JPH03229872A - 半導体基板へのプラズマ反応を用いた窒化ホウ素合成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、プラズマ反応を用い低温・低圧下で窒化ホウ
素を半導体基板上に合成させる装置に関する。

〔従来の技術〕

窒化ホウ素の合成において、従来技術としては、窒素と
ホウ素とを１５００°Ｃ以上、かっ４５００　ａｔｏｍ
での高温　高圧合成装置てあり、かつ半導体基板上への
合成はなされていなかった。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の窒化ホウ素合成装置は、高温・高圧下で
の合成であり、窒化ホウ素の原料となる窒素及びホウ素
の純度に関わらず、外部要因から不純物の侵入による高
純度の窒化ホウ素の合成並びに高温による半導体基板上
への合成か難しいという欠点がある。

本発明の目的は、上記課題を解決した半導体基板へのプ
ラズマ反応を用いた窒化ホウ素合成装置を提供すること
にある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明による半導体基板へのプラズマ反応を用いた窒化
ホウ素合成装置は、Ｂ２Ｈ６−Ｎ２−Ａｒ系プラズマ用
のガスを供給するガス供給機構部と、このガス供給機構
部からのガスを半導体装置上にて放電させプラズマ反応
により半導体基板上に窒化ホウ素を合成させるプラズマ
反応機構部と、排気部とを有する。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の半導体基板へのプラズマ反応を用いた
窒化ホウ素合成装置を示す構成図である。

本発明に係る半導体基板へのプラズマ反応を用いた窒化
ホウ素合成装置は、Ｂ２Ｈ６Ｎ２（２％）ガス源１及び
Ａｒガス源２を備えたガス供給機構部Ａと、ガスライン
フィルタ４及びマスフローコントローラ５並びに圧力計
６を備え、ガス供給機構部Ａからのガス流量を制御する
制御部Ｂと、電力計１１及び高周波発振器１０並ひに誘
導コイル９を備えたプラズマ反応機構部Ｃと、真空ポン
プ１２を備えた排気部りとから構成されている。なお、
３はニードルバルブ、７はストップバルブである。

本発明においては、反応に際し反応系内を１０−５〜１
０−６Ｔｏｒｒ前後まで真空ポンプ１２により排気し、
反応ガスとしてのＢ２Ｈ６−Ｎ２　（２％）ガス源１．
Ａｒガスをガス源２よりマスフローコントローラ５を通
し、所定の流量にてプラズマ反応機構部Ｃにある高純度
石英炉芯管８へ導入する。ガス混合比はＢ２　Ｈ６−Ｎ
２　：Ａｒ２：１とする。

ガス圧力は圧力計６にて所定の圧力に設定する。電力は
周波数１３．５６ＭＨｚ、出力１００Ｗの高周波発振器
１０より誘導結合方式により移送する。高純度石英炉芯
管８内の放電によって生成されたホウ素イオン及び窒素
イオンラジカルによって高純度石英炉芯管内の半導体基
板上へ窒化ホウ素（ＢＮ）が構成される。反応の際に用
いられるＡｒガスはキャリアガスとして用いられる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はプラズマ反応を用いること
により半導体基板上に低温・低圧下で合成することがで
き、外部からの不純物拡散を最小限に抑え、高純度の窒
化ホウ素を合成できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の半導体基板へのプラズマ反
応を用いた窒化ホウ素合成装置の構成図である。 １−Ｂｚ　Ｈ６Ｎ２ガス源、２−・−Ａ　ｒガス源、３
・・・ニードルバルブ、４・・・ガスラインフィルタ、
５・・・マスフローコントローラ、６・・・圧力計、、
７・・・ストップバルブ、８・・・高純度石英炉芯管、
９・・・誘導コイル、１０・・・高周波発振器、１１・
・・電力計、１２・・・真空ポンプ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. Ｂ＿２Ｈ＿６−Ｎ＿２−Ａｒ系プラズマ用のガスを供給
   するガス供給機構部と、このガス供給機構部からのガス
   を半導体基板上にて放電させプラズマ化し、そのプラズ
   マ反応により半導体基板上に窒化ホウ素を合成させるプ
   ラズマ反応機構部と、排気部とを有することを特徴とす
   る半導体基板へのプラズマ反応を用いた窒化ホウ素合成
   装置。