JPS6364973A - 窒化硼素焼結体およびその製造方法 - Google Patents
窒化硼素焼結体およびその製造方法Info
- Publication number
- JPS6364973A JPS6364973A JP61209424A JP20942486A JPS6364973A JP S6364973 A JPS6364973 A JP S6364973A JP 61209424 A JP61209424 A JP 61209424A JP 20942486 A JP20942486 A JP 20942486A JP S6364973 A JPS6364973 A JP S6364973A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sintered body
- glass
- sio2
- boron nitride
- molded body
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高純度な六方晶窒化硼素焼結体およびその製
造方法に関する。
造方法に関する。
六方晶窒化硼素（以下ＢＮと記載）は耐熱性、電気絶縁
性、熱伝導性、耐熱衝撃性、溶融金属に対する耐食性な
どに優れ、また機械加工の可能なセラミックスである。
性、熱伝導性、耐熱衝撃性、溶融金属に対する耐食性な
どに優れ、また機械加工の可能なセラミックスである。
これらの特性を利用して高温絶縁材料、放熱板、溶融金
属の処理用治具−容器をはじめ、複雑形状を有する部品
など、産業の多方面への応用が期待されている。
属の処理用治具−容器をはじめ、複雑形状を有する部品
など、産業の多方面への応用が期待されている。
上記のような優れた特性を発揮するためには、高純度な
りＮ焼結体はど望ましいが、 ■ ＢＮ粉末が極めて難焼結性の物質で、自己焼結性に
欠けること、 ■ 結晶構造が黒鉛類似の六角板状であり、Ｃ軸方向の
結合がファンデルワールス結合のために結合が弱いとい
う異方性を有すること、 に起因し、高純度なりＮ焼結体を製造することは難しい
。
りＮ焼結体はど望ましいが、 ■ ＢＮ粉末が極めて難焼結性の物質で、自己焼結性に
欠けること、 ■ 結晶構造が黒鉛類似の六角板状であり、Ｃ軸方向の
結合がファンデルワールス結合のために結合が弱いとい
う異方性を有すること、 に起因し、高純度なりＮ焼結体を製造することは難しい
。
従って、ＢＮ焼結体の製造には結晶粒子間を結合する焼
結助剤が必要であり、硼素酸化物、なかでもＢ２０Ｂが
用いられる。この焼結助剤を含む焼結体は耐湿性に劣る
欠点を有する。つまり成形体表面に水分が吸着した場合
、湿分が微小な気孔に入り込んだり、成形体表面に存在
する結合剤のＢ２Ｏ３と反応して水和物を生成する。そ
の結果、絶縁特性や機械的強度が大幅に低下する。
結助剤が必要であり、硼素酸化物、なかでもＢ２０Ｂが
用いられる。この焼結助剤を含む焼結体は耐湿性に劣る
欠点を有する。つまり成形体表面に水分が吸着した場合
、湿分が微小な気孔に入り込んだり、成形体表面に存在
する結合剤のＢ２Ｏ３と反応して水和物を生成する。そ
の結果、絶縁特性や機械的強度が大幅に低下する。
従って、ＢＮ焼結体が電気絶縁材料として実用性を有す
るためには、吸湿に対する十分な対策が必要である。
るためには、吸湿に対する十分な対策が必要である。
従来よりＢＮ焼結体の耐吸湿性の改善方法として、Ｓｉ
Ｏ２を添加することが公知である。このＳｉＯ２を添加
する効果としては、ＳｉＯ２が焼結助剤のＢ２Ｏ３と結
合して硼珪酸ガラス相を生成し、この生成物が耐湿性を
有するからである。
Ｏ２を添加することが公知である。このＳｉＯ２を添加
する効果としては、ＳｉＯ２が焼結助剤のＢ２Ｏ３と結
合して硼珪酸ガラス相を生成し、この生成物が耐湿性を
有するからである。
ＳｉＯ２添加の例としては、
ｌ）特公昭４２−１９２４１
再結晶したＢＮを３０〜７０％含むことを特徴とした耐
熱衝撃性のシリカガラス−ＢＮ［酸物。
熱衝撃性のシリカガラス−ＢＮ［酸物。
２）特公昭４７−３８Ｏ４７
ＢＮ３０〜７０部と、Ｓ ｉ０２ ： Ｂ２０３＝１
０：（１０〜２）の組合わせの結合剤７０〜３０部とか
らなるＢＮ成形体。
０：（１０〜２）の組合わせの結合剤７０〜３０部とか
らなるＢＮ成形体。
３）特公昭４８−２４４８３
硼珪酸質結合剤４．８〜４０％の組成で耐水性に優れた
ＢＮ熱圧成形体。
ＢＮ熱圧成形体。
が知られている。これらは焼結助剤のＢ２Ｏ３が多いた
めに、ＳｉＯ２含有量の多い組成である。ＳｉＯ２含有
量が多すぎると、高温下で軟化あるいは溶融したＳｉＯ
２が焼結体の表面に浸み出し、発汗状態になり、電気抵
抗が低下するという欠点がある。
めに、ＳｉＯ２含有量の多い組成である。ＳｉＯ２含有
量が多すぎると、高温下で軟化あるいは溶融したＳｉＯ
２が焼結体の表面に浸み出し、発汗状態になり、電気抵
抗が低下するという欠点がある。
一方、高純度ＢＮ焼結体を熱間静水圧プレス法で製造す
る技術には特開昭５８−１３０１６８がある。これは高
純度のＢＮを用い、Ｂ２０３ Ｍの割合が少ないが、Ｓ
ｉＯ２を用いるものではない。
る技術には特開昭５８−１３０１６８がある。これは高
純度のＢＮを用い、Ｂ２０３ Ｍの割合が少ないが、Ｓ
ｉＯ２を用いるものではない。
本発明は高純度なりＮを用いるものであるがその場合で
も不純物の硼素酸化物（Ｂ２０３．Ｂ２Ｏ２、ＢＮＯ中
間生成物など）の吸湿性により特性が低下する。この耐
吸湿性の改善にはＳｉＯ２が効果的であるが、その際に
、ＳｉＯ２量は少量なので、原料で添加する場合は均一
混合が難しく、また混合工程が増え、煩雑になる。
も不純物の硼素酸化物（Ｂ２０３．Ｂ２Ｏ２、ＢＮＯ中
間生成物など）の吸湿性により特性が低下する。この耐
吸湿性の改善にはＳｉＯ２が効果的であるが、その際に
、ＳｉＯ２量は少量なので、原料で添加する場合は均一
混合が難しく、また混合工程が増え、煩雑になる。
従来、ＳｉＯ２によって硼素酸化物を安定化する効果に
ついては公知であったが、少量のＳｉＯ２を均一に添加
する技術がなかった。
ついては公知であったが、少量のＳｉＯ２を均一に添加
する技術がなかった。
ＢＮは難焼結性物質のために、ホットプレス法や熱間静
水圧プレス（ＨＩＰ）法のような加圧力によって製造す
るのが一般的である。
水圧プレス（ＨＩＰ）法のような加圧力によって製造す
るのが一般的である。
本発明のＨＩ Ｐ法でＢＮ焼結体を製造する場合は、従
来のホットプレス法に比べて焼結中の加圧力を１０倍多
くかけることができる。従って、ホットプレス法よりも
、焼結助剤が少なくて良く、その方晶純度ＢＮ焼結体を
得ることができる。
来のホットプレス法に比べて焼結中の加圧力を１０倍多
くかけることができる。従って、ホットプレス法よりも
、焼結助剤が少なくて良く、その方晶純度ＢＮ焼結体を
得ることができる。
しかし、ＢＮ１００％の焼結体は不可能であり、少量の
Ｂ２０３が必要である。このＢ２Ｏ３を安定にするため
には、ＳｉＯ２は少量で良いのであるが、少量のＳｉＯ
２を均一に分散させることは難しく、混合に時間を要す
る０本発明では焼結過程でＳｉＯガスが焼結体中に侵入
し、残留０と反応してＳｉＯ２となるので、均一に分散
したＳｉＯ２の組織を作ることができる。
Ｂ２０３が必要である。このＢ２Ｏ３を安定にするため
には、ＳｉＯ２は少量で良いのであるが、少量のＳｉＯ
２を均一に分散させることは難しく、混合に時間を要す
る０本発明では焼結過程でＳｉＯガスが焼結体中に侵入
し、残留０と反応してＳｉＯ２となるので、均一に分散
したＳｉＯ２の組織を作ることができる。
本発明は、焼結の進行中にＳｉＯ２を添加することによ
り混合の問題を解決しようとするものである。
り混合の問題を解決しようとするものである。
本発明は、ＢＮ含有量９８．５〜９９．５重量％、Ｓｉ
Ｏ２含有量０．５〜０．０５重量％、硼素酸化物含有量
１．５〜０．５重量％から成る高純度六方晶窒化硼素焼
結体である。
Ｏ２含有量０．５〜０．０５重量％、硼素酸化物含有量
１．５〜０．５重量％から成る高純度六方晶窒化硼素焼
結体である。
このような焼結体は次の方法によって製造することがで
きる。
きる。
すなわち、窒化硼素粉末を冷間静水圧成形し、ガラスフ
ィルムを用いた熱間静水圧プレス法によってこの成形体
から焼結体を製造する方法において、ＳｉＯ２を含むガ
ラスカプセルまたはガラス粒と炭素質物質とを接触させ
て成形体を包囲しておき、このガラスにより成形体外面
にガラスフィルムを形成し、熱間加圧する。
ィルムを用いた熱間静水圧プレス法によってこの成形体
から焼結体を製造する方法において、ＳｉＯ２を含むガ
ラスカプセルまたはガラス粒と炭素質物質とを接触させ
て成形体を包囲しておき、このガラスにより成形体外面
にガラスフィルムを形成し、熱間加圧する。
熱間静水圧プレス法（ＨＩ Ｐ）でＢＮ焼結体を製造す
る場合、成形体の加圧用カプセルとして、ガラスカプセ
ルが使用される。焼結過程で、徐々に温度が上がるに従
って、ガラスが軟化溶融し、成形体の表面一体を包み、
高圧ガスで加圧されながら、ＢＮ成形体は緻密化する。
る場合、成形体の加圧用カプセルとして、ガラスカプセ
ルが使用される。焼結過程で、徐々に温度が上がるに従
って、ガラスが軟化溶融し、成形体の表面一体を包み、
高圧ガスで加圧されながら、ＢＮ成形体は緻密化する。
ＢＮ成形体とガラスとの濡れ性が悪いために、溶融ガラ
スが成形体の内部に侵入することはないし、また溶融ガ
ラスのガス化も起こらない。
スが成形体の内部に侵入することはないし、また溶融ガ
ラスのガス化も起こらない。
ところが溶融ガラスと炭素質物質例えば黒鉛とを接触さ
せると、ガラス中の５ｆ０２の一部がＳｉＯガスになり
、このガスがＢＮ成形体の内部に拡散し、残留Ｏと反応
してＳｉＯ２となり均一に分散するようになる。
せると、ガラス中の５ｆ０２の一部がＳｉＯガスになり
、このガスがＢＮ成形体の内部に拡散し、残留Ｏと反応
してＳｉＯ２となり均一に分散するようになる。
ＢＮ純度９８．５％以上、望ましくは９９％以上のＢＮ
焼結体は絶縁抵抗、特に高温での絶縁抵抗に優れ、高温
ヒータの絶縁材に用いられる。このような高純度ＢＮの
焼結にはＨＩＰ装置のような高い圧力を発生できる焼結
炉において、初めて可能である。しかし、さらに高純度
のＢＮ焼結体を作ることは難しく、Ｂ Ｎ ９９．５％
を超えると、焼結助剤が少なく液相生成量が少ないため
に十分な密度が得られない。
焼結体は絶縁抵抗、特に高温での絶縁抵抗に優れ、高温
ヒータの絶縁材に用いられる。このような高純度ＢＮの
焼結にはＨＩＰ装置のような高い圧力を発生できる焼結
炉において、初めて可能である。しかし、さらに高純度
のＢＮ焼結体を作ることは難しく、Ｂ Ｎ ９９．５％
を超えると、焼結助剤が少なく液相生成量が少ないため
に十分な密度が得られない。
一方、ＢＮ含有量が９８．５％未満では、Ｂ２Ｏ３量が
多くなり、高温特性が著しく悪化する。
多くなり、高温特性が著しく悪化する。
これに対し、ＳｉＯ２含有量は、０．０５％以下ではＢ
２Ｏ３の耐湿性、安定化剤としての効果がなく、一方、
０．５％以上ではＳｉＯ２源として、焼結中に成形体内
に侵入するＳｉＯガス量が多く、焼結体の緻密化が十分
に達せられない、また。
２Ｏ３の耐湿性、安定化剤としての効果がなく、一方、
０．５％以上ではＳｉＯ２源として、焼結中に成形体内
に侵入するＳｉＯガス量が多く、焼結体の緻密化が十分
に達せられない、また。
ＢＮ粉末はＢ２Ｏ３を原料として合成されるので、純度
９８．５〜９９．５％のＢＮには残部にＢ２Ｏ３あるい
は細酸化物が含まれる。
９８．５〜９９．５％のＢＮには残部にＢ２Ｏ３あるい
は細酸化物が含まれる。
次にこのような組成を有するＢＮ焼結体の製造方法につ
いて説明する。原料のＢＮ粉末は純度９８．５〜９９．
５％、平均粒径が例えば５ｇｍのものを用いる。このＢ
Ｎ粉末を金型成形機にて成形体を作り、さらに静水圧（
ＩＰ）成形により１．４〜１．６ｇ／ｃｒｒｒ’の密度
の成形体を作るか、あるいはＢＮ粉末を直接にＩＰ底成
形用ゴム形充填し、ＩＰ成形を行い、１．４〜１６ｇ／
ｃゴ密度の成形体を作る。なお、予備成形体は以上に示
した方法以外でもよく、例えばスリップキャスティング
等で成形したものも用いられる。この成形体をＨＩＰ焼
結を行う際に、第１図あるいは第２図のようなガラスの
圧力媒体を用いる。第１図はＢＮ成形体ｌの周囲にガラ
ス粒子２および炭素質物質粒子３の混合物を充填し、カ
ーボンるっぽ６の中に納まっている。第２図はＢＮ成形
体ｌの周囲に炭素質物質粒子３とＢＮ粒子５を充填し、
ガラスカプセル４内に真空封入し、これらをカーボンる
つぼ６の中に納めている。
いて説明する。原料のＢＮ粉末は純度９８．５〜９９．
５％、平均粒径が例えば５ｇｍのものを用いる。このＢ
Ｎ粉末を金型成形機にて成形体を作り、さらに静水圧（
ＩＰ）成形により１．４〜１．６ｇ／ｃｒｒｒ’の密度
の成形体を作るか、あるいはＢＮ粉末を直接にＩＰ底成
形用ゴム形充填し、ＩＰ成形を行い、１．４〜１６ｇ／
ｃゴ密度の成形体を作る。なお、予備成形体は以上に示
した方法以外でもよく、例えばスリップキャスティング
等で成形したものも用いられる。この成形体をＨＩＰ焼
結を行う際に、第１図あるいは第２図のようなガラスの
圧力媒体を用いる。第１図はＢＮ成形体ｌの周囲にガラ
ス粒子２および炭素質物質粒子３の混合物を充填し、カ
ーボンるっぽ６の中に納まっている。第２図はＢＮ成形
体ｌの周囲に炭素質物質粒子３とＢＮ粒子５を充填し、
ガラスカプセル４内に真空封入し、これらをカーボンる
つぼ６の中に納めている。
ＨＩＰ焼成中にガラスが溶融し、成形体ｌの周囲を包む
と共に、不活性ガスの加圧によりガラスを媒体として成
形体に等方的に圧力が加えられる。高温になると、溶融
ガラス中の一部のＳｉｏ２が炭素質物質粒子３やカーボ
ンるっぽ６と反応し、ＳｉＯガスとなり、成形体内に侵
入し、残留Ｏと反応し、ＳｉＯ２となる。
と共に、不活性ガスの加圧によりガラスを媒体として成
形体に等方的に圧力が加えられる。高温になると、溶融
ガラス中の一部のＳｉｏ２が炭素質物質粒子３やカーボ
ンるっぽ６と反応し、ＳｉＯガスとなり、成形体内に侵
入し、残留Ｏと反応し、ＳｉＯ２となる。
焼成終了後の焼結体中には全面に亘って均一にＳｉＯ２
が分布している。均一に分布した様子は、本来、白色の
ＢＮが灰黒色に変色し、全面に同一色になっているので
、これを目視観察することにより確認することができる
。
が分布している。均一に分布した様子は、本来、白色の
ＢＮが灰黒色に変色し、全面に同一色になっているので
、これを目視観察することにより確認することができる
。
焼結体中のＳｉＯ２量はＨＩＰ焼成温度で異なり、焼成
温度が高いほどＳｉＯ２量は多くなる。
温度が高いほどＳｉＯ２量は多くなる。
本請求範囲（７） Ｓ ｉ Ｏ２量０−０５〜０．５％
はＨＩＰ焼成温度を１３００−１８００℃にコントロー
ルすることにより達成できる。
はＨＩＰ焼成温度を１３００−１８００℃にコントロー
ルすることにより達成できる。
使用するガラス粒子あるいはカプセル用ガラスとしては
パイレックスガラス、バイコールガラスや石英ガラスが
適している。ガラス粒およびガラスカプセルの種類とし
てはＨＩＰ温度が１５００℃以下ではパイレックス、１
５００〜１７００℃ではパイレックスおよびバイコール
が好適である。
パイレックスガラス、バイコールガラスや石英ガラスが
適している。ガラス粒およびガラスカプセルの種類とし
てはＨＩＰ温度が１５００℃以下ではパイレックス、１
５００〜１７００℃ではパイレックスおよびバイコール
が好適である。
これらのガラスが適している理由としては以下の点が挙
げられる。
げられる。
１つには、軟化温度がＨＩＰ処理温度に近く、処理時に
液相を形成し高圧の圧力媒体（ＡｒまたはＮ２）のシー
ル効果が十分あることである。
液相を形成し高圧の圧力媒体（ＡｒまたはＮ２）のシー
ル効果が十分あることである。
２番目には、Ｓ ｉ ０２以外の成分が他の低軟化点ガ
ラスに比較して少ないため、それらの成分が焼結体中に
侵入しないことである。この点は焼結体中のＳｉＯ２含
有量、Ｂ２Ｏ３含有量を制御する上に重要であり、特に
他の成分を増加させずにＳｉＯ２含有量を０．０５〜０
．５重量％にするには高ＳｉＯ２含有量のガラスを用い
るのが好ましい、パイレックスガラス、バイコールガラ
スではＢ２Ｏ３を３〜１０％含み、これがＢＮ焼結体の
Ｂ２Ｏ３量を増すことが懸念されるが、分析結果ではこ
れら成分の増加は認められず、影響が少ない。
ラスに比較して少ないため、それらの成分が焼結体中に
侵入しないことである。この点は焼結体中のＳｉＯ２含
有量、Ｂ２Ｏ３含有量を制御する上に重要であり、特に
他の成分を増加させずにＳｉＯ２含有量を０．０５〜０
．５重量％にするには高ＳｉＯ２含有量のガラスを用い
るのが好ましい、パイレックスガラス、バイコールガラ
スではＢ２Ｏ３を３〜１０％含み、これがＢＮ焼結体の
Ｂ２Ｏ３量を増すことが懸念されるが、分析結果ではこ
れら成分の増加は認められず、影響が少ない。
実施例１
純度９９．５％のＢＮ粉末にポリビニルアルコール（Ｐ
ＶＡ）１％を添加して顆粒状にし、ゴム型に充填し、１
５００ｋｇ／ａｍ’でＩＰｌ＆形を行い、５０φＸ６０
Ｊ１の成形体を得た。この成形体の密度は１．５ｇ／ｃ
ｍ′であった。この成形体を６００℃にて脱脂後、第１
図に示すようにパイレックスガラス粒と炭素質物質粒の
内部に充填した。
ＶＡ）１％を添加して顆粒状にし、ゴム型に充填し、１
５００ｋｇ／ａｍ’でＩＰｌ＆形を行い、５０φＸ６０
Ｊ１の成形体を得た。この成形体の密度は１．５ｇ／ｃ
ｍ′であった。この成形体を６００℃にて脱脂後、第１
図に示すようにパイレックスガラス粒と炭素質物質粒の
内部に充填した。
この充填物をＨＩＰ炉内に装入し、以下の条件でＨＩＰ
焼成を行った。
焼成を行った。
８５０℃まで真空（０，ＩＴｏｒｒ）で加熱し、パイレ
ックスガラスが軟化し、成形体の表面を密閉した後、加
圧および加熱を行い、１５００℃到達時に、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ’に保持した。３０分間保持後、冷却および除
圧を行った。
ックスガラスが軟化し、成形体の表面を密閉した後、加
圧および加熱を行い、１５００℃到達時に、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ’に保持した。３０分間保持後、冷却および除
圧を行った。
得られた焼結体の特性を第１表に示す。
実施例２
実施例１と同様な方法で成形体を作成し、第２図に示す
ようにパイレックスガラスカプセル４に入れ、４００℃
にて１０″″２Ｔｏｒｒまで真空脱気の後、封入した。
ようにパイレックスガラスカプセル４に入れ、４００℃
にて１０″″２Ｔｏｒｒまで真空脱気の後、封入した。
ＨＩＰ条件は実施例１と同様であり、焼結体特性を第１
表に示す。
表に示す。
比較例ｌ
ＳｉＯ２粉末を０．３％添加し、ＨＩＰ焼成を行った。
実施例１に比べて曲げ強度が低い、理由としてＳｉＯ２
の分散が均一でないためと思われる。また、ＳｉＯ２が
高いために、密度も低くなっている。
の分散が均一でないためと思われる。また、ＳｉＯ２が
高いために、密度も低くなっている。
比較例２
Ｓｉ０２粉末をｏ、 ｉ％添加し、ＨＩＰ焼成を行った
。実施例２に比べて曲げ強度が低い。
。実施例２に比べて曲げ強度が低い。
５ｆ０２の分散が不均一のためと考える。
本発明の焼結体は吸湿性が低く、電気絶縁抵抗の低下が
なく、安定で高純度なりＮ焼結体である。
なく、安定で高純度なりＮ焼結体である。
このような焼結体は本発明方法によって容易に製造する
ことが可爺となった。
ことが可爺となった。
第１図、第２図は本発明方法の実施例を示す説明図であ
る。 ｌ・・・ＢＮ成形体 ２・・・パイレックスガラス粒子 ３・・・炭素質物質粒子 ４・・・パイレックスガラスカプセル ５・・・ＢＮ粒子 ６・・・カーボンるつぼ
る。 ｌ・・・ＢＮ成形体 ２・・・パイレックスガラス粒子 ３・・・炭素質物質粒子 ４・・・パイレックスガラスカプセル ５・・・ＢＮ粒子 ６・・・カーボンるつぼ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＢＮ含有量９８．５〜９９．５重量％、ＳｉＯ＿２
含有量０．５〜０．０５重量％、硼素酸化物含有量１．
５〜０．５重量％から成る高純度六方晶窒化硼素焼結体
。 ２ 窒化硼素粉末を冷間静水圧成形し、該成形体から、
ガラスフィルムを用いた熱間静水圧プレス法で焼結体を
製造する方法において、ＳｉＯ＿２を含むガラスと炭素
質物質とを接触させて成形体を包囲しておき、該ガラス
により成形体外面にガラスフィルムを形成し、熱間加圧
することを特徴とする高純度六方晶窒化硼素焼結体の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209424A JPS6364973A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 窒化硼素焼結体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209424A JPS6364973A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 窒化硼素焼結体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6364973A true JPS6364973A (ja) | 1988-03-23 |
Family
ID=16572636
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61209424A Pending JPS6364973A (ja) | 1986-09-08 | 1986-09-08 | 窒化硼素焼結体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6364973A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005145737A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 六方晶窒化硼素質成形体、その製造方法及び用途 |
| JPWO2022163650A1 (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 |
-
1986
- 1986-09-08 JP JP61209424A patent/JPS6364973A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005145737A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 六方晶窒化硼素質成形体、その製造方法及び用途 |
| JPWO2022163650A1 (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | ||
| WO2022163650A1 (ja) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | デンカ株式会社 | 六方晶窒化ホウ素焼結体、及びその製造方法 |
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