JPH062140A - 炉芯管内壁コーティング装置 - Google Patents
炉芯管内壁コーティング装置Info
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- JPH062140A JPH062140A JP16517992A JP16517992A JPH062140A JP H062140 A JPH062140 A JP H062140A JP 16517992 A JP16517992 A JP 16517992A JP 16517992 A JP16517992 A JP 16517992A JP H062140 A JPH062140 A JP H062140A
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- furnace core
- silicon
- core pipe
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- Pending
Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ケイ素炉芯管の内壁に炭化ケイ素をコーティン
グすることによって、従来、粉末炭化ケイ素を用いて炉
芯管を加圧成形する際に避けられなかった重金属不純物
の混入をなくす。 【構成】ガス供給機構部Ａとこのガス供給機構部Ａから
のＣＨ4 −Ｈ2 系ガスをケイ素炉芯管８内にてプラズマ
化し、そのプラズマ反応によるケイ素炉芯管８の内壁へ
のスパッタリングによりケイ素を炭化させて、高純度な
炭化ケイ素炉芯管を完成させるプラズマ反応機構部Ｃと
を有するものである。
グすることによって、従来、粉末炭化ケイ素を用いて炉
芯管を加圧成形する際に避けられなかった重金属不純物
の混入をなくす。 【構成】ガス供給機構部Ａとこのガス供給機構部Ａから
のＣＨ4 −Ｈ2 系ガスをケイ素炉芯管８内にてプラズマ
化し、そのプラズマ反応によるケイ素炉芯管８の内壁へ
のスパッタリングによりケイ素を炭化させて、高純度な
炭化ケイ素炉芯管を完成させるプラズマ反応機構部Ｃと
を有するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は炉芯管内壁コーティング
装置に関し、特にプラズマ反応を用い低温，低圧化でケ
イ素を炭化し、高純度の炭化ケイ素を炉芯管内壁にコー
ティングする装置に関する。
装置に関し、特にプラズマ反応を用い低温，低圧化でケ
イ素を炭化し、高純度の炭化ケイ素を炉芯管内壁にコー
ティングする装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、炭化ケイ素炉芯管の製造は、コー
クスとケイ砂とを電気炉中で１８００〜１９００℃の高
温下に置くことによって下記反応が進行し、炭化ケイ素
が合成される。
クスとケイ砂とを電気炉中で１８００〜１９００℃の高
温下に置くことによって下記反応が進行し、炭化ケイ素
が合成される。
【０００３】Ｃ＋Ｓｉ→ＳｉＣ（炭化ケイ素） 合成された炭化ケイ素は、次に所定の形状に加工する為
に粉末状に粉砕される。この粉砕工程において重金属不
純物が混入する。そして、炭化ケイ素の粉末を高温高圧
下で所定の形状に加工した炭化ケイ素炉芯管を半導体製
造工程に使用していた。
に粉末状に粉砕される。この粉砕工程において重金属不
純物が混入する。そして、炭化ケイ素の粉末を高温高圧
下で所定の形状に加工した炭化ケイ素炉芯管を半導体製
造工程に使用していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の炉芯管
製造に用いる炭化ケイ素製造装置は、高温での炭化ケイ
素合成さらには高温高圧下での成形加工であり、炭化ケ
イ素の原料となるコークス並びにケイ砂の純度に関わら
ず、外部要因からの重金属不純物の浸入により、高純度
の炭化ケイ素の合成が難しいという欠点を有していた。
製造に用いる炭化ケイ素製造装置は、高温での炭化ケイ
素合成さらには高温高圧下での成形加工であり、炭化ケ
イ素の原料となるコークス並びにケイ砂の純度に関わら
ず、外部要因からの重金属不純物の浸入により、高純度
の炭化ケイ素の合成が難しいという欠点を有していた。
【０００５】本発明の目的は、前記課題を解決する為に
ケイ素から成る炉芯管内壁に炭化ケイ素をコーティング
する装置を提供する事にある。
ケイ素から成る炉芯管内壁に炭化ケイ素をコーティング
する装置を提供する事にある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る炉芯管内壁
コーティング装置は、ＣＨ4 −Ｈ2 系プラズマ用のガス
を供給するガス供給機構部と、このガス供給機構部から
のガスをケイ素炉芯管にてプラズマ化し、そのプラズマ
反応による前記ケイ素炉芯管の内壁へのスパッタリング
により、ケイ素を炭化させて炭化ケイ素炉芯管を形成さ
せるプラズマ反応機後部とを有するものである。
コーティング装置は、ＣＨ4 −Ｈ2 系プラズマ用のガス
を供給するガス供給機構部と、このガス供給機構部から
のガスをケイ素炉芯管にてプラズマ化し、そのプラズマ
反応による前記ケイ素炉芯管の内壁へのスパッタリング
により、ケイ素を炭化させて炭化ケイ素炉芯管を形成さ
せるプラズマ反応機後部とを有するものである。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の炉芯管内壁コーティング装
置の一実施例を示す構成図である。
置の一実施例を示す構成図である。
【０００９】本実施例に係る炉芯管内壁コーティング装
置は、ＣＨ4 ガス源１及びＨ2 ガス源２を備えたガス供
給機構部Ａと、ガスラインフィルタ４及びマスフローコ
ントローラ５並びに圧力計６を備えガス供給機構部Ａか
らのガス流量を制御する制御部Ｂと、電力計１１及び高
周波発振器１０並びに誘導コイル９を備えたプラズマ反
応機構部Ｃと、液体窒素トラップ１２及び真空ポンプ１
３を備えた排気部Ｄとから構成されている。３はニード
ルバルブ，７はストップバルブである。
置は、ＣＨ4 ガス源１及びＨ2 ガス源２を備えたガス供
給機構部Ａと、ガスラインフィルタ４及びマスフローコ
ントローラ５並びに圧力計６を備えガス供給機構部Ａか
らのガス流量を制御する制御部Ｂと、電力計１１及び高
周波発振器１０並びに誘導コイル９を備えたプラズマ反
応機構部Ｃと、液体窒素トラップ１２及び真空ポンプ１
３を備えた排気部Ｄとから構成されている。３はニード
ルバルブ，７はストップバルブである。
【００１０】本実施例においては、反応に際して反応系
内を１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒ前後まで液体窒素トラップ
１３を通して排気し、反応ガスとしてのＣＨ4 ガス，Ｈ
2 ガスをガス源１，２よりマスフローコントローラ５を
通し所定の流量にてプラズマ反応機構部Ｃにある加工済
のケイ素炉芯管８へ導入する。ガス混合比は、グラファ
イト及びカーボンの析出を抑える為にＣＨ4 ガスは５Ｖ
ｏｌ％以下とする。ガス圧力は圧力計６にて所定の圧力
に設定する。電力は周波数１３．５６ＭＨｚ，出力２０
０Ｗの高周波発振器１０より誘導結合方式により移送す
る。放電によって生成された炭素イオンによるケイ素炉
芯管８の内壁へのスパッタリングによりケイ素が炭化
し、炭化ケイ素炉芯管が合成される。反応の際に用いら
れるＨ2 ガスは、ケイ素の炭化においての反応促進剤
（触媒）となる。
内を１０-5〜１０-6Ｔｏｒｒ前後まで液体窒素トラップ
１３を通して排気し、反応ガスとしてのＣＨ4 ガス，Ｈ
2 ガスをガス源１，２よりマスフローコントローラ５を
通し所定の流量にてプラズマ反応機構部Ｃにある加工済
のケイ素炉芯管８へ導入する。ガス混合比は、グラファ
イト及びカーボンの析出を抑える為にＣＨ4 ガスは５Ｖ
ｏｌ％以下とする。ガス圧力は圧力計６にて所定の圧力
に設定する。電力は周波数１３．５６ＭＨｚ，出力２０
０Ｗの高周波発振器１０より誘導結合方式により移送す
る。放電によって生成された炭素イオンによるケイ素炉
芯管８の内壁へのスパッタリングによりケイ素が炭化
し、炭化ケイ素炉芯管が合成される。反応の際に用いら
れるＨ2 ガスは、ケイ素の炭化においての反応促進剤
（触媒）となる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プラズマ
反応を用いる事によりケイ素を低温低圧下で炭化する事
ができ、外部からの不純物混入及び不純物の熱拡散を最
小限に抑え、高純度の炭化ケイ素炉芯管を製造できる効
果がある。従来技術による炭化ケイ素製造装置にて得た
炭化ケイ素中の重金属不純物濃度は１０12ａｔｏｍｓ／
ｃｍ2 であるのに対し、本発明により得た炭化ケイ素中
の重金属不純物濃度は、１０9 ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 程度
と分析技術における検出限界値となっている。
反応を用いる事によりケイ素を低温低圧下で炭化する事
ができ、外部からの不純物混入及び不純物の熱拡散を最
小限に抑え、高純度の炭化ケイ素炉芯管を製造できる効
果がある。従来技術による炭化ケイ素製造装置にて得た
炭化ケイ素中の重金属不純物濃度は１０12ａｔｏｍｓ／
ｃｍ2 であるのに対し、本発明により得た炭化ケイ素中
の重金属不純物濃度は、１０9 ａｔｏｍｓ／ｃｍ2 程度
と分析技術における検出限界値となっている。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
１ ＣＨ4 ガス源 ２ Ｈ2 ガス源 ３ ニードルバルブ ４ ガスラインフィルタ ５ マスフローコントローラ ６ 圧力計 ７ ストップバルブ ８ ケイ素炉芯管 ９ 誘導コイル １０ 高周波発振器 １１ 電力計 １２ 液体窒素トラップ １３ 真空ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 反応ガスを供給するガス供給機構部と、
このガス供給機構部からのガスをケイ素炉芯管内にてイ
オン化し、そのプラズマ反応による前記ケイ素炉芯管内
壁へのスパッタリングによりケイ素を炭化させて炭化ケ
イ素炉芯管を形成させるプラズマ反応機構部とを有する
ことを特徴とする炉芯管内壁コーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16517992A JPH062140A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 炉芯管内壁コーティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16517992A JPH062140A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 炉芯管内壁コーティング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH062140A true JPH062140A (ja) | 1994-01-11 |
Family
ID=15807354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16517992A Pending JPH062140A (ja) | 1992-06-24 | 1992-06-24 | 炉芯管内壁コーティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH062140A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02279598A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-15 | Nec Corp | 炉芯管 |
-
1992
- 1992-06-24 JP JP16517992A patent/JPH062140A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02279598A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-15 | Nec Corp | 炉芯管 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980616 |