JPH0342609B2

JPH0342609B2 -

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Publication number: JPH0342609B2
Application number: JP18253083A
Authority: JP
Priority date: 1983-09-30
Filing date: 1983-09-30
Publication date: 1991-06-27
Also published as: JPS6073314A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は、カメラ等に用いられる測距装置であ
つて、発光素子から発せられた光を測距対象に向
けて投射し、その反射光を共通電極及び一対の検
出用電極を有する半導体光位置検出素子で受光す
る三角測距方式の測距装置の改良に関する。従来、上述のような方式の測距装置としては、
特開昭57−177107号公報等により提案されてい
る。一般に、発光素子より投射した光の測距対象か
らの反射光を受光素子で受光して測距する場合、
その反射光強度は、測距対象の反射率、距離等に
よつて、千倍以上の差を生じる。従つて、受光素
子の出力を増幅する増幅回路は、60dB以上のダ
イナミツクレンジが必要となる。そのダイナミツクレンジを広くする方法として
は、受光素子出力の対数圧縮や増幅回路の自動利
得調整が考えられるが、前者では、受光々量が大
きく受光素子間の出力差が小さい時に、Ｓ／Ｎが
悪くなる欠点があり、また後者では、フイードバ
ツク系が必要で、発振等の不安定要素が増大する
欠点があつた。そこで、本発明の目的は、上記従来例の欠点を
伴わず、簡単な手段で、半導体光位置検出素子の
出力を見掛上零或は微少値から徐々に増大させ
て、比較回路の判別し易いある設定値に達した時
に測距状態を判別させ、撮影レンズを所定位置に
設定する測距装置を提供するものである。以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。先ず、第１図において、１はクロツクパルス発
生回路（発振周波数o＝16KHzであり、以下OSC
と記述する）、２は時間形成回路（時間ｔ＝
25ms）、３はアンドゲート、４はトランジスタ、
５は測距対象へスポツト光を投射する発光素子と
しての赤外線発光ダイオード（以下、IRDと記述
する）である。６は半導体光位置検出素子で、比較的大きな面
を有する半導体基板７をもち、その半導体基板７
の一方の面に該基板７と異なる導電型の半導体層
８が形成されている。そして、半導体層８の上に
は抵抗層９が形成されていると共に、該抵抗層９
の両端に一対の電極（検出用）９ａ，９ｂが設け
られ、また半導体基板７には共通電極１０が設け
られている。１１及び１２は夫々交流増幅回路、１３及び１
４は夫々利得（増幅率）調整入力端子１３ａ及び
１４ａを備えた交流増幅回路、１５及び１６は
夫々帯域フイルター回路（中心周波数o＝16KHz
であり、以下BPFと記述する）、１７及び１８は
夫々検波回路、１９及び２０は夫々平滑回路、２
１及び２２は夫々直流増幅回路、２３はインバー
タ、２４はトランジスタ、２５は定電流回路、２
６はコンデンサ、２７は電流増幅回路、２８，２
９及び３０は夫々コンパレータ回路（以下CMP
と記述する）、３１は定電流回路、３２，３３及
び３４は夫々CMP２８の反転入力端子（−）及
びCMP２９，３０の非反転入力端子（＋）に基
準電圧Vr₁及びVr₂，Vr₃を与える分圧抵抗、３５
はアンドゲート、３６及び３７は夫々Ｄタイプの
フリツプフロツプ回路、３８はR.Sタイプのフリ
ツプフロツプ回路（なお、フリツプフロツプ回路
は、以下共通してFFと記述する。）であり、夫々
図示の如く接続されている。次に、第１図の動作を第２図と共に説明する。操作の開始によつて、図示していない電源スイ
ツチが閉成されると、回路の各部に給電が行われ
ると共に、FF３６，３７及び３８はリセツトが
解除される。そして、クロツクパルス発生回路１が動作し
て、62.5μsの周期のクロツクパルスが発生すると
共に、時間形成回路２の出力がｔ＝25msの時間
だけ「Ｈ」レベルへ反転する。従つて、その時間だけクロツクパルスがアンド
ゲート３を通過し、それに対応してトランジスタ
４が導通、遮断を繰返す結果、IRD５はパルス点
灯する。このIRD５の点灯による投射光は、測距対象か
ら反射して半導体光位置検出素子６で受光され
る。こゝで、電極（検出用）９ａと９ｂの間に反射
光スポツトＸが当ると、抵抗層９を介して入射点
から電極９ａへ電流I₁、電極９ｂへ電流I₂が、ま
た共通電極１０へ電流I₃が夫々流れ、それらの間
に次の関係が成立する。 I₃＝I₁＋I₂ そして、抵抗層９の抵抗を一様にしておけば、
反射光スポツトＸの入射点と電極９ａの間の距離
を1₁、入射点と電極９ｂの間の距離を1₂とする
と、1₁・I₁＝1₂・I₂なる関係が成立する。この条件に基づき、ａ及びa′点の受光出力は、
○イに示す如く、自然光による直流成分に重畳され
て発生する。また、交流増幅回路１１及び１２後
のｂ及びb′点の出力は、○ロに示す如く、増幅され
て現われる。一方、時間形成回路２の出力が25msの時間
「Ｈ」レベルへ反転している間、インバータ２３
の出力が「Ｌ」レベルへ反転し、トランジスタ２
４が遮断するので、コンデンサ２６は定電流回路
２５により定電流充電され、その定電流をＩ、コ
ンデンサ２６の容量をＣとすると、電流増幅回路
２７の出力端子ｃ点の電圧Ｖは、Ｖ＝（１／Ｃ）I.tの関係式により、○ハで示す如く
上昇する。即ち、交流増幅回路１３及び１４は、夫々利得
調整入力端子１３ａ及び１４ａの電位が、低位か
ら徐々に上昇し、増幅率が零或は低増幅率から高
増幅率へ掃引され、ｄ及びd′点の出力は、○ニに示
す波形の如くになる。また、BPF１５及び１６後のｅ及びe′点の出力
は、その中心周波数oとOSC１の発振周波数o
とを同じ値に設定してあるので、○ホに示す如く、
○ニの波形を増幅したように現われる。更に、検波
回路１７及び１８後の及び′点の出力波形は、
○ヘに示す如くになり、平滑回路１９及び２０を経
た直流増幅回路２１及び２２後のｇ及びg′点の出
力電圧Vg及びVg′は、○トに示す如く、所定値か
ら徐々に上昇する。そして、第２図に示す如く、測距対象が近距離
位置に存在している場合には、ａ１，ａ２に示す
如く、反射光スポツトＸが、半導体光位置検出素
子６に対し大きく左側に片寄り1₁≪1₂の状態にな
るので、ｇ点の出力電圧Vgがg′点の出力電圧
Vg′よりも充分高いと共に、その出力電圧Vgが
基準電圧Vr₁に達した時、CMP２８の出力が
「Ｈ」レベルへ反転して、先の時間ｔの間「Ｈ」
レベルの信号が与えられていたアンドゲート３５
が開いてその出力が「Ｈ」レベルへ反転する。一
方、その時点では、g′点の出力電圧Vg′が基準電
圧Vr₃にも達していないので、CMP２９及び３０
の出力は共に「Ｈ」レベルのまゝである。従つ
て、アンドゲート３５の出力の「Ｈ」レベルへの
立上り信号をクロツクとするFF３６及び３７は、
共に「Ｈ」レベルの信号を読み込み、夫々の出力
端子Q₁及びQ₂に「Ｈ」レベルの信号を記憶し、
またその立上り信号をセツトパルスとするFF３
８は、出力端子Q₃が「Ｈ」レベルへ反転する。また、測距対象が中距離位置に存在している場
合には、第２図ｂ１，ｂ２に示す如く、反射光ス
ポツトＸが、半導体光位置検出素子６に対し左側
に片寄つて1₁＜1₂の状態にあり、同様の動作で出
力電圧Vg′がVr₂＜Vr₃の間に在るので、FF３６
の出力端子Q₁は「Ｈ」レベルの信号を、他方FF
３７の出力端子Q₂は「Ｌ」レベルの信号を夫々
記憶し、またFF３８の出力端子Q₃は「Ｈ」レベ
ルへ反転する。更に、測距対象が遠距離への境界位置に存在し
ていた場合には、第２図ｃ１，ｃ２において実線
で示す如く、反射光スポツトＸが半導体光位置検
出素子６に対しほゞ中央に当つて1₁≒1₂の状態に
あるので、その出力電圧Vg及びVg′はほゞ等し
く、その判別時点では、出力電圧Vg′が基準電圧
Vr₂よりも高くなつているので、FF３６及び３７
の夫々の出力端子Q₁及びQ₂は「Ｌ」レベルの信
号を記憶し、また、FF３８の出力端子Q₃は「Ｈ」
レベルへ反転する。更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、ｃ１，ｃ２において鎖線で示す如
く、反射光スポツトX′が、半導体光位置検出素
子６に対し右側に片寄つて1₁＞1₂の状態にある
が、極遠距離のため、出力電圧Vgは先の時間ｔ
内には基準電圧Vr₁に達せず（測距対象が反射率
の小さいものゝ場合も同様になることがある）、
CMP２８の出力が「Ｌ」レベルのまゝであり、
その時間ｔが終了するとアンドゲート３５がゲー
トを閉じるので、FF３８はセツトされず、出力
端子Q₃が「Ｌ」レベルのまゝの状態に保持され
る。なお、この時は、アンドゲート３５の出力が
「Ｈ」レベルへ反転することはないので、FF３６
及び３７は読み込み動作を行わない。即ち、第３図の真理値の図表に示す如く、FF
３６及び３７の出力端子Q₁及びQ₂の信号レベル
状態により近、中及び遠距離を判別するように設
定されているものであり、更に、FF３８の出力
端子Q₃が「Ｌ」レベルの時は、FF３６及び３７
による判別に優先して遠距離を判別するように設
定されるものである。また、第１図のCMP２９及び３０への基準電
圧は、固定バイアスであり、出力電圧Vg′と出力
電圧Vgとは絶対値比較が行われている。第４図の実施例は、CMP２９及び３０への基
準電圧が、変動する出力電圧Vgを分割する形で
与えられ、従つて、出力電圧Vg′は、出力電圧
Vgに対する割合の量として比較が行われる。な
お、分圧回路のVbは、例えば、IRD５を動作さ
せていない時の半導体光位置検出素子６の受光出
力回路の通常の電圧レベルがバイアスされてい
る。また、第１図の回路動作では、CMP２８の出
力が「Ｈ」レベルへ反転した時、出力電圧Vg′の
状態を判別する訳けであるが、アンドゲート３５
以下の累積される動作遅れ時間により、その判別
に精度を欠く場合が起り得る。これに対し、第４図の実施例の特徴は、上述の
如く、割合の量、即ち、出力電圧Vg′は出力電圧
Vgに対する比で判別されるので、前実施例より
も精度の向上が計れるものである。なお、上述の測距出力の段数は増減可能であ
り、また、FF３８により遠距離を判別した場合、
併せて警報を発するようにすることもできる。上述の実施例は、測距出力を、基準電圧
（Vr₂，Vr₃）のレベル及び段数に応じてデジタル
的に得るものであるが、以下測距出力を更に細分
割化して得られる実施例について説明する。先ず、第５図及び第６図によりその一番目のも
のを説明する。なお、前実施例と同一の素子には
同じ符号を付している。第５図において、４１はコンパレータ回路、４
２及び４３はコンパレータ回路４１の反転入力端
子（−）に基準電圧Vrを与える定電流回路及び
抵抗、４４はアンドゲート、４５はアナログスイ
ツチ、４６はインバータ、４７はコンデンサ、４
８は電流増幅回路、４９はコンパレータ回路（な
お、コンパレータ回路は、以下共通してCMPと
記述する。）、５０及び５１はCMP４９の非反転
入力端子（＋）に撮影レンズの可動範囲における
一方の極限位置から他方の極限位置への移動に対
応した変位電圧を与える定電流回路及びポテンシ
ヨメータ、５２はR.Sタイプのフリツプフロツプ
回路（以下FFと記述する）、５３はアンドゲー
ト、５４はトランジスタ、５５は撮影レンズの操
作部材（レンズセツトリング）の運動を停止させ
る電磁石である。次に、第６図において、５６はレンズセツトリ
ングで、光軸を中心にして回動自在に配置され、
且つバネ５７により右旋性が与えられ、その右旋
により撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置
方向へと変位移動させるものであり、また、段部
５６ａとラチエツト歯５６ｂとを形成している。
５８はレンズ駆動のレリーズ用の電磁石で、鉄芯
５８ａとコイル５８ｂと永久磁石５８ｃとにより
構成されている。５９は軸６０に枢着されている
と共にバネ６１により左旋性が与えられているレ
リーズ用の鉄片レバーであり、レンズセツトリン
グ５６の段部５６ａに係合し得るフツク５９ａと
電磁石５８の鉄芯５８ａに対向する鉄片５９ｂと
を形成している。６２はピンで、鉄片レバー５９
の左旋量を制限している。６３は軸６４に枢着さ
れバネ６５により右旋性が与えられているロツク
用の鉄片レバーで、レンズセツトリング５６のラ
チエツト歯５６ｂに係合し得るフツク６３ａと、
第５図におけるものと同じものである電磁石５５
に対向する鉄片６３ｂとを形成している。なお、第５図におけるポテンシヨメータ５１
は、第６図に示す如く、レンズセツトリング５６
に支持されたブラシ５１ａと、基板５１ｂ上に形
成された抵抗体５１ｃと導体５１ｄとにより構成
されている。そこで、第５図及び第６図の動作を第２図
（〔〕内の電圧参照）と共に説明する。上述と同様に、第２図ａ１，ａ２の状態では、
ｇ点の出力電圧Vgがg′点の出力電圧Vg′よりも充
分高いと共に、ｇ及びg′点の電位はその関係を保
ちながら上昇する。また、この段階では、アンドゲート４４がゲー
トを閉じていてインバータ４６の出力が「Ｈ」レ
ベルであるので、アナログスイツチ４５が開いて
おり、コンデンサ４７はg′点の出力電圧Vg′によ
り充電されて行く。そして、ｇ点の出力電圧Vgが基準電圧Vrに達
すると、CMP４１は出力が「Ｈ」レベルへ反転
し、この結果、先の時間ｔの間「Ｈ」レベルの信
号が与えられているアンドゲート４４は開いてそ
の出力が「Ｈ」レベルへ反転し、FF５２をセツ
トしてその出力Ｑを「Ｈ」レベルに反転保持させ
ると共に、インバータ４６の出力を「Ｌ」レベル
へ反転させてアナログスイツチ４５を閉じさせ
る。従つて、コンデンサ４７には、ｇ点の出力電
圧Vgが基準電圧Vrに達した時のg′点の出力電圧
Vg′，Ｖ１が記憶される。またその電圧Ｖ１は、
電流増幅回路４８で増幅され、CMP４９の反転
入力端子（−）に与えられる。なお、CMP４９は、非反転入力端子（＋）に
入力電圧を与えるポテンシヨメータ５１が初期状
態では高電位側に位置しているので、初期の出力
状態は「Ｈ」レベルに置かれている。従つて、アンドゲート５３は、ゲートを開いて
トランジスタ５４を導通させているので、電磁石
５５は励磁していて鉄片レバー６３を吸着保持し
ている。そして、先の時間ｔの終了後に、図示していな
い回路動作により電磁石５８のコイル５８ｂが、
永久磁石５８ｃの磁力を打ち消す方向にパルス駆
動されると、鉄片レバー５９はバネ６１の張力に
より左旋し、フツク５９ａがレンズセツトリング
５６の段部５６ａから外れる。その結果、該リン
グ５６はバネ５７の張力により右旋を開始して、
撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置方向へ
変位移動させると共に、ブラシ５１ａを、抵抗体
５１ｃ上と導体５１ｄ上とで摺動させて、ポテン
シヨメータ５１を高電位側から低電位側へ変位移
動させる。そして、CMP４９の非反転入力端子（＋）の
電位が反転入力端子（−）の電位まで低下する
と、CMP４９はその出力が「Ｌ」レベルへ反転
してアンドゲート５３を閉じさせる。その結果、
トランジスタ５４が遮断して電磁石５５が消磁す
るので、鉄片レバー６３がバネ６５の張力により
右旋し、フツク６３ａがラチエツト歯５６ｂの一
つに噛合して、レンズセツトリング５６の右旋を
停止させて撮影レンズが所定位置に固定されるも
のである。また、測距対象がもう少し遠い位置に存在して
いる場合には、例えば第２図ｂ１，ｂ２に示す如
くなり、上述の記憶電圧Ｖ１に相当するものが電
圧Ｖ２に変化する。更に、測距対象が更に遠い位置に存在している
場合には、例えば第２図Ｃ１，Ｃ２において実線
で示す如くなり（反射光スポツトＸが半導体光位
置検出素子６のほゞ中央に当つた場合）、上述の
記憶電圧Ｖ１に相当するものが電圧Ｖ３に変化す
る。更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、第２図Ｃ１，Ｃ２において鎖線で
示す如く、反射光スポツトX′が半導体光位置検
出素子６に対し右側に片寄るが、極遠距離のた
め、出力電圧Vgは先の時間ｔ内では基準電圧Vr
に達せず（測距対象が反射率の小さいものの場合
も同様になることがある）、CMP４１の出力が
「Ｌ」レベルのまゝであり、その時間ｔが終了し
て時間形成回路２の出力が「Ｌ」レベルへ復帰し
てしまうと、アンドゲート４４の出力は「Ｈ」レ
ベルへ反転できなくなる。従つて、FF５２は、
セツトされず出力Ｑが「Ｌ」レベルの状態に保持
されて、アンドゲート５３を閉じさせたまゝにす
る。この結果、電磁石５５は初期状態から励磁され
ておらず、鉄片レバー６３を吸着していないの
で、上述の動作と同様に、レンズセツトリング５
６が右旋して、ラチエツト歯５６ｂの最初の歯が
フツク６３ａに対向した時、鉄片レバー６３は直
ちに右旋し、フツク６３ａがラチエツト歯５６ｂ
に噛合し、レンズセツトリング５６の右旋を停止
させ、撮影レンズを無限遠位置に固定させるもの
である。次に、第７図及び第８図により他の実施例につ
いて説明する。なお、前実施例と同一の素子には
同じ符号を付している。６６，６７はCMP、６８，６９及び７０は定
電流回路、抵抗及びポテンシヨメータ、７１，７
２及び７３はナンドゲート、（なお、以上の素子
と、電流増幅回路４８の出力電圧を入力とし、ナ
ンドゲート７２，７３の状態を出力とする関係で
ウインドコンパレータ回路を構成している。）７
４はアンドゲート、７５はオアゲート、７６はイ
ンバータ、７７〜８０はトランジスタ、８１はモ
ータである。８２はレンズセツトリングで、光軸を中心にし
て回動自在に配置され、部分ギヤ８２ａを形成し
ている。８３はピニオンで、第７図のものと同じ
ものであるモータ８１の回転軸に固着されてい
る。８４は中間ギヤで、ピニオン８３とレンズセ
ツトリング８２の部分ギヤ８２ａとに噛合してい
る。なお、第７図におけるポテンシヨメータ７０
は、第８図に示す如く、レンズセツトリング８２
に支持されたブラシ７０ａと、基板７０ｂ上に形
成された抵抗体７０ｃと導体７０ｄとにより構成
されている。上述の如く、電流増幅回路４８の出力電圧は、
極遠距離等は別にして、測距対象が近、中、遠と
遠くになるに従つて高くなるように設定されてい
る。そして、ウインドコンパレータ回路である関係
から、電流増幅回路４８の出力電圧Vxが、CMP
６６の非反転入力端子（＋）の電圧Vyよりも高
ければ、CMP６６の出力は「Ｌ」レベルで、
CMP６７の出力は「Ｈ」レベルであるから、ナ
ンドゲート７１の出力が「Ｈ」レベルとなつて、
ナンドゲート７２の出力が「Ｈ」レベルで、ナン
ドゲート７３の出力が「Ｌ」レベルとなる。一方、出力電圧Vxが、CMP６７の反転入力端
子（−）の電圧Vzよりも低くければ、CMP６６
の出力は「Ｈ」レベルで、CMP６７の出力は
「Ｌ」レベルであるから、その後の出力状態は前
述とは逆の関係になる。上述のいずれの場合も、モータ駆動回路の両入
力に差が生じているので、夫々の方向に対応して
モータ８１が回転し、レンズセツトリング８２を
駆動する。また、出力電圧Vxが、Vy＞Vx＞Vzの関係に
置かれた場合には、CMP６６及び６７の出力は
共に「Ｈ」レベルとなつてナンドゲート７１の出
力が「Ｌ」レベルとなるので、ナンドゲート７２
及び７３の出力は共に「Ｈ」レベルとなり、この
時はモータ駆動回路の両入力が同電位であるか
ら、モータ８１は回転しない。即ち、モータ８１の回転により駆動されるレン
ズセツトリング８２の運動に連動してポテンシヨ
メータ７０が操作されることにより、その時の出
力電圧Vxに対して電圧VyとVzを変化させ、Vy
＞Vx＞Vzの関係位置を検出させて、撮影レンズ
を所定位置に固定させるものである。更に、上述の如く、FF５２がセツトされず、
出力Ｑが「Ｌ」レベルのまゝの時は、アンドゲー
ト７４の出力が「Ｌ」レベルで、オアゲート７５
の出力が「Ｈ」レベルに保持され、出力電圧Vx
が高い時と同じであるから、撮影レンズは極遠距
離位置側へ駆動される。なお、この時は、Vy＞Vx＞Vzの状態を検出
する動作は無関係となつて、モータ８１には撮影
レンズを極遠距離側へ駆動する電流が流れ続ける
ことになるので、リミツターを設けておくことが
好ましい。次に、第９図により他の実施例について説明す
る。なお、前実施例と同一の素子には同じ符号を
付している。８６は例えば４ビツトのＡ／Ｄコンバータ回
路、８７〜９０はアンドゲート、９１は例えば４
ビツトのマグニチユードコンパレータ回路、９２
はモータ駆動回路、９３はその回転によりレンズ
セツトリングを駆動するモータ、９４はモータ９
３の回転量をデジタル化する例えば４ビツトのエ
ンコーダである。電流増幅回路４８の出力電圧のアナログ量は、
Ａ／Ｄコンバータ回路８６で四つの出力端子によ
り、「Ｌ」，「Ｌ」，「Ｌ」，「Ｌ」から「Ｈ」，「Ｈ
」，
「Ｈ」，「Ｈ」までの16段階のデジタル量の一つに
符号化され、その16段階は、例えば、極遠距離位
置から至近距離位置までを16分割している。従つて、Ａ／Ｄコンバータ回路８６の出力は、
アンドゲート８７〜９０を通してマグニチユード
コンパレータ回路９１に入力される。そして、モ
ータ駆動回路９２によりモータ９３が回転させら
れることによつてレンズセツトリングが駆動され
る。その結果、撮影レンズは無限遠位置から至近
距離位置方向へ変位移動させられる。そして、モ
ータ９３の回転量をデジタル量に変換するエンコ
ーダ９４の出力が該コンパレータ回路９１の入力
と一致した時にモータ９３が停止して、撮影レン
ズが所定位置に固定されるものである。また、上述の如く、FF５２がセツトされず、
出力Ｑが「Ｌ」レベルのまゝの時は、アンドゲー
ト８７〜９０の出力が共に「Ｌ」レベルに保持さ
れて、上述の極遠距離状態と同じであるので、撮
影レンズは無限遠位置で固定される。なお、夫々の実施例において、FF５２がセツ
トされず、遠距離状態を設定する場合は、併せて
警報を発するようにすることもできる。以上の如く、本発明は、受光素子出力の対数圧
縮や増幅回路の自動利得調整を行うことなく、増
幅回路の増幅率を低増幅率から高増幅率へ掃引す
る簡単な構成により安定した動作で測距状態を判
別することができるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示した回路図、第
２図は受光素子に対する反射光スポツトの状態と
出力電圧の関係を示した説明図、第３図は測距出
力の一例を示した真理値の図表、第４図、第５
図、第７図及び第９図は夫々本発明の他の実施例
を示した部分回路図、第６図及び第８図は夫々第
５図及び第７図に対応した撮影レンズの駆動機構
の一例を示した説明図である。１……クロツクパルス発生回路、２……時間形
成回路、５……赤外線発光ダイオード、６……半
導体光位置検出素子、９ａ，９ｂ……電極（検出
用）、１０……共通電極、１１，１２，１３及び
１４……交流増幅回路、１３ａ及び１４ａ……利
得調整入力端子、１５及び１６……帯域フイルタ
ー回路、１７及び１８……検波回路、１９及び２
０……平滑回路、２１及び２２……直流増幅回
路、２７及び４８………電流増幅回路、５１及び
７０……ポテンシヨメータ、５５……電磁石、５
６及び８２……レンズセツトリング、８１及び９
３……モータ、８６……Ａ／Ｄコンバータ回路、
９１……マグニチユードコンパレータ回路、９２
……モータ駆動回路、９４……エンコーダ、Ｘ及
びX′……反射光スポツト。

Claims

【特許請求の範囲】１発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間の増幅された出力の状態を判別するよ
うにしたことを特徴とする測距装置。２共通電極と他方の検出用電極間の増幅された
出力を複数のレベルと比較することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の測距装置。３一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
測距出力を遠距離として判別するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項もしくは第２
項記載の測距装置。４発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時の、共通電極と他方の検出
用電極間の増幅された出力を、共通電極と一方の
検出用電極間の増幅された出力に対する所定の割
合の量と比較して判別するようにしたことを特徴
とする測距装置。５共通電極と他方の検出用電極間の増幅された
出力を複数のレベルと比較することを特徴とする
特許請求の範囲第４項記載の測距装置。６一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
測距出力を遠距離として判別するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第４項もしくは第５
項記載の測距装置。７発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間の増幅された出力の状態を電圧値とし
て記憶してコンパレータ回路の一方の入力端子に
与え、その後、撮影レンズを可動範囲の一方の極
限位置から他方の極限位置へ向けて駆動すると共
に、該駆動々作に連動して前記コンパレータ回路
の他方の入力端子の電位を一方の極限置から他方
の極限置へ向けて掃引し、前記両入力端子の電位
が一致した時、前記撮影レンズの駆動を停止させ
るようにしたことを特徴とする測距装置。８一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で停止
されるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第７項記載の測距装置。９発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間の増幅された出力の状態を電圧値とし
て記憶してウインドコンパレータ回路の一方の入
力端子に与え、また、撮影レンズを可動範囲中の
位置に対応した電位を前記ウインドコンパレータ
回路の他方の入力端子に与え、該コンパレータ回
路の出力端子間に接続されその入力電圧の不平衡
の方向に対応して回転するサーボモータにより前
記撮影レンズを駆動し、前記両入力電圧の電位が
ある幅を持つ所定のしきい値内で一致した時、前
記サーボモータの回転を停止させて、前記撮影レ
ンズの駆動を停止させるようにしたことを特徴と
する測距装置。１０一定時間内に共通電極と一方の検出用電極
間の増幅された出力がある設定値に達しない時
は、撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で
停止されるようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第９項記載の測距装置。１１発光素子から発せられた光を測距対象に向
けて投射し、その反射光を共通電極及び一対の検
出用電極を有する半導体光位置検出素子で受光す
る三角測距方式の測距装置において、前記半導体
光位置検出素子における共通電極と夫々の検出用
電極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定
時間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、
共通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力
がある設定値に達した時点で、共通電極と他方の
検出用電極間の増幅された出力の状態の電圧値を
デジタル値に変換して記憶し、その後、撮影レン
ズを可動範囲の一方の極限位置から他方の極限位
置へ向けて駆動すると共に、該駆動の歩進量をエ
ンコーダによりデジタル量に変換し、該デジタル
量が前記記憶デジタル値と一致した時、前記撮影
レンズの駆動を停止させるようにしたことを特徴
とする測距装置。１２一定時間内に共通電極と一方の検出用電極
間の増幅された出力がある設定値に達しない時
は、撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で
停止されるようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第１１項記載の測距装置。