ストライプ溝（３０）内の光
ガイド層（２４）上に形成されたコルゲーション（３１
）の周期へを、 ４° （１） Δ”ｍ２ｎ。
ｍ：１．２．３・・・−
ｎ、：光導波路の屈折率
λ０＝発振波長
となるように設定すれば、上記入０の波長の光のみが選
択されて単一縦モード発振が得られる。
択されて単一縦モード発振が得られる。
上記のような従来のＡ５ＬＧａＡｓ系のインデックス・
カブルト・タイプのＤＦＢ半導体レーザ装置は、その製
造過程において、フォトレジストの除去、表面洗浄処理
時にｐ −Ａｎ ｏ、 ｔｓＧａｏ、 ｔｓＡｇ光ガイ
ド層（ｚ４）が大気にさらされ、これにはＡｌ１が含ま
れるため、その表面が酸化される。Ｐ−Ａ文。、４Ｇａ
ｏ、 ｓＡｓ第２クラッド層（２６）は表面が酸化され
たＰ Ａｎ ｏ、 ｔｓＧａｏ、 ｔｓＡｓ光ガイ
トガ４８層）のコルゲーション（３１）上に結晶成長さ
れるために、両者のへテロ界面近傍は結晶欠陥が多く結
晶性が劣悪である。このような半導体レーザ装置は動作
中に結晶欠陥がさらに増加する傾向があり、寿命が短い
という欠点があった。
カブルト・タイプのＤＦＢ半導体レーザ装置は、その製
造過程において、フォトレジストの除去、表面洗浄処理
時にｐ −Ａｎ ｏ、 ｔｓＧａｏ、 ｔｓＡｇ光ガイ
ド層（ｚ４）が大気にさらされ、これにはＡｌ１が含ま
れるため、その表面が酸化される。Ｐ−Ａ文。、４Ｇａ
ｏ、 ｓＡｓ第２クラッド層（２６）は表面が酸化され
たＰ Ａｎ ｏ、 ｔｓＧａｏ、 ｔｓＡｓ光ガイ
トガ４８層）のコルゲーション（３１）上に結晶成長さ
れるために、両者のへテロ界面近傍は結晶欠陥が多く結
晶性が劣悪である。このような半導体レーザ装置は動作
中に結晶欠陥がさらに増加する傾向があり、寿命が短い
という欠点があった。
また、他のタイプのＤＦＢ形半導体レーザ装置としてゲ
イン費カプルト・タイプ（ｇａｉｎ ｃｏｕｐｌｅｄｔ
ｙｐｅ）のＤＦＢ形半導体レーザがある。この例を第４
図（ａ）、第４図（ｂ）に示す、同図において、（４１
）はｎ −ＧａＡｓ基板、 （４２）は基板（４１）上
に設けられたｎ−Ａ文ｏ、 ＜ｏＧａｏ、 ５ｏＡｓ第
１クラッド層、（４３）は第１クラッド層（４２）上に
設けられたｐ −ＧａＡｓ活性層、 （４４）は活性層
（４３）上に設けられたＰ−Ａ又ｏ、 ｔｓＧａｏ、
ｔａＡｓキャリア閉込め層、 （４５）はキャリア閉込
め層（４４）上に設けられたｐ −Ａｎ ＧａＡｓ光ガ
イド層である。第４図（ｂ）に示すように、ｐ−ＧａＡ
ｓ光ガイド層（４５）上には周期Δのコルゲーション（
５１）が形成されている。このコルゲーション（５１）
が設けられたＰ −ＧａＡｓ光ガイド層（４５）上には
ｐ−Ａ文ｏ、 ＜ｏＧａｏ、 ５ｏＡｓ第２クラッド層
（４６）が設けられ、その上にはＰ −ＧａＡｓコンタ
クト層（４７）が設けられている。 （４８）、（４９
）は第３図（ａ）の半導体レーザ装置で使用されている
電極層と同様な電極層である。
イン費カプルト・タイプ（ｇａｉｎ ｃｏｕｐｌｅｄｔ
ｙｐｅ）のＤＦＢ形半導体レーザがある。この例を第４
図（ａ）、第４図（ｂ）に示す、同図において、（４１
）はｎ −ＧａＡｓ基板、 （４２）は基板（４１）上
に設けられたｎ−Ａ文ｏ、 ＜ｏＧａｏ、 ５ｏＡｓ第
１クラッド層、（４３）は第１クラッド層（４２）上に
設けられたｐ −ＧａＡｓ活性層、 （４４）は活性層
（４３）上に設けられたＰ−Ａ又ｏ、 ｔｓＧａｏ、
ｔａＡｓキャリア閉込め層、 （４５）はキャリア閉込
め層（４４）上に設けられたｐ −Ａｎ ＧａＡｓ光ガ
イド層である。第４図（ｂ）に示すように、ｐ−ＧａＡ
ｓ光ガイド層（４５）上には周期Δのコルゲーション（
５１）が形成されている。このコルゲーション（５１）
が設けられたＰ −ＧａＡｓ光ガイド層（４５）上には
ｐ−Ａ文ｏ、 ＜ｏＧａｏ、 ５ｏＡｓ第２クラッド層
（４６）が設けられ、その上にはＰ −ＧａＡｓコンタ
クト層（４７）が設けられている。 （４８）、（４９
）は第３図（ａ）の半導体レーザ装置で使用されている
電極層と同様な電極層である。
第４図に示すゲイン・カブルド・タイプＤＦＢ半導体レ
ーザ装置は、電極！’ （４８）側が正、電極層（４９
）側が負になるようにバイアス電圧を供給すると、当該
半導体装置を通って電流が流れ、単一縦モードで発振す
る。コルゲーション（５１）の周期へを（１）式で決定
される値に設定すると、波長λ。
ーザ装置は、電極！’ （４８）側が正、電極層（４９
）側が負になるようにバイアス電圧を供給すると、当該
半導体装置を通って電流が流れ、単一縦モードで発振す
る。コルゲーション（５１）の周期へを（１）式で決定
される値に設定すると、波長λ。
の光のみが選択されて単一縦モートて発振する。
第４図に示すゲイン・カプルト・タイプＤＦＢ半導体レ
ーザ装置は、コルゲーション（５１）をｐ−ＧａＡｓ光
ガイド層（４５）上に形成するから、製造工程で大気に
さらされる面はＡ２を含まない上記のｐ−ＧａＡｓ光ガ
イド層（４５）の上面である。この面の自然酸化量は僅
かであるため、前述のインデックス・カブルト・タイプ
ＤＦＢ半導体レーザ装置でみられるような再成長へテロ
界面における結晶欠陥は少なく、結晶性劣化による信頼
性の低下、寿命が短いといったような問題は生じない、
しかし、このゲイン・カプシド・タイプＤＦＢ半導体レ
ーザ装置は、Ｐ ＧａＡｓ光ガイド層（４５）そのも
のがレーザ光に対して吸収体として働くために２レーザ
共振器中の内部損失が大きくなり、発振閾値電流の増大
や外部量子効率の低下等の問題が生じ易かった。
ーザ装置は、コルゲーション（５１）をｐ−ＧａＡｓ光
ガイド層（４５）上に形成するから、製造工程で大気に
さらされる面はＡ２を含まない上記のｐ−ＧａＡｓ光ガ
イド層（４５）の上面である。この面の自然酸化量は僅
かであるため、前述のインデックス・カブルト・タイプ
ＤＦＢ半導体レーザ装置でみられるような再成長へテロ
界面における結晶欠陥は少なく、結晶性劣化による信頼
性の低下、寿命が短いといったような問題は生じない、
しかし、このゲイン・カプシド・タイプＤＦＢ半導体レ
ーザ装置は、Ｐ ＧａＡｓ光ガイド層（４５）そのも
のがレーザ光に対して吸収体として働くために２レーザ
共振器中の内部損失が大きくなり、発振閾値電流の増大
や外部量子効率の低下等の問題が生じ易かった。
この発明は、上記のような欠点あるいは問題点を解消し
、低発振閾値、高外部量子効率を有し、しかも信頼性が
高く、寿命の長いＡｉＬＧａＡｓ系の特にゲイン・カプ
シド・タイプＤＦＢ半導体レーザ装置およびその製造方
法を提供することを目的とする。
、低発振閾値、高外部量子効率を有し、しかも信頼性が
高く、寿命の長いＡｉＬＧａＡｓ系の特にゲイン・カプ
シド・タイプＤＦＢ半導体レーザ装置およびその製造方
法を提供することを目的とする。
この発明による半導体レーザ装置は、第１の導電形のＧ
ａＡｓ基板上に設けられた第１の導電形のＡＪＩ ｘＧ
ａ（１−ＩｌｌＡｓ第１クラッド層と、第１クラッド層
上に設けられた第１あるいは第２の導電形、若しくは真
性のＡＡ、ｙＧａ（ｓ−、）Ａｓ活性層と、該活性層上
に設けられたＡＪＬｘＧａ （１−ｗ）Ａｓ第２クラッ
ド層と、該第２クラッド層上に設けられた第１あるいは
第２の導電形、若しくは真性のＧａＡｓ第１を流阻止層
であって、上記第２クラッド層に達するストライプ状の
溝が形成され、このストライプ状溝の幅が共振器の長手
方向に一定周期で変化するように形成された上記第１電
流阻止層と、該第１電流阻止層上に上記共振器の長手方
向と直交する方向で且つ上記第１電流阻止層に形成され
た上記ストライプ状溝の幅が上記一定周期で狭くなった
領域上に設けられた第１あるいは第２の導電形、若しく
は真性のグレーティング状Ａ文ｍＧａ（１−ｚ）ＡＳ第
２電流阻止層と、該＄２電流阻止層上および第２電流阻
止層が設けられていない第１電流阻止層上に設けられた
第１の導電形のＧａＡｓ第３電流阻止層と、上記電流阻
止層に形成されたストライプ状溝を埋め且つ上記第３電
流阻止層の表面を覆って形成された第２の導電形のＡｎ
ｗＧａ＜ｘ−ｘｒＡｓ第３クラッド層と％該第３クラ
ッド層上に形成された第２の導電形のＧａＡｓコンタク
ト層とからなる。
ａＡｓ基板上に設けられた第１の導電形のＡＪＩ ｘＧ
ａ（１−ＩｌｌＡｓ第１クラッド層と、第１クラッド層
上に設けられた第１あるいは第２の導電形、若しくは真
性のＡＡ、ｙＧａ（ｓ−、）Ａｓ活性層と、該活性層上
に設けられたＡＪＬｘＧａ （１−ｗ）Ａｓ第２クラッ
ド層と、該第２クラッド層上に設けられた第１あるいは
第２の導電形、若しくは真性のＧａＡｓ第１を流阻止層
であって、上記第２クラッド層に達するストライプ状の
溝が形成され、このストライプ状溝の幅が共振器の長手
方向に一定周期で変化するように形成された上記第１電
流阻止層と、該第１電流阻止層上に上記共振器の長手方
向と直交する方向で且つ上記第１電流阻止層に形成され
た上記ストライプ状溝の幅が上記一定周期で狭くなった
領域上に設けられた第１あるいは第２の導電形、若しく
は真性のグレーティング状Ａ文ｍＧａ（１−ｚ）ＡＳ第
２電流阻止層と、該＄２電流阻止層上および第２電流阻
止層が設けられていない第１電流阻止層上に設けられた
第１の導電形のＧａＡｓ第３電流阻止層と、上記電流阻
止層に形成されたストライプ状溝を埋め且つ上記第３電
流阻止層の表面を覆って形成された第２の導電形のＡｎ
ｗＧａ＜ｘ−ｘｒＡｓ第３クラッド層と％該第３クラ
ッド層上に形成された第２の導電形のＧａＡｓコンタク
ト層とからなる。
この発明による半導体レーザ装置の製造方法の第１の例
は、■第１の導電形のＧａＡｓ基板上に第１の導電形の
Ａ立ｘＧａｔｘ−ｍｌ）ＡＳ第１クラッド層と、第１あ
るいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌｌ。
は、■第１の導電形のＧａＡｓ基板上に第１の導電形の
Ａ立ｘＧａｔｘ−ｍｌ）ＡＳ第１クラッド層と、第１あ
るいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌｌ。
Ｇａ（＋−，）Ａｓ活性層と、第２の導電形のＡＪＬ
、Ｇａ＜＋−＊＞Ａｓ第２クラッド層と、第１あるいは
第２の導電形若しくは真性のＧａＡｓ第１電流阻止層と
、第２電流阻止層形成用第１あるいは第２の導電形、若
しくは真性のＡｆｔ ５ＧａｔＩ−ｔｚＡＳ暦とを順次
エピタキシャル成長させる工程と、■上記第２電流阻止
層形成用のＡｉ ｔＧａｔ＋−、）Ａｓ暦上にフォトレ
ジスト製のグレーティングを形成する工程と、■該フォ
トレジスト製グレーティングをエツチングマスクとして
使用してＡＪＩ 、Ｇａ （１−、）Ａｓ暦を選択的に
エツチングしてグレーティング状のＡｎ ｇＧａ（ｔ−
ｓ＋＾Ｓ第２電流阻止層を形成する工程と、■該グレー
ティング状の第２電流阻止層を埋込むように第１の導電
形のＧａＡｓ第３電流阻止層をエピタキシャル成長する
工程と、■上記グレーティングの方向と直交する方向に
上記第３電流阻止層に上記第１電流阻止層に達するスト
ライプ状溝を形成する工程と、■該ストライプ状溝が形
成されたウェハを有機金属熱分解法による結晶成長！Ｉ
！内に設置し、これに塩化水素を流しながら加熱するこ
とにより上記ストライプ状溝底部の上記第１電流阻止層
をエツチングして除去すると共に上記グレーティング状
の第２電流阻止層をエツチングマスクとして利用して上
記第１電流阻止層を部分的にエツチングすることにより
、該第１電流阻止層に形成されたストライプ状溝の幅を
該゛ストライプ状溝の走る方向で一定周期で変化させる
工程と、■前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置内
で有機金属熱分解法により第２の導電形のＡ文ｘＧａ（
１−、）Ａｓ第３クラッド層及び第２の導電形のＧａＡ
ｓコンタクト層を上記塩化水素によるエツチング作用に
より形成されたウェハの上記ストライプ状溝を埋込むと
共に上記第３電流阻止層の表面を覆つてエピタキシャル
成長させる工程とを含んでいる。
、Ｇａ＜＋−＊＞Ａｓ第２クラッド層と、第１あるいは
第２の導電形若しくは真性のＧａＡｓ第１電流阻止層と
、第２電流阻止層形成用第１あるいは第２の導電形、若
しくは真性のＡｆｔ ５ＧａｔＩ−ｔｚＡＳ暦とを順次
エピタキシャル成長させる工程と、■上記第２電流阻止
層形成用のＡｉ ｔＧａｔ＋−、）Ａｓ暦上にフォトレ
ジスト製のグレーティングを形成する工程と、■該フォ
トレジスト製グレーティングをエツチングマスクとして
使用してＡＪＩ 、Ｇａ （１−、）Ａｓ暦を選択的に
エツチングしてグレーティング状のＡｎ ｇＧａ（ｔ−
ｓ＋＾Ｓ第２電流阻止層を形成する工程と、■該グレー
ティング状の第２電流阻止層を埋込むように第１の導電
形のＧａＡｓ第３電流阻止層をエピタキシャル成長する
工程と、■上記グレーティングの方向と直交する方向に
上記第３電流阻止層に上記第１電流阻止層に達するスト
ライプ状溝を形成する工程と、■該ストライプ状溝が形
成されたウェハを有機金属熱分解法による結晶成長！Ｉ
！内に設置し、これに塩化水素を流しながら加熱するこ
とにより上記ストライプ状溝底部の上記第１電流阻止層
をエツチングして除去すると共に上記グレーティング状
の第２電流阻止層をエツチングマスクとして利用して上
記第１電流阻止層を部分的にエツチングすることにより
、該第１電流阻止層に形成されたストライプ状溝の幅を
該゛ストライプ状溝の走る方向で一定周期で変化させる
工程と、■前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置内
で有機金属熱分解法により第２の導電形のＡ文ｘＧａ（
１−、）Ａｓ第３クラッド層及び第２の導電形のＧａＡ
ｓコンタクト層を上記塩化水素によるエツチング作用に
より形成されたウェハの上記ストライプ状溝を埋込むと
共に上記第３電流阻止層の表面を覆つてエピタキシャル
成長させる工程とを含んでいる。
この発明による半導体レーザ装置の製造方法の第２の例
は、前記■乃至■の工程に続いて、■ストライプ状溝が
形成されたクエへを分子線エビタキシキル法による結晶
成長装置内に設置し、ヒ素分子線を照射しながら加熱す
ることにより上記ストライプ状溝底部の上記第１電流阻
止層をエツチングして除去すると共に上記グレーティン
グ状の第２ｘｘ流阻止層をエツチングマスクとして利用
して上記第１電流組止層を部分的にエツチングすること
により該第１電流阻止層に形成されたストライプ状溝の
幅を該ストライプ状溝の走る方向で一定周期で変化させ
る工程と、■前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置
内て分子線エピタキシャル法により第２の導電形Ａ Ｊ
ｌ ｚ Ｇ ａ （□−，）Ａｓ第３クラッド層および
第２の導電形のＧａＡｓコンタクト層をヒ素分子線を照
射しながら上記エツチング作用により形成されたウェハ
上のストライプ状溝を埋込むと共に上記第３電流阻止層
の表面を覆ってエピタキシャル成長させる工程とを含ん
でいる。
は、前記■乃至■の工程に続いて、■ストライプ状溝が
形成されたクエへを分子線エビタキシキル法による結晶
成長装置内に設置し、ヒ素分子線を照射しながら加熱す
ることにより上記ストライプ状溝底部の上記第１電流阻
止層をエツチングして除去すると共に上記グレーティン
グ状の第２ｘｘ流阻止層をエツチングマスクとして利用
して上記第１電流組止層を部分的にエツチングすること
により該第１電流阻止層に形成されたストライプ状溝の
幅を該ストライプ状溝の走る方向で一定周期で変化させ
る工程と、■前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置
内て分子線エピタキシャル法により第２の導電形Ａ Ｊ
ｌ ｚ Ｇ ａ （□−，）Ａｓ第３クラッド層および
第２の導電形のＧａＡｓコンタクト層をヒ素分子線を照
射しながら上記エツチング作用により形成されたウェハ
上のストライプ状溝を埋込むと共に上記第３電流阻止層
の表面を覆ってエピタキシャル成長させる工程とを含ん
でいる。
この発明による半導体レーザ装置の製造方法の第３の例
では、前記■乃至■の工程に続いて、■ストライプ状溝
が形成されたウェハを液相エピタキシャル法による結晶
成長装置内に設置し、上記第１電流阻止層を選択的に溶
解させるが上記第２電流阻止層を溶解させない条件下の
メルトを前記ウェハ上を通過させることにより、上記ス
トライプ状溝底部の第１電流阻止層をメルトバックによ
り除去すると共に上記グレーティング状の第２電流阻止
層をメルトバッグ防止層として利用して上記第１電流阻
止層に形成されたストライプ状溝の幅を該ストライプ状
溝の走る方向で一定周期で変化させる工程と、■前工程
に引続いて上記と同じ結晶成長装置内で液相エピタキシ
ャル法により第２の導電形Ａ見。Ｇａ（ｔ−ｘ＋＾Ｓ第
３クラッド層およびＷＳ２の導電形のＧａＡｓコンタク
ト層を５上記メルトバック作用により形成されたウェハ
上のストライプ状溝を埋込むと共に上記第３電流阻止層
の表面を覆）てエピタキシャル成長させる工程とを含ん
でいる。
では、前記■乃至■の工程に続いて、■ストライプ状溝
が形成されたウェハを液相エピタキシャル法による結晶
成長装置内に設置し、上記第１電流阻止層を選択的に溶
解させるが上記第２電流阻止層を溶解させない条件下の
メルトを前記ウェハ上を通過させることにより、上記ス
トライプ状溝底部の第１電流阻止層をメルトバックによ
り除去すると共に上記グレーティング状の第２電流阻止
層をメルトバッグ防止層として利用して上記第１電流阻
止層に形成されたストライプ状溝の幅を該ストライプ状
溝の走る方向で一定周期で変化させる工程と、■前工程
に引続いて上記と同じ結晶成長装置内で液相エピタキシ
ャル法により第２の導電形Ａ見。Ｇａ（ｔ−ｘ＋＾Ｓ第
３クラッド層およびＷＳ２の導電形のＧａＡｓコンタク
ト層を５上記メルトバック作用により形成されたウェハ
上のストライプ状溝を埋込むと共に上記第３電流阻止層
の表面を覆）てエピタキシャル成長させる工程とを含ん
でいる。
この発明の半導体レーザ装置にＳいて、第１の導電形の
ＧａＡｓ基板と第２の導電形のＧａＡｓコンタクト層と
の間にバイアス電圧を供給すると、これらの間で第１電
流阻止層、ｓ２電流阻止層および第３電流阻止層の存在
しない部分、すなわちストライプ状溝の部分のみに電流
が流れてＡｆＬｙＧａ（＋−ｙ）Ａｓ活性層に注入され
たキャリアは再結合して光を輻射する。注入電流レベル
を増加させて行くと誘導放出が始まり、やがてレーザ発
振に至る。レーザ光の一部は第１クラツト層、第２クラ
ッド層、第３クラウド層の一部に導波される。ここで、
第２クラッド層上に設けられ、上記第３クラッド層の一
部を挟み込むように設けられた第１乃至第３電流阻止層
に形成されたストライプ状溝の幅を、この溝の走る方向
に所定の一定周期Δで変化させることにより、前記（１
）式で示される波長λ。のみが選択されて単一縦モード
発振が得られる。
ＧａＡｓ基板と第２の導電形のＧａＡｓコンタクト層と
の間にバイアス電圧を供給すると、これらの間で第１電
流阻止層、ｓ２電流阻止層および第３電流阻止層の存在
しない部分、すなわちストライプ状溝の部分のみに電流
が流れてＡｆＬｙＧａ（＋−ｙ）Ａｓ活性層に注入され
たキャリアは再結合して光を輻射する。注入電流レベル
を増加させて行くと誘導放出が始まり、やがてレーザ発
振に至る。レーザ光の一部は第１クラツト層、第２クラ
ッド層、第３クラウド層の一部に導波される。ここで、
第２クラッド層上に設けられ、上記第３クラッド層の一
部を挟み込むように設けられた第１乃至第３電流阻止層
に形成されたストライプ状溝の幅を、この溝の走る方向
に所定の一定周期Δで変化させることにより、前記（１
）式で示される波長λ。のみが選択されて単一縦モード
発振が得られる。
この発明の半導体レーザ装置の各製造方法では、ストラ
イプ状溝の幅を共振器の投手力向に周期的に変化させる
ために電流阻止層の一部を除去する工程、およびそれに
統〈第３クラツド層、コンタクト層の結晶成長工程にお
いて、Ｓ成長界面が大気にさらされることがないので、
再成長ヘテロ界面に結晶欠陥が生ずる可能性は極めて少
な（実施例） 第１図（ａ）はこの発明によるゲイン・カブルド・タイ
プＤＦＢ半導体レーザ装置の全体の構造を示す斜視図で
、例えばｎ −ＧａＡｓ基板（１）上にｎ−Ａｎ ｏ、
５Ｇａｏ、 ｓ＾Ｓ第１クラッド層（２） 、 Ｐ
Ａｌｏ、＋５Ｇａｏ、 ａ５Ａｓ活性層（３）
ｓ Ｐ −Ａｉｏ、 ５Ｇａ６． ！ＩＡｓ第２クラッ
ド層（４） 、 ｎ−ＧａＡｓ第１電流阻止暦（５）が
それぞれこの順序で設けられている。第１図（ｂ）乃至
第１図（ｄ）に示すように、第１電流阻止層（５）上で
あって、ストライプ状溝（１０）の幅が狭くなった領域
、すなわち第１図（ｄ）のＸ−Ｘ線断面を示すｌｔ図（
ｂ） ニ示ｔ ヨ’） ニ、ｓＩ！（１０）ノ輻カＷ
＋ ニなった部分の領域上（第１（ｇ（ｄ）の（ｘ）、
（ｘ）・・・・の部分上）には、一定周期Δ（第１図（
ｄ））のグレーティングを構成するようにｎ−Ａｎ。ｇ
Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流阻止層（６）がグレーティン
グ状に設けられている。第２′！ｌｔ流阻止層（６）上
および該第２電流阻止層（６）がが設けられていない第
１？を流阻止層（５）上にはｎ −ＧａＡｓ第３電流阻
止ｍｃｎが形成されている。上記第１乃至第３電流阻止
層（５）、（６）、（７）に形成されたストライプ状の
溝を埋め且つ上記第２電流阻止層（７）の表面を覆って
ｐ−Ａｎ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｌｌＡｓ第３クラツトＪ
！（８） 、 ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（９）がそ
れでれ設けられている。
イプ状溝の幅を共振器の投手力向に周期的に変化させる
ために電流阻止層の一部を除去する工程、およびそれに
統〈第３クラツド層、コンタクト層の結晶成長工程にお
いて、Ｓ成長界面が大気にさらされることがないので、
再成長ヘテロ界面に結晶欠陥が生ずる可能性は極めて少
な（実施例） 第１図（ａ）はこの発明によるゲイン・カブルド・タイ
プＤＦＢ半導体レーザ装置の全体の構造を示す斜視図で
、例えばｎ −ＧａＡｓ基板（１）上にｎ−Ａｎ ｏ、
５Ｇａｏ、 ｓ＾Ｓ第１クラッド層（２） 、 Ｐ
Ａｌｏ、＋５Ｇａｏ、 ａ５Ａｓ活性層（３）
ｓ Ｐ −Ａｉｏ、 ５Ｇａ６． ！ＩＡｓ第２クラッ
ド層（４） 、 ｎ−ＧａＡｓ第１電流阻止暦（５）が
それぞれこの順序で設けられている。第１図（ｂ）乃至
第１図（ｄ）に示すように、第１電流阻止層（５）上で
あって、ストライプ状溝（１０）の幅が狭くなった領域
、すなわち第１図（ｄ）のＸ−Ｘ線断面を示すｌｔ図（
ｂ） ニ示ｔ ヨ’） ニ、ｓＩ！（１０）ノ輻カＷ
＋ ニなった部分の領域上（第１（ｇ（ｄ）の（ｘ）、
（ｘ）・・・・の部分上）には、一定周期Δ（第１図（
ｄ））のグレーティングを構成するようにｎ−Ａｎ。ｇ
Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流阻止層（６）がグレーティン
グ状に設けられている。第２′！ｌｔ流阻止層（６）上
および該第２電流阻止層（６）がが設けられていない第
１？を流阻止層（５）上にはｎ −ＧａＡｓ第３電流阻
止ｍｃｎが形成されている。上記第１乃至第３電流阻止
層（５）、（６）、（７）に形成されたストライプ状の
溝を埋め且つ上記第２電流阻止層（７）の表面を覆って
ｐ−Ａｎ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｌｌＡｓ第３クラツトＪ
！（８） 、 ｐ−ＧａＡｓコンタクト層（９）がそ
れでれ設けられている。
ｐ −ＧａＡｓコンタクト層（９） 、 ｎ−ＧａＡｓ
基板（１）にそれぞれ電極層を形成し、この電極層をバ
イアス電源に接続して、上記コンタクト層（９）側が正
、基板（１）側が負のバイアス電圧を印加すると、上記
コンタクト層（９）より基板（１）に向けて第１乃至第
２電流阻止層（５）、（６）、（７）が存在しない領域
、すなわちストライプ状溝（ｌＯ）の部分のみを通って
電流が流れる。電流が流れることによってｐ −ＧａＡ
ｓ活性層（３）に注入されたキャリアは再結合して光を
輻射する。注入電流レベルを増加させて行くと誘導放出
が始まり、やがてレーザ発振に至る。レーザ光の一部は
ｎ −ＡＭ ａ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第１クラッドＪ
ｌ（２） 、Ｐ −Ａｎ ｏ、 ＠Ｇａｏ、 ｓＡｓ第
２クラッド層（４）およびｐ −Ａｉ ｏ、 ５Ｇａｏ
、 ＩＡＳ第３クラッド層（８）の一部に導波される。
基板（１）にそれぞれ電極層を形成し、この電極層をバ
イアス電源に接続して、上記コンタクト層（９）側が正
、基板（１）側が負のバイアス電圧を印加すると、上記
コンタクト層（９）より基板（１）に向けて第１乃至第
２電流阻止層（５）、（６）、（７）が存在しない領域
、すなわちストライプ状溝（ｌＯ）の部分のみを通って
電流が流れる。電流が流れることによってｐ −ＧａＡ
ｓ活性層（３）に注入されたキャリアは再結合して光を
輻射する。注入電流レベルを増加させて行くと誘導放出
が始まり、やがてレーザ発振に至る。レーザ光の一部は
ｎ −ＡＭ ａ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第１クラッドＪ
ｌ（２） 、Ｐ −Ａｎ ｏ、 ＠Ｇａｏ、 ｓＡｓ第
２クラッド層（４）およびｐ −Ａｉ ｏ、 ５Ｇａｏ
、 ＩＡＳ第３クラッド層（８）の一部に導波される。
ここで、第２クラッド層（４）上に第３クラッド層（８
）の一部を挟み込むように設けられた第１電流阻止層（
５）、第２電流阻止層（６）および第３電流阻止層（７
）に形成されたストライプ状溝（１０）の輻を、第１図
（ｄ）のＸ−Ｘ断面を示す第１図（ｂ）のＷＩ（幅の狭
い部分）と第１図（ｄ）のＹ−Ｙ線断面を示す第１図（
Ｃ）のＷ２ （幅の広い部分）とが周期Δで交互に現わ
れるように変化させることにより、＜１）式て表わされ
る波長λ。のみが選択されて単一縦モード発振が得られ
る。
）の一部を挟み込むように設けられた第１電流阻止層（
５）、第２電流阻止層（６）および第３電流阻止層（７
）に形成されたストライプ状溝（１０）の輻を、第１図
（ｄ）のＸ−Ｘ断面を示す第１図（ｂ）のＷＩ（幅の狭
い部分）と第１図（ｄ）のＹ−Ｙ線断面を示す第１図（
Ｃ）のＷ２ （幅の広い部分）とが周期Δで交互に現わ
れるように変化させることにより、＜１）式て表わされ
る波長λ。のみが選択されて単一縦モード発振が得られ
る。
次にこの発明によるゲイン・カブルト・タイプＤＦＢ半
導体レーザ装置の製造を方法を第２図（ａ）乃至第２図
（ｇ）を参照しつつ説明する。
導体レーザ装置の製造を方法を第２図（ａ）乃至第２図
（ｇ）を参照しつつ説明する。
実施例１
■ 第２図（ａ）に示すようにｎ −ＧａＡｓ基板（１
）上にｒｌ −Ａｊｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、、ＩＩＡＳ第
１クラッド層（２）、ｐ−Ａｌ ｏ、 ｔｓＧａｏ、
ａｓＡｓ活性層（３） 、 ｐ−＾１ ｏ、 ａＧａｏ
、 ｓ＾Ｓ第２クラッド層（４） 、 ｎ−ＧａＡｓ第
１電流阻止層（５） 、 ｇよび第２電流阻止層形成用
のｐ−Ａ見。７ｓＧａｏ、 ｓＡｓ層（６０）を順次エ
ピタキシャル成長させる。
）上にｒｌ −Ａｊｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、、ＩＩＡＳ第
１クラッド層（２）、ｐ−Ａｌ ｏ、 ｔｓＧａｏ、
ａｓＡｓ活性層（３） 、 ｐ−＾１ ｏ、 ａＧａｏ
、 ｓ＾Ｓ第２クラッド層（４） 、 ｎ−ＧａＡｓ第
１電流阻止層（５） 、 ｇよび第２電流阻止層形成用
のｐ−Ａ見。７ｓＧａｏ、 ｓＡｓ層（６０）を順次エ
ピタキシャル成長させる。
■ 次に、第２図（ａ）のＰ −ＡｆＬｏ、 ５Ｇａｏ
、 ｓＡｓ層（６０）の表面に例えば二光干渉露光法に
よりフォトレジスト製グレーティングを形成した後、該
フォトレジスト製グレーティングをエツチングマスクと
して上記ｐ−＾ｎｏ、＠ＧａＯ，ｓＡｓ層（６ｏ）を選
択的にエツチングして第２図（ｂ）に示すようなグレー
ティング状のｐ−＾見。５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流阻
止層（６）を形成する。
、 ｓＡｓ層（６０）の表面に例えば二光干渉露光法に
よりフォトレジスト製グレーティングを形成した後、該
フォトレジスト製グレーティングをエツチングマスクと
して上記ｐ−＾ｎｏ、＠ＧａＯ，ｓＡｓ層（６ｏ）を選
択的にエツチングして第２図（ｂ）に示すようなグレー
ティング状のｐ−＾見。５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流阻
止層（６）を形成する。
■ 次に、第２図（Ｃ）に示すように、グレーティング
状の上記第２電流阻止層（６）を埋込むようにｎ −Ｇ
ａＡｓ第３電流阻止層（７）をエピタキシャル成長させ
る。
状の上記第２電流阻止層（６）を埋込むようにｎ −Ｇ
ａＡｓ第３電流阻止層（７）をエピタキシャル成長させ
る。
■ 次に第２図（Ｃ）の第３電流阻止層（７）上に上記
第２電流阻止暦（６）のグレーティングの方向と直交す
る方向に溝（１０）を形成するために使用されるフォト
レジスト層を形成して、エツチング処理し、Ｍ２図（ｄ
）に示すように上記第３電流阻止層（°７）に第１電流
阻止暦（５）に達するストライプ状溝（ｌＯ）を形成す
る。
第２電流阻止暦（６）のグレーティングの方向と直交す
る方向に溝（１０）を形成するために使用されるフォト
レジスト層を形成して、エツチング処理し、Ｍ２図（ｄ
）に示すように上記第３電流阻止層（°７）に第１電流
阻止暦（５）に達するストライプ状溝（ｌＯ）を形成す
る。
■ 次に、第２図（ｄ）に示すようにストライプ状溝（
１０）が形成されたウェハを有機金属熱分解法による結
晶成長装置内に設置し、塩化水素を流しながら加熱する
ことによりストライプ状溝（１ｏ）の底部のｎ −Ｇａ
Ａｓ第１電流阻止層（５）をエツチング除去すると共に
グレーティング状の第２電流阻止層（６）をエツチング
マスクとして利用してエツチング処理することにより、
上記第１電流阻止層（５）に形成されたストライプ状溝
（１０）の幅を該ストライプ状溝（ｌＯ）の走る方向に
一定の周期Δで変化させ、第２図ｃｅ）に示すような構
造を得る。第２図（ｆ）は第２図（ｅ）で上記ｐ −Ａ
ｌｌ ｏ、 ＠Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流阻止層（６）
が存在する部位における断面を示し、溝底部の幅はＷＩ
となっている。また、第２図（ｇ）は上記Ｐ−Ａ見ｏ、
５Ｇａｏ、 ！ＩＡｓ第２電流阻止層（６）が上記エ
ツチング処理により除去された部位を示し、ｆＲ底部の
幅はＷ ｘ （Ｗ ２ ＞ Ｗ ｘ ）となっている
。
１０）が形成されたウェハを有機金属熱分解法による結
晶成長装置内に設置し、塩化水素を流しながら加熱する
ことによりストライプ状溝（１ｏ）の底部のｎ −Ｇａ
Ａｓ第１電流阻止層（５）をエツチング除去すると共に
グレーティング状の第２電流阻止層（６）をエツチング
マスクとして利用してエツチング処理することにより、
上記第１電流阻止層（５）に形成されたストライプ状溝
（１０）の幅を該ストライプ状溝（ｌＯ）の走る方向に
一定の周期Δで変化させ、第２図ｃｅ）に示すような構
造を得る。第２図（ｆ）は第２図（ｅ）で上記ｐ −Ａ
ｌｌ ｏ、 ＠Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流阻止層（６）
が存在する部位における断面を示し、溝底部の幅はＷＩ
となっている。また、第２図（ｇ）は上記Ｐ−Ａ見ｏ、
５Ｇａｏ、 ！ＩＡｓ第２電流阻止層（６）が上記エ
ツチング処理により除去された部位を示し、ｆＲ底部の
幅はＷ ｘ （Ｗ ２ ＞ Ｗ ｘ ）となっている
。
■ 上記工程■に引続いて同一の結晶成長装置内で有機
金属熱分解法によりｐ −Ａｎ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓ
Ａｓ第３クラッド層（８）およびｐ −ＧａＡｓコンタ
クト層Ｃ９）を、上述の塩化水素によるエツチング処理
により形成されたストライプ状溝（１０）を埋込むよう
にエピタキシャル成長させて第１図（ａ）に示す構造の
半導体レーザ装置が得られる。
金属熱分解法によりｐ −Ａｎ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓ
Ａｓ第３クラッド層（８）およびｐ −ＧａＡｓコンタ
クト層Ｃ９）を、上述の塩化水素によるエツチング処理
により形成されたストライプ状溝（１０）を埋込むよう
にエピタキシャル成長させて第１図（ａ）に示す構造の
半導体レーザ装置が得られる。
１皇璽ユ
実施例１における工程■乃至■と同じ工程に続いて。
■ 第２図（ｄ）に示すストライプ状溝（１０）の形成
されたウェハを分子線エピタキシャル法による結晶成長
装置内に設置し、ヒ素分子線を照射しながら加熱するこ
とによりストライプ状溝（１０）の底部のｎ −ＧａＡ
ｓ第１電流阻止層（５）をエツチング除去すると共にグ
レーティング状の第２電流阻止層（６）をエツチングマ
スクとして利用してエツチング処理することにより、上
記第１電流阻止層（５）に形成されたストライプ状溝（
ｌＯ）の幅を該ストライプ状溝（１０）の走る方向に一
定の周期へで変化させ、第２図（ｅ）に示すような構造
を得る。実施例１と同様に第２図（ｆ）は第２図（ｅ）
で上記ｐ−Ａ！；Ｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流
阻止層（６）が存在する部位における断面を示し、ｌｔ
底部の幅はＷｌとなっている。また、第２図（ｇ）は上
記ｐ −Ａ！ｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ａＡｓ第２電流阻止
層（６）が上記エツチング処理により除去された部位を
示し、溝底部の幅はＷｔ （Ｗｌ＞Ｗ、）となってい
る。
されたウェハを分子線エピタキシャル法による結晶成長
装置内に設置し、ヒ素分子線を照射しながら加熱するこ
とによりストライプ状溝（１０）の底部のｎ −ＧａＡ
ｓ第１電流阻止層（５）をエツチング除去すると共にグ
レーティング状の第２電流阻止層（６）をエツチングマ
スクとして利用してエツチング処理することにより、上
記第１電流阻止層（５）に形成されたストライプ状溝（
ｌＯ）の幅を該ストライプ状溝（１０）の走る方向に一
定の周期へで変化させ、第２図（ｅ）に示すような構造
を得る。実施例１と同様に第２図（ｆ）は第２図（ｅ）
で上記ｐ−Ａ！；Ｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第２電流
阻止層（６）が存在する部位における断面を示し、ｌｔ
底部の幅はＷｌとなっている。また、第２図（ｇ）は上
記ｐ −Ａ！ｌｏ、 ５Ｇａｏ、 ａＡｓ第２電流阻止
層（６）が上記エツチング処理により除去された部位を
示し、溝底部の幅はＷｔ （Ｗｌ＞Ｗ、）となってい
る。
■ 上記工程■に引続いて同一の結晶成長装置内て分子
線エピタキシャル法によりＰ−Ａｌ。、 ５Ｇａｏ、
ｓ＾Ｓ第３クラッド層（８）およびｐ −ＧａＡｇコン
タクトＭ（９）を、上記ヒ素分子線を照射しながらエツ
チング処理により形成されたストライプ状溝（１０）を
埋込むようにエピタキシャル成長させて第１図（ａ）に
示す構造の半導体レーザ装置が得られる。
線エピタキシャル法によりＰ−Ａｌ。、 ５Ｇａｏ、
ｓ＾Ｓ第３クラッド層（８）およびｐ −ＧａＡｇコン
タクトＭ（９）を、上記ヒ素分子線を照射しながらエツ
チング処理により形成されたストライプ状溝（１０）を
埋込むようにエピタキシャル成長させて第１図（ａ）に
示す構造の半導体レーザ装置が得られる。
支惠亘１
実施例１における工程■乃至■と同じ工程に続いて。
■ 第２図（ｄ）に示すストライプ状溝（１０）の形成
されたウェハを液相エピタキシャル法による結晶成長装
置内に設置し、ｎ−ＧａＡｓ第１電流阻止暦（５）およ
びｎ −ＧａＡｓ第３電流阻止層（７）を溶解させるが
ｐ−Ａ見◎、 ｌｌＧａ０． ｌ＾Ｓ第２電流阻止層（
６）を溶解させない条件下にあるメルトを上記ストライ
プ状溝（１０）が形成されたウェハ上を通過させること
により、該ストライプ状溝の底部のｎ −ＧａＡｓ第１
電流阻止層をメルトバックにより除去すると共に、グレ
ーティング状のｐ−＾１ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第
２電流阻止層をメルトバラク防止層とすることによりｎ
−ＧａＡｓ第１電流阻止Ｍ（５）に形成されたストラ
イプ状溝（１０）の幅を該ストライプ状溝の走る方向に
一定の周期Δで変化させ、第２図（ｅ）に示すような構
造を得る。実施例１と同様に第２図（ｆ）は第２図（６
）で上記ｐ −Ａｌｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、＠Ａｓ第２電
流阻止層（６）が存在する部位における断面を示し、溝
底部の幅はＷ、どなっている、第２図（ｇ）は上記Ｐ−
＾又。、 ＋３６ａ＠、 ＠＾Ｓ第２電流阻止層（６）
が上記エツチング処理により除去された部位を示し、溝
底部の幅はＷ、（Ｗよ〉Ｗ、）となっている。
されたウェハを液相エピタキシャル法による結晶成長装
置内に設置し、ｎ−ＧａＡｓ第１電流阻止暦（５）およ
びｎ −ＧａＡｓ第３電流阻止層（７）を溶解させるが
ｐ−Ａ見◎、 ｌｌＧａ０． ｌ＾Ｓ第２電流阻止層（
６）を溶解させない条件下にあるメルトを上記ストライ
プ状溝（１０）が形成されたウェハ上を通過させること
により、該ストライプ状溝の底部のｎ −ＧａＡｓ第１
電流阻止層をメルトバックにより除去すると共に、グレ
ーティング状のｐ−＾１ ｏ、 ５Ｇａｏ、 ｓＡｓ第
２電流阻止層をメルトバラク防止層とすることによりｎ
−ＧａＡｓ第１電流阻止Ｍ（５）に形成されたストラ
イプ状溝（１０）の幅を該ストライプ状溝の走る方向に
一定の周期Δで変化させ、第２図（ｅ）に示すような構
造を得る。実施例１と同様に第２図（ｆ）は第２図（６
）で上記ｐ −Ａｌｌ ｏ、 ５Ｇａｏ、＠Ａｓ第２電
流阻止層（６）が存在する部位における断面を示し、溝
底部の幅はＷ、どなっている、第２図（ｇ）は上記Ｐ−
＾又。、 ＋３６ａ＠、 ＠＾Ｓ第２電流阻止層（６）
が上記エツチング処理により除去された部位を示し、溝
底部の幅はＷ、（Ｗよ〉Ｗ、）となっている。
■ 工程■に引続いて同一の結晶成長装置内で液相エピ
タキシャル法によりｐ−Ａｎ。、 ５ＧａＯ，ＳＡＳ第
３クラッド層（８）およびｐ −ＧａＡｓコンタクト層
（９）を、メルトバック作用によりｎ −ＧａＡｓ第１
電流阻止層が除去されたウェハ上のストライプ状溝（１
０）を埋込むようにエピタキシャル成長させて第１図（
ａ）に示す構造の半導体レーザ装置が得られる。
タキシャル法によりｐ−Ａｎ。、 ５ＧａＯ，ＳＡＳ第
３クラッド層（８）およびｐ −ＧａＡｓコンタクト層
（９）を、メルトバック作用によりｎ −ＧａＡｓ第１
電流阻止層が除去されたウェハ上のストライプ状溝（１
０）を埋込むようにエピタキシャル成長させて第１図（
ａ）に示す構造の半導体レーザ装置が得られる。
（発明の効果）
この発明によるゲイン・カブルト・タイプＤＦＢ半導体
レーザ装置は第１電流阻止層（５）乃至第３電流阻止暦
（７）に共振器の長手方向に伸びるストライプ状溝が形
成されているので、レーザ光に対して吸収体として働く
部分が実質的に存在せず、また上記溝の幅はその長手方
向に一定の周期Δで変化するように構成されているから
、低域値電流、高外部量子効率をもって波長λ。の単一
縦モードで発振するＡｌ ＧａＡｓ系ゲイン・カブルド
・タイプＤＦＢ半導体レーザ装置を得ることができる。
レーザ装置は第１電流阻止層（５）乃至第３電流阻止暦
（７）に共振器の長手方向に伸びるストライプ状溝が形
成されているので、レーザ光に対して吸収体として働く
部分が実質的に存在せず、また上記溝の幅はその長手方
向に一定の周期Δで変化するように構成されているから
、低域値電流、高外部量子効率をもって波長λ。の単一
縦モードで発振するＡｌ ＧａＡｓ系ゲイン・カブルド
・タイプＤＦＢ半導体レーザ装置を得ることができる。
また、この発明の半導体レーザ装置の製造法では、いず
れの実施例に８いてもストライプ状溝の幅を共振器の長
手方向に周期的に変化させるために第１乃至第３電流阻
止層の一部を除去する工程、それに続く第３クラッド層
およびコンタクト層の結晶成長工程において、これらの
面が大気にさらされることがないので、表面酸化がなく
、再生成長へテロ界面における結晶欠陥が従来の装置に
比して格段に少なくなり、このため低閾値電流、高外部
量子効率で、しかも信頼性の高い長寿命の半導体レーザ
装置を製造することができる。
れの実施例に８いてもストライプ状溝の幅を共振器の長
手方向に周期的に変化させるために第１乃至第３電流阻
止層の一部を除去する工程、それに続く第３クラッド層
およびコンタクト層の結晶成長工程において、これらの
面が大気にさらされることがないので、表面酸化がなく
、再生成長へテロ界面における結晶欠陥が従来の装置に
比して格段に少なくなり、このため低閾値電流、高外部
量子効率で、しかも信頼性の高い長寿命の半導体レーザ
装置を製造することができる。
第１図（ａ）はこの発明によるゲイン・カブルド・タイ
プＤＦＢ半導体レーザ装置の一実施例を示す斜視図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）の半導体レーザ装置の第２電
流阻止層の存在する部分における断面構造を示す図、第
１図（Ｃ）は第１図（ａ）の半導体レーザ装置の第２電
流阻止層の存在しない部分における断面構造を示す図、
第１図（ｄ）は第１電流阻止層上に第２電流阻止層が形
成される位置関係を説明する図、第２図（ａ）乃至第２
図（ｇ）はこの発明による半導体レーザ装置の製造方法
を説明する図、第３図（ａ）および第３図（ｂ）は従来
のインデックス・カブルド・タイプ半導体レーザ装置の
構造ならびにその製造工程の−・部を説明する斜視図、
第４図（ａ）およびｆ５４図（ｂ）は従来のゲイン・カ
ブルド・タイプ半導体レーザ装置の構造ならびにその製
造工程の一部を説明する斜視図である。 １ ・・・・ＧａＡｓ基板、２ ”・Ａｎ ｘＧａｕ−
＊＋ＡＳ第１クラッド層、３ ” Ａｎ ｙＧａｔｒ−
ｙ＞Ａｓ活性層、４−−−−Ａ１ ｗＧａ＜Ｉ−）ＡＳ
第２クラッド層、５ ＝ＧａＡｓ第１電流阻止層、６・
・・・Ａ文ｘＧａ（１−、）Ａｓ第２電流阻止層、７・
・・・ＧａＡｓ第３電流阻止層、８・・・・Ａ２８Ｇａ
（、□）Ａｓ第３クラッド層、９・・・・ＧａＡｓコン
タクト層、１０・・・・ストライプ状溝。 代 理 人 大 岩 増 雄第 １ （
２）Ｃ゛（のｌ） 帛２回Ｃ゛慢７７１） に） らｎ （ｂ） ＋ｂ＋ 拠２ 図（イの２） （Ｃ） 第２ （２１（（の３ン Ｃｅ） 舅４ 圏（ａ） ＋ｂ） （自発う ↑、￥許庁長官殿 １、事件の表示 ？ｊ￥＋騨Ｎ平１−８８７０８号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区九の内二丁目２番３号 ５ 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６ 補正の内容 （１）明細書の第８頁第１７行中の「系半導体レーザ装
置」をｒ系の分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ装置」
と訂正します。 （２）同第８頁第１８行中の「半導体レーザ装置」を「
のＤＦＢ半導体レーザ装置」と訂正します。 （３）同第１０頁第３行中のｒＧｒ／ＡｕＪをｒＣｒ／
ＡｕＪと訂正します。 （４）同第ｘ頁第２０行中の「再結合しても」を「再結
合して」と訂正します。 以 上
プＤＦＢ半導体レーザ装置の一実施例を示す斜視図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）の半導体レーザ装置の第２電
流阻止層の存在する部分における断面構造を示す図、第
１図（Ｃ）は第１図（ａ）の半導体レーザ装置の第２電
流阻止層の存在しない部分における断面構造を示す図、
第１図（ｄ）は第１電流阻止層上に第２電流阻止層が形
成される位置関係を説明する図、第２図（ａ）乃至第２
図（ｇ）はこの発明による半導体レーザ装置の製造方法
を説明する図、第３図（ａ）および第３図（ｂ）は従来
のインデックス・カブルド・タイプ半導体レーザ装置の
構造ならびにその製造工程の−・部を説明する斜視図、
第４図（ａ）およびｆ５４図（ｂ）は従来のゲイン・カ
ブルド・タイプ半導体レーザ装置の構造ならびにその製
造工程の一部を説明する斜視図である。 １ ・・・・ＧａＡｓ基板、２ ”・Ａｎ ｘＧａｕ−
＊＋ＡＳ第１クラッド層、３ ” Ａｎ ｙＧａｔｒ−
ｙ＞Ａｓ活性層、４−−−−Ａ１ ｗＧａ＜Ｉ−）ＡＳ
第２クラッド層、５ ＝ＧａＡｓ第１電流阻止層、６・
・・・Ａ文ｘＧａ（１−、）Ａｓ第２電流阻止層、７・
・・・ＧａＡｓ第３電流阻止層、８・・・・Ａ２８Ｇａ
（、□）Ａｓ第３クラッド層、９・・・・ＧａＡｓコン
タクト層、１０・・・・ストライプ状溝。 代 理 人 大 岩 増 雄第 １ （
２）Ｃ゛（のｌ） 帛２回Ｃ゛慢７７１） に） らｎ （ｂ） ＋ｂ＋ 拠２ 図（イの２） （Ｃ） 第２ （２１（（の３ン Ｃｅ） 舅４ 圏（ａ） ＋ｂ） （自発う ↑、￥許庁長官殿 １、事件の表示 ？ｊ￥＋騨Ｎ平１−８８７０８号 ２、発明の名称 半導体レーザ装置およびその製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者 志 岐
守 哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区九の内二丁目２番３号 ５ 補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄。 ６ 補正の内容 （１）明細書の第８頁第１７行中の「系半導体レーザ装
置」をｒ系の分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザ装置」
と訂正します。 （２）同第８頁第１８行中の「半導体レーザ装置」を「
のＤＦＢ半導体レーザ装置」と訂正します。 （３）同第１０頁第３行中のｒＧｒ／ＡｕＪをｒＣｒ／
ＡｕＪと訂正します。 （４）同第ｘ頁第２０行中の「再結合しても」を「再結
合して」と訂正します。 以 上
Claims (4)
- （１）第１の導電形のＧａＡｓ基板上に設けられた第１
の導電形のＡｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第１
クラッド層と、該第１クラッド層上に設けられた第１あ
るいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿ｙＧａ＿（
＿１＿−＿ｙ＿）Ａｓ活性層と、該活性層上に設けられ
たＡｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第２クラッド
層と、該第２クラッド層上に設けられた第１あるいは第
２の導電形、若しくは真性のＧａＡｓ第１電流阻止層で
あって、上記第２クラッド層に達するストライプ状溝が
形成され且つこのストライプ状溝の幅が共振器長手方向
に一定周期で変化するように形成された上記ＧａＡｓ第
１電流阻止層と、該第１電流阻止層上に上記共振器長手
方向と直交する方向で且つ上記第１電流阻止層に形成さ
れた上記ストライプ状溝の幅が狭くなった領域上に設け
られた第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のグレ
ーティング状Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿）Ａｓ第
２電流阻止層と、該第２電流阻止層上および第２電流阻
止層が設けられていない第１電流阻止層上に設けられた
第１の導電形のＧａＡｓ第３電流阻止層と、上記第１電
流阻止層に形成されたストライプ状溝を埋め且つ上記第
３電流阻止層の表面を覆って形成された第２の導電形の
Ａｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第３クラッド層
と、該第３クラッド層上に形成された第２の導電形のＧ
ａＡｓコンタクト層とからなる半導体レーザ装置。 - （２）第１の導電形のＧａＡｓ基板上に第１の導電形の
Ａｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第１クラッド層
と、第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿
ｙＧａ＿（＿１＿−＿ｙ＿）Ａｓ活性層と、第２の導電
形のＡｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第２クラッ
ド層と、第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のＧ
ａＡｓ第１電流阻止層と、第２電流阻止層形成用の第１
あるいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿ｚＧａ＿
（＿１＿−＿ｚ＿）ＡＳ層とを順次エピタキシャル成長
させる工程と、 上記第２電流阻止層形成用のＡｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−
＿ｚ＿）Ａｓ層上にフォトレジスト製のグレーティング
を形成する工程と、 上記フォトレジスト製グレーティングをエッチングマス
クとして使用して上記Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿
）Ａｓ層を選択的にエッチングしてグレーティング状の
Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿）Ａｓ第２電流阻止層
を形成する工程と、 上記グレーティング状の第２電流阻止層を埋込むように
第１の導電形のＧａＡｓ第３電流阻止層をエピタキシャ
ル成長させる工程と、 上記グレーティングの方向と直交する方向に上記第３電
流阻止層に上記第１電流阻止層に達するストライプ状溝
を形成する工程と、 上記ストライプ状溝が形成されたウェハを有機金属熱分
解法による結晶成長装置内に設置し、これに塩化水素を
流しながら加熱することにより上記ストライプ状溝底部
の上記第１電流阻止層をエッチングして除去すると共に
上記グレーティング状の第２電流阻止層をエッチングマ
スクとして利用して上記第１電流阻止層を部分的にエッ
チングすることにより該第１電流阻止層に形成されたス
トライプ状溝の幅を該ストライプ状溝の走る方向で一定
周期で変化させる工程と、 前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置内で有機金属
熱分解法により第２の導電形のＡｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿
−＿ｘ＿）Ａｓ第３クラッド層および第２の導電形のＧ
ａＡｓコンタクト層を、上記塩化水素による上記エッチ
ング作用により形成されたウェハの上記ストライプ状溝
を埋込むと共に上記第３電流阻止層の表面を覆ってエピ
タキシャル成長させる工程とからなる半導体レーザ装置
の製造方法。 - （３）第１の導電形のＧａＡｓ基板上に第１の導電形の
Ａｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第１クラッド層
と、第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿
ｙＧａ＿（＿１＿−＿ｙ＿）Ａｓ活性層と、第２の導電
形のＡｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第２クラッ
ド層と、第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のＧ
ａＡｓ第１電流阻止層と、第２電流阻止層形成用の第１
あるいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿ｚＧａ＿
（＿１＿−＿ｚ＿）Ａｓ層とを順次エピタキシャル成長
させる工程と、 上記第２電流阻止層形成用のＡｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−
＿ｚ＿）Ａｓ層上にフォトレジスト製のグレーティング
を形成する工程と、 上記フォトレジスト製グレーティングをエッチングマス
クとして使用して上記Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿
）Ａｓ層を選択的にエッチングしてグレーティング状の
Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿）Ａｓ第２電流阻止層
を形成する工程と、 上記グレーティング状の第２電流阻止層を埋込むように
第１の導電形のＧａＡｓ第３電流阻止層をエピタキシャ
ル成長させる工程と、 上記グレーティングの方向と直交する方向に上記第３電
流阻止層に上記第１電流阻止層に達するストライプ状溝
を形成する工程と、 上記ストライプ状溝が形成されたウェハを分子線エピタ
キシャル法による結晶成長装置内に設置し、ヒ素分子線
を照射しながら加熱することにより上記ストライプ状溝
底部の上記第１電流阻止層をエッチングして除去すると
共に上記グレーティング状の第２電流阻止層をエッチン
グマスクとして利用して上記第１電流阻止層を部分的に
エッチてグすることにより該第１電流阻止層に形成され
たストライプ状溝の幅を該ストライプ状溝の走る方向で
一定周期で変化させる工程と、 前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置内で分子線エ
ピタキシャル法により第２の導電形のＡｌ＿ｘＧａ＿（
＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第３クラッド層および第２の導電
形のＧａＡｓコンタクト層を、上記エッチング作用によ
り形成されたウェハ上のストライプ状溝を埋込むと共に
上記第３電流阻止層を覆ってエピタキシャル成長させる
工程とからなる半導体レーザ装置の製造方法。 - （４）第１の導電形のＧａＡｓ基板上に第１の導電形の
Ａｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第１クラッド層
と、第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿
ｙＧａ＿（＿１＿−＿ｙ＿）Ａｓ活性層と、第２の導電
形のＡｌ＿ｘＧａ＿（＿１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第２クラッ
ド層と、第１あるいは第２の導電形、若しくは真性のＧ
ａＡｓ第１電流阻止層と、第２電流阻止層形成用の第１
あるいは第２の導電形、若しくは真性のＡｌ＿ｚＧａ＿
（＿１＿−＿ｚ＿）Ａｓ層とを順次エピタキシャル成長
させる工程と、 上記第２電流阻止層形成用のＡｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−
＿ｚ＿）Ａｓ層上にフォトレジスト製のグレーティング
を形成する工程と、 上記フォトレジスト製グレーティングをエッチングマス
クとして使用して上記Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿
）Ａｓ層を選択的にエッチングしてグレーティング状の
Ａｌ＿ｚＧａ＿（＿１＿−＿ｚ＿）Ａｓ第２電流阻止層
を形成する工程と、 上記グレーティング状の第２電流阻止層を埋込むように
第１の導電形のＧａＡｓ第３電流阻止層をエピタキシャ
ル成長させる工程と、 上記グレーティングの方向と直交する方向に上記第３電
流阻止層に上記第１電流阻止層に達するストライプ状溝
を形成する工程と、 ストライプ状溝が形成されたウェハを液相エピタキシャ
ル法による結晶成長装置内に設置し、上記第１電流阻止
層を選択的に溶解させるが上記第２電流阻止層を溶解さ
せない条件下のメルトを前記ウェハ上を通過させること
により、上記ストライプ状溝底部の第１電流阻止層をメ
ルトバックにより除去すると共に上記グレーティング状
の第２電流阻止層をメルトバック防止層として利用して
上記第１電流阻止層に形成されたストライプ状溝の幅を
該ストライプ状溝の走る方向で一定周期で変化させる工
程と、 前工程に引続いて上記と同じ結晶成長装置内で液相エピ
タキシャル法により第２の導電形のＡｌ＿ｘＧａ＿（＿
１＿−＿ｘ＿）Ａｓ第３クラッド層および第２の導電形
のＧａＡｓコンタクト層を、上記メルトバック作用によ
り形成されたウェハ上のストライプ状溝を埋込むと共に
上記第３電流阻止層の表面を覆ってエピタキシャル成長
させる工程とからなる半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088708A JPH0719931B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| EP89307728A EP0390995B1 (en) | 1989-04-06 | 1989-07-28 | Semiconductor laser device and method of making same |
| DE68920571T DE68920571T2 (de) | 1989-04-06 | 1989-07-28 | Halbleiterlaser-Vorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung. |
| US07/387,767 US4984243A (en) | 1989-04-06 | 1989-08-01 | Semiconductor laser device |
| US07/597,782 US5079185A (en) | 1989-04-06 | 1990-10-10 | Method of making a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088708A JPH0719931B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266583A true JPH02266583A (ja) | 1990-10-31 |
| JPH0719931B2 JPH0719931B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=13950393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088708A Expired - Lifetime JPH0719931B2 (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4984243A (ja) |
| EP (1) | EP0390995B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0719931B2 (ja) |
| DE (1) | DE68920571T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006202935A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Nec Corp | 半導体レーザ及びその製造方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088394B2 (ja) * | 1989-06-30 | 1996-01-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JPH03293790A (ja) * | 1990-04-11 | 1991-12-25 | Eastman Kodak Japan Kk | 広ストライプ型レーザダイオード |
| US5268328A (en) * | 1990-09-07 | 1993-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of fabricating a semiconductor laser |
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- 1989-07-28 DE DE68920571T patent/DE68920571T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-28 EP EP89307728A patent/EP0390995B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-01 US US07/387,767 patent/US4984243A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5079185A (en) | 1992-01-07 |
| EP0390995A3 (en) | 1991-05-08 |
| EP0390995B1 (en) | 1995-01-11 |
| DE68920571T2 (de) | 1995-05-18 |
| DE68920571D1 (de) | 1995-02-23 |
| US4984243A (en) | 1991-01-08 |
| EP0390995A2 (en) | 1990-10-10 |
| JPH0719931B2 (ja) | 1995-03-06 |
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