JPH02281623A - メッキ配線の形成方法 - Google Patents
メッキ配線の形成方法Info
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- JPH02281623A JPH02281623A JP10241489A JP10241489A JPH02281623A JP H02281623 A JPH02281623 A JP H02281623A JP 10241489 A JP10241489 A JP 10241489A JP 10241489 A JP10241489 A JP 10241489A JP H02281623 A JPH02281623 A JP H02281623A
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Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はメッキ配線の形成方法に関する。
従来、メッキ配線の形成方法としては、高解像度のポジ
型レジストをメッキ用電極膜が形成された下地基板上に
塗布し、配線パターンの部分が除去されたマスクを用い
て露光して現像し、残されたレジストをマスクとして電
解メッキを行ない、メッキ配線を形成する方法が主に用
いられていた。
型レジストをメッキ用電極膜が形成された下地基板上に
塗布し、配線パターンの部分が除去されたマスクを用い
て露光して現像し、残されたレジストをマスクとして電
解メッキを行ない、メッキ配線を形成する方法が主に用
いられていた。
上述した従来のメッキ配線の形成方法は、現像後のポジ
型レジストの断面が台形形状となるため、メッキ配線の
断面が逆台形形状となる欠点がある。また、ポジ型レジ
スト自身の耐熱性も悪く、マスクとして残されたレジス
トが、メッキ中にはがれ、微細配線の形成が困難となり
、メッキ配線の歩留り及び信頼性を低下させるという欠
点もある。
型レジストの断面が台形形状となるため、メッキ配線の
断面が逆台形形状となる欠点がある。また、ポジ型レジ
スト自身の耐熱性も悪く、マスクとして残されたレジス
トが、メッキ中にはがれ、微細配線の形成が困難となり
、メッキ配線の歩留り及び信頼性を低下させるという欠
点もある。
本発明のメッキ配線の形成方法は、メッキ用電極膜が形
成された下地基板上にポジ型レジスト層を形成する工程
と、配線パターン以外が除去されたマスクを用い前記レ
ジスト層に１回目の露光を施す工程と、露光された前記
下地基板をアンモニア雰囲気中で熱処理したのち全面に
２回目の露光を施す工程と、全面露光された前記下地基
板を現像し１回目の露光が施されたレジスト層からなる
マスクを形成すると共に前記メッキ用電極膜を露出する
工程と、レジスト層からなるマスクを含む全面に遠紫外
光を照射する工程とを含んで構成される。
成された下地基板上にポジ型レジスト層を形成する工程
と、配線パターン以外が除去されたマスクを用い前記レ
ジスト層に１回目の露光を施す工程と、露光された前記
下地基板をアンモニア雰囲気中で熱処理したのち全面に
２回目の露光を施す工程と、全面露光された前記下地基
板を現像し１回目の露光が施されたレジスト層からなる
マスクを形成すると共に前記メッキ用電極膜を露出する
工程と、レジスト層からなるマスクを含む全面に遠紫外
光を照射する工程とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｈ）は、本発明の一実施例を説明する
ための工程順に示した下地基板の断面図である。
ための工程順に示した下地基板の断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、メッキ用電極として例
えばＴｉＷ膜６が形成された下地基板１上に、高解像度
のポジ型レジスト（例えばキノンジアジド系ポジ型レジ
スト）２を塗布する。
えばＴｉＷ膜６が形成された下地基板１上に、高解像度
のポジ型レジスト（例えばキノンジアジド系ポジ型レジ
スト）２を塗布する。
次に第１図（ｂ）に示すように、将来メッキ配線が形成
される部分以外を抜いたパターンを有するマスク３を通
して水銀ランプによる１回目の露光を行なう。
される部分以外を抜いたパターンを有するマスク３を通
して水銀ランプによる１回目の露光を行なう。
次に第１図（Ｃ）に示すように、アンモニア処理用恒温
槽４を用い９５°Ｃのアンモニア雰囲気中で８０分の熱
処理を行なう。
槽４を用い９５°Ｃのアンモニア雰囲気中で８０分の熱
処理を行なう。
次に第１図（ｄ）に示すように、水銀ランプによる全面
露光を行なう。上述したアンモニア雰囲気中での熱処理
とその後の全面露光により、ポジ型レジストは変質しオ
・ガ型レジストと同様になる。
露光を行なう。上述したアンモニア雰囲気中での熱処理
とその後の全面露光により、ポジ型レジストは変質しオ
・ガ型レジストと同様になる。
次に第１図（ｅ）に示すように、現像を行なう。この処
理により、１回目の露光時に光の当たった部分、即ち、
将来メッキ配線が形成される以外の部分にマスクレジス
ト２Ａが残る。このマスクレジスト２人の断面形状は逆
台形となる。
理により、１回目の露光時に光の当たった部分、即ち、
将来メッキ配線が形成される以外の部分にマスクレジス
ト２Ａが残る。このマスクレジスト２人の断面形状は逆
台形となる。
次に第１図（ｆ）に示すように、下地基板全面に遠紫外
線（ＵＶ）光を照射しマスクレジスト２Ａの耐熱性及び
耐アルカリ性の向上をはかる。
線（ＵＶ）光を照射しマスクレジスト２Ａの耐熱性及び
耐アルカリ性の向上をはかる。
次に第１図＜ｇ）に示すように、マスクレジスト２Ａを
用い電解メッキ法によりＡｕメッキ層５を形成する。
用い電解メッキ法によりＡｕメッキ層５を形成する。
次に第１図（ｈ）に示すように、マスフレジス）２Ａを
除去したのち、Ａｕメッキ層５をマスクとしてスパッタ
法等によりＴｉＷ膜６を除去し、Ａｕ層からなるメッキ
配線５Ａを形成する。
除去したのち、Ａｕメッキ層５をマスクとしてスパッタ
法等によりＴｉＷ膜６を除去し、Ａｕ層からなるメッキ
配線５Ａを形成する。
このように本実施例によれば、Ａｕメッキ層５を形成す
るためのマスクレジスト２Ａの断面形状を逆台形状に形
成でき、しかもＵ■光照射によりマスクレジスト２Ａの
耐熱性を向上させることができる。従って精度の良い微
細なメッキ配線を形成することができる。
るためのマスクレジスト２Ａの断面形状を逆台形状に形
成でき、しかもＵ■光照射によりマスクレジスト２Ａの
耐熱性を向上させることができる。従って精度の良い微
細なメッキ配線を形成することができる。
以上説明したように本発明は、ポジ型レジストをメッキ
用電極膜が形成された下地基板に塗布し、配線パターン
以外を抜いたマスクを用いて露光した後、アンモニア雰
囲気中で加熱し、次で全面露光を行ない、現像後に遠紫
外線光を照射することにより、マスクレジストの断面形
状を逆台形にでき、しかもマスクレジストの耐熱性を向
上させることができる。このため、メッキ配線の断面を
台形形状とすることができると共に、精度の良い微細な
メッキ配線を形成できる。従ってメッキ中にマスクレジ
ストのはがれ等が発生することはなくなるため、メッキ
配線の歩留り及び信顆性は向上する。
用電極膜が形成された下地基板に塗布し、配線パターン
以外を抜いたマスクを用いて露光した後、アンモニア雰
囲気中で加熱し、次で全面露光を行ない、現像後に遠紫
外線光を照射することにより、マスクレジストの断面形
状を逆台形にでき、しかもマスクレジストの耐熱性を向
上させることができる。このため、メッキ配線の断面を
台形形状とすることができると共に、精度の良い微細な
メッキ配線を形成できる。従ってメッキ中にマスクレジ
ストのはがれ等が発生することはなくなるため、メッキ
配線の歩留り及び信顆性は向上する。
第１図（ａ）〜（ｈ）は本発明の一実施例を説明するた
めの下地基板の断面図である。 １・・・下地基板、２・・・ポジ型レジスト、２Ａ・・
・マスクレジスト、３・・・マスク、４・・・アンモニ
ア処理用恒温層、５・・・Ａｕメッキ層、５Ａ・・・メ
ッキ配線、６・・・ＴｉＷ膜。
めの下地基板の断面図である。 １・・・下地基板、２・・・ポジ型レジスト、２Ａ・・
・マスクレジスト、３・・・マスク、４・・・アンモニ
ア処理用恒温層、５・・・Ａｕメッキ層、５Ａ・・・メ
ッキ配線、６・・・ＴｉＷ膜。
Claims (1)
- メッキ用電極膜が形成された下地基板上にポジ型レジス
ト層を形成する工程と、配線パターン以外が除去された
マスクを用い前記レジスト層に１回目の露光を施す工程
と、露光された前記下地基板をアンモニア雰囲気中で熱
処理したのち全面に２回目の露光を施す工程と、全面露
光された前記下地基板を現像し１回目の露光が施された
レジスト層からなるマスクを形成すると共に前記メッキ
用電極膜を露出する工程と、レジスト層からなるマスク
を含む全面に遠紫外光を照射する工程とを含むことを特
徴とするメッキ配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10241489A JPH02281623A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | メッキ配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10241489A JPH02281623A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | メッキ配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02281623A true JPH02281623A (ja) | 1990-11-19 |
Family
ID=14326787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10241489A Pending JPH02281623A (ja) | 1989-04-21 | 1989-04-21 | メッキ配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02281623A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655282B2 (en) | 2002-07-31 | 2010-02-02 | Tdk Corporation | Method of forming patterned film |
| JP2011057956A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Toray Advanced Materials Korea Inc | メッキ用粘着シート |
| JP2016219749A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-21 JP JP10241489A patent/JPH02281623A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655282B2 (en) | 2002-07-31 | 2010-02-02 | Tdk Corporation | Method of forming patterned film |
| JP2011057956A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-24 | Toray Advanced Materials Korea Inc | メッキ用粘着シート |
| JP2016219749A (ja) * | 2015-05-26 | 2016-12-22 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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