JPH01197353A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPH01197353A JPH01197353A JP63023077A JP2307788A JPH01197353A JP H01197353 A JPH01197353 A JP H01197353A JP 63023077 A JP63023077 A JP 63023077A JP 2307788 A JP2307788 A JP 2307788A JP H01197353 A JPH01197353 A JP H01197353A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- oxide
- ceramic composition
- temperature
- liquid nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、抵抗体磁器組成物、とくに酸化バリウム（Ｂ
ａｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸ｉヒエルピ
ウム（ｌＣｒ２Ｏ，）および酸化銅（Ｃｕｂ）の成分で
構成される抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（
ρ！１００ ）が小さいのみならず、室温からオンセッ
ト臨界温度（Ｔｏ。）までの抵抗率（ρ。−が小さく、
さらに液体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝
導体磁器を提供するものである。
ａｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）と酸ｉヒエルピ
ウム（ｌＣｒ２Ｏ，）および酸化銅（Ｃｕｂ）の成分で
構成される抵抗体磁器組成物に関し、室温での抵抗率（
ρ！１００ ）が小さいのみならず、室温からオンセッ
ト臨界温度（Ｔｏ。）までの抵抗率（ρ。−が小さく、
さらに液体窒素温度以下において抵抗率が零を示す超伝
導体磁器を提供するものである。
従来の技術
７近年、ベドノ／ｌ／７ （Ｂｓｄｎｏｒｚ ） と
ミューラー（Ｍｆｆｉｌｌｅｒ ）により、Ｂａ−Ｌａ
−Ｃｕ−０系における高温超伝導体材料、の可能性が１
９８６年のツ７ ’ｆ ） ’／ ユ’） ７ ）
７ イア フィツク（Ｚａｉｔｃｈｒｉｆｔｆｆｆｉ
ｒ Ｐｈｙｇｉｋ ） Ｂ ６４巻１８９頁に発表され
た。
ミューラー（Ｍｆｆｉｌｌｅｒ ）により、Ｂａ−Ｌａ
−Ｃｕ−０系における高温超伝導体材料、の可能性が１
９８６年のツ７ ’ｆ ） ’／ ユ’） ７ ）
７ イア フィツク（Ｚａｉｔｃｈｒｉｆｔｆｆｆｉ
ｒ Ｐｈｙｇｉｋ ） Ｂ ６４巻１８９頁に発表され
た。
この報告では材料の抵抗率（ρ）が急激に低下し始める
オンセット臨界温度（Ｔｏ。）は絶対温度３０度附近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（Ｔｏ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また。
オンセット臨界温度（Ｔｏ。）は絶対温度３０度附近で
あるが、抵抗率が零となるオフセット臨界温度（Ｔｏ）
は絶対温度１３度と低く、この材料では冷却剤に高価な
液体ヘリウムを必要とするため実用化に対する大きな障
害となっていた。また。
本材料を室温からオンセット臨界温度までの範囲で低抵
抗の導伝性材料として使用するときは電力損失をできる
だけ小さくするために材料の密度が大きく抵抗率のより
小さい材料が望ましい。
抗の導伝性材料として使用するときは電力損失をできる
だけ小さくするために材料の密度が大きく抵抗率のより
小さい材料が望ましい。
発明が解決しようとする課題
これらの課題を解決するために、材料の密度が大きくよ
り高温のＴｏ と室温からτ。。までの温度範囲でより
小さいρを持つ材料を開発することが要望されている。
り高温のＴｏ と室温からτ。。までの温度範囲でより
小さいρを持つ材料を開発することが要望されている。
本発明は、上記の欠点を改善するためになされたもので
あり、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセッ
ト臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒
素の温度で超伝導特性を示すＴｏ の高い新規な８器組
成物を提供するものである。
あり、焼結した材料の密度が大きく、室温からオンセッ
ト臨界温度までの抵抗率が小さく、さらに安価な液体窒
素の温度で超伝導特性を示すＴｏ の高い新規な８器組
成物を提供するものである。
課題を解決するための手段
酸化バリウム（Ｂａｄ）と酸化ストロンチウム（ＳｒＯ
）と酸化エルビウム（Ｋｒ２０．）と酸化銅（ＣｕＯ）
で構成される組成において、その組成式をＩＥｒ （Ｂ
ａ、−、Ｓｒり ２０ｕ、 Ｏ，と表わしたとき、その
成分組成がモル分率でＯ（ｘ≦０．７５の範囲とする。
）と酸化エルビウム（Ｋｒ２０．）と酸化銅（ＣｕＯ）
で構成される組成において、その組成式をＩＥｒ （Ｂ
ａ、−、Ｓｒり ２０ｕ、 Ｏ，と表わしたとき、その
成分組成がモル分率でＯ（ｘ≦０．７５の範囲とする。
作用
上記の組成物は室温からオンセット臨界温度まですぐれ
た抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器に
なる。
た抵抗体磁器であり、また液体窒素中で超伝導体磁器に
なる。
実施例
出発原料には化学的に高純度のＢａＣ０，（９９，５チ
以上）、５ｒＣＯ，（９９％以上）、Ｉｒ２０．（９９
，９％）およびＣｕＯ（９９，５％以上）を所定の組成
になるように秤量し、めのうボールを備えたポリエチレ
ン製のボールミルで水とともに１７時時間式混合した。
以上）、５ｒＣＯ，（９９％以上）、Ｉｒ２０．（９９
，９％）およびＣｕＯ（９９，５％以上）を所定の組成
になるように秤量し、めのうボールを備えたポリエチレ
ン製のボールミルで水とともに１７時時間式混合した。
この混合物をボールミルからと９出して乾燥したのち、
粉末をアルミナ質るつぼに入れ、 −空気中において
９００℃の温度で６時間仮焼した。
粉末をアルミナ質るつぼに入れ、 −空気中において
９００℃の温度で６時間仮焼した。
得られた仮焼物は、めのう乳鉢とめのう乳棒を備えた播
漬機により粉砕した。粉砕の終った粉末に対してバイン
ダーとしてプロピルアルコールを６重量％添加して均質
としたのち、３２メツシユのふるいを通して整粒した。
漬機により粉砕した。粉砕の終った粉末に対してバイン
ダーとしてプロピルアルコールを６重量％添加して均質
としたのち、３２メツシユのふるいを通して整粒した。
整粒粉体は金型と油圧プレスを用いて成形圧力８００
Ｋｇ ／ ａｌ？で矩形棒（１８Ｘ４Ｘ厚さ約３ｍｍ）
と円板試料（直径１０ｍｍｘ厚さ約２ｍｍ）を成形した
。成形体は高純度のアルミナさや鉢の中に入れたのち、
酸素中において９００〜１１ｏＯ℃の範囲内の温度で６
時間保持して焼成し、表に示す配合組成の抵抗体磁器を
得た。円板試料から重量と寸法を測定し密度を算出した
。矩形棒の試料には直径０．１２ＩｎＩｎの絶縁被覆銅
線を６０回巻き、ＬＧｊＲメータを用いて周波数１０Ｋ
Ｈｚでインダクタンスの温度変化（液体窒素温度から室
温まで）による変化を測定した。これらの試料の室温に
おけるインダクタンスの値は４〜６μＨであった。液体
窒素温度近傍でインダクタンスが急激に減少する（ＶＡ
−に）試料については矩形棒の長辺に垂直な両端面と長
辺部に１０ｍｍの幅をあけて４端子状の電極を金蒸着又
は焼付銀の方法で取付け、一定電流（１０ｍム）の下で
の抵抗の温度変化（液体窒素温度から室温まで）を測定
した。それらの実験結果を表に示す。なお、表において
＊印を付した試料は本発明の範囲外の比較例であり、こ
れ以外の試料が本発明の範囲内の実施例である。
Ｋｇ ／ ａｌ？で矩形棒（１８Ｘ４Ｘ厚さ約３ｍｍ）
と円板試料（直径１０ｍｍｘ厚さ約２ｍｍ）を成形した
。成形体は高純度のアルミナさや鉢の中に入れたのち、
酸素中において９００〜１１ｏＯ℃の範囲内の温度で６
時間保持して焼成し、表に示す配合組成の抵抗体磁器を
得た。円板試料から重量と寸法を測定し密度を算出した
。矩形棒の試料には直径０．１２ＩｎＩｎの絶縁被覆銅
線を６０回巻き、ＬＧｊＲメータを用いて周波数１０Ｋ
Ｈｚでインダクタンスの温度変化（液体窒素温度から室
温まで）による変化を測定した。これらの試料の室温に
おけるインダクタンスの値は４〜６μＨであった。液体
窒素温度近傍でインダクタンスが急激に減少する（ＶＡ
−に）試料については矩形棒の長辺に垂直な両端面と長
辺部に１０ｍｍの幅をあけて４端子状の電極を金蒸着又
は焼付銀の方法で取付け、一定電流（１０ｍム）の下で
の抵抗の温度変化（液体窒素温度から室温まで）を測定
した。それらの実験結果を表に示す。なお、表において
＊印を付した試料は本発明の範囲外の比較例であり、こ
れ以外の試料が本発明の範囲内の実施例である。
（以下余白）
表から明らかなように、本発明の範囲内のＳｒにより置
換した磁器組成物は焼結密度が大きく、室温からオンセ
ット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることがで
きるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温度
Ｔｃ の高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組
成物を用いることにより冷却剤として安価で豊富に利用
できる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性
を容易に得ることができる。
換した磁器組成物は焼結密度が大きく、室温からオンセ
ット臨界温度までの範囲で抵抗率を小さくすることがで
きるとともに、液体窒素温度以下でオフセット臨界温度
Ｔｃ の高い材料が得られる。従って、本発明の磁器組
成物を用いることにより冷却剤として安価で豊富に利用
できる液体窒素を用いて電気抵抗が零を示す超伝導特性
を容易に得ることができる。
本発明の組成範囲を限定した理由を説明すると、ＳｒＯ
の置換量Ｘが０．７６以上になると焼結密度が低下する
とともに室温およびオンセット臨界＠度１での抵抗率が
大きくなジ°液体窒素温度で超伝導特性も得られなくな
る。また、ｘ＝＝０では焼結密度が低くまた室温の抵抗
率が大きいために本発明の範囲から除かれる。
の置換量Ｘが０．７６以上になると焼結密度が低下する
とともに室温およびオンセット臨界＠度１での抵抗率が
大きくなジ°液体窒素温度で超伝導特性も得られなくな
る。また、ｘ＝＝０では焼結密度が低くまた室温の抵抗
率が大きいために本発明の範囲から除かれる。
発明の効果
本発明の磁器組成物は高価な液体ヘリウムや水素を使用
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用する仁とにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核融合炉やリニアモータカー用
の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジョセフソン
素子な 。
することなく資源的に豊富で価格的に廉価な液体窒素を
冷却剤に使用する仁とにより、液体窒素の温度で超伝導
特性が得られる。従って、本発明の磁器組成物は液体窒
素で冷却することにより核融合炉やリニアモータカー用
の強力な磁場が作り出せる超伝導磁石や、ジョセフソン
素子な 。
どの超高速コンピュータ用素子や、大電力送電線や超伝
導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安価で高性
能の電子機器や回路部品を作ることができ工業的に利用
価値の著しく太きいものである。
導印刷回路など幅広い分野での応用に適し、安価で高性
能の電子機器や回路部品を作ることができ工業的に利用
価値の著しく太きいものである。
Claims (1)
- 酸化バリウムと酸化ストロンチウムと酸化エルビウムと
酸化銅からなる磁器材料で、その組成式をＺｒ（Ｂａ＿
１＿−＿ｘＳｒ＿−ｘ）＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７と表わした
とき、ｘが０＜ｘ≦０．７５の範囲にあることを特徴と
する磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023077A JPH01197353A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023077A JPH01197353A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01197353A true JPH01197353A (ja) | 1989-08-09 |
Family
ID=12100346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023077A Pending JPH01197353A (ja) | 1988-02-02 | 1988-02-02 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01197353A (ja) |
-
1988
- 1988-02-02 JP JP63023077A patent/JPH01197353A/ja active Pending
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