JPH02266585A - キャンパッケージ型レーザダイオード - Google Patents
キャンパッケージ型レーザダイオードInfo
- Publication number
- JPH02266585A JPH02266585A JP1088963A JP8896389A JPH02266585A JP H02266585 A JPH02266585 A JP H02266585A JP 1088963 A JP1088963 A JP 1088963A JP 8896389 A JP8896389 A JP 8896389A JP H02266585 A JPH02266585 A JP H02266585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser diode
- diode chip
- package
- heat
- filled
- Prior art date
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- Pending
Links
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- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
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- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 2
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はキャンパッケージ型のレーザダイオードに関す
る。
る。
従来、この種のキャンパッケージ型レーザダイオードは
、第２図に示すように、レーザダイオードチップをヒー
トシンク７と呼ばれる熱伝導の良い材質の上にマウント
ソルダー２を用いてマウントし、このヒートシンク７を
ヒートシンクマウントソルダー８でステム３にマウント
し、キャップ６で封止し、内部に窒素などの不活性ガス
を封入した構造を有していた。そしてレーザダイオード
チップの動作時に発生する熱はヒートシンク７からステ
ム３へと伝導により放熱させていた。
、第２図に示すように、レーザダイオードチップをヒー
トシンク７と呼ばれる熱伝導の良い材質の上にマウント
ソルダー２を用いてマウントし、このヒートシンク７を
ヒートシンクマウントソルダー８でステム３にマウント
し、キャップ６で封止し、内部に窒素などの不活性ガス
を封入した構造を有していた。そしてレーザダイオード
チップの動作時に発生する熱はヒートシンク７からステ
ム３へと伝導により放熱させていた。
上述した従来のキャンパッケージ型レーザダイオードは
、レーザダイオードチップとヒートシンクの間のマウン
トソルダーの組成、特に酸化状態によりレーザダイオー
ドチップが動作時に発生する熱のヒートシンクへの放熱
にばらつきが生じる欠点があった。
、レーザダイオードチップとヒートシンクの間のマウン
トソルダーの組成、特に酸化状態によりレーザダイオー
ドチップが動作時に発生する熱のヒートシンクへの放熱
にばらつきが生じる欠点があった。
本発明のキャンパッケージ型レーザダイオードは、レー
ザダイオードチップの動作時に発生する熱の放熱を安定
にさせるなめにパッケージ内に不活性で透明な液体を充
満させたことを特徴とする。
ザダイオードチップの動作時に発生する熱の放熱を安定
にさせるなめにパッケージ内に不活性で透明な液体を充
満させたことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
レーザダイオードチップ１をマウントソルダー２を用い
てステム３に直接マウントし、封止前にフッ化カーボン
５を充満してキャップ６で封止する。このようにすると
、レーザダイオードチップ１が動作時に発生する熱は、
パッケージ内に充満されているフッ化カーボン５に放熱
され外部に放酸される。
てステム３に直接マウントし、封止前にフッ化カーボン
５を充満してキャップ６で封止する。このようにすると
、レーザダイオードチップ１が動作時に発生する熱は、
パッケージ内に充満されているフッ化カーボン５に放熱
され外部に放酸される。
本発明では、ヒートシンクを用いずレーザダイオードチ
ップを直接ステムにマウントし、パッケージ内にフッ化
カーボンを充満させているので放熱がマウントソルダー
の組成や酸化状態の影響を受けない。
ップを直接ステムにマウントし、パッケージ内にフッ化
カーボンを充満させているので放熱がマウントソルダー
の組成や酸化状態の影響を受けない。
なお、上記実施例ではフッ化カーボンを用いる場合につ
いて述べたが、これに限らず不活性で熱伝導率が高くレ
ーザ光に対して透明な液体であれば良い。
いて述べたが、これに限らず不活性で熱伝導率が高くレ
ーザ光に対して透明な液体であれば良い。
以上説明したように本発明は、パッケージ内にフッ化カ
ーボン等を充満させ、レーザダイオードチップの動作時
の放熱を良くすることにより、レーザダイオードチップ
の動作を安定させる効果がある。
ーボン等を充満させ、レーザダイオードチップの動作時
の放熱を良くすることにより、レーザダイオードチップ
の動作を安定させる効果がある。
第１図は本発明のキャンパッケージ型レーザダイオード
の断面図、第２図は従来のキャンパッケージ型レーザダ
イオードの断面図である。
の断面図、第２図は従来のキャンパッケージ型レーザダ
イオードの断面図である。
Claims (1)
- 不活性で熱伝導率が高く透明な液体をパッケージ内に封
入することを特徴とするキャンパッケージ型レーザダイ
オード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088963A JPH02266585A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | キャンパッケージ型レーザダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1088963A JPH02266585A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | キャンパッケージ型レーザダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02266585A true JPH02266585A (ja) | 1990-10-31 |
Family
ID=13957482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1088963A Pending JPH02266585A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | キャンパッケージ型レーザダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02266585A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004526307A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-08-26 | ジェンテクス・コーポレーション | 高出力放射エミッタデバイスおよび電子部品用熱放散パッケージ |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP1088963A patent/JPH02266585A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004526307A (ja) * | 2001-01-31 | 2004-08-26 | ジェンテクス・コーポレーション | 高出力放射エミッタデバイスおよび電子部品用熱放散パッケージ |
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