JPH02276237A - 荷電ビームレジストの積層方法 - Google Patents
荷電ビームレジストの積層方法Info
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- JPH02276237A JPH02276237A JP1096247A JP9624789A JPH02276237A JP H02276237 A JPH02276237 A JP H02276237A JP 1096247 A JP1096247 A JP 1096247A JP 9624789 A JP9624789 A JP 9624789A JP H02276237 A JPH02276237 A JP H02276237A
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- thin film
- conductive
- semiconductor substrate
- film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分舒）
この発明は、荷電ビーム露光における試料の蓄積電荷を
確実に放電できるようにした荷電ビームレジストの積層
方法に関するものである。
確実に放電できるようにした荷電ビームレジストの積層
方法に関するものである。
（従来の技術）
従来から荷電ビーム、特に電子ビームを用いて感応性樹
脂（以下荷電ビームレジストと呼ぶ）にパターンを描画
する方法が研究開発され、半導体製造用ホトマスクの製
作に広く使用されている。
脂（以下荷電ビームレジストと呼ぶ）にパターンを描画
する方法が研究開発され、半導体製造用ホトマスクの製
作に広く使用されている。
さらに、半導体ウェハ上の荷電ビームレジストに直接電
子ビームを照射し、パターンを描画する所請電子ビーム
直接描画方法も実用化へ向け、開発が進んでいる。
子ビームを照射し、パターンを描画する所請電子ビーム
直接描画方法も実用化へ向け、開発が進んでいる。
ところで、荷電ビームを絶縁膜に照射すると、絶縁膜中
に電荷の蓄積（チャージアップ）が起こる。この蓄積電
荷により、描画用の荷電ビームの飛程が曲げられ、所望
のパターンを精度良く描画できないという問題が起こる
。この問題を解決するために、特開昭５７−１０６０３
４号公報、特開昭５８−１０６８３１号公報、特開昭６
０−５３０２３号公報、特開昭６０−７４５２１号公報
等に開示される方法が試みられている。これらはいずれ
もレジスト上に導電性の薄膜を形成するか、もしくはレ
ジスト表面を導電性の膜に改質する方法である。
に電荷の蓄積（チャージアップ）が起こる。この蓄積電
荷により、描画用の荷電ビームの飛程が曲げられ、所望
のパターンを精度良く描画できないという問題が起こる
。この問題を解決するために、特開昭５７−１０６０３
４号公報、特開昭５８−１０６８３１号公報、特開昭６
０−５３０２３号公報、特開昭６０−７４５２１号公報
等に開示される方法が試みられている。これらはいずれ
もレジスト上に導電性の薄膜を形成するか、もしくはレ
ジスト表面を導電性の膜に改質する方法である。
上記各公報のうち、特開昭５８−１０６８３１号公報の
第２図（ａ）には、上面に酸化シリコン膜の開口を有す
るシリコン基板上に被加工物としてのアルミ膜を堆積す
ることが記載されている。
第２図（ａ）には、上面に酸化シリコン膜の開口を有す
るシリコン基板上に被加工物としてのアルミ膜を堆積す
ることが記載されている。
このアルミ膜は被加工物としてのアルミ膜であり、した
がって、開口部は半導体装置の形成されない四角に設け
らろものではない。
がって、開口部は半導体装置の形成されない四角に設け
らろものではない。
ここで、電荷を放電する具体的な経路について考えてみ
る。試料を通常カセットと呼ばれる治具に挿入し、この
カセットに装着されている導通ピンと、試料上の導電性
薄膜とを接触させることにより、電荷は導通ピンを経由
して外部へ放電される。
る。試料を通常カセットと呼ばれる治具に挿入し、この
カセットに装着されている導通ピンと、試料上の導電性
薄膜とを接触させることにより、電荷は導通ピンを経由
して外部へ放電される。
したがって、導通ピンと導電性薄膜との接触の程度、す
なわち、電気的接続程度が、前述した電荷の蓄積を防止
する上で重要なポイントとなる。
なわち、電気的接続程度が、前述した電荷の蓄積を防止
する上で重要なポイントとなる。
しかしながら、前記各公報に示される方法は、荷電ビー
ムレジストもしくはホトレジストなど有機膜上に導電性
薄膜を形成している。
ムレジストもしくはホトレジストなど有機膜上に導電性
薄膜を形成している。
このため、試料をカセットに挿入し、導通ピンと導電性
薄膜を接触させようとするとき、この導電性薄膜下の有
機膜の脆弱性のため、導通ピンを接触させたとき、ある
いは導通ピンを接触させた後の試料の移動などにより、
前記有機膜とともに導電性薄膜も崩れてしまう。
薄膜を接触させようとするとき、この導電性薄膜下の有
機膜の脆弱性のため、導通ピンを接触させたとき、ある
いは導通ピンを接触させた後の試料の移動などにより、
前記有機膜とともに導電性薄膜も崩れてしまう。
この結果、導電性薄膜と導通ピンとの接触が不完全とな
り、電気的接続が断たれるため、蓄積電荷を放電しない
という問題点があった。
り、電気的接続が断たれるため、蓄積電荷を放電しない
という問題点があった。
ここで、上記各公報のうち、特開昭５７−１０６０３４
号公報に開示される方法を例にとり、上記問題点を第２
図で説明する。
号公報に開示される方法を例にとり、上記問題点を第２
図で説明する。
この公報によれば、第２図（Ａ）に示すように、まず、
パターンを形成すべき所望の基板１１を用意する。
パターンを形成すべき所望の基板１１を用意する。
次に、第２図（Ｂ）に示すように、基板１１上にホトレ
ジスト層１２、導電性層１３、および荷電粒子線レジス
ト１４をそれらの順に積層し、積層Ｕを形成するる 次に、第２図（Ｃ）に示すように、荷電粒子線ビーム１
５を荷電粒子線レジスト１４の照射領域１６に照射する
旨が説明されている。
ジスト層１２、導電性層１３、および荷電粒子線レジス
ト１４をそれらの順に積層し、積層Ｕを形成するる 次に、第２図（Ｃ）に示すように、荷電粒子線ビーム１
５を荷電粒子線レジスト１４の照射領域１６に照射する
旨が説明されている。
この公報に記載されているこれ以降の工程は、いま指摘
しようとする問題点には、関係しないので省略する。
しようとする問題点には、関係しないので省略する。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら、この特開昭５７−１０６０３４号公報の
問題点は上記第２図（Ｃ）の工程にある。
問題点は上記第２図（Ｃ）の工程にある。
すなわち、荷電粒子線ビーム１５を照射しようとすると
き、具体的には、前記基板１１はカセットに挿入され、
第２図（Ｄ）に示すごとく、導通ピン１７は荷電粒子線
レジスト１４、導電性層１３およびホトレジストＮ１２
を貫通してセットされろ。
き、具体的には、前記基板１１はカセットに挿入され、
第２図（Ｄ）に示すごとく、導通ピン１７は荷電粒子線
レジスト１４、導電性層１３およびホトレジストＮ１２
を貫通してセットされろ。
このとき、導電性層１３は導通ピン１７と接触部分１８
において電気的に接続される。
において電気的に接続される。
しかし、ホトレジスト層１２は一般に脆弱な性質であろ
ｔこめ、導通ピン１７を貫通させたとき、あるいは貫通
させた後の前記基板１１の期待せぬ移動などにより、崩
れることがある。
ｔこめ、導通ピン１７を貫通させたとき、あるいは貫通
させた後の前記基板１１の期待せぬ移動などにより、崩
れることがある。
このため、第２図（Ｅ）に示すように、ホトレジスト層
１２上に形成された導電性層１３も崩れてしまい、導通
ピン１７との接触部分が形成できないか、あるいは不完
全な状態となる。
１２上に形成された導電性層１３も崩れてしまい、導通
ピン１７との接触部分が形成できないか、あるいは不完
全な状態となる。
しｔ二がって、電気的接続が維持されず、蓄積電荷を外
部へ放電し得ないことになってしまう。
部へ放電し得ないことになってしまう。
このように、上記いずれの公報に開示されろ方法も、導
通ピンが接触する部分の導電性薄膜が脆弱な有機物の上
に形成されているということが本質的問題点である。
通ピンが接触する部分の導電性薄膜が脆弱な有機物の上
に形成されているということが本質的問題点である。
この発明は、前記従来技術が持っている問題点のうち、
導電性薄膜下の有機物の脆弱性に起因する導電性薄膜と
導通ピンとの接触の不完全、不確実であるといった問題
点について解決した電荷ビームレジストの積層方法を提
供するものである。
導電性薄膜下の有機物の脆弱性に起因する導電性薄膜と
導通ピンとの接触の不完全、不確実であるといった問題
点について解決した電荷ビームレジストの積層方法を提
供するものである。
（課題を解決するための手段）
この発明は、荷電ビームレジストの積層方法において、
半導体基板上に積層した薄膜およびスペーサの導通ピン
が半導体基板に接触する部分を除去して、この半導体基
板を露出させた後に全面に導電性薄膜を被着させる工程
を導入したものである。
半導体基板上に積層した薄膜およびスペーサの導通ピン
が半導体基板に接触する部分を除去して、この半導体基
板を露出させた後に全面に導電性薄膜を被着させる工程
を導入したものである。
（作 用）
この発明によれば、以上のように、荷電ビームレジスト
の積層方法において、導通ピンが接触する位置の導電性
薄膜は直接半導体基板表面と接触する。このため、半導
体基板に導通ピンを強く接触させて導電性薄膜がたとえ
崩れても、導電性薄膜は他の部分で半導体基板と接触し
ており、導通ピンは半導体基板と導通を維持することが
できろ。
の積層方法において、導通ピンが接触する位置の導電性
薄膜は直接半導体基板表面と接触する。このため、半導
体基板に導通ピンを強く接触させて導電性薄膜がたとえ
崩れても、導電性薄膜は他の部分で半導体基板と接触し
ており、導通ピンは半導体基板と導通を維持することが
できろ。
したがって、前記問題点を除去できる。
（実施例）
以下、この発明の荷電ビームレジストの積層方法を図面
に基づき説明する。第１図（Ａ）ないし第１図（Ｆ）は
その一実施例の工程断面図である。
に基づき説明する。第１図（Ａ）ないし第１図（Ｆ）は
その一実施例の工程断面図である。
まず、第１図（Ａ）に示すように、半導体基板２１に薄
膜として酸化シリコン膜２２が形成された試料を準備す
る。
膜として酸化シリコン膜２２が形成された試料を準備す
る。
次に、第１図（Ｂ）に示すように、酸化シリコン膜２２
の表面にスペーサとしてホトレジスト膜２３ （ＯＦＰ
Ｒ：東京応化社製）を塗布する。
の表面にスペーサとしてホトレジスト膜２３ （ＯＦＰ
Ｒ：東京応化社製）を塗布する。
その後、第１図（Ｃ１に示すように、半導体基板２１の
半導体装置が形成されない四角などの導通ピンが接触す
べき位置のホトレジスト膜２３および酸化シリコン膜２
２をレーザ照射のような手段により除去し、半導体基板
２１を露出する開口部２４を形成する。
半導体装置が形成されない四角などの導通ピンが接触す
べき位置のホトレジスト膜２３および酸化シリコン膜２
２をレーザ照射のような手段により除去し、半導体基板
２１を露出する開口部２４を形成する。
この開口部２４の大きさは導通ピンの太さや半導体基板
２１をカセット（図示していない）に挿入する際の位置
精度を勘案して決定する。
２１をカセット（図示していない）に挿入する際の位置
精度を勘案して決定する。
次に、第１図（Ｄ）に示すように、導電性薄膜２５を前
記基板表面全体に被着させろ。
記基板表面全体に被着させろ。
次に、第１図（Ｅ）に示すように、荷電ビームレジスト
膜２６ （ＳＡＬ６０１： シラプレー社製ネガ型レジ
スト）を前記基板表面全体に塗布し、荷電ビーム露光後
の準備を終える。
膜２６ （ＳＡＬ６０１： シラプレー社製ネガ型レジ
スト）を前記基板表面全体に塗布し、荷電ビーム露光後
の準備を終える。
上記のように準備した半導体基板をカセットに挿入し、
導通ピン２７を接触させると、第１図（Ｆ）に示すよう
になり、導通ピン２７は半導体基板２１に直接被着して
いる導電性薄膜２５と接触することになる。
導通ピン２７を接触させると、第１図（Ｆ）に示すよう
になり、導通ピン２７は半導体基板２１に直接被着して
いる導電性薄膜２５と接触することになる。
これにより、半導体基板に蓄積された電荷が導通ピン２
７を通して、アースに放電されろ。
７を通して、アースに放電されろ。
なお、上述の実施例では半導体基板２１上の薄膜として
、酸化シリコン膜２２を例に説明したが、酸化シリコン
膜２２に限定されることはな（、窒化シリコンなどの半
導体製造に使用される物質であれば良い。
、酸化シリコン膜２２を例に説明したが、酸化シリコン
膜２２に限定されることはな（、窒化シリコンなどの半
導体製造に使用される物質であれば良い。
また、導電性薄膜２５の下の物質としてホトレジスト膜
２３を例にとり説明したが、他の公知の物質であっても
、この発明の意図するところを逸脱するものではない。
２３を例にとり説明したが、他の公知の物質であっても
、この発明の意図するところを逸脱するものではない。
また、上記実施例において、開口部２４は、レーザ照射
により形成すれば良（、容易に形成することができろ。
により形成すれば良（、容易に形成することができろ。
さらに、導電性薄膜２５はホトレジスト膜２３の下層に
形成してもよい。
形成してもよい。
（発明の効果）
以上、詳細に説明したように、この発明によれば、導電
性薄膜を導通ピンの接触する位置で半導体基板と直接接
触するようにしたので、剛性を有する半導体基板に導通
ピンを強く接触させても、導電性薄膜は崩れることはな
く、導通ピンとの確実な電気的接続が達成できる。
性薄膜を導通ピンの接触する位置で半導体基板と直接接
触するようにしたので、剛性を有する半導体基板に導通
ピンを強く接触させても、導電性薄膜は崩れることはな
く、導通ピンとの確実な電気的接続が達成できる。
また、万一導電性薄膜が崩れたとしても、この導電性薄
膜は開口部の他の部分で半導体基板と接触しているため
、導通ピンとは半導体基板を通して電気的接続を維持す
ることができる。
膜は開口部の他の部分で半導体基板と接触しているため
、導通ピンとは半導体基板を通して電気的接続を維持す
ることができる。
したがって、導通ピンとの電気的接続が確実になり、蓄
積電荷を確実に放電することができる。
積電荷を確実に放電することができる。
これにともない、精度の良いパターン描画が可能となる
。
。
第１図（Ａ）ないし第１図（Ｆ）はこの発明の荷電ビー
ムレジストの積層方法の一実施例の工程断面図、第２図
（Ａ）ないし第２図（Ｅ）は従来のパターン化法の工程
断面図である。 ２１・・・半導体基板、２２・・・酸化シリコン膜、２
３・・・ホトレジスト膜、２４・・・開口部、２５・・
導電性薄膜、２６・・・荷電ビームレジスト膜、２７導
通ピン。 本発明カニ程断面図 第１図 イ坩束ｐバクーノ化 第′２ 逸
ムレジストの積層方法の一実施例の工程断面図、第２図
（Ａ）ないし第２図（Ｅ）は従来のパターン化法の工程
断面図である。 ２１・・・半導体基板、２２・・・酸化シリコン膜、２
３・・・ホトレジスト膜、２４・・・開口部、２５・・
導電性薄膜、２６・・・荷電ビームレジスト膜、２７導
通ピン。 本発明カニ程断面図 第１図 イ坩束ｐバクーノ化 第′２ 逸
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）半導体基板上に形成した薄膜を介してスペーサを
形成する工程と、 （ｂ）上記スペーサおよび上記薄膜の上記導通ピンが接
触する部分を除去し、上記半導体基板を部分的に露出さ
せる工程と、 （ｃ）上記スペーサの下面あるいは上面において半導体
基板表面全面に導電性薄膜を被着する工程と、よりなる
荷電ビームレジストの積層方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096247A JPH02276237A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 荷電ビームレジストの積層方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1096247A JPH02276237A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 荷電ビームレジストの積層方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02276237A true JPH02276237A (ja) | 1990-11-13 |
Family
ID=14159891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1096247A Pending JPH02276237A (ja) | 1989-04-18 | 1989-04-18 | 荷電ビームレジストの積層方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02276237A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068964A (en) * | 1997-11-13 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Method for patterning an insulator film and installing a grounding pin through electron beam irradiation |
| US6886239B2 (en) | 2002-01-23 | 2005-05-03 | Tdk Corporation | Method of making a thin-film magnetic head having a magnetoresistive device |
-
1989
- 1989-04-18 JP JP1096247A patent/JPH02276237A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6068964A (en) * | 1997-11-13 | 2000-05-30 | Nec Corporation | Method for patterning an insulator film and installing a grounding pin through electron beam irradiation |
| US6886239B2 (en) | 2002-01-23 | 2005-05-03 | Tdk Corporation | Method of making a thin-film magnetic head having a magnetoresistive device |
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