JPH02279598A - 炉芯管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に用いられる炉芯管に関する
。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程で用いられる炉芯管、特に高温で
用いられる炉芯管としては、内壁に薄膜の形成しやすい
炭化ケイ素炉芯管が用いられている。そしてこの炭化ケ
イ素炉芯管の内壁へはＣＶＤ法により、炭化ケイ素膜、
窒化ケイ素膜。

多結晶シリコン膜等がコーティングされていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の炉芯管内壁への薄膜コーティングは、Ｃ
ＶＤ法による炭化ケイ素膜等が用いられているが、沸酸
、硝酸等による洗浄工程において、コーティングされた
薄膜が浸食され、炭化ケイ素炉芯管中に不純物として存
在する鉄、ニッケル、クロム等の金属が熱拡散し、半導
体装置に悪影響を及ぼすという欠点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の炉芯管は、ケイ素炉芯管の内壁にダイヤモンド
薄膜をコーティングしたものである。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の断面図である。

第１図において、ケイ素炉芯管１の内壁には厚さ約５μ
ｍのダイヤモンド薄膜が形成されている。このように内
壁をダイヤモンド薄膜により被覆することにより、酸溶
液による洗浄によってもダイヤモンド膜は浸食されない
ため、ケイ素炉芯管中の不純物が内部に拡散されること
はなくなる。

次に、ダイヤモンド薄膜の形成方法について第２図を用
いて説明する。

まず両端部を封止したケイ素炉芯管１内を１０１〜ｌ　
０−６Ｔｏｒｒまで液体窒素トラップ１３を通して排気
する６次で反応ガスとしてのＣＨ４ガス、　Ｘｅガス又
はＥ「ガスはガスボンベ３Ａ、３Ｂ、３Ｃよりマスフロ
ーコントローラ６を通し、所定の流量にてプラズマ反応
部にある加工済のケイ素炉芯管１へ導入する。ガス混合
比は、グラファイトやカーボンの析出を抑える為に、Ｃ
）！ガスは５ｖ０１％以下とする。ガス圧力は圧力計７
にて所定の圧力に設定する。電力は周波数１３．５６Ｍ
Ｈｚ、出力２００Ｗの高周波発振器１１より誘電結合方
式により移送する。

放電によって生成された炭素イオンによるケイ素炉芯管
内壁へのスパッタリングにより、ケイ素を炭化すること
により内壁表面に炭化ケイ素が合成される０合成された
炭化ケイ素は、反応の際用いられるＸｅ又はに「ガスの
触媒作用により、更に炭化が促進され、その表面にダイ
ヤモンドが析出する。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、ケイ素炉芯管の内壁にダ
イヤモンド薄膜をコーティングすることにより、酸洗浄
に対する炉芯管の強度を強め、炉芯管内壁からの不純物
の拡散を抑制できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は炉芯管内
壁への薄膜コーティング装置の構成図である。 １・・・ケイ素炉芯管、２・・・ダイヤモンド薄膜、３
Ａ・・・ＣＨ４ガス源、３Ｂ・・・Ｘｅガス源、３Ｃ・
・・に「ガス源、４・・・ニードルバルブ、５・・・ガ
スラインフィルタ、６・・・マスフローコントローラ、
７・・・圧力計、８・・・ストップバルブ、１０・・・
誘導コイル、１１・・・高周波発振器、１２・・・電力
計、１３・・・トラップ、１４・・・真空ポンプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ケイ素炉芯管の内壁にダイヤモンド薄膜をコーティング
   したことを特徴とする炉芯管。