JPH02270877A - ナフタロシアニン誘導体及びその製造法並びにそれを用いた光学記録媒体及びその光学記録媒体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、新規なナフタロシアニン誘導体及びその製造
法並びにそれを用いた光学記録媒体及びその光学記録媒
体の製造法に関する。

〔従来の技術〕

近年、コンパクトディスク、ビデオディスク。

液晶表示装置、光学文字読取機等における書込みあるい
は、読取りのためかつ電子写真用光源として半導体レー
ザ光を利用することが提案されている。半導体レーザ光
による書込み又は、読取りのためには、半導体レーザ光
すなわち近赤外光を吸収できる物質が不可欠である。

近赤外光を吸収する有機色素としては、従来、シアニン
色素がよく知られており、またオキシムやチオールの金
属錯体、アミノ化されたキノン誘導体も近赤外光を吸収
する色素として知られている〔有機合成化学協会誌、４
３巻、３３４頁（Ｉ９８５年〕６色材協会誌、５３巻、
］９７頁（Ｉ９８０年）９色材協会誌、５８巻、２２０
頁（Ｉ９８５年）〕。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、シアニン色素は射光堅牢性が極めて低い
ので、これを使用する場合には、多くの制約を受けざる
を得ない。また、オキシムやチオールの金属錯体も、あ
る種の媒体中では、錯体から金属が脱離して、近赤外光
の吸収能力が消失する欠点がある。アミノ化されたキノ
ン誘導体は、近赤外光を吸収する能力が極めて低い問題
がある。

一方、これらの問題点を克服できる材料として、最近ナ
フタロシアニン誘導体が知られているが、従来の無置換
金属ナフタロシアニン〔ラニーナル・オブシェ・キミ（
Ｚｈｕｒｎａｌ　０ｂｓｈｃｈｅｊ　Ｋｈｉｍｉｊ）、
第３９巻２５５４頁、１９６９年２モル・グリス１〜・
リフ・クリスト（Ｍｏ１．Ｃｒｙｓｔ、ｌｊｑ、Ｃｒｙ
ｓｔ、）第１１２巻３４５頁、１９８４年〕は、有機溶
媒に不溶であるために、精製が極めて困難である。また
、最近、有機溶媒に可溶なナフタロシアニン誘導体の合
成が報告されている（特開昭６０−２３４５］号公報、
特開昭６０−１８４５６５号公報、特開昭６１−２］、
５６６２号公報、特開昭６］、　−２１５６６３号公報
）が、これらの化合物を溶解できる有機溶媒は、芳香族
炭化水素系溶媒、ハロゲン系溶媒等が一般的で飽和炭化
水素系溶媒に対する溶解性が極めて低く、湿式塗布によ
りポリメチルメタクリレート及びポリカーボネート基板
」二に保護層を設けることなく直接有機膜を形成できな
いという問題があり、飽和炭化水素系溶媒に対して優れ
た溶解性を示すナフタロシアニンを見い出さなければな
らないという課題があった。

また、これらのナフタロシアニン誘導体は、その吸収が
溶媒の種類、濃度、温度等により大きく変化し、高濃度
の溶液中あるいは固体膜とした場合には、半導体レーザ
光を吸収する能力が極めて低下してしまうだけでなく、
光ディスクにおいて記録された情報の読み出しに反射光
を用いる場合に重要な反射率が、半導体レーザ領域（７
８０〜８３０ｎｍ）で非常に低いという問題点があった
。

また、反射率の高いナフタロシアニンが特開昭６１−２
３５］８８号公報に２つの化合物だけ報告され、またそ
の合成法の概念が特開昭６１−１．７７２８７号公報及
び特開昭６１．−１．７７２８８号公報に報告されてい
るが、実施例が少なく、実際その通りに合成できるもの
は少ない。たとえば、特開昭６１−１．７７２８８号公
報第８頁右上欄第１行目記載の反応式■では、Ｘｎがの
溶解度が大きくなり、この原料自体の合成において、反
応溶液からこの原料の単離が不可能となるだけでなく、
その原料である の合成段階でも複雑な反応混合物となってしまい反応系
からのこの化合物の分離精製が困難となってしまうこと
から、所望のナフタロシアニン合成に用いることができ
なくなる。また、同じく特開昭６１−１７７２８８号公
報第８頁右上欄第３行目記載の反応式■は、Ｆｒ１ｅｄ
ｅｌ−Ｃｒａｆｔ反応類似のナフタロシアニン環の求核
反応であり、アルコキシル基。

アルキルチオ基、アミノ基の導入には適さない。

さらに、同じく特開昭６１−１７７２８８号公報第８頁
右上欄第５行目記載の反応式■では原料の精製が不可能
であり、生成物が非常に複雑な混合物となり、生成物も
精製困難であることから純度の高い生成物の単離には不
適当であるだけでなく、原料のＳｉに付いたヒドロキシ
ル基の影響で本反応自体が阻害され好ましい方向に反応
を進めることができない。このように、実際に有機溶媒
に可溶で光記録媒体として特性の優れた特にナフタロシ
アニン環に長鎖アルキル基を有するナフタロシアニンの
合成には、別途合成法を見出さなければならないという
問題があった。

〔課題を解決するための手段〕

仮に、請求項１の発明を第１の発明と呼ぶことにする。

すなわち第１の発明は、一般式（Ｉ）（ＳＲ”　）ｍ 〔式中、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、２個のＹは
、同一でも相違してもよく、Ｒ２０基又はＲ３Ｒ４Ｒ’
Ｓ　ｉ　Ｏ基を示し、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、ｋ十Ω十ｍ
　＋　ｎが１以上となるように選ばれる同一でも相違し
てもよい０〜４の整数を示し、（ｋ＋ｎ＋ｍ＋ｎ）個の
Ｒ”は、同一でも相違してもよ＜、　Ｒ”　、　Ｒ２，
Ｒ３，Ｒ’及びＲ５は同一でも相違してもよく、環状ア
ルキル基、環状アルキル基を置換基として有するアルキ
ル基、水素原子。

アリール基、アルコキシル基、アリールオキシル基、直
鎖アルキル基９分岐アルキル基又はアルケニル基を示し
、かつ式中に必ず環状アルキル基又は環状アルキル基を
置換基として有するアルキル基を少なくとも１個含有す
る〕で表わされるナフタロシアニン誘導体に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
飽和炭化水素系、芳香族系、ハロゲン系。

エーテル系及びケトン系溶媒にも可溶であるので、■容
易に精製し純度を向上でき、■溶媒の種類及び濃度等に
よる吸収の変化がなく、■半導体レーー　　Ｈ）− ザ光を吸収する能力に著しく優れている。また、分子内
に環状アルキル基又は環状アルキル基を置換基として有
するアルキル基を少なくとも１つ有するナフタロシアニ
ン誘導体は、前記環状アルキル基又は環状アルキル基を
置換基として有するアルキル基の環状アルキル基部分の
代わりに同じ炭素数の直鎖又は分岐アルキル基を有する
ナフタロシアニンに比べ、融点が高くなる傾向がみられ
、これにより再生レーザ光に対する安定性が向」ニする
傾向がある。このような、再生レーザ光に対する安定性
は、化合物の融点により影響を受け、融点の高い化合物
はど一般に再生光安定“性を高くすることができる。

一般に融点の高いナフタロシアニンはど溶解性が低下す
る傾向にあり、再生レーザ光に対する安定性とポリカー
ボネートを侵さない飽和炭化水素系溶媒に対する溶解性
を両立することは難しいが、一般式（Ｉ）で表されるナ
フタロシアニン誘導体は高い融点を示しながら飽和炭化
水素系溶媒に優れた溶解性を示すため光学記録媒体用色
素として優れた性能を有する。

上記飽和炭化水素系溶媒としては、例えば、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン。

ウンデカン、ドデカン、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン、シクロへブタン等があり、特に、脂環系のシクロペ
ンタン、シクロヘキサン、シクロへブタン等がナフタロ
シアニン誘導体の溶解性の点で好ましい。

上記芳香族系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリメチル
ベンゼン、１−クロロナフタレン。

キノリン等がある。

上記ハロゲン系溶媒としては、塩化メチレン。

クロロホルム、四塩化炭素、１ヘリクロロエタン等があ
る。

上記エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、ジブ
チルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコー
ル七ツメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジメチルエーテル等がある。

上記ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケ
トン、メチルプロピルケトン、シクロペンタノン、シク
ロヘキサノン、アセトンアルコール等がある。

前記一般式（Ｉ）において、環状アルキル基としては、
例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペ
ンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シク
ロオクチル基、２−メチルシクロペンチル基、３−メチ
ルシクロペンチル基。

等がある。

環状アルキル基を置換基として有するアルキル基として
は、例えば、ジシクロヘキシルメチル基。

ジシクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、
シクロプロピルメチル基、シクロプロピルメチル基、２
−シクロヘキシルエチル基、２−シクロペンチルエチル
基、２−シクロへキシルプロピル基、３−シクロへキシ
ルプロピル基等がある。

アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、
アニシル基等がある。

アルコキシル基としては、例えば、アミロキシル基、ヘ
キシロキシル基、オクチロキシル基、ノニルオキシル基
、デシロキシル基、トデシロキシル基、テトラゾシロキ
シル基、ヘキサデシロキシル基、オクタデシロキシル基
、エイコシロキシル基、トコシロキシル基等がある。

アリールオキシル基としては、例えばフェノキジル基、
トリルオキシル基、アニシルオキシル基等がある。

直鎖アルキル基９分枝アルキル基としては、例えば、メ
チル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、
ｎ−ブチル基、　５ｅｅ−ブチル基。

ｊｓｏ−ブチル基、ｔ−ブチル基、アミル基、ヘキシル
基、ヘプチル基、ネオペンチル基、オクチル基、ノニル
基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ヘキサデ
シル基、オクタデシル基、エイコシル基、トコシル基等
がある。

アルケニル基としては、例えば、ブテニル基。

ペンテニル基、ヘキセニル基、ノネニル基、オフ茶オ所 □ シル基、トリシクロブチルシロキシル基、トリシクロペ
ンチルシロキシル基、１−リシクロヘキシルチルシクロ
ペンチル）シロキシル基、１〜す（３−メチルシクロペ
ンチル）シロキシル基、トす（４−メチルシクロヘキシ
ル）シロキシル基。

シクロプロピルジメチルシロキシル基、シクロブチルジ
メチルシロキシル基、シクロペンチルジメチルシロキシ
ル基、シクロへキシルジメチルシロキシル基、シクロへ
ブチルジメチルシロキシル基。

シクロオクチルジメチルシロキシル基、シクロプロピル
ジエチルシロキシル基、シクロブチルジエチルシロキシ
ル基、シクロペンチルジエチルシロキシル基、シクロへ
キシルジエチルシロキシル基。

シクロへブチルジエチルシロキシル基、シクロオクチル
ジエチルシロキシル基、シクロプロピルジプロピルシロ
キシル基、シクロブチルジプロピルシロキシル基、シク
ロペンチルジプロピルシロキシル基、シクロヘキシルジ
プロピルシロキシル基。

シクロへブチルジプロピルシロキシル基、シクロオクチ
ルジプロピルシロキシル基、シクロプロピルジブチルシ
ロキシル基、シクロブチルジブチルシロキシル基、シク
ロペンチルジブチルシロキシル基、シクロヘキシルジブ
チルシロキシル基、シクロへブチルジブチルシロキシル
基、シクロオクチルジブチルシロキシル基、ジシクロプ
ロピルメチルシロキシル基、ジシクロブチルメチルシロ
キシル基、ジシクロペンチルメチルシロキシル基。

ジシクロヘキシルメチルシロキシル基、ジシクロへブチ
ルメチルシロキシル基、ジシクロオクチルメチルシロキ
シル基、ジシクロプロピルエチルシロキシル基、ジシク
ロブチルエチルシロキシル基。

ジシクロペンチルエチルシロキシル基、ジシクロヘキシ
ルエチルシロキシル基、ジシクロへブチルエチルシロキ
シル基、ジシクロオクチルエチルシロキシル基、ジシク
ロプロピルプロピルシロキシル基、ジシクロブチルプロ
ピルシロキシル基、ジシクロペンチルプロピルシロキシ
ル基、ジシクロヘキシルプロピルシロキシル基、ジシク
ロへブチルプロピルシロキシル基、ジシクロオクチルプ
ロピルシロキシル基、ジシクロプロピルブチルシロキシ
ル基、ジシクロブチルブチルシロキシル基。

ジシクロペンチルブチルシロキシル基、ジシクロへキシ
ルブチルシロキシル基、ジシクロへブチルブチルシロキ
シル基、ジシクロオクチルブチルシシシロキシル基、シ
クロブチルジメトキシシロキシル基、シクロペンチルジ
メトキシシロキシル基。

シクロヘキシルジメトキシシロキシル基、シクロへブチ
ルジメトキシシロキシル基、シクロオクチルジメトキシ
シロキシル基、シクロプロピルジェトキシシロキシル基
、シクロブチルジェトキシシロキシル基、シクロペンチ
ルジェトキシシロキシル基、シクロヘキシルジェトキシ
シロキシル基。

シクロへブチルジェトキシシロキシル基、シクロオクチ
ルジェトキシシロキシル基、シクロプロピルジプロポキ
シシロキシル基、シクロブチルジプロポキシシロキシル
基、シクロペンチルジプロポキシシロキシル基、シクロ
へキシルジプロポキシシロキシル基、シクロへブチルジ
プロポキシシロＺｌｌ− キシル基、シクロオクチルジプロポキシシロキシル基、
シクロプロピルジブトキシシロキシル基。

シクロブチルジブトキシシロキシル基、シクロペンチル
ジブトキシシロキシル基、シクロヘキシルジブトキシシ
ロキシル基、シクロへブチルジブ１、キシシロキシル基
、シクロオクチルジブトキシシロキシル基、ジシクロプ
ロピルメトキシシロキシル基、ジシクロブチルメトキシ
シロキシル基、ジシクロペンチルメトキシシロキシル基
、ジシクロヘキシルメトキシシロキシル基、ジシクロへ
ブチルメトキシシロキシル基、ジシクロオクチルメトキ
シシロキシル基、ジシクロプロピルエトキシシロキシル
基、ジシクロオチルエトキシシロキシル基、ジシクロペ
ンチルエトキシシロキシル基、ジシクロヘキシルエトキ
シシロキシル基、ジシクロへブチルエトキシシロキシル
基、ジシクロオクチルエトキシシロキシル基、ジシクロ
プロピルプロポキシシロキシル基、ジシクロブチルプロ
ポキシシロキシル基、ジシクロペンチルプロポキシシロ
キシル基、ジシクロヘキシルプ口ポキシシロキシル基、
ジシクロへブチルプロポキシシロキシル基。

ジシクロオクチルプロポキシシロキシル基、ジシクロプ
ロピルブトキシシロキシル基、ジシクロブチシブ１〜キ
シシロキシル基、ジシクロペンチルブトキシシロキシル
基、ジシクロへキシルブｊ−キシシロキシル基、ジシク
ロへブチルブトキシシロキシル基、ジシクロオクチルプ
ロポキシシロキシル基等があげられる。

これらの環状アルキル基、環状アルキル基を置換基とし
て有するアルキル基、直鎖アルキル基。

分岐アルキル基等の長さ及び形状は、前記一般式（Ｉ）
で表わされるナフタロシアニン誘導体を有機溶媒に溶解
するときの溶解度だけでなく、この化合物の融点の値、
さらにはこの化合物を有機溶媒に溶かし、その溶液をガ
ラス板などの適当な基板」二にスピンコードして形成し
た非晶質膜の吸収スペク１−ル、透過スペクＩ〜ル及び
反射スペク１〜ルに大きな影響を及ぼす。

特に、中心金属Ｍに結合した置換基Ｙの環状アルキル基
、環状アルキル基を置換基として有するアルキル基、直
鎖アルキル、分岐アルキル基等の長さは、前記一般式（
Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成分とす
る膜の分光スペクトルに大きく影響を与える。したがっ
て、使用するレーザーの発振波長に合わせて置換基Ｙの
アルキル鎖長及び形状を変化させることができる。

一方、Ｒ１のアルキル鎖長及び形状は、前述のＹのアル
キル鎖長及び形状を変化させたときのこの化合物の有機
溶媒に対する溶解度及び融点を調節するための機能を有
する。

前記一般式（Ｉ）においてＭがＳｌ又は、Ｇｅであるナ
フタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてに、ｎ、ｍ及びｎが全て１で
あるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがＲ３Ｒ４Ｒ５５ｊ
Ｏ基であるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数３〜２２個
の環状アルキル基であるナフタロシアニン誘導体が好ま
しい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て環状のアルキル基
を置換基として有するアルキル基であるナフタロシアニ
ン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て直鎖アルキル基で
あるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て分岐アルキル基で
あるナフタロシアニン誘導体が好ましい。

本発明に係るナフタロシアニン誘導体の具体例を例示化
合物として次表に示す。なお式中、Ｐ　ｈはフェニル基
、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基。

Ｐｒはプロピル基及びＢｕはブチル基を示す。

＝５３− 一馴一 仮に、請求項９の発明を第２の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第２の発明は、一般式（ｎ）〔式中、ｋ、ｌ
、ｍ及びｎ並びにＲ１及びＭは一般式（Ｉ）におけると
同意義〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を一般式
（ＩＩＩ） Ｒ”ＯＨ（ＩＩＩ） 〔ただし、式中Ｒ２は、一般式（Ｉ）におけると同意義
〕で表わされるアルコール、一般式（ＴＶ）Ｒ’Ｒ’Ｒ
ｇＳ　ｊ、　ＣＤ、　　　　　　　　　（ＩＶ）で表わ
されるクロロシラン又は一般式（Ｖ）Ｒ３Ｒ’　Ｒ″’
５ｉＯＨ（Ｖ） 〔ただし、式（ＩＶ）及び（Ｖ）中、Ｒ３，Ｒ’及びＲ
５は一般式（Ｉ）における同意義〕で表わされるシラノ
ールと反応させることを特徴とする一般式（Ａ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体の製造法に関する。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ＩＴ）で表わされる化合物と過剰の一般式（■
）、一般式（ＩＶ）又は一般式（Ｖ）で表わされる化合
物とを加熱反応させることにより得ることができる。こ
の場合、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反応時
間は３０分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶媒な
しで反応させるか、あるいは溶媒として、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、クロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン、１−夕口
口ナフタレン、テトラリン、ピリジン、β−ピコリン、
キノリン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン、
トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチル
アミン、トリヘキシルアミン等の脂肪族アミン存在下行
うのが好ましい。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマトグ
ラフィー法により分離した後、再結晶法により精製する
などの方法によって行うことができる。

一般式（ＩＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（■） （ＳＲ′）ｍ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎ並びにＲ１及びＭは一般式（
Ｉ）におけると同意義であり、Ｘはハロゲン原子を示し
、２個のＸは同一でも相違してもよい〕で表わされるナ
フタロシアニン誘導体を加熱上加水分解反応をさせるこ
とにより得ることができる。

この場合、反応温度は５０〜１５０℃が好ましく、反応
時間は３０分〜］Ｏ時間が好ましい。このためには、ピ
リジン／水、ピリジン／アンモニア水。

メタノール／アンモニア水、エタノール／アンモニア水
、プロパツール／アンモニア水などの混合溶媒中で反応
させるのが好ましい。

一般式（■）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ＴＸ） 〔ただし、式中Ｒ１は、一般式（Ｉ）におけると同意義
で、ｒはＯ−／＋の整数である。ｒ個のＲ１は同一でも
相違してもよい〕で表わされる１、３−ジイミノベンゾ
〔ｆ〕イソインドリン誘導体又は一般式（Ｘ） 〔ただし、式中Ｒ１は、一般式（Ｉ）におけると同意義
で、ｒはＯ〜４の整数であり、ｒ個のＲ１は同一でも相
違してもよい〕で表わされる２、３−ジシアノナフタレ
ン誘導体］−モルに対して一般式（［） ％式％（） 〔ただし、式中Ｘはハロゲン原子及びｐは金属ＭへのＸ
の結合数を示す正の整数であり、Ｍはｓ］。

Ｇｅ又はＳｎを示す〕で表わされる金属ハロゲン化物を
１〜１００モルの比で共存させ加熱反応させることによ
り得ることができる。この場合、反応温度は１５０〜３
００℃が好ましく、反応時間は３０分〜１０時間が好ま
しい。この反応は、溶媒なしで反応させてもよいし、ま
た溶媒として尿素、テトラリン、キノリン、］−−クロ
ロナフタレン、１−ブロモナフタレン、トリメチルベン
ゼン。

ジクロロベンゼン、　　ｌ−リクロロベンゼン等を使用
してもよい。また、この反応は、アミン類の存在下行う
のが好ましく、使用するアミンとしては、Ｉ・リエチレ
ンアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、ト
リペンチルアミン、トリヘキシルアミン等がある。上記
金属ハロゲン化物としては、例えば、５ｊＣＱａ　、Ｓ
ｉＢｒ４，５ｉＩａ　ｒＧｅＣＤ、４．ＧｅＢｒ４，５
ｎＣｌ、、ＳｎＩ２等がある。

一般式（ＩＸ）で表わされる１、３−ジイミノベンゾ〔
ｆ〕イソインドリンは、一般式（Ｘ）で表わされる２、
３−ジシアノナフタレン誘導体をメタノール中、触媒と
してナトリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き
込みながら１〜１０時間加熱還流することによって得る
ことができる。

一般式（Ｘ）で表わされる２、３−ジシアノナフタレン
誘導体は、主に次の２つの方法により製造することがで
きる。

すなわち、その一つは、一般式（Ｘｌｌ）　ｂ９− （ただし、式中Ｒ１及びｒは、一般式（Ｘ）におけると
同意義）で表わされる０−キシレン誘導体と式（Ｘｌｌ
ｒ） ○ で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱上光
照射させて得られる一般式（ＸＩＶ）（ただし、式中Ｒ
１及びｒは、一般式（Ｘ）におけると同意義）で表わさ
れる化合物を、式（ＸＶ）で表わされるフマロニ］・リ
ルと加熱下反応させて一般式（Ｘ）で表わされる２、３
−ジシアノナフタレン誘導体を合成する方法である。

−ａに、一般式（ｘｎ）で表わされる０−キシレン誘導
体と式（ＸＩＩ＋）で表わされるＮ−ブロモこはく酸イ
ミドとの反応は、０−キシレン誘導体０．２ｍｏｆｌと
Ｎ−ブロモこはく酸イミド０．８ｍｏΩ　を高圧水銀灯
照射下、光照射に対して不活性な溶媒中で、４〜１２時
間加熱還流することにより行うことができる。反応は、
光反応開始剤として、ラジカル発生剤である過酸化物を
添加する必要がある。

過酸化物としては、過酸化ベンゾイル、過酸化オクタノ
イル、過酸化シクロヘキサノン、過酸化インブチリル、
過酸化２，４−ジクロロベンゾイル。

過酸化メチルエチルケトンなどが挙げられ、通常、溶媒
５００ｒｒ＋Ｑに対して５００■〜２ｇの範囲で使用さ
れる。また光照射に対して不活性な溶媒としては、クロ
ロホルム、四塩化炭素などのハロゲン系溶媒、または、
ベンゼン、クロロベンゼンなどの芳香族系溶媒から適宜
選択される。

また、次の一般式（ｘｒｖ）で表わされる化合物と式（
ＸＶ）で表わされるフマロニ１〜リルとの反応は、一般
式（ＸＩＶ）で表わされる化合物１　ｎｏ　ｎに対して
、式（ＸＶ）で表わされるフマロニ１〜リルを１〜２Ｉ
ＩｌｏＱの比で共存させ、反応温度は、７０℃〜１００
℃が好ましく、反応時間は、５〜１０時間が好ましい。

溶媒としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ
−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ、
Ｎ−ジエチルホルムアミド。

Ｎ、Ｎ−ジエチルアセトアミ１〜等の極性有機溶媒が好
ましい。

他の一つは、一般式（ＸＶＩ） （ただし、式中ｒはＯ〜４の整数を表わす）で表わされ
るブロモ−２，３−ジシアノナフタレンを過剰の一般式
（■） ＣｕＳＲ１（Ｖｌｌ） 〔ただし、式中Ｒ”は一般式（Ｉ）における同意義〕で
表わされる銅（Ｉ）チオレートと加熱下置換反応させる
ことにより得ることができる。この場合、＝６７− 反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反応時間は、１
〜３０時間が好ましい。また、この反応の溶媒としては
、ベンゼン、トルエン、キシレン。

トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼ
ン、トリクロロベンゼン、１−クロロナフタレン、テト
ラリン、ピリジン、β−ピコリン。

キノリン等を単一または、混合溶媒として用いることが
できる。

一般式（ＸＶＩ）で表わされるブロモ−２，３−ジシア
ノナフタレンは１例えばラニーナル・オルガニヘスコ・
キミ（Ｚｈｕｒｎａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃｈｅｓｋｏｉ　
Ｋｈｉｍｉｉ）。

第７巻第３６９頁、１９７１年に記載された方法を参考
にして下記式（Ａ）の経路で合成することができる。

すなわち、ブロモ−０−キシレン（Ｘ■）と式で表わさ
れるＮ−ブロモこはく酸イミドとを、加熱上光照射させ
て得られるビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン（Ｘ
■）を式（ＸＶ） で表わされるフマロニ１ヘリルと加熱上反応させて一般
式（ＸＶＩ）で表わされるブロモ−２，３−ジシアノナ
フタレンを得る方法である。

一般に、一般式（Ｘ■）で表わされるブロモ−０−キシ
レンと式（ｘｍ）で表わされるＮ−ブロモこはく酸イミ
ドとの反応は、ブロモ−０−キシレン０．２ｍｏＱとＮ
−ブロモこはく酸イミド０　、８　ｍｏ　Ｑを高圧水銀
灯照射下、光照射に対して不活性な溶媒中で、４〜］−
２時間加熱還流することにより行うことができる。反応
は、光反応開始剤としてラジカル発生剤である過酸化物
を添加する必要がある。過酸化物としては、過酸化ベン
ゾイル、過酸化オクタノイル、過酸化シクロヘキサノン
、過酸化イソブチリル、過酸化２，４−ジクロロベンゾ
イル、過酸化メチルエチルケトンなどが挙げられ、通常
、溶媒５００ｍ（ｌに対して５００■〜２ｇの範囲で使
用される。また光照射に対して不活性な溶媒としては、
クロロホルム、四塩化炭素などのハロゲン系ｉ１［マた
はベンゼン、クロロベンゼン、などの芳香族系溶媒から
適宜選択される。

また次の式（Ｘ■）で表わされる化合物と式（ＸＶ）で
表わされるフマロニトリルとの反応は、一般式（Ｘ■）
で表わされる化合物１　ｍｏ　Ｑに対して式（ＸＶ）で
表わされるフマロニトリルを１〜２ｍｏＱの比で共存さ
せ、反応温度は、７０〜１００℃が好ましく、反応時間
は、５〜１０時間が好ましい。溶媒としては、Ｎ、Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド
、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミ
ド。

Ｎ、Ｎ−ジエチルアセ１〜アミド等の極性溶媒が好まし
い。

仮に請求項１０の発明を第３の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第３の発明は一般式（Ｖｆ）（Ｂｒ）ｍ 〔式中、ｋ、Ω１ｍ及びｎ並びにＭ及びＹは、一般式（
Ｉ）と同意義〕で表わされるナフタロシアニン誘導体を
一般式（■） ＣｕＳＲ”　　　　　　　　　　　　（■）〔ただし、
式中Ｒ１は一般式（Ｉ）と同意義〕で表わされる銅（Ｉ
）チオレート反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
で表わされるナフタロシアニン誘導体の製造法に関する
。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は、
一般式（ＶＩ）で表わされる化合物と過剰の一般式（■
）で表わされる銅（Ｉ）チオレートとを加熱上置換反応
させることにより得ることができる。

この場合、反応温度は８０〜２５０℃が好ましく、反応
時間は１〜３０時間が好ましい。また、この反応の溶媒
としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチル
ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリク
ロロベンゼン、１−クロロナフタレン、テトラリン、ピ
リジン、β−ピコリン、キノリン等を単一または混合溶
媒として用いることができる。

一般式（Ｉ）においてＲ′が相違する置換基であるナフ
タロシアニン誘導体を得る場合は、相違する置換基に対
応する置換基を有する数種の一般式（■）で表わされる
銅（Ｉ）チオレートと反応させることが必要である。

一般式（ｒ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の反
応混合物からの単離・精製は、反応混合物をカラムクロ
マトグラフィー法または薄層クロマトグラフィー法によ
り分離した後、再結晶法により精製するなどの方法によ
って行うことができる。

一般式（ＶＩ）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（ＸＩＸ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎ並びにＭは、一般式（Ｉ）に
おけると同意義〕で表わされるナフタロシアニン誘導体
を過剰の一般式（ｍ） Ｒ２０Ｈ（ＩＩＩ　） 〔ただし、式中Ｒ２は、一般式（Ｉ）におけると同意義
で表わされるアルコール、一般式（ＩＶ）Ｒ３Ｒ４Ｒ５
Ｓ　ｉ　ＣＱ　　　　　　　　（ＩＶ）で表わされるク
ロロシラン又は一般式（Ｖ）Ｒ３Ｒ’Ｒ５Ｓ　ｉＯＨ（
Ｖ） 〔ただし、式（ＴＶ　）及び（Ｖ）中、Ｒ”　、Ｒ４及
びＲ５は、一般式（Ｉ）における同意義〕で表わされる
化合物と加熱反応させることにより得ることができる。

この場合、反応温度は８０〜２５０’Ｃが好ましく、反
応時間は３０分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶
媒なしで反応させるが、あるいは溶媒として、ベンゼン
、トルエン、キシレン。

トリメチルベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼ
ン、トリクロロベンゼン、■−クロロナフタレン、テ１
ヘラリン、ピリジン、β−ピコリン。

キノリン等を使用し、必要に応じてトリエチルアミン、
トリプロピルアミン、１〜リブチルアミン。

トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン等の脂肪族ア
ミン存在下行うのが好ましい。

一般式（ＶＴ）で表わされるナフタロシアニン誘導体の
反応混合物からの単離・精製は、反応混合物をクロマト
グラフィー法により分離した後、再結晶法により精製す
るなどの方法によって行うことができる。

一般式（ｘ■）で表わされるナフタロシアニン誘導体は
、一般式（ＸＸ） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎ並びにＭは、一般式（Ｉ）に
おけると同意義であり、Ｘはハロゲン原子を示し、２個
のＸは同一でも相違してもよい〕で表わされるナフタロ
シアニン誘導体を室温下］−〜１０時間濃硫酸中で処理
した後、濃アンモニア水中で３０分〜１０時間還流する
か、または、ピリジン／水、ピリジン／アンモニア水、
メタノール／アンモニア水、エタノール／アンモニア水
、プロパツール／アンモニア水中で３０分〜１０時間加
熱還流することによって得ることができる。

一般式（Ｘ、　Ｘ、　’）で表わされるナフタロシアニ
ン誘導体は、一般式（ｘ、ｘｒ） 〔ただし、式中ｒは、０〜４の整数を表わす〕で表わさ
れるブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆｌイソインド
リン１モルに対して一般式（Ｘ［）ＭＸｐ　　　　　　
　　　　　　　　（Ｘ［）（ただし、式中Ｘはハロゲン
原子を表わし、ｐは、金属ＭへのＸの結合数を表わす正
の整数であり、ＭはＳｊ、Ｇｅ又はＳｎを示す）で表わ
される金属ハロゲン化物を１〜］、　Ｏ０モルの比で共
存させて加熱反応させ得ることができる。この場合、反
応温度は１５０〜３００℃が好ましく、反応時間は３０
分〜１０時間が好ましい。この反応は、溶媒なしで反応
させてもよいし、また溶媒として尿素、テトラリン、キ
ノリン、１−クロロナフタレン、１−ブロモナフタレン
、１〜リメチルベンゼン。

ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等を使用しても
よい。また、この反応は、アミン類の存在下行うのが好
ましく、使用するアミンとしては、１〜リエチルアミン
、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチ
ルアミン、トリヘキシルアミン等がある。上記金属ハロ
ゲン化物としては、５ｉＣＱ４．ＳｉＢｒ４．Ｓｉ　Ｉ
、、ＧｅＣＱ４゜ＧｅＢｒ４，５ｎＣｌ、、、５ｎ１２
等がある。

一般式（ＸＸｒ）で表わされるブロモ−１，３−ジイミ
ノベンゾ［ｆｌイソインドリンは、一般式〔ただし、式
中ｒは、０〜４の整数を表わす〕で表わされるブロモ−
２，３−ジシアノナフタレンをメタノール中触媒として
ナトリウムメトキシド存在下アンモニアガスを吹き込み
ながら１〜］Ｏ時間加熱還流することによって得ること
ができる。

Ｖ「記第２の発明及び第３の発明において、一般式（■
）、一般式（■）、一般式（■）、一般式（ＸＩ）。

一般式（■）、一般式（Ｘ、ＩＸ）及び一般式（Ｘ、Ｘ
）で、ＭがＳｉ又はＧｅであるナフタロシアニン誘導体
の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（■）
、一般式（Ｉ）、一般式（■）、一般式（■）。

一般式（Ｘ）、一般式（Ｘ［Ｉ）、一般式（ＸＩＶ）、
一般式（ＸＶＴ）、一般式（Ｘ■）、一般式（Ｘ■）、
一般式（■）、一般式（ｘ■）、一般式（ＸＸ）又は一
般式（ｘ刀）でｋ、ｌ、ｍ及びｎ並びにｒが全て］であ
るナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（ｒ）
及び一般式（ＶＩ）で２個のＹがＲ３Ｒ’Ｒ”ＳｉＯ基
であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（■）
、一般式（■）、一般式（■）、一般式（■）。

一般式（■）、一般式（Ｘ）、一般式（Ｘ［ｌ）及び一
般式（ＸＩＶ）でＲ１が全て炭素数３〜２２個の環状ア
ルキル基であるナフタロシアニン誘導体の製造法が好ま
しい。

前記第２の発明及び第３の発明において一般式（■）、
一般式（■）、一般式（■）、一般式（■）、一般式（
Ｘ）、一般式（Ｘ［ｌ）、一般式（ＸＩＶ）及び一般式
（■）でＲ１が全て２級、３級又は環状のアルキル基を
置換基として有するアルキル基であるナフタロシアニン
誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において一般式（■）、
一般式（■）、一般式（■）、一般式（ＩＸ）、　一般
式（Ｘ）、一般式（Ｘｌｌ）、一般式（ｘｒｖ）及び一
般式（■）でＲ１が全て直鎖アルキル基であるナフタロ
シアニン誘導体の製造法が好ましい。

前記第２の発明及び第３の発明において、一般式（■）
、一般式（Ｉ）、一般式（■）、一般式（■）。

一般式（Ｘ）、一般式（Ｘｌｌ）、一般式（ＸＩＶ）及
び一般式（■）でＲ１が全て分岐アルキル基である、ナ
フタロシアニン誘導体の製造法が好ましい。

仮に請求項１８の発明を第４の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第４の発明は、基板上に一般式（Ｉ）で表わ
されるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が
形成されていることを特徴とする光学記録媒体に関する
。

本発明に係る光学記録媒体は、基板上に本発明の一般式
（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を主成分と
する記録層を設けたものであるが必要に応して下地層や
保護層などの他の層を設けることができる。

使用される基板材料は、当業者には既知のものであり、
使用されるレーザー光に対して透明または不透明のいず
れでもよい。しかし、基板側からレーザー光で書き込み
、読出しを行う場合は、そのレーザー光に対して透明で
なければならない。

一方、基板と反対側すなわち記録層側から書き込み、読
出しを行う場合は、使用するレーザー光に一８０＝ 対して透明である必要はない。基板材料としては、例え
ば、ガラス、石英、マイカ、セラミック、板状または箔
状の金属などの有機材料のほか、紙。

ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフ
タレート、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリ
デン共重合体、ポリアミド。

ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート及びメチルメ
タクリレート共重合体等の有機高分子材料の板が挙げら
れるが、これらに限定されない。記録時に熱損失が少な
く、感度をあげるという意味で低熱伝導率の有機高分子
からなる支持体が望ましく、基板には必要に応じて凹凸
で形成される案内溝を設けても良い。

また、基板には必要に応して下地膜を設けてもよい。

前記一般式（Ｉ）においてＭが、Ｓｉ又はＧｅであるナ
フタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が形成され
ている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてに、、ｌ、ｍ及びｎが全て１
であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が
形成されている光学記録媒体が好ましし）。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがＲ３Ｒ’Ｒ’Ｓｉ
Ｏ基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録
層が形成されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ′が全て炭素数３〜２２個
の環状アルキル基であるナフタロシアニン誘導体を主成
分とする記録層が形成されている光学記録媒体が好まし
い。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て環状のアルキル基
を置換基として有するアルキル基であるナフタロシアニ
ン誘導体を主成分とする記録層が形成されている光学記
録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て直鎖アルキル基で
あるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が形
成されている光学記録媒体が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て分岐アルキル基で
あるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が形
成されている光学記録媒体が好ましい。

仮に請求項２６の発明を第５の発明と呼ぶことにする。

すなわち、第５の発明は、一般式（Ｉ）で表わされるナ
フタロシアニン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶
液を用いて基板上に記録層を形成することを特徴とする
光学記録媒体の製造法［こ関する。

上記有機溶媒としては、一般式（Ｉ）で表わされるナフ
タロシアニン誘導体を溶解する前記芳香族系、ハロゲン
系、エーテル系、ケトン系及び飽和炭化水素系等の溶媒
の中から選択され、単一でも混合された溶媒でもよい。

ただし、使用する基板を浸さない溶媒を用いるのが好ま
しい。

ハロゲン系有機溶媒が好ましい。四塩化炭素が特に好ま
しい。

一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘導体を有
機溶媒に溶解した溶液を用いた記録層の形成方法として
は、塗布法、印刷法、浸漬法がある。

具体的には、色素を上記溶媒に溶解し、スプレー。

ローラーコーティング、スピンコーティング、ディッピ
ングで行う。なお、記録層形成時に、必要に応じてポリ
マーバインダー等の結着材、安定剤等を添加することも
できる。バインダーとしては、ポリイミド樹脂、ポリア
ミド樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂等を挙げる
ことができるが、これらに限定されない。

該記録層材料は、単独あるいは２種以上の組み合わせで
用いられ、２種以上の組み合わせの場合は、積層構造で
も、混合された単一層構造でもよい。記録層の膜層は５
０〜１００００人の範囲が好ましく、特に１００〜５０
００人の範囲が好ましい。

また、形成された記録層を光学的に再生する時、反射光
を利用することが多い。この場合にはコントラストを高
める有効な方法として、基板側から書き込み、読み出し
を行う場合は基板と反対側の記録層の表面に、高い反射
率を示す金属層を設けることもでき、基板と反対側すな
わち記録層側から書き込み、読み出しを行う場合は、基
板と記録層の間に高い反射率を示す金属層を設けること
もＭ− できる。この高反射率の金属としては、ＡＱ。

Ｃｒ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｓｎなどが用いられる。これらの膜
は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ蒸着などの公
知の薄膜形成技術で形成することができ、その膜厚は１
００〜１００００人の範囲で選ばれる。

ただし、該ナフタロシアニン誘導体は、それ自身の反射
率が高く、金属反射層を設ける必要はない。

また、基板自身の表面平滑性が問題になるときは、基板
上に有機高分子の均一な膜を設けるとよい。これらのポ
リマーとしては、ポリエステル。

ポリ塩化ビニルなどの市販のポリマーが適用可能である
。

さらに、最外層に保護層を設け、これにより安定性、保
護性を増し、さらに、表面反射率の低減による感度増加
を目的とする層を設けることもできる。このような保護
層に用いられる材料としては、例えば、ポリ塩化ビニリ
デン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニリデンとアクリロニト
リル共重合体。

ポリ酢酸ビニル、ポリイミド、ポリメチルメタクリレ−
１−、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブタジェン
、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、フッ素ゴム、
ポリエステル、エポキシ樹脂。

シリコーン樹脂、酢酸セルロースなどがある。これらは
、単独でまたはブレンドして用いられる。

保護層にシリコーンオイル、帯電防止剤、架橋剤などを
存在させることは、膜性能の強化の点で好ましい。また
、保護層は２層に重ねることもできる。上述した保護層
用の材料は、適当な溶剤に溶解して塗布するか、薄いフ
ィルムとしてラミネートする方法が適用可能である。こ
のような保護層の膜厚は通常０．１　〜１０μｍの厚み
に設けるが、好ましくは０．１〜２μｍで用いられる。

　　−前記一般式（Ｔ）においてＭが、Ｓｉ又はＧｅで
あるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製
造法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてに、　ｌ、、ｍ及びｎが全て
］であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体
の製造法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）において２個のＹがＲ”Ｒ４Ｒ５Ｓｉ
Ｏ基であるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒
体の製造法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て炭素数３〜２２個
の環状アルキル基であるナフタロシアニン誘導体を用い
た光学記録媒体の製造法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て環状のアルキル基
を置換基として有するアルキル基であるナフタロシアニ
ン誘導体を用いた光学記録媒体の製造法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て直鎖アルキル基で
あるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製
造法が好ましい。

前記一般式（Ｉ）においてＲ１が全て分岐アルキル基で
あるナフタロシアニン誘導体を用いた光学記録媒体の製
造法が好ましい。

〔実施例〕

以下、本発明な実施例により説明するが、本発明は、こ
れらに制限されるものではない。

合成例］− 〔３，４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼンの合
成〕 ４−ブロモ−０−キシレン（７５％）　（Ａｌｄｒｉｃ
ｈ社製）３７ｇ（０，２ｍｏＱ）及びＮ−ブロモこはく
酸イミド１４２．４．ｇ　（０，８ｍｏＱ）の四塩化炭
素５００ｍＭ溶液に過酸化ベンゾイル１ｇを加え内部照
射管（ウシオ電気工業社製）中で還流しながら８〜１２
時間高圧水銀灯（Ｉ００Ｗ）により光照射した。放冷後
、析出した白色結晶を吸引ろ過して除き、母液の四塩化
炭素溶液を減圧上濃縮した。得られた固体をヘキサン／
塩化メチレンより再結晶し、無色結晶として３，４−ビ
ス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン６４ｇを得た。３
，４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼンの物性は
下記に示すものであった。

（Ｉ）融点　１０８．５〜１１０．５℃（２）元素分析
値： ＣＨＢｒ 剖算値（％）　　１９．］、９　１．０１　７９．８０
分析値（％）　　］、９．１２　０．８８　７９．８４
（３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤ（Ｉ３溶媒δ値　７．
８１（ＬＨ，ｂｒ−ｓ） ７．５７（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．５４Ｈ１）７．５０（Ｌ
Ｈ，ｄｃｌ、Ｊ＝８．５４−。

１　、８３　Ｈｚ　） ７．０６（ＬＨ，ｓ） ７．０２（ＩＨ，５） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１図に示す。

合成例２ 〔６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレンの合成〕 ３．４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベンゼン１００
．２　ｇ　（０，２ｍｏｌ、）　、フマロニｌヘリル２
７ｇ（０，３４６ｍｏＱ）の無水Ｎ、Ｎ−ジメチルホル
ムアミド８００　ｍ　Ｑ　溶液に、よくかくはんしなが
らヨウ化ナトリウム２００　ｇ（０，６７ｍｏρ）を加
え、窒素雰囲気下約７５℃で約７時間がくはんした。反
応後、内容物を約４ｋｇの氷中へ注ぎ出した。赤かっ色
水溶液が淡黄色になるまで徐々に亜硫酸水素ナトリウム
を加え、わずかに過剰量亜硫酸水素すトリウムを加え、
しばらくかくはんした後、室温下−晩装置した。析出し
た淡黄色固体を吸引ろ過し充分に水、次にメタノールで
洗浄した。淡黄色固体をアセトン／エタノールから再結
晶することによって無色針状晶を３３ｇ得た。この結晶
は、下記の分析結果から６−ブロモ−２゜３−ジシアノ
ナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　２５４．５〜２５５．５°Ｃ（２）元素分
析値： ＣＨＮ　　　　Ｂ　ｒ 計算値（％）　　５６．０６　１．９６　１０．９０　
３１．０８分析値（％）５５．９９　１．６７　１０．
８７　３０．７４（３）ＮＭＲスペクトル値：ＣＤＣＱ
３溶媒（ＮＭＲスペクトルを第２図に示す） δ値　８．３４（ＩＨ，ｓ） ８．２７（ＩＨ，ｓ） ８．１７（Ｉ，Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ７．８８（２Ｈ，ｍ） （４）ｒＲスペクトル（ＫＢｒｄ；）を第３図に示す。

合成例３ 〔６−〇−ブチルチオー２．３−ジシアノナフタレンの
合成〕 ６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレン３２，４ｇ（
０，１２６ｍｏＱ）のキノリン１２６ｍｆｌ及びピリジ
ン４．１　ｍ　Ｑ溶液に、オーガニック・シンセシス（
Ｏｒｇａｎｉｃ　５ｙｎｔｈｅｓｅｓ）、第４２巻２２
項記載の方法を参考にして合成したわ一ブチルチオ化第
−銅２１．１　ｇ　（０，１３８ｍｏＱ）を加え、１．
６０−１７０℃で５時間還流した。放冷後、メタノール
９００ｍＱと水９００ｍｌ、の混合溶液中に注ぎ次いで
濾過し得られた粗結晶を乾燥後、トルエンに溶解させた
。濃縮後、カラムクロマ１−グラフィー法により分離を
行い、１ヘルエン／ｎ−ヘキサンから再結晶することに
より、白色結晶２１．３　ｇ　得られた。この白色結晶
は下記分析結果から６−ｎ−ブチルチオ−２，３−ジシ
アノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１３４．５〜１３６．０℃（２）元素分析
値： ＣＨＮ 計算値（％’）　　７２．１５　５．３０　１０．５２
分析値（％）　　７２．０９　５゜１６１０．２２（３
）ＮＭＲスペクトル値：　ＣＤＣＱ３溶液（ＮＭＲスペ
クトルを第４図に示す） δ値　８．２５（ＩＨ，ｓ） ８．１　９（ＩＩ−Ｌ　　　ｓ） ７．８３（ＩＨ，ｄ　　Ｊ＝８．５４．Ｈｚ）７．６５
（］、Ｈ，ｓ） ７．６１（ＬＨ，’ｄ、ｄ　　　　　、■　＝　８　。

　５４　。

１　、８３　Ｈｚ　） ３．１０（２Ｈ，ｔ　　’Ｊ＝７．３３Ｈｚ）１．７６
（２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ　　Ｊ＝７．３３Ｉ（ｚ　） １．５３（２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ　　Ｊ＝７．３３Ｈｚ）
０．９８（３Ｈ，ｔ　　Ｊ＝７．３３Ｈｚ）（４）ＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）を第５図に示す。

合成例４ （６−ｎ−ブチルチオ−１，３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕
イソインドリンの合成〕 窒素雰囲気下、無水メタノール３５０ｍｆｆに金属ナト
リウム１．４．６ｇ　（６４ｍ　ｍｏＱ）を５回に分け
て加えて調製したすトリウムメトキシド−メタノール溶
液に６−ｎ−ブチルチオ−２，３−ジシアノナフタレン
３０．０　ｇ　（０，１１ｍｏｆ１）を加え、よくかく
はんしながら室温下、無水アンモニアガスを約１時間ゆ
っくりとバブルした。無水アンモニアガスをバルブしな
がら約３時間還流した。

冷却後、析出した黄色固体をろ過しメタノールで充分に
洗浄し、減圧乾燥すると６−ｎ−ブチルチオ−１，３−
ジイミノベンゾ［ｆ］イソインドリンが黄色固体として
３０ｇ得られた。この６−ブロモ−１，３−ジイミノベ
ンゾ〔ｆ〕イソインドリンのＩＲスペクトルを第６図に
示す。６−ｎ−ブチルチオ−１，３−ジイミノベンゾ（
ｆ）イソインドリンは、これ以」二精製せずに次の反応
に用いた。

合成例５ 〔ジクロロシリコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタ
ロシアニンの合成〕 窒素雰囲気下、６−　（ｎ−ブチルチオ）−］。

３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンＬｏｇ（３５
，３ｍｍｏＱ）の無水テトラリン１３ｏｍＱ懸濁液に四
塩化ケイ素２５．０ｍｆｆ　　（０，２１８ｍｏＱ）を
加えて約３時間還流した。冷却後メタノール７００ｍ（
！を加え一晩放置した。赤かっ色反応混合物をろ過しメ
タノールで充分に洗浄後、減圧乾燥すると濃緑色の固体
としてジクロロシリコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナ
フタロシアニンが約３０ｇ得られた。このジグロロシリ
コンーテトラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニンは、
これ以」二精製せずに次の反応を用いた。ジクロロシリ
コン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニンの電
子スペクトルを第７図に示す。

合成例６ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ〕ナ
フタロシアニンの合成〕 ジクロロシリコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタロ
シアニン３．］、ｇ　（２，７ｍ　ｍｏＱ）をエタノー
ル５０ｍｌ、アンモニア水５０ｍｌ、水２００ｍＱ中に
加え、約３時間かくはんした。反応混合物をろ過し、水
次いでメタノールで充分に洗浄した後、減圧乾燥すると
、濃緑色固体としてジヒトロキシシリコンーテ１ヘラ（
ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニンが９００ｍｇ得られ
た。このジヒドロキシシリコンーテトう（＋１−ブチル
チオ）ナフタロシアニンは、これ以」二精製せずに次の
反応に用いた。ジヒドロキシシリコンーテＩ−ラ（ｎ−
ブチルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクＩ・ルを第
８図に示す。

合成例７ 〔６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾＣｆ”Ｊイソイ
ンドリンの合成〕 窒素雰囲気下、無水メタノール２７０ｍＱに金属ナトリ
ウム１．９２　ｇ　（８４，ｍ　ｍｏｆｌ、）を５回に
分けて加えて調製したナトリウムメトキシド−メタノー
ル溶液に６−フロモー２，３−ジシアノナフタレン４．
４．．１　ｇ　（０，１７ｍｏＱ）を加え、よくかんは
んしながら室温下、無水アンモニアガスを約１時間ゆっ
くりとバブルした。無水アンモニアガスをバブルしなが
ら約３時間還流した。冷却後、析出した黄色固体をろ過
しメタノールで充分に洗浄し、減圧乾燥すると６−ブロ
モ−１，３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンが黄
色固体として４５　ｇ得られた。この６−ブロモ−１，
３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンのＩＲスペク
１〜ルを第９図に示す。６−ブロモ−１，３−ジイミノ
ベンゾ（ｆ）イソインドリンは、これ以上精製せずに次
の反応に用いた。

合成例８ 〔ジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン（
一般式（ＸＸ）：ただしＭはＳｉ、Ｘは塩素原子であり
、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは１である）の合成〕 窒素雰囲気下、６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（
ｆ〕イソイン１へリン２２．５　ｇ　（８１，８ｍｍｏ
Ｑ）の無水テトラリン１１．　Ｏｍ　Ｑ懸濁液に無水ト
リーローブチルアミン５４ｍＱを加え、次いで四塩化ケ
イ素１４．４ｍＱ　（０，１，２６ｍｏｆｆ）を加えて
約３時間還流した。冷却後メタノール７００ｍＱを加え
一晩放置した。赤かっ色反応混合物をろ過しメタノール
で充分に洗浄後、減圧乾燥すると濃緑色の固体としてジ
クロロシリコンーテ１へラブロモナフタロシアニン（一
般式（ＸＸ）：ただしＭはＳｊ、Ｘは塩素原子であり、
ｋ、ｌ、、ｍ及びｎは１である）が約２０ｇ得られた。

このジクロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。ジクロロシ
リコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクト
ルを第１０図に示す。電子スペクトルを第１１図に示す
。

合成例９ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニ
ン（一般式（ＸＩＸ）　　：ただしＭはＳｊ、、ｋ、ｌ
、ｍ及びｎは１である）の合成〕ジクロロシリコンーテ
トラブロモナフタロシアニン９．７ｇ　（８，６ｍ　ｍ
ｏ＋１）を濃硫酸２５０ｍＱ。

中に加え、約２時間かくはんした。反応混合物を氷約８
００ｇ中に注ぎ一晩放置した。析出した沈殿をろ過し、
水次いでメタノールで充分に洗浄した後、この沈殿を濃
アンモニア水１．８０　ｍ　ｌ、中で約１時間還流した
。放冷後、吸引ろ過し、水、メタノール次いでアセトン
で充分に洗浄し減圧乾燥すると、濃緑色固体としてジヒ
ドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン（一
般式（ｘｒｘ）：ただしＭはＳｉ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは
１である）が８．７ｇで得られた。このジヒドロキシシ
リコン−テトラブロモナフタロシアニンは、これ以上精
製せずに次の反応に用いた。ジヒドロキシシリコン−テ
トラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクトルを第１２
図に示す。電子スペクトルを第１３図に示す。

合成例１０ 〔ビス（トリーロープロピルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（Ｖｆ）ただしＭは
Ｓｉ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは１であり、Ｙはトリーロープ
ロピルシロキシル基である）の合成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
２．８２ｇ　（２，６ｍ　ｍｏＱ）の無水β−ピコリン
２８０ｍＱ懸濁液を窒素雰囲気下、無水トＩＪ　−ｆｉ
−ブチルアミン８ｍＲ（３３，６ｍ　ｍｏＱ）ついでト
リーｎ−プロピルクロロシラン７．２ｍＱ　（３２，８
ｍ　ｍｏＱ）　　を加え、約２時間還流した。冷却後、
混合物をエタノール／水（Ｉ／１）６００ｍｆｌ中へ注
ぎ、よくかきまぜた後−晩装置した。析出した沈殿をろ
過し水で洗浄した。熱クロロホルムを用いてこの沈殿の
うち溶けるものだけ溶かし出し、クロロホルム溶液を無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、シリカゲルカラムクロマト
クラフィーにより精製し、さらにクロロホルムから再結
晶することにより濃緑色結晶が０．８２　ｇ　得られた
。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（トリー
ｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラブロモナフタ
ロシアニン（一般式（■）：ただしＭはＳｉ、ｋ、ｌ、
ｍ及びｎは１であり、Ｙはトリーｎ−プロピルシロキシ
ル基である）であることを確認した。

（Ｉ）融点　３００℃以上 （２）元素分析値： ＣＩ−Ｉ　　　　Ｎ　　　　Ｂ　ｒ ＝９９− 計算値（％）　　５６．５０　４．４５　７．９９　２
２．７８分析値（％）　５６゜２８　４．３９　　Ｂ、
０４　２２．４５（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲス
ペクトルを第１４図に示す）：ＣＤＣＱ３ δ値　１０．０８（４，Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．０１（
４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．８２（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５４（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜３　、０５　Ｈ
ｚ　） ８．００（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）−０，２９（
Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．１７Ｈｚ）−０，９０（Ｉ２Ｈ，
５ｅｘｔｅｔ−ｌｉｋｅ　ｍ）−２，０８（Ｉ２Ｈ，ｔ
−１ｉｋｅ　ｍ）（４）電子スペクトル（ＣＨＣＱ３溶
液）を第１５図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１６図に示す。

合成例１１ 〔ビス（Ｉ〜リ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（ＶＩ）：ただしＭ
はＳｉ、に、ｎ、ｍ及びｎは１であり、Ｙはトリーｎ−
ブチルシロキシル基である）の合成〕 ジヒドロキシシリコン−テトラブロモナフタロシアニン
２．８２ｇ（２，６ｍ　ｍｏ＜１）の無水β−ピコリン
２８０ｍＱ懸濁液に無水トリーｎ−ブチルアミン８ｍＱ
　（３３，６ｍ　ｍｏＱ）ついで１〜リーｎ−プチルク
ロロシラン８．８ｍ１ｌ（３２，８ｍｎ＋ｏＱ）を加え
、約２時間還流した。放冷後、反応混合物を合成例１０
と同様に処理し、クロロホルムから再結晶することによ
って濃緑色結晶を、０．７５ｇ得た。この濃緑色結晶は
下記の分析結果よりビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）
シリコン−テトラブロモナフタロシアニン（一般式（■
）：ただしＭはＳｉ、に、Ω２ｍ及びｎは１であり、Ｙ
はトリーｎ−ブチルシロキシル基である）であることを
確認した。

（Ｉ）融点　３００°Ｃ以上 （２）元素分析値： ＣＨＮ　　　　　　　Ｂ　ｒ 計算値（％）　　５８．１４．　５．０２　７．５３　
２１．４９分析値（％）　　５８．３６　５．１１　７
．５１　２１．０３（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲ
スペクトルを第１７図に示す）：ＣＤＣρ３ δ値　１０．０９（４−Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）１０．０２（
４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．８５（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．５５（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜３．０５Ｈｚ） ８．０１（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）０．０２（３
０Ｈ，ｍ） ０．９９（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｊｋｅ　ｍ）−２
，０７（Ｉ２Ｈ，ｔ−］ｊ、ｋｅ　ｍ）（４）電子スペ
クトル（ＣＨＣｆ１３溶液）を第１８図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第１９図に示す。

合成例１２ 〔ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニン（一般式（■）：ただしＭは
Ｓｉ、、に、ｆｌ、ｍ及びｎは１であり、Ｙはトリーｎ
−へキシルシロキシル基である）の合成〕 ジヒドロキシシリコンーテ１−ラブロモナフタロシアニ
ン２．８２　ｇ　（２，６ｍ　ｍｏｎ）の無水β−ピコ
リン２８０ｍα懸濁液に無水Ｉ・リーｎ−ブチルアミン
８ｍ　Ｑ　（３３，６ｍ　ｍｏｆｆ）ついでｉ・リーｎ
−へキシルクロロシラン１２ｍｆｌ　（３２，８ｍｍｏ
Ｑ）を加え、約２時間還流した。放冷後、反応混合物を
合成例１０と同様に処理し、ヘキサン／クロロホルムか
ら再結晶することによって濃緑色結晶を０．７８　ｇ　
得た。この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（ト
リーｎ−へキシルシロキシ）シリコン−テトラブロモナ
フタロシアニン（一般式（■）：ただしＭはＳｉ、ｋ、
ｌ、ｍ及びｎは１であり、Ｙはトリーｎ−へキシルシロ
キシル基である）であることを確認した。

（Ｉ）融点　２９８−３００℃ （２）元素分析値： ＣＩ−Ｉ　　　　　　Ｎ　　　　　　　Ｂ　ｒ−］０３
− 計算値（％）　　６０，９４　５，９７　６．７７　１
９．３０分析値（％）　　６０．７７　５．７１　６．
６５　１９．０２（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲス
ペク１〜ルを第２０図に示す）：ＣＤＣρ。

δ値　１０．０６（４８，ｂｒ−ｓ） １０．００（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．８３（４Ｍ、ｂ　ｒ−ｓ） ８．５３（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜２．４４Ｈｚ） ７．９９（４，Ｊゴ、　ｄ　ｄ　、　Ｊ　＝　８　、８
５１−Ｉ　ｚ　）０．６３（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ、Ｊ
：＝７．３２Ｈｚ） ０．４．５（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）０．２２
（Ｉ２Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ　） ０．０５（］−２Ｈ，ｑｕｊｎｔｅｔ、Ｊ＝７．３２Ｈ
ｚ） −１，０２（］　２　Ｈ，ｑｕｉｎｔｅｔ−１ｉｋｅ　
ｍ）−２，１，０（Ｉ２Ｈ，ｔ−１ｉｋｅ　ｍ）（４）
電子スペクトル（ＣＨＣＩＩ３溶液）を第２１暑帽 図に示す。

（５）ＩＲスペク１〜ル（ＫＢｒ法）を第２２図に示す
。

合成例１３ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラブロモ
ナフタロシアニン（一般式（■）：ただしＭはＳｉ、ｋ
、ｌ、ｍ及びｎは１であり、Ｙはトリエチルシロキシル
基である）の合成〕ジヒドロキシシリコンーテトラブロ
モナフタロシアニン２．８２　ｇ　（２，６ｍ　ｍｏｎ
）のキノリン１００ｍＱ懸濁液にトリエチルシラノール
１０ｍＱ（６５ｍｍｏｎ）を加え、約３時間還流した。

冷却後、反応混合物をエタノール／水（Ｉ／１）５００
　ｍ　Ｑ中へ注ぎ、よくかきまぜた後−晩装置した。析
出した沈殿をろ過しメタノール、次いでクロロホルムで
充分に洗浄した。得られた結晶をソックスレー抽出法で
クロロホルムを用いて洗浄したところ濃緑色結晶が２．
１ｇ得られた。この濃緑色結晶は、下記の分析結果より
ビス（Ｉヘリエチルシロキシ）シリコンーテトラブ口モ
ナフタロシアニン（一般式（■）：ただしＭはＳｉ、に
、Ｑ。

ｍ及びｎは］であり、Ｙはトリエチルシロキシル基であ
る）であることを確認した。

（Ｉ）融点　３００８Ｃ （２）元素分析値： ＣＩ−（Ｎ　　　　Ｂ　ｒ 計算値（％）　　５４−．６４．　３．８２　８．５０
　２４．２３分析値（％）　　５４．１８　３．６２　
８．８１　２３．９４（３）ＮＭＲスペクトル値：　Ｃ
ＤＣΩ３δ値　１０．０７（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） １０、ｏｏ（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８．８３（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５４（４，Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜３　、０５　
Ｈｚ　） ８．０１（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）−１，，０４
（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）−２，０５（Ｉ２Ｈ
，ｑ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）（４）電子スペクＩ−ル（Ｃ
ＨＣＱ３溶液）を第２３図に示す。

（５）ＩＲスペク１〜ル（ＫＢｒ法）を第２４図に示す
。

合成例］、　／］ 〔６−シクロペンチルチオ−２，３−ジシアノナフタレ
ンの合成〕 ６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレン］Ｏｇ　（３
８，９ｍ　ｍｏＱ）とシクロペンチルチオ化銅リン（２
００ｍｌ、）とピリジン（５５ｍＱ）の混合溶媒中、原
料が完全に消費されるまで２０時間加熱還流した。放冷
後、反応溶液を水／メタノール（Ｉ／１）混合溶媒に注
ぎ、析出した結晶をろ過した。得られた結晶中に含まれ
る分解物及び副生成物をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーにより分離後、トルエン／ヘキサンから再結晶を
行い、淡黄色結晶７．８５　ｇ（７２％）を得た。この
結晶は下記の分析結果から６−シクロペンチルチオ−２
，３−ジシアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１６４〜１６６℃ （２）元素分析値： Ｃトｒ　　　　　　　　　　　　　　Ｎ計算値（％）　
　７２．８２　５．７５　　９．９９分析値（％）　　
７２．７８　５．８１　１０．０５（３）ＮＭＲスペク
１−ル値（ＮＭＲスペクトルを図２５に示す）：ＣＩ：
）ＣＡ３ ８．２５（Ｉ，Ｈ，ｓ） ８．１９（ＩＨ，ｓ） ７．８２（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）７．７０（Ｌ
Ｈ，ｓ） ７．６２（Ｉ，Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜１．８５Ｈｚ
） ３．８３（ＩＨ，ｍ） ２．２２（２Ｈ，ｍ） １．９０−１．６０（６Ｈ，ｍ） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２６図に示す。

合成例コ５ 〔６−シクロへキシルチオ−２，３−ジシアノナフタレ
ンの合成〕 ６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレン］Ｏｇ　（３
８，９ｍ　ｍｏＱ）とシクロへキシルチオ化銅リン（２
００ｍＱ）とピリジン（５５ｍｕ）の混合溶媒中、原料
が完全に消費されるまで２０時間加熱還流した。放冷後
、反応溶液を水／メタノール（Ｉ／　１．　）混合溶媒
に注ぎ、析出した結晶をろ過した。得られた結晶中に含
まれる分解物及び副生成物をシリカゲルカラムクロマ１
へグラフィーにより分離後、トルエン／ヘキサンから再
結晶を行い、淡黄色結晶７．３３ｇ（６３％）を得た。

この結晶は下記の分析結果から６−シクロへキシルチオ
−２，３−ジシアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１３４〜１３６°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７３．４．０　６ｉ、６　９．５１分
析値（％）　　７３．１４　６．０３　９．４４（：ｌ
）ＮＭＲスペク１ヘル値（ＮＭＲスペクトルを図２７に
示す）：ＣＤＣＱ３ ８　、２６　（］、　Ｈ、ｓ　） ８．２１（ＩＴ（、ｓ） ７．８４（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．５４．Ｈｚ）７　、７５
　（Ｌ　Ｈ、ｓ　） ７．６２（Ｉ，Ｈ，ｄ　ｄ、Ｊ＝８．５４−。

１．８３Ｈｚ） ３．４３（ＬＨ，ｍ） ２．１．３−２．０２（２Ｈ，ｍ） １．８８−１．２５（８Ｈ，ｍ） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第２８図に示す。

合成例１６ ［６−（４−メチルシクロへキシルチオ）−２゜３−ジ
シアノナフタレンの合成〕 ６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレン１０ｇ　（３
８，９ｍ　ｍｏＱ）と４−メチルシクロヘキシｍｏＱ）
をキノリン（３３０ｍｆｌ）とピリジン（８５ｍＭ）の
混合溶媒中６時間加熱還流した。放冷後、反応溶液を水
／メタノール（Ｉ／　’Ｊ　）混合溶媒に注ぎ、析出し
た結晶をろ過した。得られた結晶中に含まれる分解物及
び副生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーを用
いて分離後、トルエン／ヘキサンから再結晶を行い、淡
黄色結晶４．０ｇ（３４％）を得た。この結晶は下記の
分析結果から６−（４−メチルシクロへキシルチオ）−
２゜３−ジシアノナフタレンであることを確認した。

（Ｉ）融点　１２９〜１３１°Ｃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７３．９９　６．５４．　９．０８分
析値（％）　　７３．６９　６．８２　９．３１（３）
ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペクトルを第２９図に示
す）：ＣＤＣＱ３ ８．２５（Ｉ１−Ｌ　　ｓ） ８．１９（ＬＨ，ｓ） ７．８３（ＩＨ，ｄ、Ｊ＝８．５４Ｈｚ）７．７３（Ｌ
Ｈ，ｓ） −ＩＩＩ　　− ７，６５（ＬＨ，ｄ、Ｊ＝８．５４Ｈｚ）３．９０−３
．７５（ＩＨ，ｍ） ２．００−１．３０（９Ｈ，ｍ） １．００−０．８８（３Ｈ，ｍ） （４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３０図に示す。

合成例１７ 〔６−シクロペンチルチオ−１，３−ジイミノベンゾ（
ｆ）イソインドリンの合成〕 無水メタノール（Ｉ，８０ｍＭ）に、窒素雰囲気下で金
属ナトリウム１．８０　ｇ　（８２，８ｍ　ｍｏＱ）を
加えて調製したナトリウムメトキシドのメタノール溶液
に、６−シクロペンチルチオ−２，３−ジシアノナフタ
レン１７　ｇ　（６１，１ｍ　ｍｏＱ）を加えた後、無
水アンモニアガスを吹き込みながら約２時間加熱還流し
た。反応溶液中のメタノールを減圧下で留去し、得られ
た油状物を冷却後、水（５０ｍＭ）を加え結晶を析出さ
せた。析出した結晶をろ退役、水、次にエタノールで洗
浄後、黄色結晶］、、７．１　ｇ（９５％）を得た。こ
の結晶は下記分析結果から６−シクロペンチルチオ−１
，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソイン１ヘリンであるこ
とを確認した。

（Ｉ）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　６８．６５　６．４．４　１４−．１
３分析値（％）　　６８．５１　６．５０１４．．２１
（２）ＩＲスペク１ヘル（ＫＢｒ法）を第３１図に示す
。

合成例１８ 〔６−シクロへキシルチオ−１，３−ジイミノベンゾ（
ｆ）イソイン１〜リンの合成〕無水メタノール（Ｉ７５
ｍＱ）に、窒素雰囲気下で金属ナトリウム１．７５　（
７６，３ｍ　ｍｏＱ）を加えて調製したナトリウムメト
キシ１くのメタノール溶液に、６−シクロへキシルチオ
−２，３−ジシアノナフタレン３０ｇ　（Ｉ０３ｍ　ｍ
ｏＱ）を加えた後、無水アンモニアガスを吹き込みなが
ら約２時間加熱還流した。反応溶液中のメタノールを減
圧下で留去し、得られた油状物を冷却後、水（Ｉ００ｍ
Ｑ）を加え結晶を析出させた。析出した結晶をろ通接、
水、次にエタノールで洗浄して、黄色結晶３１．４ｇ（
９８％）を得た。この結晶は下記分析結果から６−シク
ロへキシルチオ−１゜３−ジイミノベンゾ［ｆ）イソイ
ンドリンであることを確認した。

（Ｉ）元素分析値： ＣＨＮ 言１算値（％）　　６９．４−２　６．８０　１３．４
９分析値（％）　６９．３７　６．９２　１３．５２（
２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ／ｉ’ｉ）を第３２図に示
す。

合成例１９ 〔ジクロロシリコン−テトラ（シクロへキシルチオ）ナ
フタロシアニン（一般式（■）：ただしＭはＳｉ、Ｘは
塩素原子であり、ｋ、Ｑ。

ｍ及びｎはｊである）の合成〕 窒素雰囲気下、６−シクロへキシルチオ−１゜３−ジイ
ミノベンゾ（ｆ〕イソインドリン２７ｇ（８７，３ｍ　
ｍｏＱ）の無水キノリン（３００ｍＲ）ｌ＠濁液に四塩
化ケイ素３０ｍＱ　　（０，２６２ｍｏＱ）を加え、２
２０℃まで徐々に加熱し、約２２０°Ｃで２時間反応さ
せた。冷却後、反応生成液をメタノール（Ｉ，５Ｑ）に
注ぎ込み、析出した結晶をろ過した。得られた結晶をメ
タノール、エタノールで洗浄後、減圧乾燥して暗緑色結
晶２８ｇ（Ｉ，００％）を得た。この結果は、下記分析
結果からジクロロシリコン−テトラ（シクロへキシルチ
オ）ナフタロシアニンであると判断した。この生成物は
これ以」１精製せずに次の反応に用いた。

（Ｉ）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
３３図に示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３４図に示す。

合成例２０ 〔ジヒドロキシシリコンーテ１〜う（シフしペンチルチ
オ）ナフタロシアニン（一般式（■）：ただしＭはＳｌ
、に、Ｑ２ｍ及びｎは１である）の合成〕 窒素雰囲気下、６−シクロペンチルチオ−１゜−］］、
５− ３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリン１７ｇ（５８
ｍｍｏＱ）の無水キノリン（２００ｍＱ）ｌｔｌ！１濁
液に四塩化ケイ素２０ｒｒｌＱ（０，１，７４ｍ　ｍｏ
Ｑ）を加え２２０℃で２時間加熱した。冷却後、エタノ
ール（４，ＯＯｍｕ）と濃アンモニア水（２００ｍＱ）
の混合溶媒中に注ぎ込み、６時間還流した。

冷却後、結晶をろ過し、メタノール、次にエタノールで
洗浄後、減圧乾燥して暗緑色結晶２５．１ｇを得た。こ
の結晶は、下記分析結果からジヒドロキシシリコンーテ
ｉ−ラ（シクロペンチルチオ）ナフタロシアニンである
と判断した。この生成物は、これ以上精製せずに次の反
応に用いた。

（Ｉ）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
３５図に示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３６図に示す。

合成例２１ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラ（シクロへキシルチオ
）ナフタロシアニン（一般式（■）：ただしＭは８ｊ、
に、ｌ、、ｍ及びｎは１である）の合成〕 ジグロロシリコンーテトラ（シクロへキシルチオ）ナフ
タロシアニンの粗結晶２５ｇ（Ｉ，９，７ｍｍｏＲ）を
エタノール（３００ｍＱ）と濃アンモニア水（２００ｍ
ｌ、）の混合溶媒中、約３時間加熱還流した。放冷後、
メタノール（ＩＱ）中に注ぎ込み析出した結晶をろ過し
た。得られた結晶をエタノールで洗浄後、減圧乾燥し暗
緑色結晶２２．５　ｇ（９２，７％）を得た。この結晶
は、下記分析結果からジヒドロキシシリコン−テトラ（
シクロへキシルチオ）ナフタロシアニンであると判断し
た。

この生成物は、これ以上精製せずに次の反応に用いた。

（］）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
３７図に示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第３８図に示す。

合成例２２ 〔ジヒドロキシシリコン−テトラ（４−メチルシクロへ
キシルチオ）ナフタロシアニン（一般式（■）：ただし
ＭはＳｉ、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは１である）の合成〕 無水メタノール（３０ｍｆｆ）に、窒素雰囲気下で金属
ナトリウム０．３　ｇ　（Ｉ３，８ｍ　＋ＩＩｏＱ）を
加えて調製したナトリウムメトキシドのメタノール溶液
に、６−（４−メチルシクロへキシルチオ）−２，３−
ジシアノナフタレン４．ｇ（Ｉ３，１ｍｍｏ（Ｉ）を加
えた後、無水アンモニアガスを吹き込みながら約２時間
還流した。反応生成液中のメタノールを減圧留去後、得
られた黄色油状物を水洗いして減圧乾燥した。黄色油状
物をキノリン（５０ｍＱ）に溶解し、四塩化ケイ素（５
ｍＱ）を加え２２０℃で３時間加熱した。冷却後、反応
生成液をエタノール（２００ｍＲ）と濃アンモニア水（
Ｉ００ｍＱ）の混合溶媒中に注ぎ込み、６時間還流した
。放冷後、結晶を吸引ろ過し、メタノール、次にエタノ
ール洗浄後、減圧乾燥して暗緑色結晶３．４　ｇ　（８
０，７％）を得た。この結晶は下記分析結果よりジヒド
ロキシシリコン−テトラ（４−メチルシクロへキシルチ
オ）ナフタロシアニンであると判断した。この化合物は
これ以上精製せずに次の反応に用いた。

（Ｉ）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
３９図に示す。

（２）ＩＲスペクトル（ＫＢｒｍ）を第４０図に示す。

実施例１ 〔ビス（トリブチルシロキシ）シリコンーテトう（シク
ロペンチルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ，
２））の合成〕 ジヒドロキシシリコンーテＩ・う（シクロペンチルチオ
）ナフタロシアニン５　ｇ（４，，２６ｍ　ｍｏＱ）を
キノリン（Ｉ５０ｍΩ）に溶解し、トリブチルシラノー
ル８ｍＱ　（３２ｍ　ｍｏｎ）を加え、約２００℃で２
時間加熱した。放冷後、反応生成液をメタノール／水（
Ｉ／１）混合溶媒（５００ｍＲ）に注ぎ、析出した結晶
をろ過した。得られた結晶をメタノール、次にエタノー
ル洗浄後、減圧乾燥して得られた結晶中の副生成物をシ
リカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー（トルエ
ン／シクロヘキサン溶出）を用いて取り除き、緑色結晶
を得た。トルエン／メタノール混合溶媒から再結晶を行
い、緑色結晶２−４　ｇ　（４７，７％）を得た。この
結晶は下記分析結果から、ビス（トリブチルシロキシ）
シリコンーテトう（シクロペンチルチオ）ナフタロシア
ニン〔例示化合物（Ｉ２）］であることを確認した。

（Ｉ）融点　２６８〜２７０℃ （２）元素分析値： ＨＮＳ 計算値（％）　　７０．２７　７．０５　７．１６　８
．１６分析値（％）　　７０．７Ｂ　　７．０９　７．
０７　８．０１（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペ
クトルを図４１に示す）：ＣＤＣ１３ １０，００（４Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ９．９６（４Ｉ−１，ｂ　ｒ　ｓ） ８．５２（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）８．５０（４
Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ７．８２（４，Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜１．８３Ｈｚ
） −１，２０− ４、，０５（４Ｈ，ｍ） ２．３５（８Ｈ，ｍ） １．９９−１．７９（２４，Ｈ，ｍ） ０．００（３０Ｈ，ｍ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，ｍ） −２，０２（Ｉ２Ｈ，ｍ） ・　（４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）
を第４２図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４３図に示す。

実施例２ ［ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ
（シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物
（Ｉ１））の合成〕友抜へ ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラブ
ロモナフタロシアニン５００■（３，５ｍｍｏｆｆ）の
キノリン５５ｍＱ及びピリジン１５ｍＱの混合溶液に、
オーガニック・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ　５ｙｎｔ
ｈｅｓｅｓ）、第４２巻第２２頁記載の方法を参考にし
て合成したシクロへキシルチオ化第−銅］、、５０ｇ　
（Ｉ，０、２ｍ　ｍｏＱ）を加え、１６０〜１７０　’
Ｃで２０時間還流した。放冷後、メタノール３００ｍｆ
ｉ中に注ぎ、次いで水１００ｍＱ及びトルエン１５０ｍ
Ωを加えよくかくはんした。

１−ルエン溶液のみを分離・濃縮後アルミナ力ラムグロ
マトグラフイー法による分離を行い、１〜ルエン／メタ
ノールから再結晶することにより、黄緑色結晶が２８５
■（５０％）得られた。この黄緑色結晶は下記の分析結
果より、ビス（トリ＝ｎ　−ブチルシロキシ）シリコン
−テトラ（シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例
示化合物（Ｉ１））であることを確認した。

Ｉ迭且 ジヒドロキシシリコン−テトラ（シクロへキシルチオ）
ナフタロシアニン５ｇ（４，０６ｍ　ｍｏＱ）をキノリ
ン（２００ｍｆｉ）に溶解し、トリブチルシラノール’
７ｍＱ　　（２８，０ｍ　ｍｏＱ）を加え約２００℃で
２時間加熱した。放冷後、反応生成液をメタノール／水
（Ｉ／１）混合溶媒５００ｍＱに注ぎ、析出した結晶を
ろ過した。得られた結晶をメタノール、エタノール洗浄
後、減圧乾燥し、副生成物をシリカゲルフラッシュカラ
ムクロマ１〜グラフイー（Ｉ〜ルエン／シクロヘキサン
溶出）を用いて取り除き、緑色結晶を得た。トルエン／
メタノール混合溶媒から再結晶を行い緑色結晶３．５ｇ
（５３，７％）を得た。この結晶は下記分析結果から、
ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テトラ（
シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物（
Ｉ１））であることを確認した。

（Ｉ）融点　２６３．５〜２６５℃ （２）元素分析値： ＣＩ−Ｉ　　　　　　　　　　　Ｎ 計算値（％）　　７０．８０　７．３０　６．８８分析
値（％）　　７０．５１　７．４９　６．６２（３）Ｎ
ＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペク１〜ルを第４４図に示
す）：ＣＤＣＱ３ δ値　１０．０３（４Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ）９．９９（４，
Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） 一］２３− ８．５９（４−Ｈ，ｂ　ｒ−ｓ） ８．５５（４−Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）７．８７（
４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝１．２２゜８．８５Ｈｚ） ３．６０（４Ｈ，ｍ） ２．２７（８Ｈ，ｍ） １．９５（８Ｈ，ｍ） １．８９−１．３８（２４Ｈ，ｍ） ０．００（３０Ｈ，ｍ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，５ｅｘｔｅｔ−１ｊｋｅ　　ｍ）
−２，０６（Ｉ２Ｈ，ｔ　−１ｉｋｅ　　ｍ）（４）電
子スペクトル（塩化メチレン溶液）を第４５図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４６図に示す。

実施例３ 〔ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テトラ（シク
ロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物（７）
〕の合成〕 ジヒドロキシシリコンーテ１−ラ（シクロヘキシルチオ
）ナフタロシアニン５　ｇ（４，，０６ｍ　ｍｏＱ）を
キノリン（２００ｍＱ）に溶解し、１〜リ工チルシラノ
ール７ｍＱ　　（４５，９ｍ　ｍｏｎ）を加え２時間加
熱した。放冷後、反応生成液をメタノール／水（Ｉ／１
）混合溶媒５００　ｍ　ｌ、に注ぎ、析出した結晶をろ
過した。得られた結晶をメタノール。

エタノール洗浄後、減圧乾燥し、副生成物をシリカゲル
フラッシュカラムクロマトグラフィー（Ｉ−ルエン／シ
クロヘキサン溶出）を用いて取り除き、緑色結晶を得た
。トルエン／メタノール混合溶媒から再結晶を行い緑色
結晶１．．７２ｇ（２９，」。％）を得た。この結晶は
下記分析結果からビス（トリエチルシロキシ）シリコン
−テトラ（シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例
示化合物（７）〕であることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３００℃ （２）元素分析値： ＨＮＳ 計算値（％）　　６９．１０　６．４９　７．７１　８
．７８分析値（％）　６９．０７　６．５８　７．７９
　８．８３（３）ＮＭＲスペク１〜ル値（ＮＭＲスペク
トルを第４７図に示す）：ＣＤＣＱ３ １−０．０４（４−Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） １０．００（４−Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ８．５８（４１−Ｔ、　ｂ　ｒ　ｓ） ８．５４−（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）７．８７（
４，Ｈ，ｄ、Ｊ：＝８．８５Ｈｚ）３．５７（４，Ｈ，
ｍ） ２．３５−２．２４．（８Ｈ，ｍ） １．９８−１．９０（８Ｈ，ｍ） １．８０−１．．４１（２４Ｈ，ｍ） −１，０２（Ｉ８Ｈ，ｔ、Ｊ＝８．２４．Ｈｚ）＝２．
０７（Ｉ，２Ｈ，ｑ、Ｊ＝８．２４．Ｈｚ）（４）電子
スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第４８図に示
す。

（５）ＴＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第４９図に示す。

実施例４ 〔ビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テトラ（４−
メチルシクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化
合物（Ｉ，９））の合成〕ジヒドロキシシリコンーテト
ラ（４−メチルシクロヘキシルチオ）ナフタロシアニン
１．７ｇ（Ｉ，３２ｍ　ｍｏＱ）　をキノリン（７０ｍ
Ｑ）に７容解し、トリブチルシラノール２．５ｍｆｆ　
　（ｉｏｍｍｏＱ）を加え、２００℃で２時間加熱した
。冷却後、反応生成液をメタノール／水（Ｉ／　１　）
混合溶媒３００ｍＱに注ぎ、析出した結晶をろ過した。

得られた結晶をメタノール、エタノール洗浄後、減圧乾
燥し、副生成物をシリカゲルフラッシュカラムクロマト
グラフィー（トルエン／シクロヘキサン溶出）を用いて
取り除き、緑色結晶を得た。

トルエン／メタノール混合溶媒から再結晶を行い緑色結
晶７６０ｍｇ（３４，２％）を得た。この結晶は下記分
析結果からビス（＋−リブチルシロキシ）シリコンーテ
１〜う（４−メチルシクロへキシルチオ）ナフタロシア
ニン〔例示化合物（］、、９））であることを確認した
。

（Ｉ）融点　２６０〜２６３℃ （２）元素分析値： ＨＮＳ 泪算値（％）　　７１．３０　７．５４．　６．６８　
７．６１分析値（％）　　７１．６４．　７．６５　　
’６．６３　７．３２（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭ
Ｒスペクトルを第５０図に示す）：ＣＤＣＱ３ １．０．０１（４Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ９．９７（４Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ８．５６（４，Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ８　、５４−　（４，Ｈ、ｄ　、　、Ｊ　＝　８　、５
５　Ｈｚ　）７．８６（４Ｈ，ｄ、、Ｊ＝８．５５Ｈｚ
）４、．１１．−３．９９（４Ｈ，ｍ） ２．１６−０．９９（４８Ｈ，ｍ） ０．００（３０Ｈ，ｍ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，ｍ） −２，０２（Ｉ２Ｈ，ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
５１図に示す。

（５）ＴＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５２図に示す。

−１２８　一 実施例５ 〔ビス（ｉ〜リプロピルシロキシ）シリコンーテｊ−ラ
（シクロヘキシルエチルチオ）ナフタロシアニン〔例示
化合物（４，２））の合成〕ビス（Ｉ〜リプロピルシロ
キシ）シリコンーテ１〜ラブロモナフタロシアニン３．
０ｇ　（２，１，４，ｍｍｏｎ）のキノリン（３８０ｍ
Ｑ）溶液に、オーカニツク・シンセシス（Ｏｒｇａｎｉ
ｃ　５ｙｎｔｈｅｓｅｓ）、第４２巻２２頁記載の方法
を参考にして合成したシクロヘキシルエチルチオ化第−
銅Ｌｏｇ（４−８，４ｍｍｏＤ、）を加え、１６０〜１
７０℃で１０時間加熱した。冷却後、反応生成液を水／
メタノール（Ｉ／１．）混合溶液ＩＱ中に注ぎ込み、析
出した結晶をろ過した。得られた結晶をメタノール、エ
タノール洗浄後、減圧乾燥し、副生成物をシリカゲルフ
ラッシュカラムクロマ１〜クラフイー（Ｉ−ルエン／シ
クロヘキサン溶出）を用いて取り除き、緑色結晶を得た
。トルエン／メタノール混合溶媒から再結晶を行い緑色
結晶２゜Ｏｇ　（５６，５％）を得た。この化合物は、
下記分析結果からビス（トリプロピルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（シクロヘキシルエチルチオ）ナフタロシア
ニン〔例示化合物（４２））であることを確認した。

（Ｉ）融点　〉３ｏＯ℃ （２）元素分析値： ＨＮＳ 計算値（％）　　７１．０５　７．４２　６．７９　７
．７４分析値（％）　　　７０．８１　７．５３　６，
９２　７．５２（３）電子スペクトル（テトラヒドロフ
ラン溶液）を第５３図に示す。

（４）ＩＲスペクトル（ＫＢｒｌ）を第５４図に示す。

実施例６ 〔ビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テトラ（シク
ロヘキシルエチルチオ）ナフタロシアニン［例示化合物
（４１）］の合成〕ビス（トリブチルシロキシ）シリコ
ン−テトラブロモナフタロシアニン３．０ｇ（２，０２
ｍ　ｍｏＱ）のキノリン溶液（３８０ｍＱ）に、シクロ
ヘキシルエチルチオ化第−銅１０　ｇ（７８，４ｍ　ｍ
ｏＱ）を加え、１６０〜１７０°Ｃで１０時間加熱した
。冷却後、反応生成液を水／メタノール（Ｉ／１）混合
溶媒ＩＱ中に注ぎ込み、析出した結晶をろ過した。得ら
れた結晶をメタノール、エタノール洗浄後、減圧乾燥し
、副生成物をシリカゲルフラッシュカラムクロマトグラ
フィー（Ｉ〜ルエン／シクロヘキサン溶出）を用いて取
り除き、緑色結晶を得た。トルエン／メタノール混合溶
媒から再結晶を行い緑色結晶１．９ｇ　（５４，０％）
を得た。この化合物は、下記分析結果からビス（トリブ
チルシロキシシリコン−テトラ（シクロヘキシルエチル
チオ）ナフタロシアニン〔例示化合物（４，１））であ
ることを確認した。

（Ｉ）融点　２５６〜２５８℃ （２）元素分析値： ＨＮＳ 計算値（％）　　７１．７５　７．７６　６．４６　７
．３７分析値（％）　　７１，５０　７゜９０　６．５
０　６．９２（３）ＮＭＲスペクトル値（ＮＭＲスペク
トルを第５５図に示す）二〇ＤｃＱ３ １０．００（４Ｈ，ｂｒｓ） ９，９５（４Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ８．５２（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝８．８５Ｈｚ）８．４４（４
Ｈ，ｂ　ｒ　ｓ） ７．７９（４−Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜１　、８３　
Ｈｚ　） ３．３３（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝４．５８Ｈｚ）１．９５−１
．０５（５２Ｈ，ｍ） ０．００（３０Ｈ，ｍ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，ｍ） −２，０３（Ｉ２Ｈ，ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
５６図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）を第５７図に示す。

実施例７ 〔ビス（トリーシクロへキシルシロキシ）シリコン−テ
トラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニン：例示化合物
（６１）の合成〕 ジヒドロキシシリコンーテトラ（ｎ−ブチルチオ）ナフ
タロシアニン６００ｍｇ　（０，５ｍ　ｍｏＱ）の無水
キノリン溶液に窒素雰囲気下、トリシクロへキシルシラ
ノール１．５８ｇ　（５，３ｍ　ｍｏｆｆ）を加え、約
３時間還流した。冷却後、キノリン溶媒を減圧上留去し
メタノール’１０ｍＱを加え結晶を析出させ、次いで濾
過することにより暗緑色粗結晶を得た。得られた粗結晶
をカラムクロマトグラフィーを用いて精製し、１３５■
の濃緑色結晶を得た。

この濃緑色結晶は、下記の分析結果よりビス（トリーシ
クロへキシルシロキシ）シリコン−テトラ（ｎ−ブチル
チオ）ナフタロシアニン〔例示化合物（６１））である
ことを確認した。

（Ｉ）融点　２８０〜２８３℃ （２）元素分析値： ＣＨＮ 計算値（％）　　７１．４７　７．３２　６．６７分析
値（％）　　　７１．３０　７．６２　６．６３（３）
ＮＭＲスペク１〜ル値（ＮＭＲスペクトルを第５８図に
示す）＝ＣＤＣＤ、３ δ値　１０．００（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ９．９５（４Ｈ，ｂｒ−ｓ） ８　、５２　（４，、Ｈ、（Ｉｌ、　、　、Ｊ　＝　８
゜ｓ　５　ＨＺ　）８．４６（４Ｈ，ｄ、Ｊ＝０．６２
Ｈｚ）７．７９（４Ｈ，ｄｄ、Ｊ＝８．８５゜Ｌ、８３
Ｈｚ） ３．３２（８Ｈ，ｔ、Ｊ＝７．３２■Ｔｚ）］　、　９
４　（８Ｈ、ｑｕｌｎｔｅｔ−１ｉｋｅＪ　＝　７　、
３２　Ｈｚ　） ］　、　７０　（８Ｔ（、５ｅｘｔｃｔ−１ｊｋｅＪ＝
７．３２Ｉ（ｚ） ］−，２３（６１（、ｍ） ］、、、０９（Ｉ２Ｆ（、ｔ、Ｊ＝７．３２Ｈｚ）０．
９７（６Ｈ，ｍ） ０．６０（Ｉ２Ｈ，ｍ） ０．０４７（Ｉ２１（、ｍ） −０，６３（Ｉ２Ｈ，ｍ） −０，９６（Ｉ２Ｈ，ｎｎ） −０，８９（６Ｈ，ｍ） （４）電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）を第
５９図に示す。

（５）ＩＲスペクトル（ＫＩＢｒ法）を第６０図に示す
。

実施例８ ガラス板上にビス（Ｉ〜リーシクロへキシルシロキシ）
シリコンーテ１−ラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニ
ン〔例示化合物（６］））１重量部と四塩化炭素９９重
量部からなる液髪スビンコ＝１〜法で塗布し、約８０℃
で１５分間乾燥し、約６００人の有機膜を形成した。こ
の化合物の有機膜の吸収スペクトルを第６１−図に、透
過スペクＩ〜ルを第６２図に、５°正反射スペクトルを
第６３図に示した。半導体レーザー領域（７８０〜８３
０　ｎ　ｍ）で高い光の吸収能力及び高い反射率（約５
０％）を示すことがわかった。

実施例９ ポリメチルメタクリレ−１〜板上にビス（トリーシクロ
へキシルシロキシ）シリコンーテ１ヘラ（ｎ−ブチルチ
オ）ナフタロシアニン［例示化合物（６１）］１．５　
重量部と四塩化炭素９８．５重量部からなる液をスピン
コード法で塗布し、約８０℃で１５分間乾燥し、９００
人の有機膜を形成した。この化合物のポリメチルメタク
リレート基板上の有機膜の吸収スペクトルを第６４図に
透過スペク１ヘルを第６５図に、５°正反射スペクトル
を第６６図に示した。ガラス板上と同様に、ポリメチル
メタクリレート基板上においても、半導体レーザ領域（
７８０〜８３０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び高い反射
率（約５０％）を示す有機膜を形成できることがわかっ
た。

実施例１０ ガラス板ににビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコ
ン−テトラ（シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔
例示化合物（Ｉ１））１重量部とシクロヘキサン９９重
量部からなる液をスピンコード法で塗布し、約８０°Ｃ
で１５分間乾燥し、約７００人の有機膜を形成した。こ
の化合物の有機膜の吸収スベクｊ・ル髪第６７図に、透
過スペクトルを第６８図に、５°正反射スペク１〜ルを
第６９図に示した。半導体１ノーザー領域（７８０〜８
３０ｎ　ｒｎ　）で高い光の吸収能力及び高い反射率（
約６０％）を示すことがわかった。また、約９００人の
有機膜においても第７０図に示すように同様に高い反射
率（約５５％）を示した。

実施例１］ ポリカーボネート板上にビス（Ｉ〜リ−ｎ−ブチルシロ
キシ）シリコン−テトラ（シクロへキシルチオ）ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（Ｉ１））１．５重量部とシク
ロヘキサン９８．５重量部からなる液をスピンコード法
で塗布し、約８０℃で１５分間乾燥し、約ｔ　ＯＯ０人
の有機膜を形成した。この化合物のポリカーボネート板
上の４１機膜を吸収スペクトルを第７１図に、透過スペ
クトルを第７２図に、正反射スペクトルを第７３図に示
した。ガラス板上と同様に、ポリカーボネート板上にお
いても、半導体レーザ領域（７８０〜８３０ｎｍ）で高
い光の吸収能力及び高い反射率（約５０％）を示す有機
膜を形成できることがわかった。

実施例１２ ポリカーボネート板−１ユにビス（Ｉヘリブチルシロキ
シ）シリコンーテ１−ラ（シクロペンチルチオ）ナフタ
ロシアニン〔例示化合物（Ｉ２））］−重量部とシクロ
ヘキサン９９重量部からなる液をスピンコード法で塗布
し、約８０℃で１５分間乾燥し、約７００人の有機膜を
形成した。この化合物のポリカーボネート板上の有機膜
の吸収スペクトルを第７４図に、透過スペクトルを第７
５図に、５°正反射スペクトルを第７６図に示した。ポ
リカーボネ−１・板上においても半導体レーザー領域（
７８０〜８３０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び高い反射
率（第５５％）を示す有機膜を形成できることがわかっ
た。

実施例１３ ポリカーボネ−１・板上にビス（トリブチルシロキシ）
シリコン−テトラ（４−メチルシクロへキシルチオ）ナ
フタロシアニン〔例示化合物（Ｉ９））１重量部とシク
ロヘキサン９９重量部からなる液をスピンニー１−法で
塗布し、約８０℃で１５分間乾燥し、約７２０人の有機
膜を形成した。この化合物のポリカーボネ−１・板」二
の有機膜の吸収スペクトルを第７７図に、透過スベク１
−ルを第７８図に、５°正反射スペクトルを第７９図に
示した。

ポリカーボネート板−Ｊ二においても半導体レーザー領
域（７８０〜８３０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び高い
反射率（約６２％）を示す有機膜を形成できることがわ
かった。

実施例１４ ポリカーボネート板上にビス（トリブチルシロキシ）シ
リコン−テトラ（シクロへキシルエチルチオ）ナフタロ
シアニン〔例示化合物（４１））１重量部とシクロヘキ
サン９９重量部からなる液をスピンコード法で塗布し、
約８０℃で１５分間乾燥し、約６８０人の有機膜を形成
した。この化合物のポリカーボネート板上の有機膜の吸
収スペクトルを第８０図に、透過スペクトルを第８１図
に、５°正反射スペクｌ−ルを第８２図に示した。

ポリカーボネート板上において半導体レーザー領域（７
８０〜８３０ｎｍ）で高い光の吸収能力及び高い反射率
（約５０％）を示す有機膜を形成できることがわかった
。

比較例１ 文献〔ラニーナル・オブシェ・キミ（ＺｈｕｒｎａＪＯ
ｂｓｈｃｈｅｉ　Ｋｈｉｍｉｉ）、第４２巻６９Ｇ頁、
１９７２年〕記載の方法により合成したバナジル−テト
ラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンをクロロホルム溶液
中で電子スペクＩ・ルを測定した図を第８３図に、ベン
ゼン溶液中で測定したものを第８４図に示したようにこ
の化合物では、溶媒の種類及び濃度が変化すると吸収波
形が変化し、高濃度になるほど８００ｎｍ付近の吸収が
低下し７２０〜７３０ｎｍの吸収が大きくなることが観
測された。

バナジルーテトう（ｔ−ブチル）ナフタロシアニン。

比較例２ ガラス板上に、比較例１で用いたバナジル−テトラ（ｔ
−ブチル）ナフタロシアニンの１＋　１゜２−トリクロ
ロエタン溶液を実施例８と同様にして有機膜を形成し、
この透過スペク１−ル（第８５図）及び５°正反射スペ
クトル（第８６図）を測定した。半導体レーザー領域（
７８０〜８Ｈ３０ｎｍ）であまり高い光の吸収能力及び
反射率（２０％以下）を示さなかった。

実施例］５ 厚さ１．２画、直径１３０　Ｒ１＋の基板（ポリメチル
メタクリレート、ポリメチルメタクリレ−１・２Ｐ又は
ポリカーボネ−１・）」二に、所定の濃度に調製した例
示ナフタロシアニンの溶液をスピンコード法で塗布し、
約８０’Ｃで約１５分間乾燥し、記録層を形成した。こ
の記録層の厚さはＤｅｋｔａｋ３０３０　（ｓｌ、ｏａ
ｎ社製）によりＨ１！Ｉ定した。このようにして作った
光学記録媒体を記録層を」二にしたターンテーブルに乗
せ、９００ｒｐｎ＋の速度で回転させなから８３０ｎｍ
の発振波長と基板面での出力か（ｉ　ｔｎ　Ｗを有する
半導体１ノーザーを装備した光−゛ｌヘツｌ’に用い−
Ｃ光学記録媒体の下側つまり基板側からし　ザービーｌ
１．が記録層に集光するように制御しながＩ”ｌ、中心
から半径４０・〜６０ｎｍの間て２ＭＩ＋ｚのパルス信
−じの記録を金−ｊつだ。次に同し装置を用いて半導体
１ノーザーの基板面での出力を１．０ｍＷにして同じよ
うにしながら、記録した信壮の再生を行い、にＮ比を評
価１７た。評価結果を次表に示す１、本願例示化合物は
優れた記録再生特性を示した。ｐ　ｃはポリカーボネー
１−１Ｐ　Ｍ　Ｍ　Ａはポリメブ・ルメチクリレート、
ＰＭ門八へＩ〕（まポリメヂ−＋ＡＡ　　− −１，１１３− 比較例３ 厚さ１−　、２　ｎｕｎ　、直径１−３　Ｏｎ＋ｎ＋　
のポリメチルメタクリレ−１−２Ｐ基板上に、０ＶＮｃ
（ｔ、−Ｃ４１■、）Ｉをクロロボルム溶液として実施
例１５と同様にスピンロー１〜法で塗布し、記録層を形
成した。この記録層の厚さは約１０００人であった。こ
の記録材を実施例］５と同様にして、記録・再生を行っ
たところ、ＣＮ比は３９ｄＢであまり良好な信号の書き
込みと読み出しが行えなかった。

実施例１−６ 先に例示したナフタロシアニン誘１体（Ｉ１）をシクロ
ヘキサンに溶解し、１％の溶液を調製し、回転塗布法に
て厚さ１．２ｍｍのポリカーボネート基板上に７００人
の記録膜層を形成した。このようにして形成された記録
媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを基板側から照
射し、記録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ
、線速６，５ｍ／秒、６．４ｍＷで記録が可能であった
。一方、再生劣化に対する安定性を以下のような方法で
評価した。先ず、書き込みは周波数３　、７　Ｍ　Ｈｚ
　　で断続する点灯時出力１０ｍＷの半導体レーザー光
（波長８３０　ｎ　ｍ）を照射することによって行い、
再生は半導体レーザー光（波長８３０ｎｍ）を連続的に
繰り返し照射することで行った。１．０ｍＷの再生光を
繰り返し照射しても、第８７図に示すように１０６回く
り返してもＣＮ比は５２ｄＢのままで変化が生じなかっ
た。また、１　、　］、　ｍ　Ｗの再生光に対しても同
様にＣＮ比変化は生じなかった。しかし、１．２ｍＷの
再生光に対しては、ＣＮ比が若干低下する傾向がみられ
た。

比較例４ シアニン系色素ＮＫ−２９０５（日本感光色素研究新製
）をジクロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラ
ス基板」−１厚さ５００人の記録膜層を得た。この記録
媒体に実施例１６と同様にしてレーザー光を照射したと
ころ、４．　、８　ｍ　Ｗで記録が可能であった。しか
し、０．５ｍＷの再生光を用いて再生劣化に対する安定
性を評価したところ、くり返し照射回数４Ｘ１０’回付
近から、反射率が低下しはじめ、１０′回照射後では、
初期ＣＮ比の７０％まで低下した。

実施例１７ 例示したナフタロシアニン誘導体（９）をシクロヘキサ
ンに溶解し、回転塗布法により、ポリカーボネート基板
上、厚さ７００人の記録膜層を得た。この記録媒体に波
長８３０ｎｍの半導体レーザーをポリカーボネート基板
側から照射し、記録特性を評価したところ、ビーム径１
．６μｍ、線速度６．５ｍ／秒、６．９ｍＷで記録が可
能であった。一方、再生劣化に対する安定性を評価する
べく、１．０ｍＷの読み出し光をくり返し照射したが、
１０６回くり返してもＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例１８ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ３）をシクロヘキ
サンに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ
７２０人の記録膜層詮得た。この記録媒体しこ実施例１
７と同様にしてレーザー光を照射したところ、６．６ｍ
Ｗで記録が可能であった。また、再生劣化に対する安定
性を同様に評価したところ、１０６回くり返し照射して
もＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例１９ ガラス基板に、例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ２
）及びポリスチレンを１：１の割合でトルエンに溶解し
、回転塗布法により厚さ１５００人の記録膜層を得た。

この記録媒体に実施例１７と同様にしてレーザー光を照
射したところ、９．６ｍＷで記録が可能であった。また
、再生劣化に対する安定性も同様に評価したところ、〕
ＯＧ回く−１４８−・ り返し照射してもＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例２０ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ０）をシクロヘキ
サンに溶解し、回転塗布法にて、厚さ１．２叫のポリカ
ーボネート基板」二に７００人の記録膜層を形成した。

この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーをガラ
ス基板側から照射し。

記録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ、線速
度７．５ｍ／秒、４．６ｍＷで記録が可能であった。一
方、再生劣化に対する安定性を評価するべく、０．９ｍ
Ｗの読み出し光をくり返し照射したが、１０６回くり返
してもＣＮ比の変化が生じなかった。

比較例５ シアニン色素ＮＫ−２８７３（日本感光色素研究新製）
をジクロロエタンに溶解し、回転塗布法により、ガラス
基板上、厚さ５００人の記録膜層を得た。この記録媒体
に実施例１７と同様にしてレーザー光を照射したところ
、５．２ｍＷで記録が可能であった。しかし、再生劣化
に対する安定性を評価したところ、くり返し照射回数が
５×１０４回付近から、ＣＮ比が低下しはじめ、１０’
回照射後では、初期ＣＮ比の７０％まで低下した。

実施例２１ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉｏ）をシクロヘキ
サンに溶解し、回転塗布法により、ポリメチルメタクリ
レ−１・基板上６００人の記録膜層を得た。この記録媒
体に実施例１７と同様にしてレーザー光を照射したとこ
ろ、４　、４．　ｍ、　Ｗで記録が可能であった。また
、再生劣化に刻する安定性を評価したところ、１０″　
回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例２２ 例示したナフタロシアニン誘導体（２）をシクロヘキサ
ンに溶解し、回転塗布法により、ポリメチルメタクリレ
−１一基板」−５厚さ５００Ａの記録膜層を得た。この
記録媒体に実施例１−７と同様にしてレーザー光を照射
したところ、４．　、９　ｍ　Ｗで記録がｉ１Ｊ能であ
った。また、再生劣化に対する安定性を評価したところ
、１０′′　回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生し
なかった。

実施例２；３ 例示したナフタロシアニン誘導体（８）　ヲｌ−ルエン
に溶解し、回転塗布法により、ガラス基板１−１厚さ８
００人の記録膜層を得た。この記録媒体（Ｊ実施例１−
７と同様にしてレーザー光を照射したところ、４　、２
　ｍ　Ｗで記録が可能であった。また、再生劣化に対す
る安定性を評価したどころ、ｌＯ″回くり返し照射して
もＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例２４ ］−１２１ＩＷＩＩ　のポリカーボネー１〜基板に２例
示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ４）のシクロヘキサ
ン溶液をスピンナー塗布し、１ｑさ６００人の記録膜層
を得た。実施例１−７と同様にして、線速度５ｍ／秒で
評価したところ、７　、４　ｍ　Ｗで記録が１粁能であ
った。また、再生劣化に対する安定性を同時に評価した
ところ、１０″　回くり返し照射してもＣＮ比の変化が
生しなかった。

実施例２５ −１５１．− 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ−１−）とポリス
チレンの２：］−混合物をメチルエチルケＩ・ンに溶解
し、ガラス基板上、厚さ６００Ａの記録膜層を得た。実
施例１７と同様にして評価したところ、記録感度４．８
ｍＷ、再生劣化］−〇″′回以−にという結果を得た。

実施例２６ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ８）をブタノール
に溶解し、０．８　重量％の溶液を調製した。次いで回
転塗布法にて、厚さ１．２ｍのガラス基板」二に４．　
Ｏ０人の記録層を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍ
の半導体レーザーをガラス基板側から照射し、記録特性
を評価したところ、］−／ｅ２　ビーム径１．６μｍ、
線速度７．６ｍ／ｓ、７．８ｍＷで記録が可能であった
。一方、再生劣化に対する安定性を評価するべく、】５
．ＯｍＷの読み出し光をくり返し照射したが、１０６回
くり返してもＣＮ比の変化が生しなかった。

実施例２７ 例示したナフタロシアニン誘導体（２５）をブー　１．
５２− タノールに溶解し、１．０重量％の溶液を調製し、回転
塗布法にて厚さ１゜２ｎｎ　のガラス基板−１−に６０
０人の記録層を得た。この記録媒体に波長８３０ｎｍの
半導体レーザー光を基板側から照射し、記録特性を評価
したところ、１／ｅ２　ビーム径１．６μｍ、線速度７
　、６　ｍ　／　ｓ、１３　、６　ｍ　Ｗで記録が可能
であった。一方、再生劣化に対する安定性を評価するべ
く、１．　、　Ｏｍ　Ｗの読み出し光をくり返し照射し
たが、１０１″回くり返してもＣＮ比の変化が生しなか
った。

実施例２８ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ０）、！＝ポリス
チレン２：１混合物を１．、ｉ、２−トリクロロエタン
に溶解し、厚さ１．　、２　ｎｏのガラス基板」１に、
回転塗布法にて厚さ８００人の記録層を得た。

この記録媒体に波長８３０ｎｍの半へ体レーザー光を基
板側から照射し、記録特性を評価したとごろ、線速度８
　ｍ　／　ｓ、６ｍＷで記録が目■能であ−）だ。また
、０．９ｍＷの読み出し光をくり返し照射したが、１０
６回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例２９ 例示したナフタロシアニン誘導体（６１）を四塩化炭素
に溶解し、回転塗布法によりポリメチルメタクリレ−１
〜基板」二に７００人の記録層を形成した。この記録媒
体に実施例１７と同様にしてレーザー光を照射したとこ
ろ、７．３ｍＷで記録が可能であった。また再生劣化に
対する安定性を同様に評価したところ、１．０ｍＷの再
生光を繰り返し照射しても、第８８図に示すように１０
６回くり返してもＣＮ比は５３ｄＢのままで変化が生じ
なかった。また、］、、１１ｍの再生光に対しても同様
にＣＮ比変化は生じなかった。しかし、１．２ｍＷの再
生光に対しては、ＣＮ比が若干低下する傾向がみられた
。

実施例３０ 例示したナフタロシアニン誘導体（６２）を四塩化炭素
に溶解し、回転塗布法により、ポリメチルメタクリレー
ト基板」二、厚さ７４０人の記録膜層を得た。この記録
媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを基板側から照
射し、記録特性を評価したところ、ビーム径１．６μｍ
、線速度６．５ｍ／秒、６．５ｍＷで記録か可能であっ
た。＝・方、再生劣化に対する安定性を評価するへく、
１．０ｍＷの読み出し光をくり返し照射したか、１０’
回くり返してもＣＮ比の変化が生しなかった。

実施例３１ 例示したナフタロシアニン誘導体（Ｉ０６）をテトラヒ
ドロフランに溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上
、厚さ６９０人の記録膜層を得た。

この記録媒体に実施例３０と同様にしてレーザー光を照
射したところ、６．６ｍＷで記録が可能であった。また
、再生劣化に対する安定性を同様に評価したところ、１
０６回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生じなかった
。

実施例３２ ガラス基板に、例示したナフタロシアニン誘導体（９６
）及びポリスチレンを１：］。の割合でトルエンに溶解
し、回転塗布法により厚さ１６００人の記録膜層を得た
。この記録媒体に実施例３０と同様にしてレーザー光を
照射したところ、９．８ｍＷで記録が可能であった。ま
た、再生劣化に対する安定性も同様評価したところ、１
０６回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生じなかった
。

実施例３３ 例示したナフタロシアニン誘導体（９７）を四塩化炭素
に溶解し、回転塗布法にて、厚さ１．２ｍのポリメチル
メタクリレート基板上に７５０人の記録膜層を形成した
。この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザーを基
板側から照射し、記録特性を評価したところ、ビーム径
１．６μｍ、線速度７．５ｍ／秒、５．７ｍＷで記録が
可能であった。一方、再生劣化に対する安定性を評価す
るへく、０．９ｍＷ　の読み出し光をくり返し照射した
が、１０６回くり返してもＣＮ比の変化が生じなかった
。

実施例３４ 例示したナフタロシアニン誘導体（６２）を四塩化炭素
に溶解し、回転塗布法により、ポリメチルメタクリレー
ト基板上６７０人の記録膜層を得−１，５６− た。この記録媒体に実施例３３と同様にしてレーザー光
を照射したところ、５．４ｍＷで記録が可能であった。

また、再生劣化に対する安定性を評価したところ、１０
Ｆ′　回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生じなかっ
た。

実施例３５ 例示したナフタロシアニン誘導体（７０）を四塩化炭素
に溶解し、回転塗布法により、ポリメチルメタクリレー
ト基板上、厚さ５７０人の記録膜層を得た。この記録媒
体に実施例３３と同様にしてレーザー光を照射したとこ
ろ、５．３ｍＷで記録が可能であった。また、再生劣化
に対する安定性を評価したところ、］−０６回くり返し
照射してもＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例３６ 例示したナフタロシアニン誘導体（８７）をトルエンに
溶解し、回転塗布法により、ガラス基板上、厚さ７７０
人の記録膜層を得た。この記録媒体に実施例３３と同様
にしてレーザー光を照射したところ、５．１ｍＷで記録
が可能であった。また、再イ［劣化に文Ｊする安定性を
同時に評価しまたと、でろ、１０”　回くり返し、照射
しでもＣＮ比の変化が牛［１，なか−〕だ。

実施例３３゛７ １．２．１ｍ口のポリメチルメタクリレ−Ｉへ基板ＩＪ
、例示ｔ、、　ノ：、−ｆ−フタ［１シア゛、ン誘導体
（９，１，）の四塩化炭素溶液をスピンナー塗布し、厚
さ６４０人の記８股層を得た。実施例３３と同様１こし
て、線速度５　ｍ　／秒゛Ｃ評価したところ、７　、　
］、、　ＩＴＩ　”ｖＶて記録が可能であった。また、
再生劣化に対する安定性を同時（−訂２価したところ、
１０′′　回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生じな
かつノー。

実施例：３８ 例示したナフタロシアニン誘導体（６１）とポリステｌ
ノンの２：１混合物をメチルエチルケ１−ンに市解し、
ガラス基板上、厚さ７７０人の記ＢＩＰＡ層を得た３、
実施例３帆３と同様にして評価したところ、記録媒９％
　６　、３　ｍ　ＸＶ−再生劣化１０゛回以十という結
沫ル得た。

実施例；３ｉ〕 例示ｊまたナフタロシア−ニン誘導体（６６）をゲート
ラヒドロフランに溶量′し、０．８　重承％の溶液を調
製した４７次いで回転塗イ１】法にて、１１７さ１．２
ｍのカラス基板上に５５０人の記録層を得た５、この記
録媒体に波長８３０１目ｎの！１′導体レーサーを基板
側から照射し、記録特性を評価し７たと＜、Ｚ　／、、
］／ｅ２　ビー１１径１．６μ、ｍ、線速度７　、６ｍ
　／　ｓ、７．８ｍＷで記録が可能であった５、一方、
再生劣化（、Ｊ対する安定性を評価するべく、］、、　
、　Ｏｍ　Ｗ　の読み出し光をくり返し照射したが、１
０’　回くり返してもＣＮ比の変化が生じなかった。

実施例４０ 例示したナフタロシアニン誘導体（’７９　）をトルエ
ンに溶解し、ｉ、ｏ’ｊ−Ｒｊｉｔ％の溶液を調製し、
回転塗布法にて厚さｉ　、　２．　ｗ＋ｍ　のカラス基
板上に６３０Ａの記録層を得た。、二の記録媒体１５波
長８３０ｎｍの半導体１ノ一→丁−光を１１ｔ板側から
照射し２、記録特性を評価したとごイ）、］−／　ｅ　
２　　ヒーノ、径１．６μｍ、線速度７　、６　ｍ　／
　ｓ、７　、１−　ｍ　Ｗ　で記録かり能であった。−
力、再生劣化に対する安定性を評価するへく、１．、　
、　Ｏｍ　Ｗの読み出し光をくり返１，１ハ（射したが
、）０６　回くり返してもＣＮ比の変化が生し７なかっ
た。

実施例４１ 例示しまたーナフタロシアニン誘導体（９６）とポリス
チレン２：１混合物を１．．１．、．２−１−リクロ１
」］−タンにｊ容顔′し、厚さ１．２＋師のガラス基板
−［−１＝、回−り塗布法にて厚さ７７０人の記録層を
得た。

この記録媒体に波長８３０ｎｍの半導体レーザー光を基
板側から照射し、記録特性を評価したところ、線速度８
　ｍ　／　ｓ、６ｍＷで記録が可能であった。また、（
’Ｊ　、　９　ｍ　Ｗの読み出し光をくり返し照射した
が、１．０’　回くり返し照射してもＣＮ比の変化が生
じなかった。

〔発明の効果〕

本発明の一般式（Ｉ）で表わされるナフタロシアニン誘
導体は、飽和炭化水素系、芳香族系、ハロゲン系、エー
テル系溶媒にも可溶であり、容易に精製し純度を向上Ｊ
−ることかでき、溶媒の種類及び濃度等による吸収の変
化がなく、Ｆｔ’導体レーザ一光を吸収する能力に’Ｍ
：　Ｌ、　＜優れている。

また、本発明（；よるナフタロシアニン誘導体１，４１
、飽和炭化水素系溶媒及び四塩化炭素に苅する溶解性が
優れることから、光学記録媒体の基板とし、マ用いら才
棗、るポリメチルメタクリ１ノー１−基扱また１、］ポ
ポリカーボー−１基板の表面にあえて耐溶剤性を有する
保護層を設ける必要がなく、容易にｊｌＬ板十に記録層
を形成することができる４、また、本発明によるナフタ
ロシアニン誘導体（Ｊ、中心金属Ｍに結合した置換基Ｙ
及びＩ’＜”　＆ニー環状アルキル基又は環状アルキル
基を置換基として有するアルキル！、シを少なくとも１
つ有するナフタロシアニンは、これらの置換基の代わり
に同じ炭素数の直鎖又は分岐アルキル基を有するナフタ
ロシアニンに几）＼、融点が高くなる傾向がみ１≧）れ
、これ；媛より再！１１／−ザー先に対する安定性か向
ｌ−する。

また、本発明の光学記録媒体は、１涌記一般式（Ｉ）で
表わされるナフタロシアニン誘導体を用いることにより
、高感度特性を示し、し・−ザー光を有効な書き込み及
び読み出し電磁エネルギーとして使用できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、３，４−ビス（ジブロモメチル）ブロモベン
ゼンのＩＲスペクトル、第２図は、６−ブロモ−２，３
−ジシアノナフタレンのＮＭＲスペクトル、第３図は、
６−ブロモ−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペク
トル、第４図は、６−ｎ−ブチルチオ−２，３−ジシア
ノナフタレンのＮＭＲスペクトル、第５図は、６−ｎ−
ブチルチオ−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペク
１−ル、第６図は、６−（ｎ−ブチルチオ）−１゜３−
ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソインドリンのＩＲスペクトル
（ＫＢｒ法）、第７図は、ジクロロシリコン−テトラ（
ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトル（
テトラヒドロフラン溶液）、第８図は、ジヒドロキシシ
リコン−テトラ（ｎ−ブチルチオ）ナフタロシアニンの
電子スペクトル（テトラヒドロフラン溶液）、第９図は
、６−ブロモ−１，３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソイン
ドリンのＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）、第１０図は、ジ
クロロシリコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）、第１］図は、ジクロロシリコ
ンーテ１−ラブロモナフタロシアニンの電子スペク１〜
ル（テトラヒドロフラン溶液）、第１２図は、ジヒトロ
キシシリコンーテ１〜ラブロモナフタロシアニンのＩＲ
スペクトル（ＫＢｒ法）、第１３図は、ジヒ１くロキシ
シリコンーテトラブロモナフタロシアニンの電子スペク
トル（テトラヒドロフラン溶液）、第１４図は、ビス（
トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコンーテ１−ラブロ
モナフタロシアニンのＮＭＲスペクトル、第１５図は、
ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テトラ
ブロモナフタロシアニンの電子スペクトル、第１６図は
、ビス（トリーｎ−プロピルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクトル、第１７図
は、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニンのＮＭＲスペクトル、第１８
図は、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコンーテ
１−ラブロモナフタロシアニンの電子スペクトル、第１
９図は、ビス（トリーｎ−ブチルシロキシ）シリコン−
テトラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクトル、第２
０図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シリコン
−テトラブロモナフタロシアニンのＮＭＲスペクトル、
第２１図は、ビス（トリー〇−へキシルシロキシ）シリ
コン−テトラブロモナフタロシアニンの電子スペクトル
、第２２図は、ビス（トリーｎ−へキシルシロキシ）シ
リコン−テトラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクト
ル、第２３図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン
−テトラブロモナフタロシアニンの電子スペクトル、第
２４図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコン−テト
ラブロモナフタロシアニンのＩＲスペクトル、第２５図
は、６−シクロペンチルチオ−２，３−ジシアノナフタ
レンのＮＭＲスペクトル、第２６図は、６−シクロペン
チルチオ−２，３−ジシアノナフタレンのＩＲスペク１
−ル、第２７図は、６−シクロへキシルチオ−２゜３−
ジシアノナフタレンのＮＭＲスペクトル、第２８図は、
６−シクロへキシルチオ−２，３−ジ暑図− シアノナフタレンのＩＲスペクトル、第２９図は、６−
（４−メチルシクロへキシルチオ）　−２，３−ジシア
ノナフタレンのＮＭＲスペクトル、第３０図は、６−（
４−メチルシクロへキシルチオ）−２，３−ジシアノナ
フタレンのＩＲスペク１−ル、第３１図は、６−シクロ
ペンチルチオ−１，３−ジイミノベンゾ〔ｆ〕イソイン
ドリンのＩＲスペク１−ル、第３２図は、６−シクロへ
キシルチオ−１゜３−ジイミノベンゾ（ｆ）イソインド
リンのＩＲスペクトル、第３３図は、ジクロロシリコン
−テトラ（シクロヘキシルチオ）ナフタロシアニンの電
子スペクトル、第３４図は、ジクロロシリコン−テトラ
（シクロヘキシルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペク
１〜ル、第３５図は、ジヒドロキシシリコン−テトラ（
シクロペンチルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクト
ル、第３６図は、ジヒドロキシシリコン−テトラ（シク
ロペンチルチオ）ナフタロシアニンのＩＲスペク１−ル
、第３７図は、ジヒドロキシシリコン−テトラ（シクロ
へキシルチオ）ナフタロシアニンの電子スペクトル、第
３３８図ｋｌ、ジヒ［・ロキシシリコンーテ１−ラ（シ
クロへキシルチオ）ナフタロシアニンのＩ　Ｒスペクト
ル、第３９図は、ジヒ１〜ロキシシリコンーテトラ（４
−メチルシクロへキシルチオ）ナフタロシアニンの電子
スペクｌ−ル、第４０図は、ジヒ１ヘロキシシリコンー
テトう（−１−メチルシクロへキシルチオ）ナフタロシ
アニンの丁Ｒスペクトル、第４１図は、ビス（Ｉヘリブ
チルシロキシ）シリコンーテトう（シクロペンチルチオ
）ナフタロシアニン〔例示化合物（Ｉ２））のＮＭＲス
ペクトル、第４２図は１例示化合物（Ｉ２）の電子スペ
クトル、第４３図は、例示化合物（Ｉ２）のＩＲスペク
トル、第４４図は、ビス（ｈ　’Ｊ　−ｎ−ブチルシロ
キシ）シリコン−テトラ（シクロへキシルチオ）ナフタ
ロシアニンの例示化合物（３３）ＮＭＲスペクトル、第
４５図は、例示化合物（３３）の電子スペクトル、第４
６図は、例示化合物（３３）のＩＲスペクトル、第４７
図は、ビス（トリエチルシロキシ）シリコンーテ１〜う
（シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化合物
（７）〕のＮＭＲスヘクｈ／Ｌ／、第４．８［ｊ：、例
７Ｊ＜　化合物（７）ノｆＩ３．ｒスペク１〜ル、第４
９図は、例示化合物（７）のＩＲスペクｌ−ル、第５０
図は、ビス（トリブチルシロキシ）シリコン−テトラ（
４−メチルシクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例
示化合物（５４，）］のＮ　Ｍ、　Ｒスペクトル、第５
１図は、例示化合物（５４）の電子スベクｌ〜ル、第５
２図は、例示化合物（５４）のＩ　Ｒスペクトル（ＫＢ
ｒ法）、第５３３図は、ビス（Ｉ−リプロビルシロキシ
）シリコン−テトラ（シクロヘキシルエチルチオ）ナフ
タロシアニン〔例示化合物（４，２））の電子スペクト
ル、第５４図は、例示化合物（４２）のＩ　Ｒスペクｌ
ヘル、第５５図は、ビス（Ｉ〜リブチルシロキシ）シリ
コン−テトラ（シクロヘキシルエチルチオ）ナフタロシ
アニン〔例示化合物（４，，１）］のＮ　Ｍ、　Ｒスペ
クｌ〜ル、第５６図は、例示化合物（４１）の電子スペ
クトル、第５７図は、例示化合物（４１）のＩＲスペク
トル、第５８図は、ビス（トリーシクロへキシルシロキ
シ）シリコン−テトラ（ｎ　−ブチルチオ）ナフタロシ
アニン〔例示化合物（６１））のＮＭＲスペクトル、第
５９図は５例示化合物（６１）の電子スペクトル（テト
ラヒドロフラン溶液）、第６０図は、例示化合物（６１
）のＩＲスペクトル（ＫＢｒ法）、第６１図は、例示化
合物（６Ｊ）のスピンコード膜の吸収スペクトル、第６
２図は、例示化合物（６１）のスピンコード膜の透過ス
ペクトル、第６３図は１例示化合物（６１）のスピンコ
ード膜の膜厚６００人における５°正反射スペクトル、
第６４図は、例示化合物（６１）をポリメチルメタクリ
レート基板上にスピンコー１−して作成した膜の吸収ス
ペクトル、第６５図は、例示化合物（６１）をポリメチ
ルメタクリレ−１・基板上にスピンコートシて作成した
膜の透過スペク１〜ル、第６６図は、例示化合物（６１
）をポリメチルメタクリレ−１・基板上にスピンコー１
−　して作成した膜の５°正反射スペクトル、第６７図
は、ビス（Ｉ〜リ−ｎ−ブチルシロキシ）シリコンーテ
トう（シクロへキシルチオ）ナフタロシアニン〔例示化
合物（ｌｉ、））のスピンコード膜の吸収スベグトル、
第６５図は、例示化合物（Ｉ１）のス−１，６８− ピンコート膜の透過スペクトル、第６９図は、例示化合
物（Ｉ１）のスピンコード膜の膜厚７００人における５
°正反射スペクトル、第７０図は、例示化合物（Ｉ１）
のスピンヨー１〜膜の膜厚９００人における５°正反射
スペク１−ル、第７１図は、例示化合物（Ｉ１）をポリ
カーボネ−１・基板ににスピンコードして作成した膜の
吸収スペクトル、第７２図は例示化合物（Ｉ，１）をポ
リカーボネート基板」二にスピンコードして作成した膜
の透過スペクトル、第７３図は、例示化合物（Ｉ１）を
ポリカーボネート基板−ｈにスピンコードして作成した
膜の正反射スペクトル、第７４図は、例示化合物（Ｉ２
）をポリカーボネーＩ・基板上にスピンコーＩ・シて作
成した膜の吸収スペクトル、第７５図は、例示化合物（
Ｉ２）をポリカーボネ−１・基板ｌ−にスピンコードし
て作成した膜の透過スペク１ヘル、第７６図は、例示化
合物（Ｉ２）をポリヵーボネ−１・基板上にスピンコー
トシて作成した膜の５°正反射スペクトル、第７７図は
、例示化合物（Ｉ９）をポリカーボネーＩ・基板上にス
ピンコートシて作成した膜の吸収スペク１〜ル、第７８
図は、例示化合物（Ｉ９）をポリカーボネー１一基板上
にスピンコ−１へして作成した膜の透過スペクトル、第
７９図は、例示化合物（Ｉ９）をポリカーボネー１一基
板上にスピンコートシて作成した膜の５°正反射スペク
トル、第８０図は、例示化合物（４］）をポリカーボネ
ート基板」二にスピンコードして作成した膜の吸収スペ
クトル、第８１図は、例示化合物（４１）をポリカーボ
ネート基板上にスピンコードして作成した膜の透過スペ
クトル、第８２図は例示化合物（４１）をポリカーボネ
ート基板上にスピンコートシて作成した膜の５°正反射
スペク１−ル、第８３図は、バナジルーテ１〜う（し−
ブチル）ナフタロシアニンのクロロホルム溶液中での電
子スペクトル（（ａ）は２．３７　Ｘ　１０−’Ｍ　ａ
度、（ｂ）は１．８９　Ｘ　１０−’Ｍ濃度）、第８４
図は、バナジルーテ［・う（ｔ−ブチル）ナフタロシア
ニンノヘンゼン溶液中（９，５Ｘ　３０−ｃＭ　１ｌｌ
１１度）での電子スペクトル、第８５図は、バナジル−
テトラ（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコード
膜の透過スペク１−ル、第８６図は、ハナジルーテトう
（ｔ−ブチル）ナフタロシアニンのスピンコード膜の５
°正反射スペク１〜ル、第８７図は、例示化合物（Ｉ１
）の再生劣化特性を示すＣＮ比を評価したグラフ及び第
８８図は、例示ナフタロシアニン化合物（６］）の再生
劣化性を示すＣＮ特開平２−、−２７０８７７　（４９
）特開平２−、２７０８７７　（７９） 特開平２−、２７０８７７　（Ｉ０５）特開平２−２７
０８７７　（Ｉ，０９）手続補正書（方式） 平成　２年３　月１４　日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｍは、Ｓｉ、Ｇｅ又はＳｎを示し、２個のＹは
   、同一でも相違してもよく、Ｒ＾２Ｏ基又はＲ＾３Ｒ＾
   ４Ｒ＾５ＳｉＯ基を示し、ｋ、ｌ、ｍ及びｎは、ｋ＋ｌ
   ＋ｍ＋ｎが１以上となるように選ばれる同一でも相違し
   てもよい０〜４の整数を示し、（ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ）個の
   Ｒ＾１は、同一でも相違してもよく、Ｒ＾１、Ｒ＾２、
   Ｒ＾３、Ｒ＾４及びＲ＾５は同一でも相違してもよく、
   環状アルキル基、環状アルキル基を置換基として有する
   アルキル基、水素原子、アリール基、アルコキシル基、
   アリールオキシル基、直鎖アルキル基、分岐アルキル基
   又はアルケニル基を示し、かつ式中に必ず環状アルキル
   基又は環状アルキル基を置換基として有するアルキル基
   を少なくとも１個含有する〕で表わされるナフタロシア
   ニン誘導体。 ２、一般式（ I ）において、ＭがＳｉ又はＧｅである
   請求項１記載のナフタロシアニン誘導体。 ３、一般式（ I ）において、ｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て
   １である請求項１又は２記載のナフタロシアニン誘導体
   。 ４、一般式（ I ）において、２個のＹがＲ＾３Ｒ＾４
   Ｒ＾５ＳｉＯ基である請求項１、２又は３記載のナフタ
   ロシアニン誘導体。 ５、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て炭素数３〜２
   ２個の環状アルキル基である請求項１、２、３又は４記
   載のナフタロシアニン誘導体。 ６、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て環状アルキル
   基を置換基として有するアルキル基である請求項１、２
   、３又は４記載のナフタロシアニン誘導体。 ７、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て直鎖アルキル
   基である請求項１、２、３又は４記載のナフタロシアニ
   ン誘導体。 ８、一般式（ I ）においてＲ＾１が全て分岐アルキル
   基である請求項１、２、３又は４記載のナフタロシアニ
   ン誘導体。 ９、一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎ並びにＲ＾１及びＭは、一般
   式（ I ）におけると同意義〕で表わされるナフタロシ
   アニン誘導体を一般式（III） Ｒ＾２ＯＨ（III） 〔ただし、式中Ｒ＾２は、一般式（ I ）におけると同
   意義〕で表わされるアルコール、一般式（IV）Ｒ＾３Ｒ
   ＾４Ｒ＾５ＳｉＣｌ（IV） で表わされるクロロシラン又は一般式（Ｖ）Ｒ＾３Ｒ＾
   ４Ｒ＾５ＳｉＯＨ（Ｖ） 〔ただし、式（IV）及び（Ｖ）中Ｒ＾３、Ｒ＾４及びＲ
   ＾５は、一般式（ I ）における同意義〕で表わされる
   シラノールと反応させることを特徴とする請求項１記載
   の一般式（ I ）表わされるナフタロシアニン誘導体の
   製造法。 １０、一般式（VI） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、ｋ、ｌ、ｍ及びｎ並びにＭ及びＹは一般式（
   I ）におけると同意義〕で表わされるナフタロシアニン
   誘導体を、一般式（VII） ＣｕＳＲ＾１（VII） 〔ただし、式中Ｒ＾１は、一般式（ I ）におけると同
   意義〕で表わされる銅（ I ）チオレートと反応させる
   ことを特徴とする請求項１記載の一般式（ I ）で表わ
   されるナフタロシアニン誘導体の製造法。 １１、一般式（II）、一般式（VI）及び一般式（ I ）
   において、ＭがＳｉ又はＧｅである請求項９又は１０記
   載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １２、一般式（II）、一般式（VI）及び一般式（ I ）
   において、ｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１である請求項９、
   １０又は１１記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １３、一般式（ＶＩ）及び一般式（ I ）において２個
   のＹがＲ＾３Ｒ＾４Ｒ＾５ＳｉＯ基である請求項９、１
   ０、１１又は１２記載のナフタロシアニン誘導体の製造
   法。 １４、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（ I ）
   において、Ｒ＾１が全て炭素数３〜２２個の環状アルキ
   ル基である請求項９、１０、１１、１２又は１３記載の
   ナフタロシアニン誘導体の製造法。 １５、一般式（II）、一般式（VII）及び一般式（ I ）
   において、Ｒ＾１が全て環状アルキル基を置換基として
   有するアルキル基である請求項９、１０、１１、１２又
   は１３記載のナフタロシアニン誘導体の製造法。 １６、一般式（ＩＩ）、一般式（ＶＩＩ）及び一般式（
   Ｉ）において、Ｒ＾１が全て直鎖アルキル基である請求
   項９、１０、１１、１２又は１３記載のナフタロシアニ
   ン誘導体の製造法。 １７、一般式（ＩＩ）、一般式（ＶＩＩ）及び一般式（
   Ｉ）において、Ｒ＾１が全て分岐アルキル基である請求
   項９、１０、１１、１２又は１３記載のナフタロシアニ
   ン誘導体の製造法。 １８、基板上に、請求項１記載の一般式（Ｉ）で表わさ
   れるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が形
   成されていることを特徴とする光学記録媒体。 １９、一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるナ
   フタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が形成され
   ている請求項１８記載の光学記録媒体。 ２０、一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１
   であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層が
   形成されている請求項１８又は１９記載の光学記録媒体
   。 ２１、一般式（Ｉ）において２個のＹがＲ＾３Ｒ＾４Ｒ
   ＾５ＳｉＯ基であるナフタロシアニン誘導体を主成分と
   する記録層が形成されている請求項１８、１９又は２０
   記載の光学記録媒体。 ２２、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て炭素数３〜２
   ２個の環状アルキル基であるナフタロシアニン誘導体を
   主成分とする記録層が形成されている請求項１８、１９
   、２０又は２１記載の光学記録媒体。 ２３、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て環状アルキル
   基を置換基として有するアルキル基であるナフタロシア
   ニン誘導体を主成分とする記録層が形成されている請求
   項１８、１９、２０又は２１記載の光学記録媒体。 ２４、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て直鎖アルキル
   基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層
   が形成されている請求項１８、１９、２０又は２１記載
   の光学記録媒体。 ２５、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て分岐アルキル
   基であるナフタロシアニン誘導体を主成分とする記録層
   が形成されている請求項１８、１９、２０又は２１記載
   の光学記録媒体。 ２６、請求項１記載の一般式（Ｉ）で表わされるナフタ
   ロシアニン誘導体を主として有機溶媒に溶解した溶液を
   用いて基板上に記録層を形成することを特徴とする光学
   記録媒体の製造法。 ２７、一般式（Ｉ）においてＭがＳｉ又はＧｅであるナ
   フタロシアニン誘導体を用いた請求項２６記載の光学記
   録媒体の製造方法。 ２８、一般式（Ｉ）においてｋ、ｌ、ｍ及びｎが全て１
   であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求項２６又は
   ２７記載の光学記録媒体の製造法。 ２９、一般式（Ｉ）において２個のＹがＲ＾３Ｒ＾４Ｒ
   ＾５ＳｉＯ基であるナフタロシアニン誘導体を用いた請
   求項２６、２７又は２８記載の光学記録媒体の製造法。 ３０、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て炭素数３〜２
   ２個の環状アルキル基であるナフタロシアニン誘導体を
   用いた請求項２６、２７、２８又は２９記載の光学記録
   媒体の製造法。 ３１、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て、環状アルキ
   ル基を置換基として有するアルキル基であるナフタロシ
   アニン誘導体を用いた請求項２６、２７、２８又は２９
   記載の光学記録媒体の製造法。 ３２、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て直鎖アルキル
   基であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求項２６、
   ２７、２８又は２９記載の光学記録媒体の製造法。 ３３、一般式（Ｉ）においてＲ＾１が全て分岐アルキル
   基であるナフタロシアニン誘導体を用いた請求項２６、
   ２７、２８又は２９記載の光学記録媒体の製造法。