JPH02273343A - 光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は光情報記録媒体に関し、より詳細には、光情報
記録媒体の保護層の改良に関する。

［従来の技術］ 一般に、光情報記録媒体には記録層の耐食性を向上させ
るための保護層が形成されており、特に光磁気記録媒体
においては、記録層が非常に酸化され易い材料により形
成されていることが多いため、記録層の上下両面を保護
層で挟み込む構造（いわゆるサンドイッチ構造）を採る
ことにより耐食性を向上させようとしているものが多い
。

第２図は、このような光磁気記録媒体の層構造を表わし
た断面図である。図において、１は基体、２と４は保護
層、３は記録層である。

かかる構造における保護層２．４の材料としては、例え
ば、Ｓｉｎ、ＳｉＯ２，５ｆ３Ｎ４゜ＺｎＳ等を用いた
ものが従来試みられていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、このような従来の保護層では、例えば、これら
の保護膜の中で比較的保護特性が高いとされるＳ　ｉ　
Ｎ４を用いた光磁気ディスクでさえ、高温高湿下で加速
劣化テストを行なうと、剥離やクラックを生じ、記録層
を劣化させてしまうなど、いまだ十分な耐食性を保証で
きるとはいえなかった。

本発明は、緻密性が高く、かつ密着力に優れた保護層を
提供し、光情報記録媒体の耐食性を飛躍的に向上させる
ことを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明の要旨は、基体上に記録層および少なくとも一以
上の保護層を有する光情報記録媒体において、当該少な
くとも一以上の保ｉ！層の少なくとも一層として、（Ｓ
　ｉ　１００−ｘ　Ｚ　ｒｘ　）　ｙ　Ｎ　ｔｏｏ−ｙ
（但し、Ｏ＜ｘ＜８０．３０＜ｙ＜７０）を主成分とす
る膜を用いることを特徴とする光情報記録媒体に存在す
る。

以下、本発明の構成について、詳細に説明する。

（層構造） 本発明による光情報記録媒体の層構造は、特に限定され
るものではない。第２図に示したような層構造を有する
ものでもよいし、保護層を１層しか有さないものでもよ
く、また保護層を３層以上有するものでもよい。さらに
は、他の目的のための層を具備するものであっても何ら
差しつかえない。

（保護層） 保護層は、（Ｓ　ｉ　ｔｏｏ−ｘ　Ｚ　ｒｘ　）　ｙ　
Ｎ１００−ｙのみから形成されてもよく、また、何らか
の添加物を加えて形成されてもよい。すなわち、主成分
が（Ｓ　ｉ　ｔｏｏ−Ｘ　Ｚ　ｒｘ　）　ｙ　Ｎ１００
−ｙであれば、本発明の効果を得ることができる。

なお、複数の保護層を有する光情報記録媒体にあっては
、全ての保護層について、（Ｓｉ１００−ウＺｒつ）＋
ｌＮ１００−７を主成分とする保護層を用いてもよいし
、また一部の保護層についてのみ使用してもよい。

（基体） 本発明は、基体の材料等を特に限定するものではない。

例えば、ガラス基板、ポリカーボネイト基板等、従来光
情報記録媒体の基体として使用されていたものはすべて
使用可能である。

（記録層） 記録層としては、光情報記録媒体の記録層としての作用
を有するものであればすべて使用可能である。例えば光
磁気記録媒体の場合であれは、Ｔｂ−Ｆｅ、Ｔｂ−Ｆｅ
−Ｃｏ、Ｔｂ−Ｃｏ。

Ｇａ−Ｔｂ−Ｃｏ等が使用出来る。

［作　用コ 本発明によれば、保護膜として、緻密性および密着性に
優れた（　Ｓ　ｆ　１００−ｘ　Ｚ　ｒｘ　）　ｙ　Ｎ
　１００−ｙ膜を用いたので、光情報記録媒体の耐食性
を飛躍的に向上させることがで餘る。

さらに、（Ｓ　ｉ　Ｉ（ＩＱ−ｘ　Ｚ　ｒ　ｗ　）　ｙ
　Ｎ　１ｏ（１−ｙ膜は従来保護層として用いられてい
たものよりも屈折率が高いため、光磁気記録媒体の保護
層として用いる場合にはカーエンハンス効果がより効率
的に行なわれ、光磁気記録媒体の信号特性の向上に寄与
するという長所を併せ持つ。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例として、光磁気ディスクの場合
を例にとって説明する。

（試料の作製） Ｓｉ−Ｚｒ−Ｎ膜を保護層とする本実施例としての光磁
気ディスクを作製した。

本実施例の光磁気ディスクの構造は、第２図に示したと
おりとした。また、基体としてはポリカーボネイト基板
を用い、記録層としてはＴｂ２ｙＦｅ６ｓＣＯ＋。合金
膜を用いた。なお、記録層の膜厚は８００人とし、保護
層の膜厚は９００人とした。以下、本実施例としての光
磁気ディスクの製造方法について説明する。

■ポリカーボネイト基板を真空槽に導入した。

■ＳｔＳ−ターゲット上ｒチップを置き、導入ガスとし
てＡ　ｒ　＋　Ｎ　ｘ　　（Ｎ　２３０％）を用い、ガ
ス圧１．０ｘｌＯ−２ｔｏｒｒで反応スパッタにより、
保護層としての５ｉ−Ｚｒ−Ｎ膜を生成した。

■保護層上に、記録層としてのＴ　ｂ　２７Ｆ　ｅ　６
３Ｃｏ−、（、合金膜を生成した。

■最後に、該記録層上に、上記■と同様にして、５ｔ−
Ｚｒ−Ｎ膜を生成し、第２の保護層とした。

本実施例では、以上のようにして、光磁気ディスクを作
製したが、その他、複合ターゲットを使用する方法や、
ターゲットとしてＺｒＮを含有したＳｉ３Ｎ４焼結体を
用いる方法でもよい。

続いて、本実施例光磁気ディスクと同様の方法により、
比較のための光磁気ディスクとして、Ｓｉ３Ｎ４膜を保
護層とする光磁気ディスクとＺｎＳ膜を保護層とする光
磁気ディスクとを作製した。層構造、保護層の膜厚およ
び記録層の膜厚・材料は、本実施例光磁気ディスクと同
じとした。

（恒温恒温試験） Ｓｉ−Ｚｒ−Ｎ膜を保護層とする光磁気ディスクと、Ｓ
ｉ３Ｎ４膜を保護層とする比較のための光磁気ディスク
とを、７０℃、９０％ＲＨの条件に設定した恒温恒湿槽
内に放置し、各光磁気ディスクのビットエラー発生率（
Ｂ、Ｅ、Ｒ，）の経時変化を測定した。

結果を第１図に示す。

第１図から明らかなように、５ｉ３Ｎ４１１＠を保護層
として用いた光磁気ディスク（比較例）は、２００時間
を経過した付近からビットエラー発生率が急激に増加し
ている。これに対して本発明の光磁気ディスクは、１０
０００時間経過後においてもビットエラー発生率の増加
は非常に少なかつた。

また、Ｓｉ３Ｎ４膜を保護層として用いた光磁気ディス
クでは剥離やクラックが発生したが、本発明の光磁気デ
ィスクではほとんど発生しなかった。このことより、保
護層の密着性が大幅に向上されていることがわかる。

（ＮａＣｊ！水溶液滴下テスト） Ｓｉ−Ｚｒ−Ｎ膜を保護層とする光磁気ディスク、Ｓｉ
３Ｎ４膜を保護層とする光磁気ディスクおよびＺｎＳ膜
を保護層とする光磁気ディスクについて、ディスク上に
ＩＮのＮａＣＪ２水溶液を滴下し、ピンホールの発生状
況を光学顕微鏡により観察した。

その結果、ＺｎＳ膜を保護層とする光磁気ディスクでは
、滴下後約１０分でピンホールが発生し始めた。また、
Ｓｉ３Ｎ４膜を保護層とする光磁気ディスクは、ＺｎＳ
膜の場合よりはやや少なかフたものの、相当量のピンホ
ールが発生した。しかし、５ｔ−Ｚｒ−Ｎ膜を保護層と
する光磁気ディスクでは、とンホールはまったく発生し
なかった。

この結果、５ｔ−Ｚｒ−Ｎ膜は、Ｓｉ、Ｎ４膜やＺｎＳ
膜よりも緻密であり、かつ、より優れた遮蔽効果を有す
ることが確認された。

以上のことから、本実施例によれば、従来よりも長期的
信頼性が格段に優れた光磁気ディスクを得ることができ
ることがわかった。

（屈折率の評価） Ｓｉ３Ｎ、膜と５ｔ−Ｚｒ−Ｎ膜を、それぞれカバーガ
ラスの上に成膜し、それぞれ膜の屈折率をエリプソメー
タを用いて測定した。結果を第１表に示す。

第１表 カーエンハンス効果を期待でき、記録再生特性を向上さ
せることができることがわかった。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、従来に比べ、長
期的信頼性が格段に優れた光情報記録媒体を提供するこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は高温高湿下における光情報記録媒体のビットエ
ラー発生率の経時変化を示すグラフ、第２図は光情報記
録媒体の層構造の一例を示す断面図である。 １・・・基板、２．４・・・保護層、３・・・記録層。 特許出願人　積水化学工業株式会社 代表者　廣　１）　馨 以上より、５ｉ−Ｚｒ−Ｎ膜は、Ｓｉ３Ｎ４膜に比べて
屈折率が大きく、従って、より効率的な第 図 時間［ｈｏｕｒｌ 第 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基体上に記録層および少なくとも一以上の保護層を有
   する光情報記録媒体において、当該少なくとも一以上の
   保護層の少なくとも一層として、（Ｓｉ＿１＿０＿０＿
   −＿ｘＺｒ＿ｘ）＿ｙＮ＿１＿０＿０＿−＿ｙ（但し、
   ０＜ｘ＜８０、３０＜ｙ＜７０）を主成分とする膜を用
   いたことを特徴とする光情報記録媒体。