JPH0547504B2 - - Google Patents
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- JPH0547504B2 JPH0547504B2 JP17664988A JP17664988A JPH0547504B2 JP H0547504 B2 JPH0547504 B2 JP H0547504B2 JP 17664988 A JP17664988 A JP 17664988A JP 17664988 A JP17664988 A JP 17664988A JP H0547504 B2 JPH0547504 B2 JP H0547504B2
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- ultrafine
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- sintered body
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、シリカを基体とする焼結体を低温で
製造する方法に関するものである。
製造する方法に関するものである。
これまで、シリカ焼結体を製造するためには、
1500℃以上の高温で溶融させたシリカを冷却する
溶融法と、溶液中で作つたシリカゲルを乾燥させ
て、1000℃程度に加熱するゾル・ゲル法が行なわ
れている。しかし、前者の溶融法では高温を必要
とするという問題があり、一方、後者のゾル・ゲ
ル法ではゲルの収縮で焼結の途中で形状が変化す
るという問題がある。従つて、従来からの方法で
は低温で形状の正確なシリカ焼結体を得ることは
困難である。
1500℃以上の高温で溶融させたシリカを冷却する
溶融法と、溶液中で作つたシリカゲルを乾燥させ
て、1000℃程度に加熱するゾル・ゲル法が行なわ
れている。しかし、前者の溶融法では高温を必要
とするという問題があり、一方、後者のゾル・ゲ
ル法ではゲルの収縮で焼結の途中で形状が変化す
るという問題がある。従つて、従来からの方法で
は低温で形状の正確なシリカ焼結体を得ることは
困難である。
本発明は、低温で形状の正確なシリカ焼結体を
製造し得る方法を提供することを目的とする。
製造し得る方法を提供することを目的とする。
本発明の方法は、シリカ超微粉末を高真空中で
温度500〜800℃でホツトプレスすることにより、
形状の正確なシリカ焼結体を製造する方法であ
る。
温度500〜800℃でホツトプレスすることにより、
形状の正確なシリカ焼結体を製造する方法であ
る。
本発明で用いるシリカ超微粉末は、平均粒径
500Å以下、好ましくは50〜200Åの範囲のもので
ある。微細なもの程好ましい。このシリカ超微粉
末には、必要に応じ、希土類酸化物等の超微粉末
を添加することができる。その添加量は、シリカ
超微粉末100重量部に対し、０〜30重量部、好ま
しくは１〜５重量部の割合である。シリカと希土
類酸化物の複合酸化物の超微粉末を出発原料とし
て用いることもできる。このような添加剤の使用
により、シリカを基体とした多成分のガラスやセ
ラミツク焼結体を得ることができる。
500Å以下、好ましくは50〜200Åの範囲のもので
ある。微細なもの程好ましい。このシリカ超微粉
末には、必要に応じ、希土類酸化物等の超微粉末
を添加することができる。その添加量は、シリカ
超微粉末100重量部に対し、０〜30重量部、好ま
しくは１〜５重量部の割合である。シリカと希土
類酸化物の複合酸化物の超微粉末を出発原料とし
て用いることもできる。このような添加剤の使用
により、シリカを基体とした多成分のガラスやセ
ラミツク焼結体を得ることができる。
本発明においては、このシリカ超微粉末を慣用
のホツトプレス機を用いて高真空中でホツトプレ
スする。この場合、加熱温度は500〜800℃、好ま
しくは550〜700℃である。真空条件としては、
10-2〜10-9Torr、好ましくは10-4〜10-6Torrの
高真空が採用される。プレス圧は、0.05〜
10ton／cm2、好ましくは0.1〜0.5ton／cm2である。
のホツトプレス機を用いて高真空中でホツトプレ
スする。この場合、加熱温度は500〜800℃、好ま
しくは550〜700℃である。真空条件としては、
10-2〜10-9Torr、好ましくは10-4〜10-6Torrの
高真空が採用される。プレス圧は、0.05〜
10ton／cm2、好ましくは0.1〜0.5ton／cm2である。
〔発明の効果〕
本発明の方法によれば、単成分のシリカ焼結体
の他、適当な添加剤を加えることにより、シリカ
を基体とした多成分のガラスやセラミツクスの焼
結体を低温で、形状正確に製造することができ
る。本発明では、従来法のように高温に加熱しな
いので、容器等からの不純物の混入もさけられる
し、多成分のガラスを作るときに問題となる相分
離や結晶化の問題もさけられる。また、従来のゾ
ル・ゲル法のように有機物を原料に用いることが
ないので、炭素等が不純物として混入することも
さけられる。また、真空排気を徹底的に行なえ
ば、水分も徹底的に除去できる。また、ホツトプ
レスの条件により、非常に多孔性の焼結体を作る
こともできるし、一軸のプレスによるひずみを残
留させることにより、異方性の強いガラスも製造
できる。
の他、適当な添加剤を加えることにより、シリカ
を基体とした多成分のガラスやセラミツクスの焼
結体を低温で、形状正確に製造することができ
る。本発明では、従来法のように高温に加熱しな
いので、容器等からの不純物の混入もさけられる
し、多成分のガラスを作るときに問題となる相分
離や結晶化の問題もさけられる。また、従来のゾ
ル・ゲル法のように有機物を原料に用いることが
ないので、炭素等が不純物として混入することも
さけられる。また、真空排気を徹底的に行なえ
ば、水分も徹底的に除去できる。また、ホツトプ
レスの条件により、非常に多孔性の焼結体を作る
こともできるし、一軸のプレスによるひずみを残
留させることにより、異方性の強いガラスも製造
できる。
次に実施例によつて本発明をさらに詳細に説明
する。
する。
実施例
原料のシリカ超微粉末としては、日本アエロジ
ル社製のアエロジル200（粒径は約12nｍ）を用い
た。この粉末10.4ｇを大気にさらしておいたもの
を、真空ホツトプレス装置（大亜真空技研(株)製）
の中で処理した。この場合、ダイスはグラフアイ
ト製で、内径50mmのシリンダー状であり、ダイス
の内側の表面には薄く窒化ホウ素の粉末を塗布し
た。また、真空排気するまえに、シリカ超微粉末
に0.5tonの荷重をかけ、軽くつぶした後、真空排
気し、５×10-3Paの真空になつたところで、600
℃で4tonの荷重をかけてプレスした。このように
して、シリカの焼結体が得られた。その焼結体は
かさ密度0.642ｇ／cm3であり、充填率は約24％で
ある。色は白色であつた。この破断面を走査型電
子顕微鏡で観察したら、ところどころ数μｍ程度
の粒子も見られたが、他の大部分はほぼ平滑で一
様であつた。
ル社製のアエロジル200（粒径は約12nｍ）を用い
た。この粉末10.4ｇを大気にさらしておいたもの
を、真空ホツトプレス装置（大亜真空技研(株)製）
の中で処理した。この場合、ダイスはグラフアイ
ト製で、内径50mmのシリンダー状であり、ダイス
の内側の表面には薄く窒化ホウ素の粉末を塗布し
た。また、真空排気するまえに、シリカ超微粉末
に0.5tonの荷重をかけ、軽くつぶした後、真空排
気し、５×10-3Paの真空になつたところで、600
℃で4tonの荷重をかけてプレスした。このように
して、シリカの焼結体が得られた。その焼結体は
かさ密度0.642ｇ／cm3であり、充填率は約24％で
ある。色は白色であつた。この破断面を走査型電
子顕微鏡で観察したら、ところどころ数μｍ程度
の粒子も見られたが、他の大部分はほぼ平滑で一
様であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高真空中で、シリカ超微粉末を温度500〜800
℃でホツトプレスすることを特徴とするシリカ焼
結体の製造方法。 ２ 該シリカ超微粉が、添加剤として、希土類酸
化物を含有する請求項１の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664988A JPH0226862A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリカ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17664988A JPH0226862A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリカ焼結体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0226862A JPH0226862A (ja) | 1990-01-29 |
| JPH0547504B2 true JPH0547504B2 (ja) | 1993-07-16 |
Family
ID=16017273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17664988A Granted JPH0226862A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | シリカ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0226862A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728470A (en) * | 1994-05-13 | 1998-03-17 | Nec Corporation | Multi-layer wiring substrate, and process for producing the same |
| CN114349516B (zh) * | 2021-12-16 | 2023-05-12 | 郑州大学 | 一种低温合成高致密SiC陶瓷的方法 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17664988A patent/JPH0226862A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0226862A (ja) | 1990-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |