JPH02285348A - ペリクル - Google Patents

ペリクル

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JPH02285348A
JPH02285348A JP1105962A JP10596289A JPH02285348A JP H02285348 A JPH02285348 A JP H02285348A JP 1105962 A JP1105962 A JP 1105962A JP 10596289 A JP10596289 A JP 10596289A JP H02285348 A JPH02285348 A JP H02285348A
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JP
Japan
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pellicle
film body
thin film
optical thin
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP1105962A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeki Matsui
雄毅 松居
Yasushi Kaneko
靖 金子
Mitsunobu Fukumoto
福本 光伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Original Assignee
Asahi Kasei Electronics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Asahi Kasei Electronics Co Ltd filed Critical Asahi Kasei Electronics Co Ltd
Priority to JP1105962A priority Critical patent/JPH02285348A/ja
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Pending legal-status Critical Current

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  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明はLSI製造のリソグラフィー工程において使
用されるフォトマスクやレティクル等の透明基板(以下
マスクと略す)の異物付着を防止することを目的として
使用されるペリクルに関する。さらに詳細には、光線透
過率が優れ、かつ、帯電防止されたペリクルに関する。
[従来の技術] 半導体製造においてウェハー上に微細な回路パターンを
形成する場合、ステッパー等の半導体製造装置を使用し
ている。ここで重要なのは前記半導体製造装置に組み込
まれる回路パターンを形成するためのマスクの品質であ
る。近年、大規模集積回路の発展に伴いその画線幅も非
常に微細になり、今後もその傾向は進むと予想され、そ
れゆえマスクの品質が半導体製造装置の稼動率や製造コ
ストに大きく影響するものとなってきている。特にマス
クに付着する異物が歩留りを低下させることが重大な問
題である。この問題を解決するひとつの手段として、い
わゆるペリクルを装着してマスクを異物から保護する方
法がとられている(例えば、特公昭54−28716号
公報参照)。一方、大規模集積回路がカスタム化し、多
品社少量生産の方向が強まってきつつある。このことは
多数のマスクを使用することを意味し、マスクの保管管
理の必要性が増してきた。その際、ペリクル装着の保管
は管理上簡便であることが認められつつある。
第1図はこのようなところに使われるペリクルの説明図
である。ここに光学的薄膜体lが支持枠2に接着層3に
よりシワ、クルミなく、固着されている。支持枠2の他
の端面に粘着剤層4を有し、その上に場合により保護フ
ィルム5を配置した構造となっている。このようなペリ
クルは、保護フィルム5を剥し粘着剤層を介してマスク
に装着して使用される。
ところで、光学的薄膜体には厚さ 0.5〜lOμ厘程
度の材質がポリマーよりなる薄膜が一般に用いられるが
、これらは極めて電気抵抗が大きくそのために帯電し易
い。静電気吸着により異物が何軒したとき、エアーブロ
ー等では極めて除去しにくい。或いは、マスクに貼り付
けたときにそのような異物がなんらかの拍子にマスク面
に落下し、これが露光パターンの欠陥となるような危険
性があった。
このような帯電防止を目的として特開昭80−1342
39号公報には光学的薄膜体が導電性であるようなペリ
クルの提案がなされている。光学的薄膜体に導電性を付
与する方法として導電性ポリマーを添加したり表面固有
抵抗を低くした光透過プラスチックフィルムの使用が記
述されている。更に光学的薄膜体に5nOzや1nz0
3等の透明導電膜を蒸着等で付若する方法も記述されて
いる。ところがこれらの方法では、ペリクルの重要スペ
ックである光線透過率が低下してしまうという難点があ
った。
【発明が解決しようとする問題点] 本発明は以上に示したような従来のペリクルが抱えてい
る問題点を解決し、光線透過率が優れ、かつ帯電防止さ
れたペリクルを提供することを目的としている。
[問題点を解決するための手段] 本発明者らは、上記のような問題を解決するために従来
より種々研究を重ねてきたが、反射防止層に導電性のあ
るフッ素系ポリマーを用いることにより解決できること
を見いだし本発明を完成するに至った。
光学的薄膜体として最外層に屈折率が1.42以下のポ
リマーを用いる反射防止されたペリクルが特公昭63−
22570号公報に提案され、更に特公昭(13−25
(158号公報には該ポリマーがフッ素系ポリマーであ
るようなペリクルが提案されている。これらのペリクル
は、光線に対する干渉波を光学的反射防止条件に合わせ
ることにより打ち消し合うように膜厚を設定したペリク
ルであって、光線透過率は極めて高い。これらの優れた
光線透過率をベースにして、フッ素系ポリマーを探索し
た結果本発明をなすに至ったものである。即ち、本発明
は光学的薄膜体と、それを接着剤を介して一側に有し、
かつ、その反対側の端面に粘着剤層を有する支持枠とを
備えてなるペリクルにおいて、該光学的薄膜体が、−最
大−503M (ここにMはH,Na、KまたはNR4
であり、更にRはH1低級アルキル基である)で表わさ
れるイオン性官能基を分子中に含有するパーフルオロ化
重合体を、少なくとも片面に反射防止層として有してい
ることを特徴とする帯電防止されたペリクルである。
本発明の反射防止層として使用されるこのような重合体
の先駆体は、少なくとも2種の単量体から製造され、そ
の単量体の少なくとも1種は下記の2つの群の各々から
選ばれる。
第1群は、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン、トリフル
オロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、テトラブ
ルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、パーフル
オロ(アルキルビニルエーテル)及びそれらの混合物で
ある。
第2群は、イオン性官能基の先駆体であるスルホニルフ
ルオライド基を有する単量体である。
更に詳しくは、CF2−CF−0−T−CF 2−50
2 Fなる一般式で示される単量体である。
式中のT基は炭素原子1〜8個からなる2官能性のフッ
素化された基であり、分岐してもしていなくてもよく、
1つまたはそれ以上のエーテル結合を有することができ
る。かかる単量体は米国特許8282875号、304
1317号、8718827号及び85005(18号
台分報に開示されており、その例にはつぎのちのがある
CF2− CFOCF2CF2 SO2FeF2− C
POCP20F (CF3)OCP20P2802 F
eF2−CP[0CF2CF (CF3)]2 0CF
2 Cr21802F CF2− CFOCF2 CF (CF20CF3 )
OCP2 CF2502F CF2−CPOCP2 C1’ (CF3 )OCP2
 CF2 CF2 S02 FeF2− Cr’OCr
’2CF20F2802 F以上のような単量体を共重
合することにより本発明に用いる共重合体の先駆体を形
成させることができる。−船釣な重合方法、例えばテト
ラフルオロエチレンを作る際に用いられる方法が適用で
きる。しかし不純物が極力少ないことが望ましいので、
例えば米国特許8041317号公報に開示されている
非水重合法により製造するのが好ましい。即ち、パーフ
ルオロカーボンまたはクロロフルオロカーボンなどの不
活性な液体を溶媒とし、パーフルオロカーボンパーオキ
サイドまたはアゾ化合物のフリーラジカル開始剤の存在
下で温度0〜200℃、圧力1〜200気圧で製造する
ことができる。
好ましい先駆体は次のごとき反復単位を有する重合体で
ある。
−(−CX2 CX2− ) 、 −(−CF−Cr2
−)11 =\ 式中mは3〜15であり、nは 1〜lOであり、pは
0、■または2であり、Xは一緒にして4個のフッ素ま
たは3個のフッ素及び1個の塩素であり、YはF、Cr
コ、または−CF2・0CF3、qは2または3である
このようなパーフルオロ重合体としては、たとえば、C
FZ−CF2と、Cr2− CFOCF2 CP −(
CF3 )OCP20P2802  P  % CF2
 −  CFOCP2 −CF2 802  P  、
CF2  ■ CPOCP2  CF2  Cr2 8
02  P  、CI’2 −  CPOCP2 CF
 (CF3 )OCP2 Cr2 Cr2 SO2F等
との共重合体等を挙げることができる。その内でも最も
好ましいのはテトラフルオロエチレン及びパーフルオロ
(3,6−シオキサー4−メチル−7−オクテンスルホ
ニルフルオライド)である。
これらの先駆体のスルホニルフルオライド基を有するフ
ッ素化重合体は、アルキル金属やテトラアルキルアンモ
ニウムの水酸化物の水溶液またはそれに水と混和性のあ
る有機化合物、例えばジメチルスルホキシドを加えた水
溶液に接触させてスルホニルフルオライド基を転換させ
てスルホン酸型やスルホン酸塩イオン性官能基を有する
フッ素化重合体を得ることができる。
本発明の反射防止層として用いるフッ素化イオン性官能
基含有重合体は約1534〜1.38の屈折率を有する
。このようなポリマーの中でも低い屈折率は、反射防止
の為の光学的条件を満足している(特公昭θ3−258
58号公報参照)。少なくとも片面に反射防止層をこの
ような重合体を塗布することで形成すると、帯電防止効
果はある。しかし、両面に反射防止すると光線透過率は
ハ面のみよりも更に向上させることができるので、より
好ましい態様である。又、イオン性官能基を有すること
により、帯電防止に好適な低電気抵抗の薄膜となり、静
電気による異物付層を阻害することができる。即ち、こ
れらの重合体を光学的薄膜体の最外層に用いると、極め
て良好な光線透過率を有し、かつ、帯電防止の施された
ペリクルを提供できることになった。
光学的薄膜体1の中心層を構成する材料としては、石英
等の無機物やポリマーが使用できる。
ポリマーとしては、ポリエチレンテレフタレート、セル
ロースエステル類、ポリカーボネート、ポリメタクリル
酸メチル、ポリビニルブチラール等を挙げることができ
る。特に一般に好適な素材として、ニトロセルロース、
セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレー
ト、セルロースアセテートプロピオネートが用いられる
支持枠2としてはアルミニウム合金、プラスチック、セ
ラミックス等が使用できる。その大きさはマスクの大き
さに対応して1〜8インチ径または1〜8インチ角程度
であり、その高さは2〜lO■程度である。
接着剤層3としては数多くのものが用いられる。例えば
、デキストリン、デンプン等の天然物、酢酸ビニル、ア
クリル樹脂等の熱可塑性接着剤、アミノ樹脂、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性接着剤、ポリクロロ
プレン、ニトリルゴム等のゴム系接着剤がある。又、こ
れら接着剤の効果のタイプについてみても紫外線硬化型
、加熱硬化型、瞬間硬化型等多様なタイプがある。より
発塵の少ないものが望ましいことはもちろんである。
粘着剤層4の素材としては、発泡もしくは無発泡のテー
プの両面に粘む剤が設けられたいわゆる両面結石テープ
が用いられる。又、結石性があり、かつ、弾性のあるポ
リマーも好適に用いられる。マスクへの装着のやり品さ
から弾性体が層の一部を構成している態様が好ましい。
ペリクルは使用に供されるまで洗浄なケースに収納され
、ゴミの付着を防止する。ステッパーに用いるに当たっ
ては、異物の影響が極めて鋭敏に現れるためマスクの画
像側だけでなく、他の面にもペリクルが装着されるこ−
とが多い。
以下実施例により本発明を更に詳細に説明する。
[実施例] 実施例1 撹拌機付き1文オートクレーブにn−プロパツール45
hl、水300m1及びその官能基が一5O3Na型に
加水分解された粉末状の、テトラフルオロエチレンとパ
ーフルオロ(3,6−シオキサー4−メチル−7−オク
テンスルホニルフルオライド)の共重合体8grを入れ
、撹拌しな−がら 240℃に18時間加熱した後、室
温まで冷却して、透明な溶液を得た。
別に用意しておいたニトロセルロース2.6μ麿の薄膜
の両面に、スピンコーターにより上記フッ素化イオン交
換重合体溶液を塗布した。
両面とも約800人の反射防止層を有する光学的薄膜体
をえた。
アルミニウム合金からなる支持枠に、ウレタンアクリレ
ート系の接着剤(スリーボンド■製、3052C)を塗
布しておき、上記光学的薄膜体に貼り付け、紫外線硬化
により硬化し固着した。支持枠の反対端面に両面粘着テ
ープ(3M沖製、42B2)をつけてペリクルとした。
このペリクルは、g線、i線に対して99.5%の光線
透過率を示した。又、異物を付希させてからエアーブロ
ーしても極めて簡単にとることができた。
実施例2 別のフッ素化イオン交換重合体溶液を下記のようにして
つくる以外、実施例1と同様な方法でペリクルをつくっ
た。
撹拌機付き1交オートクレーブにn−プロパツール20
0m1.メタノール160m1、水400m1及びその
官能基が一503H型に加水分解された粉末状のテトラ
フルオロエチレンとパーフルオロ(3,6−シオキサー
4−メチル−7−オクテンスルホニルフルオライド)の
共重合体8grを入れ、撹拌しながら 220℃に3時
間加熱した後、室温まで冷却し静置した。液層は2層に
分かれたが、低密度の上層を除去し、下層の透明な溶液
にリン酸トリメチル80grを加え撹拌して均一な溶液
とした。
このペリクルも実施例1と同じ程度の光線透過率を有し
、更に帯電防止効果も抜群であった。
[発明の効果] 以上説明したように本発明のペリクルは、高い光線透過
率を有し、かつ、薄膜表面の電気抵抗が低減され、帯電
を防止できるので、薄膜表面に異物が付着してもエアブ
ロ−等により容品に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は一般的なペリクルの説明図、図中1は光学的薄
膜体、2は支持枠、3は接着剤層、4は両面粘むテープ
、5は保護フィルムを示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 光学的薄膜体と、それを接着剤を介して一側に有し、か
    つ、その反対側の端面に粘着剤層を有する支持枠とを備
    えてなるペリクルにおいて、該光学的薄膜体が、一般式
    −SO_3M(ここにMはH、Na、KまたはNR_4
    であり、更にRは、H、低級アルキル基である)で表わ
    されるイオン性官能基を分子中に含有するパーフルオロ
    化重合体を、少なくとも片面に反射防止層として有して
    いることを特徴とする帯電防止されたペリクル。
JP1105962A 1989-04-27 1989-04-27 ペリクル Pending JPH02285348A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168001A (en) * 1991-05-20 1992-12-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Perfluoropolymer coated pellicle
JP2012092248A (ja) * 2010-10-28 2012-05-17 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 帯電防止性粘着剤

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5168001A (en) * 1991-05-20 1992-12-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Perfluoropolymer coated pellicle
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