JPH02283001A - 発熱体組成物 - Google Patents
発熱体組成物Info
- Publication number
- JPH02283001A JPH02283001A JP1317205A JP31720589A JPH02283001A JP H02283001 A JPH02283001 A JP H02283001A JP 1317205 A JP1317205 A JP 1317205A JP 31720589 A JP31720589 A JP 31720589A JP H02283001 A JPH02283001 A JP H02283001A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- heating element
- glass
- heat
- glass frit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 43
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002667 nucleating agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 4
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical group [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 claims 1
- LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N boranylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#B LGLOITKZTDVGOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N Arsenious Acid Chemical compound O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000006394 Sorghum bicolor Species 0.000 description 2
- 235000011684 Sorghum saccharatum Nutrition 0.000 description 2
- -1 Ta2o5 Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000009430 Thespesia populnea Nutrition 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001648319 Toronia toru Species 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)manganese Chemical compound [Si]=[Mn]=[Si] FHTCLMVMBMJAEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000003484 crystal nucleating agent Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910021338 magnesium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N magnesium silicide Chemical compound [Mg]=[Si]=[Mg] YTHCQFKNFVSQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Resistance Heating (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分野
本発明は、家庭又は産業界で使用可能な、電気抵抗熱を
利用した発熱体組成物に関する。
利用した発熱体組成物に関する。
(ロ)従来の技術
珪化モリブデン、珪化タンタル、珪化マグネシウム、珪
化マンガン等の導電性物質の1つ以上の混合物とガラス
フリットを特定比率で混合してなる抵抗体組成物は、特
開昭53−50496号に開示されている。
化マンガン等の導電性物質の1つ以上の混合物とガラス
フリットを特定比率で混合してなる抵抗体組成物は、特
開昭53−50496号に開示されている。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
前記従来技術においては、ガラスフリットの軟化点が6
00〜700℃の普通のガラスであるため、面状発熱体
として基板上に印刷して使用する場合、900〜100
0℃で焼成、使用すると印刷パターンが崩れ、甚だしい
場合には短絡の恐れがある。又、棒状発熱体として焼結
して使用する場合には、使用中に変形が大きくなるとい
う欠点があった。
00〜700℃の普通のガラスであるため、面状発熱体
として基板上に印刷して使用する場合、900〜100
0℃で焼成、使用すると印刷パターンが崩れ、甚だしい
場合には短絡の恐れがある。又、棒状発熱体として焼結
して使用する場合には、使用中に変形が大きくなるとい
う欠点があった。
本発明者等は、上記従来技術の持つ問題点を解消した、
耐熱性があり、しかも低抵抗の発熱体の開発に成功した
。
耐熱性があり、しかも低抵抗の発熱体の開発に成功した
。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は、導電性物質に混合するガラスフリットを、焼
成時にガラスが結晶化する、結晶化ガラスフリットとし
、導電性物質と結晶化ガラスフリットの混合比率を重量
比で30 : 70〜95:5としたことを特徴とする
。
成時にガラスが結晶化する、結晶化ガラスフリットとし
、導電性物質と結晶化ガラスフリットの混合比率を重量
比で30 : 70〜95:5としたことを特徴とする
。
導電性物質と結晶化ガラスフリットの混合比率を上記の
ようにした理由は、導電性物質が重量比で30重量%以
下では導電性が悪くなり、95重量%以上では発熱体の
焼結性が悪くなるからである。
ようにした理由は、導電性物質が重量比で30重量%以
下では導電性が悪くなり、95重量%以上では発熱体の
焼結性が悪くなるからである。
更に、本発明では、上記結晶化ガラスフリットとして、
以下の特定比率の組成よりなるものを用いることによっ
て、耐熱性を有し、低抵抗の発熱体を得ることができた
。更に、結晶相を含むことにより、発熱体にした時、靭
性強度が増しクラック耐性が向上した。
以下の特定比率の組成よりなるものを用いることによっ
て、耐熱性を有し、低抵抗の発熱体を得ることができた
。更に、結晶相を含むことにより、発熱体にした時、靭
性強度が増しクラック耐性が向上した。
尚、以下の特定比率の組成よりなるガラスフリットであ
っても、焼成時に結晶化しないものは、本発明の結晶化
ガラスフリットには該当しない。
っても、焼成時に結晶化しないものは、本発明の結晶化
ガラスフリットには該当しない。
又、本発明の組成物より得られた発熱体は、面状発熱体
を作製する時には、低抵抗のためその膜厚を小さくする
ことができるので、経済的に有利であるばかりか、耐熱
衝撃性の優れた発熱体を得ることができた。
を作製する時には、低抵抗のためその膜厚を小さくする
ことができるので、経済的に有利であるばかりか、耐熱
衝撃性の優れた発熱体を得ることができた。
結晶化ガラスフリットの組成及び混合比率は以下のとお
りである。
りである。
亘
M O: 5〜50重量%
BO:20〜80重量%
Mllo:0〜10重量%
Mlo:O〜 5重量%
SiO:0〜40重量%
Al2O3: 0〜40重量%
Bi O: O〜10重量%
重量
%第3剤 : 0〜20重量%
但し、Mn 、一種以上のアルカリ金属、MIL 、
−種以上のアルカリ土類金属、MrL:スカンジウム、
イツトリウム、及び/又はランタニド 尚、本明細書のランタニドは、ランタン(La)からル
テチウム(Lu)までの元素の総称である。
−種以上のアルカリ土類金属、MrL:スカンジウム、
イツトリウム、及び/又はランタニド 尚、本明細書のランタニドは、ランタン(La)からル
テチウム(Lu)までの元素の総称である。
又、結晶核を形成する核形成剤は、T i O2、Zr
O2、P205.5n02 、Zno、MoO3、Ta
2 o5、Nb205 、AS203の少なくとも1種
又は2種以上を用いる。
O2、P205.5n02 、Zno、MoO3、Ta
2 o5、Nb205 、AS203の少なくとも1種
又は2種以上を用いる。
上記組成及び混合比率の限定理由は、以下のとおりであ
る。
る。
MxOは、Mg、Ca、Sr、Ba、等の一種以上のア
ルカリ土類金属の酸化物であり、MTLo−xB203
系の結晶相の形成のために、B2O3と共に必須の成分
である。MILOが5重量%未満では、硼酸主体のガラ
スとなり、ガラス成形工程中に分相を生じ、均質ガラス
の成形ができない。又、M” Oが50重量%を超える
と、ガラス中のB2O3が相対的に減少するため、導電
性物質と混合して得られた発熱体の抵抗値が高くなると
共に、ガラス化も困難になる。このMOは、25〜45
重量%が更に好ましい。
ルカリ土類金属の酸化物であり、MTLo−xB203
系の結晶相の形成のために、B2O3と共に必須の成分
である。MILOが5重量%未満では、硼酸主体のガラ
スとなり、ガラス成形工程中に分相を生じ、均質ガラス
の成形ができない。又、M” Oが50重量%を超える
と、ガラス中のB2O3が相対的に減少するため、導電
性物質と混合して得られた発熱体の抵抗値が高くなると
共に、ガラス化も困難になる。このMOは、25〜45
重量%が更に好ましい。
BOは、MTLO・xB203系結晶相の形成のために
MILOと共に必須である。又、発熱体にした時の抵抗
値に大きな影響を及ぼすものである。即ち、20重量%
未満では、発熱体の抵抗値が高くなり、80重量%を超
えると、ガラス成形工程中に硼酸が分相し、均贋なガラ
スが得られない。20〜80重量%では、B2O3の量
の増加と共に抵抗値が低下する。このB2O3は、20
〜60重量%が更に好ましい。
MILOと共に必須である。又、発熱体にした時の抵抗
値に大きな影響を及ぼすものである。即ち、20重量%
未満では、発熱体の抵抗値が高くなり、80重量%を超
えると、ガラス成形工程中に硼酸が分相し、均贋なガラ
スが得られない。20〜80重量%では、B2O3の量
の増加と共に抵抗値が低下する。このB2O3は、20
〜60重量%が更に好ましい。
M−03は、Sc(スカンジウム)、Y(イツトリウム
)及び/又はランタニドの酸化物であり、発熱体と基板
との密着強度を上げるために加えるが、10重量%を超
えてもその効果がそれ以上良くならないため、0〜10
重1%とする。このM2O3は1〜5重量%が更に好ま
しい。
)及び/又はランタニドの酸化物であり、発熱体と基板
との密着強度を上げるために加えるが、10重量%を超
えてもその効果がそれ以上良くならないため、0〜10
重1%とする。このM2O3は1〜5重量%が更に好ま
しい。
M2Oは、Li、Na、に、Rb等の一種以上のアルカ
リ金属の酸化物であり、 5重量%を超えるとそのガラスを導電性物資と混合して
発熱体として使用した時、アルカリイオンの移動による
組成変化及び抵抗値変化を生じるため、せいぜい5重量
%であり、0重量%でもよい。
リ金属の酸化物であり、 5重量%を超えるとそのガラスを導電性物資と混合して
発熱体として使用した時、アルカリイオンの移動による
組成変化及び抵抗値変化を生じるため、せいぜい5重量
%であり、0重量%でもよい。
実際にはガラス原料中に約0.1%以内の量で不純物と
して含まれる。
して含まれる。
S i O2は、安定なガラスを得るために適量添加さ
れるが、40重量%を超えると相対的に8203が少な
くなり、上述した抵抗値が高くなるので、好ましくない
。このS i O2は、2〜10重1%が更に好ましい
。
れるが、40重量%を超えると相対的に8203が少な
くなり、上述した抵抗値が高くなるので、好ましくない
。このS i O2は、2〜10重1%が更に好ましい
。
Al2O3も、S i O2と同様、安定なガラスを得
るために適量添加されるが、40重量%を超えると、相
対的にB2O3が少なくなり、好ましくない。このA
I 203は、2〜10重量%が更に好ましい。
るために適量添加されるが、40重量%を超えると、相
対的にB2O3が少なくなり、好ましくない。このA
I 203は、2〜10重量%が更に好ましい。
Bi2O3は、基板への密着性向上及び低抵抗化のため
に適量添加されるが、10重量%を越えると、ガラスの
物性が大きく変動するため好ましくない。このBi2O
3は、5〜10重量%が更に好ましい。
に適量添加されるが、10重量%を越えると、ガラスの
物性が大きく変動するため好ましくない。このBi2O
3は、5〜10重量%が更に好ましい。
TiO2、ZrO2、P205.5n02 、Zno、
MoO3、Ta2 o5、Nb205 、As2O3の
少なくとも1種又は2種以上は、いずれも結晶相形成の
ため、結晶核形成剤として添加される。通常、この核形
成剤の添加量は、20重量%以下である。この結晶核形
成剤は、ガラスの組成を適当に選択することにより、ガ
ラスの結晶化が得られれば、必ずしも添加する必要はな
い。
MoO3、Ta2 o5、Nb205 、As2O3の
少なくとも1種又は2種以上は、いずれも結晶相形成の
ため、結晶核形成剤として添加される。通常、この核形
成剤の添加量は、20重量%以下である。この結晶核形
成剤は、ガラスの組成を適当に選択することにより、ガ
ラスの結晶化が得られれば、必ずしも添加する必要はな
い。
添付図に示されるように、本発熱体1にガラス2でオー
バーコート層を施すことにより漏電防止能が付与される
だけでなく、60℃、90%RH中1.o−oo時間放
置しても抵抗の変化はみられず、より良好な発熱体が得
られることがわかった。
バーコート層を施すことにより漏電防止能が付与される
だけでなく、60℃、90%RH中1.o−oo時間放
置しても抵抗の変化はみられず、より良好な発熱体が得
られることがわかった。
使用するガラスは発熱体と膨張率が合致したもので、発
熱体と反応しないガラスが望ましい。オーバーコートの
方法は、ガラスの組成を選択することにより、発熱体と
の同時焼成も可能であり、オーバーコートすることによ
る性能上の低下はみられない。
熱体と反応しないガラスが望ましい。オーバーコートの
方法は、ガラスの組成を選択することにより、発熱体と
の同時焼成も可能であり、オーバーコートすることによ
る性能上の低下はみられない。
本発明の発熱体は、以下の実施例で示した如く、ペース
トとして基板に印刷して作製する外、プレスして成形体
とすることもできるし、グリーンシートに挟んで焼結し
たり、或は上記の成形体をセラミック粉末に埋め込み焼
成することもでき、その適用方法は、以下の実施例に記
した適用方法に限定されない。
トとして基板に印刷して作製する外、プレスして成形体
とすることもできるし、グリーンシートに挟んで焼結し
たり、或は上記の成形体をセラミック粉末に埋め込み焼
成することもでき、その適用方法は、以下の実施例に記
した適用方法に限定されない。
(ホ)作用
本発明の発熱体は、前記のとおりMOと820 との反
応によりM” O・x B 203 (M”は、Mg
、Ca、Ba、Srで、x = 0.3〜3 )系の結
晶相ができるため、耐熱性が向上し、抵抗も低くなる。
応によりM” O・x B 203 (M”は、Mg
、Ca、Ba、Srで、x = 0.3〜3 )系の結
晶相ができるため、耐熱性が向上し、抵抗も低くなる。
更に、この結晶化ガラスと導電性物質の一つである珪化
モリブデン、例えば、MoSi2と、反応することによ
って、低抵抗のMoBが、珪化モリブデン、例えば、M
o S i 2とガラスフリットとの界面に生成し、
これが導電層となり、抵抗値が低下するものと考えられ
る。(このMoBの生成は、X線回折法で確認された。
モリブデン、例えば、MoSi2と、反応することによ
って、低抵抗のMoBが、珪化モリブデン、例えば、M
o S i 2とガラスフリットとの界面に生成し、
これが導電層となり、抵抗値が低下するものと考えられ
る。(このMoBの生成は、X線回折法で確認された。
)
(へ)実施例
大旌透上
下記表1のガラス組成1になるようにガラスを以下の方
法で調製し、結晶化ガラスフリットを製造した。
法で調製し、結晶化ガラスフリットを製造した。
即ち、表1の組成1となるようにそれぞれの炭酸塩、水
酸化物、酸化物等を原料として用い、常法に従い、13
50℃で30分間溶融後、ロールで急冷し、ガラスフレ
ークを得た。得られたガラスフレークをボールミルで6
時間粉砕し、平均粒径2〜3ミクロンのガラス粉末(フ
リット)を得た。
酸化物、酸化物等を原料として用い、常法に従い、13
50℃で30分間溶融後、ロールで急冷し、ガラスフレ
ークを得た。得られたガラスフレークをボールミルで6
時間粉砕し、平均粒径2〜3ミクロンのガラス粉末(フ
リット)を得た。
このガラスフリットと平均粒径3ミクロンのM o S
i 2を表2のAに示した種々の比率(重量比)で十
分混合した後、その混合物を有機高分子(例えば、アク
リル系樹脂)をバインダーとするビヒクルと約80 :
20の比率(重量比)で十分混合し、ペーストとしな
。このペーストを200メツシユスクリーンでアルミナ
基板上に厚み20ミクロンで印刷し、130℃で30分
乾燥後、窒素雰囲気中で1000℃で10分間焼成して
、ガラスを結晶化し、冷却後、抵抗を測定し、その結果
を表2の1に示す。
i 2を表2のAに示した種々の比率(重量比)で十
分混合した後、その混合物を有機高分子(例えば、アク
リル系樹脂)をバインダーとするビヒクルと約80 :
20の比率(重量比)で十分混合し、ペーストとしな
。このペーストを200メツシユスクリーンでアルミナ
基板上に厚み20ミクロンで印刷し、130℃で30分
乾燥後、窒素雰囲気中で1000℃で10分間焼成して
、ガラスを結晶化し、冷却後、抵抗を測定し、その結果
を表2の1に示す。
X將伝ユ
表1のガラス組成2に示す組成になるようにガラスを調
製して得られた結晶化ガラスフリットを用い、実施例1
と全く同様の処理を行い、抵抗値を測定した結果を表2
の2に示す。
製して得られた結晶化ガラスフリットを用い、実施例1
と全く同様の処理を行い、抵抗値を測定した結果を表2
の2に示す。
釆旌医旦
表1のガラス組成3に示す組成になるようにガラスを調
製して得られた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微
粉末として、0.1〜数ミクロンの粒径の炭化珪素を用
い、表2のAに示した種々の比率(重量比)で十分混合
した後、その混合物を有機高分子(例えば、アクリル系
樹脂)をバインダーとするビヒクルと約80 : 20
の比率(重量比)で十分混合し、ペーストとした。
製して得られた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微
粉末として、0.1〜数ミクロンの粒径の炭化珪素を用
い、表2のAに示した種々の比率(重量比)で十分混合
した後、その混合物を有機高分子(例えば、アクリル系
樹脂)をバインダーとするビヒクルと約80 : 20
の比率(重量比)で十分混合し、ペーストとした。
このペーストを200メツシユスクリーンでアルミナ基
板上に厚み20ミクロンで印刷し、130℃で30分乾
燥後、窒素雰囲気中で1200℃で10分間焼成して結
晶化し、冷却後、抵抗を測定し、その結果を表2の3に
示す。
板上に厚み20ミクロンで印刷し、130℃で30分乾
燥後、窒素雰囲気中で1200℃で10分間焼成して結
晶化し、冷却後、抵抗を測定し、その結果を表2の3に
示す。
犬旌透A
表1のガラス組成3になるようにガラスを調製して得ら
れた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微粉末として
珪化タングステンを用い、窒素雰囲気中で1000℃で
10分間焼成する以外は、上記実施例と全く同様に処理
し、抵抗を測定した結果を表2の4に示す。
れた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微粉末として
珪化タングステンを用い、窒素雰囲気中で1000℃で
10分間焼成する以外は、上記実施例と全く同様に処理
し、抵抗を測定した結果を表2の4に示す。
夾旌舅至
表1のガラス組成5になるようにガラスを調製して得ら
れた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微粉末として
MoSi2を用い、実施例1と全く同様に処理し、抵抗
を測定した結果を表2の5に示す。
れた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微粉末として
MoSi2を用い、実施例1と全く同様に処理し、抵抗
を測定した結果を表2の5に示す。
犬旌房旦
表1のガラス組成6になるように、ガラスを調整して得
られた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微粉末とし
てMoSi2を用い、実施例1と全く同様に処理し、抵
抗を測定した結果を表2の6に示す。
られた結晶化ガラスフリットを用い、導電性微粉末とし
てMoSi2を用い、実施例1と全く同様に処理し、抵
抗を測定した結果を表2の6に示す。
比数摺
本発明の先行技術として引用した特開昭53−5049
6号に開示されたと同様(但し、窒素雰囲気での焼成を
除き)の発熱体く表1の比較例の欄の組成のガラスフリ
ットを使用)を作製し、本発明の実施例1と全く同様に
して、抵抗値を測定した結果を表2の比較例の欄に示す
。尚、この比較例のガラス(よ、核形成剤を含まないの
で、約1000℃の焼成条件では、ガラスは結晶化しな
い。
6号に開示されたと同様(但し、窒素雰囲気での焼成を
除き)の発熱体く表1の比較例の欄の組成のガラスフリ
ットを使用)を作製し、本発明の実施例1と全く同様に
して、抵抗値を測定した結果を表2の比較例の欄に示す
。尚、この比較例のガラス(よ、核形成剤を含まないの
で、約1000℃の焼成条件では、ガラスは結晶化しな
い。
(以下、余白)
表1
ニガラス組成(重量%)
表2 面積抵抗値(Ω/5quare)するものもあっ
たが、約0.1重量%程度であるので無視した。) (但し、Aは、導電性微粉末/ガラスフリットの重量比
) (へ)実施例の発熱体のその他のテスト結果上記のよう
に、本発明の実施例の発熱体は、比較例のものと比較し
て、抵抗値が1桁低下し、その分だけ薄膜にすることが
でき経済的で且つ応用範囲が広いが、以下のテストで耐
熱性や耐熱衝撃性も優れていることが確かめられた。
たが、約0.1重量%程度であるので無視した。) (但し、Aは、導電性微粉末/ガラスフリットの重量比
) (へ)実施例の発熱体のその他のテスト結果上記のよう
に、本発明の実施例の発熱体は、比較例のものと比較し
て、抵抗値が1桁低下し、その分だけ薄膜にすることが
でき経済的で且つ応用範囲が広いが、以下のテストで耐
熱性や耐熱衝撃性も優れていることが確かめられた。
ヒートサイクル試験(800℃まで3分で昇温し、この
温度に2分間保持した後に急冷)に於いても、本発明の
発熱体ペーストを印刷した場合には、基板との剥離は全
く見られず、比抵抗の変化も問題にならなかった。
温度に2分間保持した後に急冷)に於いても、本発明の
発熱体ペーストを印刷した場合には、基板との剥離は全
く見られず、比抵抗の変化も問題にならなかった。
又、耐熱衝撃性を調べるため、発熱体印刷基板を900
℃に加熱しておいて、水中に投入しても基板との剥離は
全く観察されず、密着性の良好な発熱体とすることがで
きた。
℃に加熱しておいて、水中に投入しても基板との剥離は
全く観察されず、密着性の良好な発熱体とすることがで
きた。
(ト)効果
本発明は、前記の如く特定の組成と比率の結晶化ガラス
を用いることにより、耐熱性のある低抵抗の発熱体とす
ることができるため、その膜厚を薄くでき、それ故に、
耐熱衝撃性も優れた、経済的に有利な発熱体とすること
ができ、その応用範囲は広く、業界に資する効果は極め
て大である。
を用いることにより、耐熱性のある低抵抗の発熱体とす
ることができるため、その膜厚を薄くでき、それ故に、
耐熱衝撃性も優れた、経済的に有利な発熱体とすること
ができ、その応用範囲は広く、業界に資する効果は極め
て大である。
図は、本発明の発熱体組成物にガラスをオーバーコート
して得られた発熱体の断面図である。 1・・・・・・・・・発熱体組成物、2・・・・・・・
・・ガラス。
して得られた発熱体の断面図である。 1・・・・・・・・・発熱体組成物、2・・・・・・・
・・ガラス。
Claims (6)
- (1)導電性微粉末と結晶化ガラスフリットを30:7
0〜95:5重量%の比率で含有することを特徴とする
発熱体組成物。 - (2)導電性微粉末が、珪化モリブデン、珪化チタン、
珪化タングステン、炭化珪素、炭化モリブデン、硼化モ
リブデン等の少なくとも一種からなることを特徴とする
請求の範囲(1)に記載の発熱体組成物。 - (3)結晶化ガラスフリットが、以下の組成を有するこ
とを特徴とする請求の範囲(1)又は(2)に記載の発
熱体組成物。 M^IIO:5〜50重量% B_2O_3:20〜80重量% ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ SiO_2:0〜40重量% Al_2O_3:0〜40重量% Bi_2O_3:0〜10重量% 核形成剤:0〜20重量% 但し、M^I:一種以上のアルカリ金属、M^II:一種
以上のアルカリ土類金属、M^III:スカンジウム、イ
ットリウム、及び/又はランタニド - (4)結晶化ガラスフリットが、以下の組成を有するこ
とを特徴とする請求の範囲(1)乃至(3)のいずれか
に記載の発熱体組成物。 M^IIO:25〜45重量% B_2O_3:20〜60重量% ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ SiO_2:2〜10重量% Al_2O_3:2〜10重量% Bi_2O_3:5〜10重量% 核形成剤:0〜20重量% 但し、M^I:一種以上のアルカリ金属、M^II種以上
のアルカリ土類金属、M^III:スカンジウム、イット
リウム及び/又はランタニド - (5)核形成剤がTiO_2、ZrO_2、P_2O_
5、SnO_2、ZnO、MoO_3、Ta_2O_5
、Nb_2O_5、As_2O_3の少なくとも1種又
は2種以上で特許請求の範囲(4)に記載の発熱体組成
物。 - (6)請求の範囲(1)乃至(5)のいずれかに記載の
発熱体組成物にガラスをオーバーコートして得られた発
熱体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1317205A JPH0722041B2 (ja) | 1988-12-31 | 1989-12-05 | 発熱体組成物 |
| US08/216,615 US5470506A (en) | 1988-12-31 | 1994-03-23 | Heat-generating composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-335550 | 1988-12-31 | ||
| JP33555088 | 1988-12-31 | ||
| JP1317205A JPH0722041B2 (ja) | 1988-12-31 | 1989-12-05 | 発熱体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02283001A true JPH02283001A (ja) | 1990-11-20 |
| JPH0722041B2 JPH0722041B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=26568957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1317205A Expired - Fee Related JPH0722041B2 (ja) | 1988-12-31 | 1989-12-05 | 発熱体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722041B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637261A (en) * | 1994-11-07 | 1997-06-10 | The Curators Of The University Of Missouri | Aluminum nitride-compatible thick-film binder glass and thick-film paste composition |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50124908A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-01 |
-
1989
- 1989-12-05 JP JP1317205A patent/JPH0722041B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50124908A (ja) * | 1974-03-22 | 1975-10-01 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5637261A (en) * | 1994-11-07 | 1997-06-10 | The Curators Of The University Of Missouri | Aluminum nitride-compatible thick-film binder glass and thick-film paste composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0722041B2 (ja) | 1995-03-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0163155B1 (en) | Low temperature fired ceramics | |
| US5470506A (en) | Heat-generating composition | |
| JP2540676B2 (ja) | 化学的に安定化されたクリストバライト | |
| US3365314A (en) | Method of producing articles containing predominantly cordierite, anorthite, spinel and/or forsterite | |
| JPH0496201A (ja) | 発熱体 | |
| JPH05198356A (ja) | 平面発熱体及びその製造方法 | |
| EP0012002B1 (en) | Glaze resistor compositions | |
| JPH02283001A (ja) | 発熱体組成物 | |
| JPH05238774A (ja) | 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる基板 | |
| JP4220013B2 (ja) | 複合ガラスセラミックスおよびその製造方法 | |
| JPH01141837A (ja) | 回路基板用誘電体材料 | |
| JP2641521B2 (ja) | 配線基板 | |
| JPS6350345A (ja) | ガラスセラミツク焼結体 | |
| JPS61186248A (ja) | ガラスセラミツク | |
| WO2022260509A1 (en) | Glass frit compositions for semiconductor passivation applications | |
| JPH0483737A (ja) | 誘電体磁器組成物及びその製造法並びにそれを用いた配線基板 | |
| JPS62252901A (ja) | 抵抗体を有する電子回路基板 | |
| JP2832374B2 (ja) | 絶縁体ガラス組成物 | |
| JPS5945616B2 (ja) | ガラス組成物 | |
| JP3086267B2 (ja) | 絶縁体ガラス組成物 | |
| KR100281992B1 (ko) | 저팽창성 마그네슘 알루미늄 지르코늄 실리케이트 복합체 | |
| JPH04130052A (ja) | セラミック基板用原料組成物およびそれを用いた基板の製造方法 | |
| JPH0676255B2 (ja) | 多層基板用低温焼結磁器組成物 | |
| JPH06256011A (ja) | 無機顔料組成物及びその製造法 | |
| JP2689270B2 (ja) | セラミック多層基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |