JPH0226862A - シリカ焼結体の製造方法 - Google Patents
シリカ焼結体の製造方法Info
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- JPH0226862A JPH0226862A JP17664988A JP17664988A JPH0226862A JP H0226862 A JPH0226862 A JP H0226862A JP 17664988 A JP17664988 A JP 17664988A JP 17664988 A JP17664988 A JP 17664988A JP H0226862 A JPH0226862 A JP H0226862A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、シリカを基体とする焼結体を低温で製造する
方法に関するものである。
方法に関するものである。
これまで、シリカ焼結体を製造するためには、１５００
℃以上の高温で溶融させたシリカを冷却する溶融法と、
溶液中で作ったシリカゲルを乾燥させて、１０００℃程
度に加熱するゾル・ゲル法が行なわれている。しかし、
前者の溶融法では高温を必要とするという問題があり、
一方、後者のゾル・ゲル法ではゲルの収縮で焼結の途中
で形状が変化するという問題がある。従って、従来から
の方法では低温で形状の正確なシリカ焼結体を得ること
は困難である。
℃以上の高温で溶融させたシリカを冷却する溶融法と、
溶液中で作ったシリカゲルを乾燥させて、１０００℃程
度に加熱するゾル・ゲル法が行なわれている。しかし、
前者の溶融法では高温を必要とするという問題があり、
一方、後者のゾル・ゲル法ではゲルの収縮で焼結の途中
で形状が変化するという問題がある。従って、従来から
の方法では低温で形状の正確なシリカ焼結体を得ること
は困難である。
本発明は、低温で形状の正確なシリカ焼結体を製造し得
る方法を提供することを目的とする。
る方法を提供することを目的とする。
本発明の方法は、シリカ超微粉末を高真空中で温度５０
０〜８００℃でホットプレスすることにより、形状の正
確なシリカ焼結体を製造する方法である。
０〜８００℃でホットプレスすることにより、形状の正
確なシリカ焼結体を製造する方法である。
本発明で用いるシリカ超微粉末は、平均粒径５００Å以
下、好ましくは５０〜２００人の範囲のものである。微
細なもの程好ましい。このシリカ超微粉末には、必要に
応じ、希土類酸化物等の超微粉末を添加することができ
る。その添加量は、シリカ超微粉末１００重量部に対し
、０〜３０重量部、好ましくは１〜５重量部の割合であ
る。シリカと希土類酸化物の複合酸化物の超微粉末を出
発原料として用いることもできる。このような添加剤の
使用によリ、シリカを基体とした多成分のガラスやセラ
ミック焼結体を得ることができる。
下、好ましくは５０〜２００人の範囲のものである。微
細なもの程好ましい。このシリカ超微粉末には、必要に
応じ、希土類酸化物等の超微粉末を添加することができ
る。その添加量は、シリカ超微粉末１００重量部に対し
、０〜３０重量部、好ましくは１〜５重量部の割合であ
る。シリカと希土類酸化物の複合酸化物の超微粉末を出
発原料として用いることもできる。このような添加剤の
使用によリ、シリカを基体とした多成分のガラスやセラ
ミック焼結体を得ることができる。
スする。この場合、加熱温度は５００〜８００℃、好ま
しくは５５０〜７００℃である。真空条件としては、１
０″”−１０−’Ｔｏｒｒ、好ましくは１０−’−１０
−’ Ｔｏｒｒの高真空が採用される。プレス圧は、０
．０５〜１０ｔｏｎ／ａＪ、好ましくは０．１−０．５
ｔｏｎ／ｊである。
しくは５５０〜７００℃である。真空条件としては、１
０″”−１０−’Ｔｏｒｒ、好ましくは１０−’−１０
−’ Ｔｏｒｒの高真空が採用される。プレス圧は、０
．０５〜１０ｔｏｎ／ａＪ、好ましくは０．１−０．５
ｔｏｎ／ｊである。
［発明の効果〕
本発明の方法によれば、単成分のシリカ焼結体の他、適
当な添加剤を加えることにより、シリカ科 を基体とし〒多成分のガラスやセラミックスの焼結体を
低温で、形状正確に製造することができる。
当な添加剤を加えることにより、シリカ科 を基体とし〒多成分のガラスやセラミックスの焼結体を
低温で、形状正確に製造することができる。
本発明では、従来法のように高温に加熱しないので、容
器等からの不純物の混入もさけられるし、多成分のガラ
スを作るときに問題となる相分離や結晶化の問題もさけ
られる。また、従来のゾル・ゲル法のように有機物を原
料に用いることがないので、炭素等が不純物として混入
することもさけられる。また、真空排気を徹底的に行な
えば、水分も徹底的に除去できる。また、ホットプレス
の条件により、非常に多孔性の焼結体を作ることもでき
るし、−軸のプレスによるひずみを残留させることによ
り、異方性の強いガラスも製造できる。
器等からの不純物の混入もさけられるし、多成分のガラ
スを作るときに問題となる相分離や結晶化の問題もさけ
られる。また、従来のゾル・ゲル法のように有機物を原
料に用いることがないので、炭素等が不純物として混入
することもさけられる。また、真空排気を徹底的に行な
えば、水分も徹底的に除去できる。また、ホットプレス
の条件により、非常に多孔性の焼結体を作ることもでき
るし、−軸のプレスによるひずみを残留させることによ
り、異方性の強いガラスも製造できる。
次に実施例によって本発明をさらに詳細に説明する。
実施例
原料のシリカ超微粉末としては、日本アエロジル社製の
アエロジル２００（粒径は約１２ｎｍ）を用いた。
アエロジル２００（粒径は約１２ｎｍ）を用いた。
この粉末１０．４ｇを大気にさらしておいたものを、真
空ホットプレス装置（大皿真空技研■Ｈ）の中で処理し
た。この場合、ダイスはグラファイト製で、内径５０１
ｍ＋のシリンダー状であり、ダイスの内側の表面には薄
く窒化ホウ素の粉末を塗布した。また、真空排気するま
えに、シリカ超微粉末に０．５ｔｏｎの荷重をかけ、軽
くつぶした後、真空排気し、５×１０−’Ｐａの真空に
なったところで、６００℃で４ｔｏｎの荷重をかけてプ
レスした。このようにして、シリカの焼結体が得られた
。その焼結体ばかさ密度０．６４２ｇ／ａｍ３であり、
充填率は約２４％である。色は白色であった。この破断
面を走査型電子顕微鏡でｗｔ察したら、ところどころ数
癖程度の粒子も見られたが、他の大部分はほぼ平滑で一
様であった。
空ホットプレス装置（大皿真空技研■Ｈ）の中で処理し
た。この場合、ダイスはグラファイト製で、内径５０１
ｍ＋のシリンダー状であり、ダイスの内側の表面には薄
く窒化ホウ素の粉末を塗布した。また、真空排気するま
えに、シリカ超微粉末に０．５ｔｏｎの荷重をかけ、軽
くつぶした後、真空排気し、５×１０−’Ｐａの真空に
なったところで、６００℃で４ｔｏｎの荷重をかけてプ
レスした。このようにして、シリカの焼結体が得られた
。その焼結体ばかさ密度０．６４２ｇ／ａｍ３であり、
充填率は約２４％である。色は白色であった。この破断
面を走査型電子顕微鏡でｗｔ察したら、ところどころ数
癖程度の粒子も見られたが、他の大部分はほぼ平滑で一
様であった。
復代理人
Claims (2)
- （１）高真空中で、シリカ超微粉末を温度５００〜８０
０℃でホットプレスすることを特徴とするシリカ焼結体
の製造方法。 - （２）該シリカ超微粉が、添加剤として、希土類酸化物
を含有する請求項１の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664988A JPH0226862A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリカ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664988A JPH0226862A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリカ焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226862A true JPH0226862A (ja) | 1990-01-29 |
| JPH0547504B2 JPH0547504B2 (ja) | 1993-07-16 |
Family
ID=16017273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664988A Granted JPH0226862A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリカ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226862A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714112A (en) * | 1994-05-13 | 1998-02-03 | Nec Corporation | Process for producing a silica sintered product for a multi-layer wiring substrate |
| CN114349516A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-15 | 郑州大学 | 一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17664988A patent/JPH0226862A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714112A (en) * | 1994-05-13 | 1998-02-03 | Nec Corporation | Process for producing a silica sintered product for a multi-layer wiring substrate |
| US5728470A (en) * | 1994-05-13 | 1998-03-17 | Nec Corporation | Multi-layer wiring substrate, and process for producing the same |
| CN114349516A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-15 | 郑州大学 | 一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0547504B2 (ja) | 1993-07-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |