JPH0226825A - 超伝導性セラミック材料 - Google Patents
超伝導性セラミック材料Info
- Publication number
- JPH0226825A JPH0226825A JP63177780A JP17778088A JPH0226825A JP H0226825 A JPH0226825 A JP H0226825A JP 63177780 A JP63177780 A JP 63177780A JP 17778088 A JP17778088 A JP 17778088A JP H0226825 A JPH0226825 A JP H0226825A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- superconducting
- ceramic material
- phenomenon
- superconducting ceramic
- temp
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、臨界温度Tcが240K (−33℃)付近
で超伝導転位を示し、電気抵抗が零となる、いわゆる超
伝導現象を示す超伝導性セラミック材料であって、特に
スカンジウム、ストロンチューム、銅。
で超伝導転位を示し、電気抵抗が零となる、いわゆる超
伝導現象を示す超伝導性セラミック材料であって、特に
スカンジウム、ストロンチューム、銅。
銀、酸素からなる新規なセラミック材料に関するもので
ある。
ある。
〈従来技術〉
超伝導性材料は、バルク材として送電ケーブル、リニア
モーターカー、磁気浮上船、電力貯蔵等に、または、薄
膜としてジョセフソン素子、スクイラド、磁気センサ等
の広い用途に期待されている。
モーターカー、磁気浮上船、電力貯蔵等に、または、薄
膜としてジョセフソン素子、スクイラド、磁気センサ等
の広い用途に期待されている。
この超伝導性材料として、金属系ではNb−Ti合金(
Tc; 9K) 、 N b s S n (Tc;
18K)、 VsG a (Tc : 15K)等が公
知である。
Tc; 9K) 、 N b s S n (Tc;
18K)、 VsG a (Tc : 15K)等が公
知である。
また、セラミックス系ではN b N (Tc ; 1
7.6K)P b M Oa S a (Tc : 1
4K)等が公知である。
7.6K)P b M Oa S a (Tc : 1
4K)等が公知である。
しかるにこれら公知の材料は、いずれもまだ臨界温度T
cが低く、液体ヘリウム(沸点4.2K)で冷却して臨
界温度以下とすることにより、はじめて超伝導現象を示
し、使用に供され得るものである。
cが低く、液体ヘリウム(沸点4.2K)で冷却して臨
界温度以下とすることにより、はじめて超伝導現象を示
し、使用に供され得るものである。
ところがこの液体ヘリウムは資源的な問題があって、コ
ストも高く、超伝導材料の実用化を阻む一因となってい
た。
ストも高く、超伝導材料の実用化を阻む一因となってい
た。
一方、近年ではセラミック系の材料で、Y。
Ba、Cu、Oの四元素を主成分とする(Y、 Ba)
Cub、系酸化物が臨界温度Tc=90−10OK、ま
たB i 5rCaCuO系酸化物がTc=110K、
Tl2BaCaCuO系酸化物がTc=125Kを示し
、液体窒素(沸点77K)を凌駕することが見出された
。
Cub、系酸化物が臨界温度Tc=90−10OK、ま
たB i 5rCaCuO系酸化物がTc=110K、
Tl2BaCaCuO系酸化物がTc=125Kを示し
、液体窒素(沸点77K)を凌駕することが見出された
。
この液体窒素は液体ヘリウムに比し、はるかに安価かつ
低コストであるので超伝導材料の実用化の可能性を高め
ることができる。
低コストであるので超伝導材料の実用化の可能性を高め
ることができる。
本発明は上記のセラミック材料よりも更に高い温度の臨
界温度Tcを有する超伝導性セラミック材料を提供する
ことを目的とする。
界温度Tcを有する超伝導性セラミック材料を提供する
ことを目的とする。
〈実施例〉
出発原料としてSCgOi、Sr (OH)2 ’8H
20(又は5rCO−)、CuO(またはCu 20
) 、 A g x Oを用い、一般式 %式%) のもとに、X、α、yがそれぞれ次表の値になるよう秤
量して混合し、−旦、950℃で仮焼した後、粉砕、成
形し、次いでこの成形物を混合ガス(酸素2I2/wi
n+窒素1.2I2/ win )中、1030℃の温
度で焼結したセラミック材料について、臨界温度Tcを
測定した。その結果、次表に示すとおりとなった。
20(又は5rCO−)、CuO(またはCu 20
) 、 A g x Oを用い、一般式 %式%) のもとに、X、α、yがそれぞれ次表の値になるよう秤
量して混合し、−旦、950℃で仮焼した後、粉砕、成
形し、次いでこの成形物を混合ガス(酸素2I2/wi
n+窒素1.2I2/ win )中、1030℃の温
度で焼結したセラミック材料について、臨界温度Tcを
測定した。その結果、次表に示すとおりとなった。
尚、臨界温度Tcの測定はKEITHLEY社製の18
1型ナノボルトメータ、 220型定電流発生装置を用
いて、クライオスタット中にて四端子性抵抗測定を行な
って求めた。
1型ナノボルトメータ、 220型定電流発生装置を用
いて、クライオスタット中にて四端子性抵抗測定を行な
って求めた。
以下余白
表
前夫に示される通り、
S Cl−* S r x+or(Cu l−y A
gy)OδG、: g イテ、0.5 ≦x ≦0.9
.0.1≦y =S0.6 (7)間テは、230に〜
80にで超伝導転位を示し、抵抗が零に落ちて、いわゆ
る超伝導現象を示した。又y=Qでは絶縁体となり、y
>0.6では焼結しない。
gy)OδG、: g イテ、0.5 ≦x ≦0.9
.0.1≦y =S0.6 (7)間テは、230に〜
80にで超伝導転位を示し、抵抗が零に落ちて、いわゆ
る超伝導現象を示した。又y=Qでは絶縁体となり、y
>0.6では焼結しない。
尚、上記本発明のセラミック材料において、Srの一部
をバリウム(Ba)、カルシウム(Ca)で置換しても
その超伝導特性を損なうことはない。
をバリウム(Ba)、カルシウム(Ca)で置換しても
その超伝導特性を損なうことはない。
〈効果〉
上述のように本発明の材料は、液体窒素(沸点77K)
以上の温度で、超伝導現象を示すものであり、低廉な冷
却媒体の使用が可能となり、かつ温度制御が容易となり
、超伝導性セラミック材料として極めて有用性が高いも
のである。
以上の温度で、超伝導現象を示すものであり、低廉な冷
却媒体の使用が可能となり、かつ温度制御が容易となり
、超伝導性セラミック材料として極めて有用性が高いも
のである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 スカンジウム,ストロンチューム,銅,銀,酸素よりな
り、 Sc_1_−_xSr_x_+_α(Cu_1_−_y
Ag_y)Oδ[ただし、x=0.5〜0.9,y=0
.1〜0.6,α≦0.10]の組成式で表示される超
伝導性セラミック材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177780A JPH0226825A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | 超伝導性セラミック材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177780A JPH0226825A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | 超伝導性セラミック材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226825A true JPH0226825A (ja) | 1990-01-29 |
Family
ID=16036980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63177780A Pending JPH0226825A (ja) | 1988-07-16 | 1988-07-16 | 超伝導性セラミック材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226825A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257125A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導線材およびその作製方法 |
| JPH0193465A (ja) * | 1987-09-04 | 1989-04-12 | W R Grace & Co | 超伝導性セラミックの形成のための方法と組成物及びそれからの超伝導製品 |
| JPH01160829A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-06-23 | W R Grace & Co | 高温超電気伝導体の製造法 |
| JPH01169817A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Fujikura Ltd | 酸化物系超電導線材の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-16 JP JP63177780A patent/JPH0226825A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63257125A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導線材およびその作製方法 |
| JPH0193465A (ja) * | 1987-09-04 | 1989-04-12 | W R Grace & Co | 超伝導性セラミックの形成のための方法と組成物及びそれからの超伝導製品 |
| JPH01160829A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-06-23 | W R Grace & Co | 高温超電気伝導体の製造法 |
| JPH01169817A (ja) * | 1987-12-25 | 1989-07-05 | Fujikura Ltd | 酸化物系超電導線材の製造方法 |
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