JPH02284420A - 化合物半導体表面の安定化方法 - Google Patents
化合物半導体表面の安定化方法Info
- Publication number
- JPH02284420A JPH02284420A JP10447789A JP10447789A JPH02284420A JP H02284420 A JPH02284420 A JP H02284420A JP 10447789 A JP10447789 A JP 10447789A JP 10447789 A JP10447789 A JP 10447789A JP H02284420 A JPH02284420 A JP H02284420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfur
- compound semiconductor
- thin film
- compound
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、化合物半導体表面の安定化方法、特に、砒化
ガリウム（ＧａＡｓ）、砒化アルミニウム（Ａ、ＱＡＳ
）あるいは、それらの混晶（Ａ１８Ｇａ、 Ａｓ）に
よって形成される化合物半導体表面の安定化方法に関す
る。
ガリウム（ＧａＡｓ）、砒化アルミニウム（Ａ、ＱＡＳ
）あるいは、それらの混晶（Ａ１８Ｇａ、 Ａｓ）に
よって形成される化合物半導体表面の安定化方法に関す
る。
［従来の技術］
砒化ガリウム、砒化アルミニウムあるいはそれらの混晶
系の化合物半導体の表面には、特有の活性・不安定性か
ある。このため、雰囲気中の気体の吸着や酸化の進行な
どにより、化合物半導体表面の電気的あるいは光学的特
性が経時変化する。
系の化合物半導体の表面には、特有の活性・不安定性か
ある。このため、雰囲気中の気体の吸着や酸化の進行な
どにより、化合物半導体表面の電気的あるいは光学的特
性が経時変化する。
このことは、これらの化合物半導体装置の寿命、信頼性
の向上の大きな妨げとなっている。
の向上の大きな妨げとなっている。
このため、これら半導体の表面を何らかの手法で不活性
化し、電気的・光学的特性を安定化させることが強く求
められている。
化し、電気的・光学的特性を安定化させることが強く求
められている。
本発明者等は、先に砒化ガリウム表面を硫化アンモニウ
ムの水溶液で処理して、その表面を不活性化する方法を
、１９８８年８月に開催されたｒ２０Ｌｔ＋ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｌａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｔｌＭａｔｅｒｉａｌｓ、
Ｔｏｋｙｏ、１９８８ Ｊにて発表した。この方法に
よれば、砒化ガリウム表面に硫黄の薄膜か形成され、こ
の薄膜により、砒化ガリウム表面を保護し、電気的・光
学的特性を改善することかできる。
ムの水溶液で処理して、その表面を不活性化する方法を
、１９８８年８月に開催されたｒ２０Ｌｔ＋ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５ｌａｔｅ
Ｄｅｖｉｃｅｓ ａｎｔｌＭａｔｅｒｉａｌｓ、
Ｔｏｋｙｏ、１９８８ Ｊにて発表した。この方法に
よれば、砒化ガリウム表面に硫黄の薄膜か形成され、こ
の薄膜により、砒化ガリウム表面を保護し、電気的・光
学的特性を改善することかできる。
［発明が解決しようとする課題］
しかしなから、構成元素としてアルミニウムを含む砒化
アルミニウムや、砒化ガリウムと砒化アルミニウムとの
混晶では、大気との短時間の接触でも表面にアルミニウ
ム酸化物の薄膜か形成されてしまい、それか半導体表面
と硫黄薄膜との間の強固なイ・ｊ着を阻害する。更に、
アルミニウムを含まない化合物半導体であっても、大気
との接触により、表面に酸化物の薄膜か形成されること
がある。
アルミニウムや、砒化ガリウムと砒化アルミニウムとの
混晶では、大気との短時間の接触でも表面にアルミニウ
ム酸化物の薄膜か形成されてしまい、それか半導体表面
と硫黄薄膜との間の強固なイ・ｊ着を阻害する。更に、
アルミニウムを含まない化合物半導体であっても、大気
との接触により、表面に酸化物の薄膜か形成されること
がある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、硫黄のハロゲン化合物またはその有機溶媒溶
液で、化合物半導体表面を処理することにより、半導体
の表面に形成されたアルミニウム酸化物の薄膜を除去し
つつ、同時に硫黄の薄膜を形成し、表面を不活性化即ち
、安定化することを特徴とする。
液で、化合物半導体表面を処理することにより、半導体
の表面に形成されたアルミニウム酸化物の薄膜を除去し
つつ、同時に硫黄の薄膜を形成し、表面を不活性化即ち
、安定化することを特徴とする。
［作 用］
硫黄のハロゲン化合物またはその有機溶媒溶液がアルミ
ニウム酸化物をエツチングする作用を有することを見出
した。この作用により、硫黄のノ＼ロゲン化合物または
その有機溶媒溶液を用いて化合物半導体表面を処理する
と、化合物半導体表面に酸化物の薄膜か形成されていて
も、この酸化物薄膜を除去して、硫黄の薄膜を化合物半
導体表面に被着することができる。また、形成された硫
黄の薄膜は、化合物半導体表面と強固な結合を持つので
、雰囲気中の酸素などの吸着が阻害され、表面での化学
反応か抑えられる。その結果、長期間安定した電気的・
光学的特性が得られる。
ニウム酸化物をエツチングする作用を有することを見出
した。この作用により、硫黄のノ＼ロゲン化合物または
その有機溶媒溶液を用いて化合物半導体表面を処理する
と、化合物半導体表面に酸化物の薄膜か形成されていて
も、この酸化物薄膜を除去して、硫黄の薄膜を化合物半
導体表面に被着することができる。また、形成された硫
黄の薄膜は、化合物半導体表面と強固な結合を持つので
、雰囲気中の酸素などの吸着が阻害され、表面での化学
反応か抑えられる。その結果、長期間安定した電気的・
光学的特性が得られる。
［実施例］コ
ｎ型の砒化カリウム基板（不純物濃度約５×１Ｑ ”
１５ ｃｍ ３ ）を用意し、硫酸（Ｎ２Ｓｏ４）：過
酸化水素（ｎ２ｏ２）＋水（Ｎ２０）を５．１＝１の混
合比とした溶液でエツチングする。次いて、同試薬を用
い混合比のみ５：１：４０とした溶・ｌ「にで軽くエツ
チング後、水洗して取り出す。その後、付着している水
を窒素（Ｎ２）ガスを吹き付けて飛ばす。
１５ ｃｍ ３ ）を用意し、硫酸（Ｎ２Ｓｏ４）：過
酸化水素（ｎ２ｏ２）＋水（Ｎ２０）を５．１＝１の混
合比とした溶液でエツチングする。次いて、同試薬を用
い混合比のみ５：１：４０とした溶・ｌ「にで軽くエツ
チング後、水洗して取り出す。その後、付着している水
を窒素（Ｎ２）ガスを吹き付けて飛ばす。
このようにして清浄化した基板を、室温の二塩化硫黄（
ＳＣρ２）液に約１０分間浸した後取り出す。取り出し
た基板を四塩化炭素（ＣＣβ４）で数回すすぎ、二塩化
硫黄を表面から洗い流す。
ＳＣρ２）液に約１０分間浸した後取り出す。取り出し
た基板を四塩化炭素（ＣＣβ４）で数回すすぎ、二塩化
硫黄を表面から洗い流す。
その後、四塩化炭素洗液から取り出して窒素ガスを吹き
付けて洗液をとばし、さらに減圧雰囲気に１０分間放置
して、洗ｌＩ＊ 、残存している未反応の二塩化硫黄を
完全に除去し、表面に強固に結合した硫黄のみを残す。
付けて洗液をとばし、さらに減圧雰囲気に１０分間放置
して、洗ｌＩ＊ 、残存している未反応の二塩化硫黄を
完全に除去し、表面に強固に結合した硫黄のみを残す。
［実施例２コ
ｎ型の砒化ガリウム基板（不純物濃度約５×１０”１５
ｃｍ”−３）を用意し、通當の前処理の後、分子線エピ
タキシャル成長（ＭＢＥ）装置内に導入する。そして、
上記基板の上に、アルミニウムとノＪリウムの組成化が
１．９である砒化アルミニウムと砒化ガリウムの混晶（
ＡΩ。Ｉ Ｇ ａ Ｏ，９Ａ Ｓ ）を、ＭＢＥ法によ
り、厚さ３μ川成長する。
ｃｍ”−３）を用意し、通當の前処理の後、分子線エピ
タキシャル成長（ＭＢＥ）装置内に導入する。そして、
上記基板の上に、アルミニウムとノＪリウムの組成化が
１．９である砒化アルミニウムと砒化ガリウムの混晶（
ＡΩ。Ｉ Ｇ ａ Ｏ，９Ａ Ｓ ）を、ＭＢＥ法によ
り、厚さ３μ川成長する。
このようにして調製したＡρｏ、＋ Ｇ ａｏ、ｇ Ａ
ｓ混晶化合物１１４導体試料を、ＭＢＥ装置より取り
出し、室温の二塩化硫黄（ＳＣρ２）液に約１０分間浸
す。基板を取り出し、実施例１と同様に、四塩化炭素（
ＣＣβ４）ですすぎ、減圧雰囲気下に放置して表面に強
固に結合した硫黄のみを残す。
ｓ混晶化合物１１４導体試料を、ＭＢＥ装置より取り
出し、室温の二塩化硫黄（ＳＣρ２）液に約１０分間浸
す。基板を取り出し、実施例１と同様に、四塩化炭素（
ＣＣβ４）ですすぎ、減圧雰囲気下に放置して表面に強
固に結合した硫黄のみを残す。
なお、上記二つの実施例においては、硫黄のハロゲン化
合物として、二塩化硫黄を使用したが、二塩化二硫黄（
５２ＣΩ２）や二臭化二硫黄（ＳＢｒ、、）なども使用
できる。
合物として、二塩化硫黄を使用したが、二塩化二硫黄（
５２ＣΩ２）や二臭化二硫黄（ＳＢｒ、、）なども使用
できる。
さらに、これらのハロゲン化合物（液体）は、そのまま
用いても、また有機溶媒に希釈した形で用いてもよい。
用いても、また有機溶媒に希釈した形で用いてもよい。
この場合、有機溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キ
シレンなどの芳香族炭化水素、エチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、四塩化炭
素、エタノール、および二硫化炭素が使用できる。
シレンなどの芳香族炭化水素、エチルエーテル、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル類、四塩化炭
素、エタノール、および二硫化炭素が使用できる。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明においては、化合物半導体
を硫黄のハロゲン化合物あるいはその有機溶媒溶液で処
理し、その表面に硫黄薄膜を強固に被着させているので
、処理を行なった化合物半導体試料のフォトルミネッセ
ンス強度には、処理を行なわない場合と比較して、数倍
の強度の改舌が見られ、基板表面が安定化されているこ
とが示された。
を硫黄のハロゲン化合物あるいはその有機溶媒溶液で処
理し、その表面に硫黄薄膜を強固に被着させているので
、処理を行なった化合物半導体試料のフォトルミネッセ
ンス強度には、処理を行なわない場合と比較して、数倍
の強度の改舌が見られ、基板表面が安定化されているこ
とが示された。
Claims (4)
- （１）化合物半導体の表面を硫黄のハロゲン化合物で処
理することを特徴とする化合物半導体表面の安定化方法
。 - （２）化合物半導体の表面を硫黄のハロゲン化合物の有
機溶媒溶液で処理することを特徴とする化合物半導体表
面の安定化方法。 - （３）前記硫黄のハロゲン化合物が、二塩化二硫黄、二
塩化硫黄、および二臭化二硫黄の内の一つであることを
特徴とする請求項（１）記載の化合物半導体表面の安定
化方法。 - （４）前記有機溶媒が芳香族炭化水素、エーテル類、四
塩化炭素、エタノール、および二硫化炭素の内の一つで
あることを特徴とする請求項（２）記載の化合物半導体
表面の安定化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104477A JP2681117B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 化合物半導体表面の安定化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1104477A JP2681117B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 化合物半導体表面の安定化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02284420A true JPH02284420A (ja) | 1990-11-21 |
| JP2681117B2 JP2681117B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=14381650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1104477A Expired - Lifetime JP2681117B2 (ja) | 1989-04-26 | 1989-04-26 | 化合物半導体表面の安定化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2681117B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5277757A (en) * | 1991-03-18 | 1994-01-11 | Sony Corporation | Dry etching method |
| US5310456A (en) * | 1990-07-30 | 1994-05-10 | Sony Corporation | Dry etching method |
| EP0555858A3 (ja) * | 1992-02-14 | 1995-02-22 | Sony Corp | |
| US5393680A (en) * | 1990-08-01 | 1995-02-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | MIS electrode forming process |
| KR20020006735A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-26 | 이형도 | 미세 디바이스의 표면처리물질 및 표면처리방법 |
| WO2016129509A1 (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 富士フイルム株式会社 | Ｉｉｉ－ｖ族元素の酸化物の除去液および除去方法、ｉｉｉ－ｖ族元素の化合物の処理液、ｉｉｉ－ｖ族元素の酸化防止液、ならびに、半導体基板の処理液および半導体基板製品の製造方法 |
| CN119132719A (zh) * | 2024-09-12 | 2024-12-13 | 广东电网有限责任公司东莞供电局 | 防腐蚀铜导体电缆及其制备方法和应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01217917A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
-
1989
- 1989-04-26 JP JP1104477A patent/JP2681117B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01217917A (ja) * | 1988-02-26 | 1989-08-31 | Hitachi Ltd | ドライエッチング方法 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5310456A (en) * | 1990-07-30 | 1994-05-10 | Sony Corporation | Dry etching method |
| US5393680A (en) * | 1990-08-01 | 1995-02-28 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | MIS electrode forming process |
| US5277757A (en) * | 1991-03-18 | 1994-01-11 | Sony Corporation | Dry etching method |
| EP0555858A3 (ja) * | 1992-02-14 | 1995-02-22 | Sony Corp | |
| KR20020006735A (ko) * | 2000-07-13 | 2002-01-26 | 이형도 | 미세 디바이스의 표면처리물질 및 표면처리방법 |
| WO2016129509A1 (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 富士フイルム株式会社 | Ｉｉｉ－ｖ族元素の酸化物の除去液および除去方法、ｉｉｉ－ｖ族元素の化合物の処理液、ｉｉｉ－ｖ族元素の酸化防止液、ならびに、半導体基板の処理液および半導体基板製品の製造方法 |
| US11145514B2 (en) | 2015-02-12 | 2021-10-12 | Fujifilm Corporation | Removal liquid and method for removing oxide of group III-V element, treatment liquid for treating compound of group III-V element, oxidation prevention liquid for preventing oxidation of group III-V element, treatment liquid for treating semiconductor substrate, and method for producing semiconductor substrate product |
| CN119132719A (zh) * | 2024-09-12 | 2024-12-13 | 广东电网有限责任公司东莞供电局 | 防腐蚀铜导体电缆及其制备方法和应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2681117B2 (ja) | 1997-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5022961A (en) | Method for removing a film on a silicon layer surface | |
| US5051134A (en) | Process for the wet-chemical treatment of semiconductor surfaces | |
| US6830628B2 (en) | Methods for cleaning semiconductor surfaces | |
| KR20020007604A (ko) | 반도체 기판 또는 ｌｃｄ 기판의 세정방법 | |
| JPH02284420A (ja) | 化合物半導体表面の安定化方法 | |
| JPH0574751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236384B2 (ja) | ||
| JPS63274149A (ja) | 半導体処理剤 | |
| JPH01150328A (ja) | 半導体基板の処理方法 | |
| JP2657265B2 (ja) | 化合物半導体表面の安定化方法 | |
| JP3038063B2 (ja) | 化合物半導体の表面不活性化方法 | |
| JPH02196426A (ja) | ヒ化アルミニウムガリウムの選択エッチング法 | |
| US6495099B1 (en) | Wet processing methods for the manufacture of electronic components | |
| US5681487A (en) | Method of removing photoresist film | |
| US4724171A (en) | Process for protecting polished silicon surfaces | |
| JPH0748481B2 (ja) | シリコン層上の被膜除去方法 | |
| US6723578B2 (en) | Method for the sulphidation treatment of III-V compound semiconductor surfaces | |
| JPH06140377A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59215728A (ja) | 半導体表面の光洗浄方法 | |
| JPH02164035A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JPH0750281A (ja) | シリコンウェハーの洗浄方法 | |
| JPH04114428A (ja) | 洗浄法 | |
| JP2775117B2 (ja) | 保護膜形成方法 | |
| JP2002093800A (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| JPH03265137A (ja) | 半導体基板のドライ洗浄方法 |