JPH02267260A - スパッタリング用ターゲットの製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲットの製造方法Info
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- JPH02267260A JPH02267260A JP8740489A JP8740489A JPH02267260A JP H02267260 A JPH02267260 A JP H02267260A JP 8740489 A JP8740489 A JP 8740489A JP 8740489 A JP8740489 A JP 8740489A JP H02267260 A JPH02267260 A JP H02267260A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
光磁気記録媒体成膜用のスパッタリング用ターゲットに
関する。
関する。
［従来の技術］
光磁気用スパッタリング用ターゲットの製造方法として
は、従来より鋳造法と焼結法がある。
は、従来より鋳造法と焼結法がある。
前者は、成分金属元素を溶解鋳造により成形Ｊ加工して
ターゲットとする。後者は、原料粉末を焼結法にて成形
、加工しターゲットとする。
ターゲットとする。後者は、原料粉末を焼結法にて成形
、加工しターゲットとする。
前者は含有酸素温度が少ないが、後者は製法上粉末工程
が入るため含有酸素量が多くなり成膜の磁気特性に悪い
影響を与える。
が入るため含有酸素量が多くなり成膜の磁気特性に悪い
影響を与える。
［発明が解決しようとする課題］
鋳造法にて作製したターゲットは、前記の通りこれを使
用した膜の磁気特性はよいが、以下の問題点がある。
用した膜の磁気特性はよいが、以下の問題点がある。
光磁気記録用媒体は主に ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ
、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の稀土類遷移金属により形成され
ている。これらの金属を溶解鋳造した場合、稀土類をＲ
Ｅ遷移金属をＴＭと表すと、生成した金属組織はＲＥ
ＩＴ Ｍ２、ＲＥＩＴＭ３、ＲＥＴＭ等の金属間化合物
の単一相あるいは共晶から構成されている。これらの金
属を等方適に冷却した場合鋳造物中に多くの引け巣が生
成する。引け巣は構成金属が共晶系をなす場合に特に多
い。
、ＮｄＤｙＦｅＣｏ等の稀土類遷移金属により形成され
ている。これらの金属を溶解鋳造した場合、稀土類をＲ
Ｅ遷移金属をＴＭと表すと、生成した金属組織はＲＥ
ＩＴ Ｍ２、ＲＥＩＴＭ３、ＲＥＴＭ等の金属間化合物
の単一相あるいは共晶から構成されている。これらの金
属を等方適に冷却した場合鋳造物中に多くの引け巣が生
成する。引け巣は構成金属が共晶系をなす場合に特に多
い。
第２図にこのように引け巣を多く発生した金属組織の一
例の模式図を示す、ここでは原子比でＮ ｄ７Ｄ ｙ２
３Ｆ ｅ５６Ｃｏ １４なる組成の合金の例を挙げる０
図中２０１がＲＥＩＴＭ２相、２０２がＲＥＩＴＭ３相
、２０３が組織中に発生した引け巣である、２０２相が
初晶として晶出した後に第２相の２０１相が２０２相に
より構成されたフレームの間隙にて凝固する。２０１相
の凝固時における収量量が多いため引け巣２０３が形成
される。このような引け巣があるスパッタリング用ター
ゲットを成膜に使用すると引け巣の隙間に不純物を多く
含有したりクラック誘発の原因となる。更に第２図の共
晶系の様な場合は、引け巣が大きくなると組成ずれの原
因ともなる。
例の模式図を示す、ここでは原子比でＮ ｄ７Ｄ ｙ２
３Ｆ ｅ５６Ｃｏ １４なる組成の合金の例を挙げる０
図中２０１がＲＥＩＴＭ２相、２０２がＲＥＩＴＭ３相
、２０３が組織中に発生した引け巣である、２０２相が
初晶として晶出した後に第２相の２０１相が２０２相に
より構成されたフレームの間隙にて凝固する。２０１相
の凝固時における収量量が多いため引け巣２０３が形成
される。このような引け巣があるスパッタリング用ター
ゲットを成膜に使用すると引け巣の隙間に不純物を多く
含有したりクラック誘発の原因となる。更に第２図の共
晶系の様な場合は、引け巣が大きくなると組成ずれの原
因ともなる。
そこで本発明はこの様な問題点を解決するものでその目
的とするところは、引け巣のない均質なターゲットを供
給するところにある。
的とするところは、引け巣のない均質なターゲットを供
給するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明のスパッタリング用ターゲットの製造方法は、主
に稀土類遷移金属を用い鋳造法にて光磁気用スパッタリ
ングターゲットを作製する際、方向性凝固を行いかつ最
後に凝固し引け巣の多い部分を加工時に除去することを
特徴とする。
に稀土類遷移金属を用い鋳造法にて光磁気用スパッタリ
ングターゲットを作製する際、方向性凝固を行いかつ最
後に凝固し引け巣の多い部分を加工時に除去することを
特徴とする。
［実施例］
以下に実施例に基づき本発明を説明する。
（実施例１）
まず原料金属を原子比でＮ ｄ ７Ｄ ｙ２３Ｆ ｅ
５６Ｃ。
５６Ｃ。
１４と成る様にを秤量する。この原料を高周波溶解炉を
用い不活性雰囲気にて溶解する。溶解した融液を鋳型に
てスパッタ面に垂直方向あるいは、平行方向に方向性凝
固を行う。このようにしてできたインゴットの断面の模
式図を第１図に示す。ａはスパッタ面に垂直に凝固させ
たものであり紙面に垂直方向にスパッタリング面がある
。ｂはスッパタ面に平行に凝固させたものであり紙面と
平行にスパッタ面がある。凝固進行方向を矢印にて示す
０図中１０１がＲＥＩＴＭ２相、１０２がＲＥ ＩＴＭ
３相である。引け巣１０４は図中右側に集中している。
用い不活性雰囲気にて溶解する。溶解した融液を鋳型に
てスパッタ面に垂直方向あるいは、平行方向に方向性凝
固を行う。このようにしてできたインゴットの断面の模
式図を第１図に示す。ａはスパッタ面に垂直に凝固させ
たものであり紙面に垂直方向にスパッタリング面がある
。ｂはスッパタ面に平行に凝固させたものであり紙面と
平行にスパッタ面がある。凝固進行方向を矢印にて示す
０図中１０１がＲＥＩＴＭ２相、１０２がＲＥ ＩＴＭ
３相である。引け巣１０４は図中右側に集中している。
ｖ！造してできたインゴットを１０４に示す点線の力所
にて切断し図中左側をスパッタリング用ターゲットとし
た。
にて切断し図中左側をスパッタリング用ターゲットとし
た。
このようにしてできたターゲットにおけるスッパタ面の
引け巣の面積の割合は約０６０６％以下と少なく、スパ
ッタ時における引け巣による放電、あるいは引け集中の
不純物等における成膜への悪影響はなかった。
引け巣の面積の割合は約０６０６％以下と少なく、スパ
ッタ時における引け巣による放電、あるいは引け集中の
不純物等における成膜への悪影響はなかった。
（比較例１）
本実施例による効果の確認のため従来の方法による鋳造
ターゲットを製作した。 （実施例１）と同じ原料を同
じ秤量値にて前実施例と同じ溶解方法にて溶解を行う、
融液を等方適に徐冷するセラミック製の鋳型に流し込み
鋳造を行う、冷却後所望の形に加工しスパッタリング用
ターゲットとした。
ターゲットを製作した。 （実施例１）と同じ原料を同
じ秤量値にて前実施例と同じ溶解方法にて溶解を行う、
融液を等方適に徐冷するセラミック製の鋳型に流し込み
鋳造を行う、冷却後所望の形に加工しスパッタリング用
ターゲットとした。
このようにしてできたターゲットにおけるスッパタ面の
引け巣の面積の割合は平均約１％以上も達し、スパッタ
時における引け巣による放電を引き起こしたり、あるい
は引け集中に不純物を含み、成膜した膜特性にへの悪影
響を与えた。
引け巣の面積の割合は平均約１％以上も達し、スパッタ
時における引け巣による放電を引き起こしたり、あるい
は引け集中に不純物を含み、成膜した膜特性にへの悪影
響を与えた。
（実施例２）
実施例１と同じ方法にてＴ ｂ ２２Ｆ ｅ ６４Ｃｏ
１４の組成比を持つ（原子比にて）ターゲットを作成
した。作成したターゲットの引け巣の面積の割合は０．
０５％以下であり非常に均質なターゲットが作成できた
。
１４の組成比を持つ（原子比にて）ターゲットを作成
した。作成したターゲットの引け巣の面積の割合は０．
０５％以下であり非常に均質なターゲットが作成できた
。
（比較例２）
実施例２と同じ組成比を持つターゲットを比較例１と同
じ製法にて製作した。引け巣の面積の割合は４％と多か
った。
じ製法にて製作した。引け巣の面積の割合は４％と多か
った。
本発明の方法は、実施例１．２以外の組成系例えば、
ＧｄＦｅＣｏ、 ＤｙＦｅＣｏ、 ＰｒＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ系にも有
効である。若干の添加元素を含んでも同様である。
ＧｄＦｅＣｏ、 ＤｙＦｅＣｏ、 ＰｒＤｙＦｅＣ
ｏ、ＮｄＰｒＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ系にも有
効である。若干の添加元素を含んでも同様である。
（発明の効果）
以上ことにより、引け巣の小さいターゲットをつくるこ
とが出来た。
とが出来た。
第１図は本発明によるスパッタリングターゲットの模式
図。 第２図は従来の鋳造法によるスパッタリングターゲット
の模式図。 以上 第 図 第２図
図。 第２図は従来の鋳造法によるスパッタリングターゲット
の模式図。 以上 第 図 第２図
Claims (1)
- 主に稀土類遷移金属を用い鋳造法にて光磁気用スパッタ
リングターゲットを作製する際、方向性凝固を行いかつ
最後に凝固し引け巣の多い部分を加工時に除去すること
を特徴とするスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8740489A JPH02267260A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8740489A JPH02267260A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02267260A true JPH02267260A (ja) | 1990-11-01 |
Family
ID=13913936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8740489A Pending JPH02267260A (ja) | 1989-04-06 | 1989-04-06 | スパッタリング用ターゲットの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02267260A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113652652A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-16 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种铟靶材及其制备方法 |
-
1989
- 1989-04-06 JP JP8740489A patent/JPH02267260A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113652652A (zh) * | 2021-07-20 | 2021-11-16 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种铟靶材及其制备方法 |
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