JPH02275651A

JPH02275651A - バンプ転写方法

Info

Publication number: JPH02275651A
Application number: JP9721589A
Authority: JP
Inventors: Minoru Hirai; 平井　稔
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1989-04-17
Filing date: 1989-04-17
Publication date: 1990-11-09

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】「産業上の利用分野コこの発明は、バンプ転写方法に関し、詳しくは、テープ
キャリア方式（ＴＡＢ）によって製造される半導体装置
において使用されるバンプ付きテープキャリアを製造す
るためのバンプ転写方法の改良に関する。

［従来の技術］一般に、ＴＡＢ方式は、ポリイミド等の合成樹脂の薄い
フィルム状テープの表面に銅等の金属箔をラミネートし
て、これをエツチングすることでリードを多数本形成す
る。そして、この各リードの先端側部分又は半導体チッ
プの端子部分に金バンプ等を転写して接着しておき、こ
の金バンブ等を介してリードと半導体チップとをボンデ
ィング接続する。その後、各リードを前記テープから切
り離すことで、リード付きの半導体チップを得ている。

このような半導体装置の製造方法では、あらかじめリー
ド先端部又は半導体チップの端子にバンプを転写接着し
ておくことが必要となるが、そのための従来のバンプ転
写方法としては、バンプ形成基板が用いられ、ここで形
成されたバンプをこれからテープキャリアのリードの先
端部に転写している。この転写には、まず、基板上のバ
ンプをカメラ等で監視して認識し、リードの先端部とバ
ンプとの位置合わせをして、その後にこれらを重ね合わ
せて加熱加圧することで前記の転写が行われる。

［解決しようとする課題］このような従来のバンプ転写方法では、バンプ形成基板
上のバンプの位置を認識する場合、バンプの位置を直接
認識することになるが、バンプは、通常、電気めっきで
形成され、その厚さが３０±２μｍ程度で、その幅が８
０±４μｍ程度であり、その位置にはばらつきがある。

そこで、バンプを直接認識した場合に認識誤差による位
置ずれが発生し易い。また、各バンプと各インナーリー
ドの先端部とが均一に位置決めされるように位置合わせ
することが難しく、バンプの転写に時間を要する欠点が
ある。

この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、効率よくバンプの転写ができるバンプ転写
方法を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］このような目的を達成するためのこの発明のバンプ転写
方法の構成は、ＩＣチップに対応してバンプを形成する
バンプ形成領域の内側であってかつこの内側の上下及び
左右のそれぞれのいずれか一方においてバンプが載置さ
れるバンプ形成基板の膜に第１のマークを形成しかつ上
下及び左右のそれぞれのいずれか他方において前記膜に
第２のマークを形成するマーク形成工程と、形成された
第１及び第２のマークを基準にして膜」−にバンプを形
成するバンプ形成工程と、第１及び第２の位置合わせマ
ークを基準にしてバンプ形成工程で形成されたバンプを
テープキャリア上のリードに転写するバンプ転写工程と
を備えるものである。

［作用］このように、バンプ形成基板のバンプ形成領域の内側で
かつこの内側の上下及び左右のそれぞれのいずれか一方
においてバンプが載置される膜に第１のマークを形成し
かつ上下及び左右のそれぞれのいずれか他方において前
記膜に第２のマークを形成するようにしているので、こ
れらのマークは、バンプの形成よりも精度が高く、かつ
、ばらつきが小さなものとなる。

その結果、このマークを基準としてバンプを転写するよ
うにすることで、位置認識及びバンプとリードとの位置
合わせが容易となり、かつ、位置認識に対する誤差も小
さくでき、インナリードに対する位置合わせ精度を向上
させることができる。

［実施例コ以下、この発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。

第１図は、この発明のバンプ転写方法を適用した一実施
例のバンプ転写工程の説明図であり、第２図は、そのバ
ンプとテープキャリアきの状態についての各工程に対応
する説明図である。

第１図の位置合わせマーク付きバンプ形成基板製造工程
Ａでは、第２図の（ａ）に示ように、テープキャリアに
対応してバンプ形成基板３　ｋにおいて、それぞれのＩ
Ｃチップに対応するように配列され、かつ、それぞれが
矩形状に配列される点線で示すようなバンプ１，１．１
・・・の形成領域２に対応して、その内側に十字状に打
ち抜きされたパターンをバンプの位置合わせマーク２　
ａ　＋２ｂ（以下、単にマーク２ａ、２ｂ）として中心
を挟んで対角線上に十字の交点が配置されるように形成
する。

ここで形成されるマーク２ａ、２ｂは、第２図の（ｂ）
の側面図の一点鎖線で示すように、形成されるバンプ１
の高さ（厚さ）を３０±２μｍとすると、これより薄く
、１０±２μｍ〜２０±２μｍ程度で形成される、バン
プ１が載置されるＴｌ−Ｐｔの金属膜層３ａに点線で示
すよに刻印として形成するものである。

すなわち、この工程では、十字状のマーク２ａ。

２ｂとして、例えば、スパッタリングによりＴトルｔの
スパッタ膜をガラス基板３ｂＪ−、にまず形成した後に
十字状にエツチングすることで得るものである。なお、
バンプ形成基板として使用する表面コーテング膜として
はＩＴＯ膜等を使用してもよい。

ここで、マーク２ａと２ｂとの位置としては、それぞれ
がバンプ形成領域２の上ドのいずれか一方及び他方に配
置され、かつ、それぞれが左右のいずれか一方及び他方
に配置されるように割り当てられていれば十分であり、
これにより十字の交点からバンプの形成領域２の中心（
或は原点）位置を算出することができる。また、前記の
マーク２　ａ　＊　２　ｂは、別工程でバンプ形成基板
３の表面膜のコーテングと同時にあらかじめバンプ１を
形成する形成領域２の中心位置を得るものとしてバンプ
形成基板３にあらかじめ形成されたものを使用してもよ
い。

次のマークを基準としたバンプ形成工程Ｂでは、先の工
程Ａで形成した十字状に打ち抜かれたマーク２ａ、２ｂ
を基準にしてバンプ１，１，１・壷・の形成領域２に、
第２図の（Ｃ）に示すように、バンプ１．１，１・・・
を形成する。その結果、テープキャリアに対応してバン
プ形成基板３上にそれぞれのＩＣチップに対応するよう
に配列され、かつ、それぞれが矩形状に配列されたバン
プ１゜１．１・Φ・が形成され、この形成と同時に、そ
の内側には、すでに形成済みの十字状のマーク２ａ　＋
　　２　ｂが存在しているバンプ形成基板３をこの工程
で得ることができる。

第２図の（ｄ）は、このときのバンプ１を中心とした側
面図である。

次のキャリアテープとの位置合わせマーク位置合わせ工
程Ｃでは、このような位置合わせマーク付きバンプを有
するバンプ形成基板３を第２図（ｅ）に示すように、テ
ープキャリア４の下側に配置して上下関係に保持して、
これらの上部に配置されているカメラ等の認識光学系（
図示せず）によりマーク２　ａ　ｖ　２　ｂを認識する
。そして、バンプの形成領域２の中心点を算出し、この
中心をリード５，５．・・・の先端部５　ａ　＊　５　
ａ　＋　　・壷・が形成する領域の中心に一致するよう
な位置決めすれば容易に位置合わせができる。また、こ
れとは別に、マーク２ａ、２ｂについてあらかじめ設定
されたマーク基準位置を設けておき、これに位置決めす
ることもできる。なお、この場合、マーク２　ａ　＋　
　２　ｂが位置決めされる基準位置は、テープキャリア
４が位置決めされる基準位置に対応して位置合わせマー
ク基準位置として認識光学観測系に設けるものである。

この基準位置にマーク２ａ、２ｂが位置決めすることで
、各リード５の先端ｆ１５ａとバンプ１とが平均的な位
置合わせ状態で位置合わせされることになる。ここで、
各バンプ１と各リード５との全体的な関係を観測光学系
で観測して必要に応じて多少の位置修正を行ってもよい
。

次のバンプ転写工程りでは、テープキャリア４側を降下
（或はバンプ形成基板３を上昇）させて、各リード５の
先端ｍ５ａと各バンプ１とを重ね合わせて加熱加圧（そ
の機構は図示していない）してこれらを転写する。この
転写後の状態を反転して示すのが第２図の（ｆ）である
。

以上のようにすれば、十字状マーク２ａ、２ｂの形成が
バンプが載置されるＴｌ−Ｐｔの金属膜層３ａの薄い膜
として行われるので、そのパターンの形成精度は高くな
り、ばらつきがバンプよりはるかに小さくなる。したが
って、バンプの認識誤差よりこれに対する位置認識誤差
が小さくなり、インナリードに対する位置合わせ精度を
向上させることができる。また、この場合、２つの十字
位置合わせマークを認識することで位置合わせが行われ
るので、位置合わせが容易となり、位置合わせに要する
時間が短縮される。

以上説明してきがた、実施例では、位置合わせマークを
２つ設けているが、位置合わせマークは、３以上であれ
ばいくつあってもよく、位置合わせマークは十字状のパ
ターンに限定されない。また、これら位置合わせマーク
が上下及び左右に分散されて、いずれか１つが−Ｌ下及
び左右のそれぞれのうちの一方の領域に割り当てられ、
いずれか他方が上下及び左右のそれぞれのうちのいずれ
か他方に割り当てたれていればよい。

［発明の効果コ以上の説明から理解できるように、この発明では、バン
プ形成基板のバンプ形成領域の内側でかつこの内側の上
下及び左右のそれぞれのいずれか一方においてバンプが
載置される膜に第１のマークを形成しかつ上下及び左右
のそれぞれのいずれか他方において前記膜に第２のマー
クを形成するようにしているので、これらのマークは、
バンプの形成よりも精度が高く、かつ、ばらつきが小さ
なものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明のバンプ転写方法を適用した一実施
例のバンプ転写工程の説明図、第２図は、そのバンプと
テープキャリアの杖態についての各［程に対応する説明
図である。１・・・バンプ、２・・・バンプ形成領域、２　ａ　＋
　２　ｂ・・・位置合わせマーク、３・・・バンプ形成
基板、４・・・テープキャリア、５・・・リード、５ａ
・・・リードの先端部。第図（ｄ）（ｅ）（ｆ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）ＩＣチップに対応してバンプを形成するバンプ形
成領域の内側であってかつこの内側の上下及び左右のそ
れぞれのいずれか一方において前記バンプが載置される
バンプ形成基板の膜に第１のマークを形成しかつ前記上
下及び左右のそれぞれのいずれか他方において前記膜に
第２のマークを形成するマーク形成工程と、形成された
第１及び第２のマークを基準にして前記膜上にバンプを
形成するバンプ形成工程と、前記第１及び第２の位置合
わせマークを基準にして前記バンプ形成工程で形成され
たバンプをテープキャリア上のリードに転写するバンプ
転写工程とを備えることを特徴とするバンプ転写方法。