JPH02272736A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02272736A JPH02272736A JP9561989A JP9561989A JPH02272736A JP H02272736 A JPH02272736 A JP H02272736A JP 9561989 A JP9561989 A JP 9561989A JP 9561989 A JP9561989 A JP 9561989A JP H02272736 A JPH02272736 A JP H02272736A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の配線の製造方法に関す〔従来の
技術］ 従来の半導体装置の配線は、一般的に第３図に示すよう
にアルミニウムーシリコン合金でできていた。このとき
、アルミニウムーシリコン合金は加工性がよく、一般的
なドライエツチング技術で比較的寸法精度良く配線化す
ることができていた。
技術］ 従来の半導体装置の配線は、一般的に第３図に示すよう
にアルミニウムーシリコン合金でできていた。このとき
、アルミニウムーシリコン合金は加工性がよく、一般的
なドライエツチング技術で比較的寸法精度良く配線化す
ることができていた。
しかしながら近年の半導体集積回路の高集積化にともな
い、アルミニウムーシリコン合金よりも低抵抗で、しか
もマイグレーション耐性の強い配線材料が望まれるよう
になってきた。
い、アルミニウムーシリコン合金よりも低抵抗で、しか
もマイグレーション耐性の強い配線材料が望まれるよう
になってきた。
［発明が解決しようとする課題］
アルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーション耐
性の強い配線材料として、鋼などが挙げられるが、これ
らの金属はいれも加工性が悪く、既存ドライエツチング
技術では容易にエツチングできず、配線化することが非
常に困難であった。
性の強い配線材料として、鋼などが挙げられるが、これ
らの金属はいれも加工性が悪く、既存ドライエツチング
技術では容易にエツチングできず、配線化することが非
常に困難であった。
そこで本発明は、このような課題を解決しようとするも
ので、アルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーシ
ミン耐性の強い配線材料である鋼などを容易に配線化す
る事ができる半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
ので、アルミニウム合金よりも低抵抗で、マイグレーシ
ミン耐性の強い配線材料である鋼などを容易に配線化す
る事ができる半導体装置の製造方法を提供するものであ
る。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体製造装置は、半導体基板上方に形成され
た第一の絶縁膜上の全面に第一の導電膜を形成する工程
、前記第一の導電膜上の予め設計された領域に第二の絶
縁膜を形成する工程、前記第一の導電膜上の前記第二の
絶縁膜におおわれていない領域に第二の導電膜を選択的
に形成する工程、前記第二の絶縁膜を除去する工程、前
記第二の導電膜をマスクとして前記第一の導電膜を選択
的に除去する工程より成ることを特徴とする。
た第一の絶縁膜上の全面に第一の導電膜を形成する工程
、前記第一の導電膜上の予め設計された領域に第二の絶
縁膜を形成する工程、前記第一の導電膜上の前記第二の
絶縁膜におおわれていない領域に第二の導電膜を選択的
に形成する工程、前記第二の絶縁膜を除去する工程、前
記第二の導電膜をマスクとして前記第一の導電膜を選択
的に除去する工程より成ることを特徴とする。
［実施例］
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法により製造さ
れた半導体装置の構造を示す断面図である。すなわち、
本発明により得られるアルミニウムーシリコン合金１０
３と銅１０５の二層より成る構造を有する配線を示して
いる。
れた半導体装置の構造を示す断面図である。すなわち、
本発明により得られるアルミニウムーシリコン合金１０
３と銅１０５の二層より成る構造を有する配線を示して
いる。
第２図は本発明の半導体装置の製造方法の実施例を示す
工程断面図である。以下、工程順に詳細に説明していく
。
工程断面図である。以下、工程順に詳細に説明していく
。
最初に、第２図（ａ）に示すように、半導体基板１０１
上方に形成されている酸化珪素膜１０２上の全面に第一
の導電膜としてアルミニウムーシリコン合金１０３をス
パッタリングにより１０００人形成する。
上方に形成されている酸化珪素膜１０２上の全面に第一
の導電膜としてアルミニウムーシリコン合金１０３をス
パッタリングにより１０００人形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、アルミニウムーシリ
コン合金１０３上の配線とはならない領域にのみ第二の
絶縁膜として、フォトレジストレジスト１０４を１００
００人形成する。このとき配線とならない領域にのみ絶
縁膜を形成するには、アルミニウムーシリコン合金１０
３上に全面的に塗布されたフォトレジスト１０４をフォ
トリソ技術により配線となるように設計された領域だけ
を除去すればよい。
コン合金１０３上の配線とはならない領域にのみ第二の
絶縁膜として、フォトレジストレジスト１０４を１００
００人形成する。このとき配線とならない領域にのみ絶
縁膜を形成するには、アルミニウムーシリコン合金１０
３上に全面的に塗布されたフォトレジスト１０４をフォ
トリソ技術により配線となるように設計された領域だけ
を除去すればよい。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、フォトレジスト１０
４でおおわれていない領域、すなわち、配線となるよう
に設計された領域のアルミニウムーシリコン合金１０３
上にのみ選択的に第二の導電膜として１ｉ１０５を形成
する。このとき銅１０５は鍍金技術によりアルミニウム
ーシリコン１０３合金上にのみ選択的に形成した。この
ときの銅１０５の膜厚は６０００人であった。
４でおおわれていない領域、すなわち、配線となるよう
に設計された領域のアルミニウムーシリコン合金１０３
上にのみ選択的に第二の導電膜として１ｉ１０５を形成
する。このとき銅１０５は鍍金技術によりアルミニウム
ーシリコン１０３合金上にのみ選択的に形成した。この
ときの銅１０５の膜厚は６０００人であった。
銅の比抵抗はアルミニウムの比抵抗の約６０％なので、
同一線幅の配線で同じ電流容量を得ようとする場合には
膜厚はアルミニウムの場合の６０％でよい。
同一線幅の配線で同じ電流容量を得ようとする場合には
膜厚はアルミニウムの場合の６０％でよい。
次に、第２図（ｄ）に示すように、フォトレジスト１０
４を除去する。
４を除去する。
最後に、第２図（ｅ）に示すように、銅１０５をマスク
としてアルミニウムーシリコン合金１０３をドライエツ
チングにより除去する。ドライエツチングは三塩化はう
素（ＢＣｌ２）、塩素（Ｃｌ ２）を主成分とする混合
ガスを用いて行い、この条件では１ｊｌ１０５はほとん
どエツチングされない。
としてアルミニウムーシリコン合金１０３をドライエツ
チングにより除去する。ドライエツチングは三塩化はう
素（ＢＣｌ２）、塩素（Ｃｌ ２）を主成分とする混合
ガスを用いて行い、この条件では１ｊｌ１０５はほとん
どエツチングされない。
なお、本実施例では第一の導電膜としてアルミニウムー
シリコン合金を用いているが、エツチングで容易に除去
できる導電膜ならなんでもよく、例えば、タングステン
、モリブデン、窒化チタン、チタンタングステンなどの
高融点金属あるいは高融点金属化合物を用いてもよい。
シリコン合金を用いているが、エツチングで容易に除去
できる導電膜ならなんでもよく、例えば、タングステン
、モリブデン、窒化チタン、チタンタングステンなどの
高融点金属あるいは高融点金属化合物を用いてもよい。
さらに、本実施例では、第一の導電膜は単層となってい
るが、上述の導電膜のいくつかの組み合せによる多層膜
であってもよい。
るが、上述の導電膜のいくつかの組み合せによる多層膜
であってもよい。
また、第二の導電膜は第一の導電膜上に選択的に成長さ
せられる導電体であれば何でもよく、鋼販外に、例えば
、金、クロム、ニッケルなどが考えられる。
せられる導電体であれば何でもよく、鋼販外に、例えば
、金、クロム、ニッケルなどが考えられる。
また、第二の絶縁膜としては、フォトレジストの代わり
に酸化珪素膜、窒化膜などの無機物を用いてもよい。
に酸化珪素膜、窒化膜などの無機物を用いてもよい。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、酸化珪素膜上に全
面的に形成されたエツチングの容易なアルミニウムーシ
リコン合金上の予め設計された領域に選択的にエツチン
グが困難な銅を形成し、銅をマスクとしてアルミニウム
ーシリコン合金をエツチング除去する事により、エツチ
ングで除去することが困難な銅を有する多層構造の配線
を容易に得ることができ、アルミニウムーシリコン合金
単層の配線よりも、低抵抗で、しかもマイグレーション
に８ｆｆｌい配線が容易に形成できるようになり、高信
頼性の半導体装置を高歩留まりで製造できるという効果
を有する。
面的に形成されたエツチングの容易なアルミニウムーシ
リコン合金上の予め設計された領域に選択的にエツチン
グが困難な銅を形成し、銅をマスクとしてアルミニウム
ーシリコン合金をエツチング除去する事により、エツチ
ングで除去することが困難な銅を有する多層構造の配線
を容易に得ることができ、アルミニウムーシリコン合金
単層の配線よりも、低抵抗で、しかもマイグレーション
に８ｆｆｌい配線が容易に形成できるようになり、高信
頼性の半導体装置を高歩留まりで製造できるという効果
を有する。
第１図は、本発明の半導体装置の製造方法により得られ
る半導体装置の構造を示す断面図。 第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方
法の実施例を示す工程断面図。 第３図は、従来の半導体装置の構造の実施例を示す断面
図。 １０３．３０３ アルミニウムーシリコン合金１０４
フォトレジスト １０５銅 風上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理土鈴木喜三部他１名 １０１．３０１ 半導体基板 １０２．３０２ 酸化珪素膜 ３ｏａ
る半導体装置の構造を示す断面図。 第２図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体装置の製造方
法の実施例を示す工程断面図。 第３図は、従来の半導体装置の構造の実施例を示す断面
図。 １０３．３０３ アルミニウムーシリコン合金１０４
フォトレジスト １０５銅 風上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理土鈴木喜三部他１名 １０１．３０１ 半導体基板 １０２．３０２ 酸化珪素膜 ３ｏａ
Claims (1)
- 半導体基板上方に形成された第一の絶縁膜上の全面に第
一の導電膜を形成する工程、前記第一の導電膜上の予め
設計された領域に第二の絶縁膜を形成する工程、前記第
一の導電膜上の前記第二の絶縁膜におおわれていない領
域に第二の導電膜を選択的に形成する工程、前記第二の
絶縁膜を除去する工程、前記第二の導電膜をマスクとし
て前記第一の導電膜を選択的に除去する工程より成るこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9561989A JPH02272736A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9561989A JPH02272736A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272736A true JPH02272736A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14142562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9561989A Pending JPH02272736A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272736A (ja) |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9561989A patent/JPH02272736A/ja active Pending
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