JPH02140955A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02140955A JPH02140955A JP63295069A JP29506988A JPH02140955A JP H02140955 A JPH02140955 A JP H02140955A JP 63295069 A JP63295069 A JP 63295069A JP 29506988 A JP29506988 A JP 29506988A JP H02140955 A JPH02140955 A JP H02140955A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- wiring
- semiconductor device
- aluminum
- alloy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置の、特に金属配線構造に関するも
のである。
のである。
従来微細化された半導体装置の配線方法は、第２図の如
（１例えば半導体素子がＪ１ｇ成された半導体基板２１
上の酸化シリコン膜２２にコンタクトホールが形成され
、配線用のアルミニウム合金（例えばＡｌ−３ｉ）２３
を０．５〜１．ｏｊｚｎスパックし、更にヒロック、マ
イグレーション防止の為に窒化チクン２４を０．１ｕｍ
程度スパッタする０次にフォトレジストをマスクして、
前記１１１層膜をドライエツチングしパクーニングして
からパッシベーション膜として気相成長によるＰＳＧ膜
２膜上５化シリコン膜２６を成長させた後。
（１例えば半導体素子がＪ１ｇ成された半導体基板２１
上の酸化シリコン膜２２にコンタクトホールが形成され
、配線用のアルミニウム合金（例えばＡｌ−３ｉ）２３
を０．５〜１．ｏｊｚｎスパックし、更にヒロック、マ
イグレーション防止の為に窒化チクン２４を０．１ｕｍ
程度スパッタする０次にフォトレジストをマスクして、
前記１１１層膜をドライエツチングしパクーニングして
からパッシベーション膜として気相成長によるＰＳＧ膜
２膜上５化シリコン膜２６を成長させた後。
外部電極取り出し用のボンディングパッド２７を開孔し
ている。
ている。
【発明が解決しようとする課題１
しかしながら従来技術では、外部電極取り出しの為にア
ルミニウムや金ワイヤーをパッド領域２７にボンディン
グしているが、窒化チクン２４がアルミニウム合金２３
の間に介在している為ボンディング性が悪く、組み立て
実装の歩留りや信頼性にも問題が多い。
ルミニウムや金ワイヤーをパッド領域２７にボンディン
グしているが、窒化チクン２４がアルミニウム合金２３
の間に介在している為ボンディング性が悪く、組み立て
実装の歩留りや信頼性にも問題が多い。
しかるに本発明は、かかる課題を解決するものであり、
その目的とするところは、ボンディング性を向上し信頼
性の高い微細半導体装置を安定供給することである。
その目的とするところは、ボンディング性を向上し信頼
性の高い微細半導体装置を安定供給することである。
〔課題を解決するための手１“ｐ］
本発明の半導体装置は、アルミニウムもしくはその合金
薄膜上に高融点金属またはその化合物なｒＩ′ｉ層した
配線を有し、且つ外部電陽取り出し用のボンディングパ
ッド領域の少なくとも一部は該高融点金属またはその化
合物が除去されていることを特徴とする。
薄膜上に高融点金属またはその化合物なｒＩ′ｉ層した
配線を有し、且つ外部電陽取り出し用のボンディングパ
ッド領域の少なくとも一部は該高融点金属またはその化
合物が除去されていることを特徴とする。
〔実 施 例１
以下本発明の実施例における工程を、第１図に基づいて
詳細に説明する。
詳細に説明する。
サブミクロンルールの集偵口路製造において、トランジ
スクや抵抗等の半導体素子が形成された半導体基鈑１１
上の層間酸化シリコン膜１２にコンタクトホールが開孔
されており、配線用のアルミニウム合金１３を約１．０
μｎｌ 、更に窒化チタン１４を約５００人スパックし
である０次に）才１−レジストをマスクにして、前記ｆ
Ｆｉ層膜１３．１４をＣ１，やＢＣｌ３の様なハロゲン
系ガスでドライエツチングして同時パクーニングした後
、パシベーション膜として気相成長により、ＰＳＧ膜１
膜上５ラズマ窒化膜１６を成長させる。続いて外部電極
取り出し用のボンディングパッドを設ける為、前記プラ
ズマ窒化膜１６はＮ Ｆ ｓガスを用いて、又ＰＳＧＩ
Ｉ！ｔ！１７はＣＨＦ ｚ ／ Ｏ□ガスを用いてドラ
イエツチングした後、更にＣＦ４１０＠ガスで窒化チタ
ン１ｌＱ１４を除去しである。この様にしてなる半導体
装置を用いた１組み立て実装工程のボンディング不良は
激減し、信頼性上においても問題はなくなった。
スクや抵抗等の半導体素子が形成された半導体基鈑１１
上の層間酸化シリコン膜１２にコンタクトホールが開孔
されており、配線用のアルミニウム合金１３を約１．０
μｎｌ 、更に窒化チタン１４を約５００人スパックし
である０次に）才１−レジストをマスクにして、前記ｆ
Ｆｉ層膜１３．１４をＣ１，やＢＣｌ３の様なハロゲン
系ガスでドライエツチングして同時パクーニングした後
、パシベーション膜として気相成長により、ＰＳＧ膜１
膜上５ラズマ窒化膜１６を成長させる。続いて外部電極
取り出し用のボンディングパッドを設ける為、前記プラ
ズマ窒化膜１６はＮ Ｆ ｓガスを用いて、又ＰＳＧＩ
Ｉ！ｔ！１７はＣＨＦ ｚ ／ Ｏ□ガスを用いてドラ
イエツチングした後、更にＣＦ４１０＠ガスで窒化チタ
ン１ｌＱ１４を除去しである。この様にしてなる半導体
装置を用いた１組み立て実装工程のボンディング不良は
激減し、信頼性上においても問題はなくなった。
この他の実施例として、アルミニウム合金を用いた２Ｆ
ｙＪＱＬ！線構逍にも本発明を辿ＨＩ したか、前記と
同様な改善がみられた。
ｙＪＱＬ！線構逍にも本発明を辿ＨＩ したか、前記と
同様な改善がみられた。
尚、ヒロック、マイグレーション防止膜としてゴ（化チ
タンを用いたが、これはフォ１−リソ工程でのハレーシ
ョン防止も北ねている為であり、これに限らずモリブデ
ン、タングステンチタンの様な高融点金属やそのシリサ
イド等の導電材でも応用できる。又アルミニウム合金配
線としては、アルミニウムーシリコンに限らずチタン、
銅、白金等やこれらの混合物を含む２元、３元系の合金
でも良く、その形成方法は、加熱、無加熱あるいはバイ
アスの有無に限定されない、更に配線の下に、バリア金
属を敷いた場合にも適用できる。
タンを用いたが、これはフォ１−リソ工程でのハレーシ
ョン防止も北ねている為であり、これに限らずモリブデ
ン、タングステンチタンの様な高融点金属やそのシリサ
イド等の導電材でも応用できる。又アルミニウム合金配
線としては、アルミニウムーシリコンに限らずチタン、
銅、白金等やこれらの混合物を含む２元、３元系の合金
でも良く、その形成方法は、加熱、無加熱あるいはバイ
アスの有無に限定されない、更に配線の下に、バリア金
属を敷いた場合にも適用できる。
［発明の効果１
以上の如く本発明によれば、アルミニウムもしくはその
合金上に異種金属を積層した構造の配線であっても、ボ
ンディングパッド領域ではアルミニウムもしくはその合
金を露出してやることにより、積層金属配線の特性を損
なうこともなく、ボンディング性を向上し組み立て歩留
り、信頼性を向上する効果があり、微細半導体装置の実
用化と安定供給が可能となる。
合金上に異種金属を積層した構造の配線であっても、ボ
ンディングパッド領域ではアルミニウムもしくはその合
金を露出してやることにより、積層金属配線の特性を損
なうこともなく、ボンディング性を向上し組み立て歩留
り、信頼性を向上する効果があり、微細半導体装置の実
用化と安定供給が可能となる。
１１゜
１２゜
１３゜
ｌ ４．
１５゜
１ Ｇ、
１７．
２ ｌ ・
２２ ・
２３ ・
２４ ・
２５ ・
２Ｇ ・
２７ ・
・半導体バ板
・酸化シリコン
・アルミニウム合金膜
・窒化チタン膜
・ＰＳＧＩＩＩＪ
・プラズマ窒化膜
・ボンディングパッド領域
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 上 （卵 雅 誉（ｌｕｌ１名）
第１図は１本発明の一実施例による配ｍ構造を示す概略
断面図である。 第２図は、従来の配線構造を示す概略断面図である。
断面図である。 第２図は、従来の配線構造を示す概略断面図である。
Claims (1)
- アルミニウムもしくはその合金薄膜上に高融点金属ま
たはその化合物を積層した配線を有し、且つ外部電極取
り出し用のボンディングパッド領域の少なくとも一部は
該高融点金属またはその化合物が除去されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295069A JPH02140955A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63295069A JPH02140955A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140955A true JPH02140955A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17815915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63295069A Pending JPH02140955A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140955A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685088A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH07201986A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100336776B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2002-05-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 패드 형성방법 |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP63295069A patent/JPH02140955A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0685088A (ja) * | 1992-09-04 | 1994-03-25 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH07201986A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100336776B1 (ko) * | 1999-11-29 | 2002-05-16 | 박종섭 | 반도체 소자의 패드 형성방법 |
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