JPH02273970A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPH02273970A JPH02273970A JP1094323A JP9432389A JPH02273970A JP H02273970 A JPH02273970 A JP H02273970A JP 1094323 A JP1094323 A JP 1094323A JP 9432389 A JP9432389 A JP 9432389A JP H02273970 A JPH02273970 A JP H02273970A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shielding film
- silicon dioxide
- film
- aluminum
- dioxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、インターライン転送方式〇ＣＤのスミア特性
を改善した固体撮像装置に関する。
を改善した固体撮像装置に関する。
（従来の技術）
第２図は固体撮像装置の方式として、現在主流となって
いるインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置の単位画素
を示す。
いるインターライン転送方式ＣＣＤ撮像装置の単位画素
を示す。
図において、１はＰ形シリコン基板、２はＮ影領域で、
前記Ｐ形シリコン基板１とＰＮ接合フォトダイオードを
形成する。３は画素分離部のチャネルストッパーを形成
するＰ０形領域、４はｃｃＤ転送チャネル部となるＮ影
領域、５は紙面に対し垂直な方向に電荷を転送するため
の転送ゲートとなる多結晶ポリシリコン、６は絶縁膜を
形成する二酸化シリコン膜、７は上記ＰＮ接合フォトダ
イオード以外への入射光Ａを遮光するためのアルミニウ
ム遮光膜、Ｑはこのアルミニウム遮光膜の開口幅、ｄ２
は感光部８上の二酸化シリコン膜６の膜厚、ｄ２′は多
結晶ポリシリコン５とアルミニウム遮光膜７間の二酸化
シリコン膜６の膜厚である。
前記Ｐ形シリコン基板１とＰＮ接合フォトダイオードを
形成する。３は画素分離部のチャネルストッパーを形成
するＰ０形領域、４はｃｃＤ転送チャネル部となるＮ影
領域、５は紙面に対し垂直な方向に電荷を転送するため
の転送ゲートとなる多結晶ポリシリコン、６は絶縁膜を
形成する二酸化シリコン膜、７は上記ＰＮ接合フォトダ
イオード以外への入射光Ａを遮光するためのアルミニウ
ム遮光膜、Ｑはこのアルミニウム遮光膜の開口幅、ｄ２
は感光部８上の二酸化シリコン膜６の膜厚、ｄ２′は多
結晶ポリシリコン５とアルミニウム遮光膜７間の二酸化
シリコン膜６の膜厚である。
このような構成となっているので、斜め方向から来た入
射光Ａ（破線）は、Ｐ形シリコン基板１の表面上、つま
り感光部８で反射され、次にアルミニウム遮光膜７へ再
反射し、ＣＣＤ電荷転送チャネル部となるＮ影領域４へ
入射して電荷を発生させる。
射光Ａ（破線）は、Ｐ形シリコン基板１の表面上、つま
り感光部８で反射され、次にアルミニウム遮光膜７へ再
反射し、ＣＣＤ電荷転送チャネル部となるＮ影領域４へ
入射して電荷を発生させる。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、上述したような従来の構成ではスミアの
発生という大きな問題があった。以下、第２図によりス
ミアの説明を行なう。
発生という大きな問題があった。以下、第２図によりス
ミアの説明を行なう。
インターライン転送方式ＣＣＤのスミアは、入射光Ａ（
破線）がＰ形シリコン基板１の表面で反射され、この反
射光の一部がアルミニウム遮光膜７で再び反射されＣＣ
Ｄ電荷転送チャネル部となるＮ影領域４へ漏れ込むこと
によって生じる成分が主なものである。そこで、アルミ
ニウム遮光膜７の開口幅Ｑを小さくして斜めから入り込
む入射光Ａの進入を防ぐ方法が一般に用いられているが
、入射光の減少をともない、固体撮像装置の特性として
重要な感度が低下するという問題が生じる。
破線）がＰ形シリコン基板１の表面で反射され、この反
射光の一部がアルミニウム遮光膜７で再び反射されＣＣ
Ｄ電荷転送チャネル部となるＮ影領域４へ漏れ込むこと
によって生じる成分が主なものである。そこで、アルミ
ニウム遮光膜７の開口幅Ｑを小さくして斜めから入り込
む入射光Ａの進入を防ぐ方法が一般に用いられているが
、入射光の減少をともない、固体撮像装置の特性として
重要な感度が低下するという問題が生じる。
（ａＭを解決するための手段）
本発明は上記の問題点を解決するために、ＰＮ接合フォ
トダイオード上の二酸化シリコン膜の膜厚ｄ、を多結晶
ポリシリコンとアルミニウム遮光膜との間の二酸化シリ
コン膜の膜厚ｄ１′より大幅に薄くし、かつ入射光の開
口部側壁をアルミニウム遮光膜で形成することによって
、アルミニウム遮光膜とＰＮ接合フォトダイオード表面
との距離を短くし、入射光がＣＣＤ転送チャネル部とな
るＮ影領域へ漏れ込むことがないようにしたことを特徴
とするものである。
トダイオード上の二酸化シリコン膜の膜厚ｄ、を多結晶
ポリシリコンとアルミニウム遮光膜との間の二酸化シリ
コン膜の膜厚ｄ１′より大幅に薄くし、かつ入射光の開
口部側壁をアルミニウム遮光膜で形成することによって
、アルミニウム遮光膜とＰＮ接合フォトダイオード表面
との距離を短くし、入射光がＣＣＤ転送チャネル部とな
るＮ影領域へ漏れ込むことがないようにしたことを特徴
とするものである。
（作 用）
上記の構成により、ＰＮ接合フォトダイオード上のアル
ミニウム遮光膜の感光部上での開口幅を小さくすること
なくＰＮ接合フォトダイオード表面で反射された入射光
は側壁のアルミニウム遮光膜で再び反射されＣＣＤ転送
チャネル部となるＮ影領域内へ漏れ込む成分は大幅に抑
えられ、スミア現象を減少させ、高感度で低スミアの固
体撮像装置を得ることが出来る。
ミニウム遮光膜の感光部上での開口幅を小さくすること
なくＰＮ接合フォトダイオード表面で反射された入射光
は側壁のアルミニウム遮光膜で再び反射されＣＣＤ転送
チャネル部となるＮ影領域内へ漏れ込む成分は大幅に抑
えられ、スミア現象を減少させ、高感度で低スミアの固
体撮像装置を得ることが出来る。
（実施例）
第１図は本発明による固体撮像装置の一実施例の断面模
式図を示したものである。第１図は、第２図と対比して
、Ｐ形シリコン基板１とＮ影領域２とでなるＰＮ接合フ
ォトダイオード上の絶縁膜（二酸化シリコン膜６）の膜
厚ｄ１及び側壁のアルミニウム遮光膜７′以外は同じで
ある。即ち第１図において、ＰＮ接合フォトダイオード
上の二酸化シリコン膜６の膜厚ｄ１は例えば１０００人
、転送ゲートとなる多結晶ポリシリコン５とアルミニウ
ム遮光膜７間の二酸化シリコン膜６の膜厚ｄ２′は例え
ば６０００人で構成した。ＰＮ接合フォトダイオード上
の二酸化シリコン膜６の側壁にはアルミニウム遮光膜７
′が形成されている。
式図を示したものである。第１図は、第２図と対比して
、Ｐ形シリコン基板１とＮ影領域２とでなるＰＮ接合フ
ォトダイオード上の絶縁膜（二酸化シリコン膜６）の膜
厚ｄ１及び側壁のアルミニウム遮光膜７′以外は同じで
ある。即ち第１図において、ＰＮ接合フォトダイオード
上の二酸化シリコン膜６の膜厚ｄ１は例えば１０００人
、転送ゲートとなる多結晶ポリシリコン５とアルミニウ
ム遮光膜７間の二酸化シリコン膜６の膜厚ｄ２′は例え
ば６０００人で構成した。ＰＮ接合フォトダイオード上
の二酸化シリコン膜６の側壁にはアルミニウム遮光膜７
′が形成されている。
このように構成されているので、斜めから入射しＰ形シ
リコン基板１の表面上で反射された入射光Ａ（破線）は
、前記二酸化シリコン膜６の側壁のアルミニウム遮光膜
７′によって大部分が遮光される。これによって、スミ
アは従来のほぼ１７２程度に抑えることができる。
リコン基板１の表面上で反射された入射光Ａ（破線）は
、前記二酸化シリコン膜６の側壁のアルミニウム遮光膜
７′によって大部分が遮光される。これによって、スミ
アは従来のほぼ１７２程度に抑えることができる。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、固体撮像装置は基
本特性であるスミアの主な発生原因となるアルミニウム
遮光膜とＰ形シリコン基板間から進入する入射光をきわ
めて少なくすることができ。
本特性であるスミアの主な発生原因となるアルミニウム
遮光膜とＰ形シリコン基板間から進入する入射光をきわ
めて少なくすることができ。
低スミア特性が実現できる。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置の断面模
式図、第２図は従来の固体撮像装置の断面模式図である
。 １ ・・・Ｐ形シリコン基板、 ２・・・Ｎ影領域、
３・・・Ｐ０形領域、４・・・Ｎ影領域。 ５・・・多結晶ポリシリコン、 ６ ・・・二酸化シリ
コン膜、 ７ ・・・アルミニウム遮光膜、 ７″・・
・側壁のアルミニウム遮光膜、８・・・感光部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 を 図 第 図
式図、第２図は従来の固体撮像装置の断面模式図である
。 １ ・・・Ｐ形シリコン基板、 ２・・・Ｎ影領域、
３・・・Ｐ０形領域、４・・・Ｎ影領域。 ５・・・多結晶ポリシリコン、 ６ ・・・二酸化シリ
コン膜、 ７ ・・・アルミニウム遮光膜、 ７″・・
・側壁のアルミニウム遮光膜、８・・・感光部。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 を 図 第 図
Claims (1)
- ＰＮ接合フォトダイオード上の二酸化シリコン膜の膜厚
を、電荷を転送するための転送ゲートとなる多結晶ポリ
シリコンと前記ＰＮ接合フォトダイオード以外への入射
光を遮光するためのアルミニウム遮光膜との間の二酸化
シリコン膜の膜厚より薄くし、かつ入射光の開口部壁も
アルミニウム遮光膜で形成したことを特徴とする固体撮
像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094323A JPH02273970A (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1094323A JPH02273970A (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02273970A true JPH02273970A (ja) | 1990-11-08 |
Family
ID=14107075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1094323A Pending JPH02273970A (ja) | 1989-04-15 | 1989-04-15 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02273970A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350057A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS63272069A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
-
1989
- 1989-04-15 JP JP1094323A patent/JPH02273970A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350057A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPS63272069A (ja) * | 1987-04-30 | 1988-11-09 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
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