JPH02287307A - 電気・光信号変換モジュール及びこの変換モジュールの組立方法 - Google Patents
電気・光信号変換モジュール及びこの変換モジュールの組立方法Info
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- JPH02287307A JPH02287307A JP2069530A JP6953090A JPH02287307A JP H02287307 A JPH02287307 A JP H02287307A JP 2069530 A JP2069530 A JP 2069530A JP 6953090 A JP6953090 A JP 6953090A JP H02287307 A JPH02287307 A JP H02287307A
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、電気・光信号変換モジュール及びこの信号変
換モジコールの組立方法に関する。
換モジコールの組立方法に関する。
［従来技術］
１９８８年２月２日に発行されたドッドソン等の米国特
許第４７２２５８６号（特開昭６２−９０６号に対応）
の公報には、電気・光信号変換モジュールの組立方法が
開示されている。この方法によると、金属製のダイオー
ド取付台が、多層セラミック本体の平坦な基準面上に施
した金属被覆層の上にろう付けされ、このダイオード取
付台の頂上にレーザ・ダイオードがろう付けされる。シ
ングル・モード光ファイバの端部は、保護被覆が剥がさ
れ、金属被覆層を施され、セラミックのファイバ取付台
の頂上面にろう付けされる。少量のろう付はクリームが
金属層を施されたセ→ミックの本体の基準面上に塗布さ
れる。ファイバ取付台は、ファイバの端部を固定するこ
とと、従来のマイクロ・マニピュレータで把持可能な取
っ半部を提供するという２つの目的がある。このファイ
バ取付台は、その底面がろう付はクリームに接し、ファ
イバの端面がダイオードの光放射領域と光学的に結合す
るように配置される。このファイバ取付台を適切に配置
し、ろう付はクリームを加熱してから冷まし、ファイバ
取付台はセラミック本体に固定される。
許第４７２２５８６号（特開昭６２−９０６号に対応）
の公報には、電気・光信号変換モジュールの組立方法が
開示されている。この方法によると、金属製のダイオー
ド取付台が、多層セラミック本体の平坦な基準面上に施
した金属被覆層の上にろう付けされ、このダイオード取
付台の頂上にレーザ・ダイオードがろう付けされる。シ
ングル・モード光ファイバの端部は、保護被覆が剥がさ
れ、金属被覆層を施され、セラミックのファイバ取付台
の頂上面にろう付けされる。少量のろう付はクリームが
金属層を施されたセ→ミックの本体の基準面上に塗布さ
れる。ファイバ取付台は、ファイバの端部を固定するこ
とと、従来のマイクロ・マニピュレータで把持可能な取
っ半部を提供するという２つの目的がある。このファイ
バ取付台は、その底面がろう付はクリームに接し、ファ
イバの端面がダイオードの光放射領域と光学的に結合す
るように配置される。このファイバ取付台を適切に配置
し、ろう付はクリームを加熱してから冷まし、ファイバ
取付台はセラミック本体に固定される。
シングル・モード・ファイバとレーザ・ダイオードとの
光学的結合を良好に達成するには、レーザ・ダイオード
に対するファイバの端面の配置は、３つの総ての直線自
由度に関して僅か０．１μｍ程度の許容範囲しかない。
光学的結合を良好に達成するには、レーザ・ダイオード
に対するファイバの端面の配置は、３つの総ての直線自
由度に関して僅か０．１μｍ程度の許容範囲しかない。
上記米国特許公報に開示された電気・光信号変換モジニ
ールの欠点は、ファイバ取付台及びダイオード取付台に
夫々取付られた結果、光ファイバの端面とダイオードの
光放射領域とがセラミックの本体の表面からかなり離れ
てしまうことに基づいている。この結果、ファイバ取付
台とダイオード取付台の熱膨張係数の違いによってダイ
オードの光放射領域とファイバの端面との相対的配置が
大きく変化し得るので、信号変換モジュールが温度の変
化にさらされると、ファイバとダイオードとの光学的結
合が劣化する結果となる。
ールの欠点は、ファイバ取付台及びダイオード取付台に
夫々取付られた結果、光ファイバの端面とダイオードの
光放射領域とがセラミックの本体の表面からかなり離れ
てしまうことに基づいている。この結果、ファイバ取付
台とダイオード取付台の熱膨張係数の違いによってダイ
オードの光放射領域とファイバの端面との相対的配置が
大きく変化し得るので、信号変換モジュールが温度の変
化にさらされると、ファイバとダイオードとの光学的結
合が劣化する結果となる。
ファイバ取付台及びダイオード取付台間の熱膨張係数の
違いに関する問題は、ファイバ及びダイオードを基準表
面に直接固定すれば回避することが出来る。しかし、フ
ァイバを基準表面に直接固定したモジュールを実際に組
み立てるには種々の障害がある。特に、レーザ・ダイオ
ードがセラミック基板の一端付近に配置され、ファイバ
が基板の他端まで基板上を通っていて、ファイバの直径
の数倍の長さに亘ってファイバが基板に固定されること
によりファイバの端面付近がしっかり固定されるように
構成している場合には、ファイバの端面付近の部分を例
えばマイクロ・マニピュレータ等を用いて把持し、その
ファイバの把持した部分を基板に接触させるように操作
する必要がある。
違いに関する問題は、ファイバ及びダイオードを基準表
面に直接固定すれば回避することが出来る。しかし、フ
ァイバを基準表面に直接固定したモジュールを実際に組
み立てるには種々の障害がある。特に、レーザ・ダイオ
ードがセラミック基板の一端付近に配置され、ファイバ
が基板の他端まで基板上を通っていて、ファイバの直径
の数倍の長さに亘ってファイバが基板に固定されること
によりファイバの端面付近がしっかり固定されるように
構成している場合には、ファイバの端面付近の部分を例
えばマイクロ・マニピュレータ等を用いて把持し、その
ファイバの把持した部分を基板に接触させるように操作
する必要がある。
しかし、シングル・モード・ファイバの直径は、その保
護被覆を除いた場合、約１２５μｍ程度が普通なので、
マイクロ・マニピュレータの先端の頚部と基板とがぶつ
からず、且つファイバをしっかりと把持するには、マニ
ピュレータの顎部をファイバの端部の軸に垂直な方向で
基板から６２．５μｍ以内の適性位置に調整しなければ
ならない。
護被覆を除いた場合、約１２５μｍ程度が普通なので、
マイクロ・マニピュレータの先端の頚部と基板とがぶつ
からず、且つファイバをしっかりと把持するには、マニ
ピュレータの顎部をファイバの端部の軸に垂直な方向で
基板から６２．５μｍ以内の適性位置に調整しなければ
ならない。
マイクロ・マニピュレータの顎部が基板にぶつからない
ようにファイバの端面から十分離れた位置を把持するこ
とは出来ない。何故なら、ファイバは非常に細く柔軟な
ので、ファイバの端面から離れた位置を把持して位置の
制御をしたのでは、適性な位置合わせが出来ないからで
ある。この位置合わせの問題は、上述の従来例の場合、
セラミック製のファイバ取付台を用いることにより、解
決可能であり、ファイバ取付台上にファイバを容易にろ
う付けすることが出来る。何故なら、ファイバ取付台の
使用により、ファイバ取付台上のファイバの位置の許容
範囲が大きくなり、マイクロ・マニピュレータ顎部がセ
ラミック本体の基板にぶつからないようにファイバ取付
台を把持することが出来るからである。
ようにファイバの端面から十分離れた位置を把持するこ
とは出来ない。何故なら、ファイバは非常に細く柔軟な
ので、ファイバの端面から離れた位置を把持して位置の
制御をしたのでは、適性な位置合わせが出来ないからで
ある。この位置合わせの問題は、上述の従来例の場合、
セラミック製のファイバ取付台を用いることにより、解
決可能であり、ファイバ取付台上にファイバを容易にろ
う付けすることが出来る。何故なら、ファイバ取付台の
使用により、ファイバ取付台上のファイバの位置の許容
範囲が大きくなり、マイクロ・マニピュレータ顎部がセ
ラミック本体の基板にぶつからないようにファイバ取付
台を把持することが出来るからである。
〔発明が解決しようとする課題］
上述のように、ファイバ取付台を用いることにより、組
立の困難性を解決すると、熱膨張係数の違いによる光学
的結合の劣化を生じ、この光学的結合状態を改善するに
は、組立が困難になるという問題が生じてしまう。
立の困難性を解決すると、熱膨張係数の違いによる光学
的結合の劣化を生じ、この光学的結合状態を改善するに
は、組立が困難になるという問題が生じてしまう。
従って、本発明の目的は、温度変化に対しても光学的結
合状態の劣化を生じることがなく、組立も容易に行える
電気・光信号変換モジュール及びこのモジュールの組立
方法を提供することである。
合状態の劣化を生じることがなく、組立も容易に行える
電気・光信号変換モジュール及びこのモジュールの組立
方法を提供することである。
［課題を解決する為の手段］
本発明によれば、電気・光信号変換モジュール及びこの
電気・光信号変換モジニールの組立方法を開示している
。本発明の電気・光信号変換モジュールは、平面状の主
面を有する支持部材と、この支持部材の主面に直接固着
された電気・光信号変換器と、上記支持部材の主面に直
接固着され、端面が上記電気・光信号変換器と光学的に
結合されるように配置された光ファイバとを含んでいる
。
電気・光信号変換モジニールの組立方法を開示している
。本発明の電気・光信号変換モジュールは、平面状の主
面を有する支持部材と、この支持部材の主面に直接固着
された電気・光信号変換器と、上記支持部材の主面に直
接固着され、端面が上記電気・光信号変換器と光学的に
結合されるように配置された光ファイバとを含んでいる
。
本発明の電気・光信号変換モジュールの組立方法によれ
ば、先ず、支持部材の平面状の主面に電気・光信号変換
器を直接固着し、次に光ファイバの端部付近に把持部品
を固着し、上記把持部品をマイクロ・マニピユレータ等
で把持することにより、上記光ファイバ及び上記電気・
光信号変換器が光学的に結合するように上記支持部材の
主面上で上記光ファイバの位置を調整し、上記光ファイ
バを上記支持部材の主面に直接固着する。
ば、先ず、支持部材の平面状の主面に電気・光信号変換
器を直接固着し、次に光ファイバの端部付近に把持部品
を固着し、上記把持部品をマイクロ・マニピユレータ等
で把持することにより、上記光ファイバ及び上記電気・
光信号変換器が光学的に結合するように上記支持部材の
主面上で上記光ファイバの位置を調整し、上記光ファイ
バを上記支持部材の主面に直接固着する。
［作用］
本発明の電気・光信号変換モジュールは、電気・光信号
変換器及び光ファイバが共に支持部材の主面上に直接固
着され、互いに光学的に結合されているので、周囲の温
度変化による部材の熱膨張係数の違いによって両者の光
学的結合が損なわれることがない。
変換器及び光ファイバが共に支持部材の主面上に直接固
着され、互いに光学的に結合されているので、周囲の温
度変化による部材の熱膨張係数の違いによって両者の光
学的結合が損なわれることがない。
本発明の電気・光信号変換モジュールの組立方法によれ
ば、光ファイバを支持部材の主面上に直接固着する際に
、把持部品を光ファイバの端部付近に固着し、この把持
部品を把持することにより、光ファイバの位置を適正に
調整出来るので、細い光ファイバでも位置合わせが容易
で組立が簡単になる。
ば、光ファイバを支持部材の主面上に直接固着する際に
、把持部品を光ファイバの端部付近に固着し、この把持
部品を把持することにより、光ファイバの位置を適正に
調整出来るので、細い光ファイバでも位置合わせが容易
で組立が簡単になる。
［実施例］
第１図は、光ファイバを取付る前のセラミック製基板（
２）の斜視図であり、その平坦な主面（４）の４つの領
域（６）、（８）、（１０）及び（１２）には金属層が
施されている。これらの領域（６）乃至〈１２）の各金
属層の厚さは、一般に１０〜１２μｍ程度である。例え
ば１ｎＧａ、ＡｓＰのレーザ・ダイオードを形成した半
導体のグイ（１４）が、基板（２）の金属層領域（６）
の上にろう付けされている。従って、グイ （１４）は
、基板（２）に直接固着しており、グイ （１４）と基
板（２）との間には固着に必要な物質しかない。
２）の斜視図であり、その平坦な主面（４）の４つの領
域（６）、（８）、（１０）及び（１２）には金属層が
施されている。これらの領域（６）乃至〈１２）の各金
属層の厚さは、一般に１０〜１２μｍ程度である。例え
ば１ｎＧａ、ＡｓＰのレーザ・ダイオードを形成した半
導体のグイ（１４）が、基板（２）の金属層領域（６）
の上にろう付けされている。従って、グイ （１４）は
、基板（２）に直接固着しており、グイ （１４）と基
板（２）との間には固着に必要な物質しかない。
グイ（１４）の下のろう層の厚さは、約１０〜１３μｍ
程度なので、グイ（１４）及びセラミック基板（２）間
の最大距離は、約２５μｍである。
程度なので、グイ（１４）及びセラミック基板（２）間
の最大距離は、約２５μｍである。
グイ （１４）自身の厚さは約１００μｍ程度であり、
レーザ・ダイオードの光出力ポートはグイ（１４）の上
表面から約３μｍ下の位置にある。
レーザ・ダイオードの光出力ポートはグイ（１４）の上
表面から約３μｍ下の位置にある。
従って、この光出力ボートは、主面（４）の上方約１１
７〜１２２μｍの高さに位置している。グイ （１４）
は、ワイヤにより金属層領域（８）に接続されている。
７〜１２２μｍの高さに位置している。グイ （１４）
は、ワイヤにより金属層領域（８）に接続されている。
金属層領域（６）及び（８）は、光を出力するレーザ・
ダイオードを駆動する電流源に接続出来る。ろう予備成
型部（１６）及び（１８）が金属層領域（１０）及び（
１２）に固着されている。
ダイオードを駆動する電流源に接続出来る。ろう予備成
型部（１６）及び（１８）が金属層領域（１０）及び（
１２）に固着されている。
第２Ａ図は、合成重合体の保護被覆（２０）を有する光
ファイバの一部を示す図である。このファイバには、有
機物の緩衝層も設けられている。
ファイバの一部を示す図である。このファイバには、有
機物の緩衝層も設けられている。
第２Ｂ図は、ファイバの端部（２２）から保護被覆（２
０）及び緩衝層を除去した場合の図である。
０）及び緩衝層を除去した場合の図である。
ファイバの端面（２４）は、レンズを形成している。図
示していないが、ファイバの端１（２２）の表面にはろ
う付けが可能な金属層が形成されている。光ファイバに
金属層を形成する多くの冶金システムが周知である。フ
ァイバの端面（２４）は、レンズが形成された後、マス
ク処理することにより、金属層の形成を防止している。
示していないが、ファイバの端１（２２）の表面にはろ
う付けが可能な金属層が形成されている。光ファイバに
金属層を形成する多くの冶金システムが周知である。フ
ァイバの端面（２４）は、レンズが形成された後、マス
ク処理することにより、金属層の形成を防止している。
別の方法として、ファイバ端面部分も金属層を形成し、
その後で新たな端面をレンズに形成しても良い。第２Ｃ
図は、金属層が形成された光ファイバの端部（２２）と
Ｔ型金属製把持部品とがろう付けされた様子を示す図で
ある。ファイバの端部（２２）が把持部品（２８）に接
続されている部分の長さは、ファイバの直径の約１０倍
程度なので、光ファイバは、把持部品（２８）にしっか
りと固定されている。
その後で新たな端面をレンズに形成しても良い。第２Ｃ
図は、金属層が形成された光ファイバの端部（２２）と
Ｔ型金属製把持部品とがろう付けされた様子を示す図で
ある。ファイバの端部（２２）が把持部品（２８）に接
続されている部分の長さは、ファイバの直径の約１０倍
程度なので、光ファイバは、把持部品（２８）にしっか
りと固定されている。
第３図は、光ファイバをセラミック基板（２）の主面（
４）上に取付だ様子を示す図である。第３図に示すよう
に、把持部品（２８）のＴ型の中心部分（３２）がマイ
クロ・マニピュレータの顎ａ（Ｓ（３０）によって把持
される。マイクロ・マニピユレータにより、セラミック
製基板（２）の上側止面（４）上の把持部品（２８）の
位置が調整され、ファイバの端面がレーザ・ダイオード
からの出力光線を受けるように位置調整される。レーザ
・ダイオードが励起されると、ファイバの他端から出力
される光パワー・レベルが監視される。
４）上に取付だ様子を示す図である。第３図に示すよう
に、把持部品（２８）のＴ型の中心部分（３２）がマイ
クロ・マニピュレータの顎ａ（Ｓ（３０）によって把持
される。マイクロ・マニピユレータにより、セラミック
製基板（２）の上側止面（４）上の把持部品（２８）の
位置が調整され、ファイバの端面がレーザ・ダイオード
からの出力光線を受けるように位置調整される。レーザ
・ダイオードが励起されると、ファイバの他端から出力
される光パワー・レベルが監視される。
マイクロ・マニピュレータを用いてファイバの端面の位
置を調整し、ファイバの他端からの出力光の光パワー・
レベルでレーザ・ダイオードの出力を十分測定出来るよ
うに、レーザ・ダイオードと光ファイバとを光学的に結
合する。光ファイバの端面（２４）は、把持部品（２８
）からファイバの直径の約１０倍程度しか離れていない
ので、把持部品（２８）からファイバの端面までの間の
部分は、ファイバの重量により曲がることはなく、マイ
クロ・マニピュレータで把持部品（２８）を加速及び減
速してもこのファイバの端部は大きく動くことはない。
置を調整し、ファイバの他端からの出力光の光パワー・
レベルでレーザ・ダイオードの出力を十分測定出来るよ
うに、レーザ・ダイオードと光ファイバとを光学的に結
合する。光ファイバの端面（２４）は、把持部品（２８
）からファイバの直径の約１０倍程度しか離れていない
ので、把持部品（２８）からファイバの端面までの間の
部分は、ファイバの重量により曲がることはなく、マイ
クロ・マニピュレータで把持部品（２８）を加速及び減
速してもこのファイバの端部は大きく動くことはない。
光ファイバを充分正確に位置調整すると、金属層領域〈
１０）上のろう予備成型部（１６）を加熱し、溶融ろう
溜まり（１６’）を形成してファイバ及び基板の金属層
同士をろう付けしファイバをセラミック製基板に固定す
る。
１０）上のろう予備成型部（１６）を加熱し、溶融ろう
溜まり（１６’）を形成してファイバ及び基板の金属層
同士をろう付けしファイバをセラミック製基板に固定す
る。
金属層領域（１０）の上のファイバの下に形成されるろ
う層の厚さは、一般に２５〜５０μｍ程度なので、ファ
イバの中心軸の高さは、基板の主面（４）上の９７〜１
２３μｍ程度の範囲となる。
う層の厚さは、一般に２５〜５０μｍ程度なので、ファ
イバの中心軸の高さは、基板の主面（４）上の９７〜１
２３μｍ程度の範囲となる。
このファイバの中心軸の高さの許容範囲により、レーザ
・ダイオードのグイ （１４）の高さに相当大きな誤差
があっても吸収することが出来る。
・ダイオードのグイ （１４）の高さに相当大きな誤差
があっても吸収することが出来る。
金属層領域（１０）のろう予備成型部（１６）を加熱す
るのと同時に、金属層領域（１２）上のろう予備成型部
（１８）も加熱し、ろう溜まり（１８’）を形成してフ
ァイバと基板を固着する。
るのと同時に、金属層領域（１２）上のろう予備成型部
（１８）も加熱し、ろう溜まり（１８’）を形成してフ
ァイバと基板を固着する。
金属層領域（１２）上のファイバの下のろう暦の厚さに
は特に厳しい制限はない。何故なら、この部分を接続す
る目的は、ファイバに加わる応力によってろう溜まり（
１６Ｍが損傷を受けないように応力を緩和してファイバ
と基板との接続を保護することのみで良いからである。
は特に厳しい制限はない。何故なら、この部分を接続す
る目的は、ファイバに加わる応力によってろう溜まり（
１６Ｍが損傷を受けないように応力を緩和してファイバ
と基板との接続を保護することのみで良いからである。
Ｔ型構造の把持部品（２８）を用いたことにより、マイ
クロ・マニピュレータの顎部（３０）がファイバや基板
等の部品を間違って把持したり、損傷したりする危険を
な（し、把持部品（２８）と極めて接近している基板上
にファイバ等の部品を正確に配置することが可能になる
。
クロ・マニピュレータの顎部（３０）がファイバや基板
等の部品を間違って把持したり、損傷したりする危険を
な（し、把持部品（２８）と極めて接近している基板上
にファイバ等の部品を正確に配置することが可能になる
。
ファイバ端部（２２）及びグイ （１４）を基板（２）
に直接接続することにより、グイ及び基板間の距離並び
にファイバ及び基板間の距離が最小となるので、グイ
（１４）の光出力部分及び基板間の物質の熱膨張係数と
、ファイバの中心軸及び基板間の物質との熱膨張係数の
違いにより、ファイバの端面の位置とグイ （１４）の
光出力位置との相対的関係が温度変化によって狂うのを
防止することが出来る。
に直接接続することにより、グイ及び基板間の距離並び
にファイバ及び基板間の距離が最小となるので、グイ
（１４）の光出力部分及び基板間の物質の熱膨張係数と
、ファイバの中心軸及び基板間の物質との熱膨張係数の
違いにより、ファイバの端面の位置とグイ （１４）の
光出力位置との相対的関係が温度変化によって狂うのを
防止することが出来る。
更に、グイ （１４）を基板（２）に直接接続すること
により、ダイオード取付台の上にグイを接続した場合に
比較して、グイに遥かに整合したインピーダンスの導線
を接続することが可能になる。
により、ダイオード取付台の上にグイを接続した場合に
比較して、グイに遥かに整合したインピーダンスの導線
を接続することが可能になる。
この結果、レーザ・ダイオードの出力パワー・レベルの
全範囲に亘って更に精度の高い制御をすることが出来る
。
全範囲に亘って更に精度の高い制御をすることが出来る
。
パッケージ化され組み込まれた種々の部品を固着（ろう
付け）する為のろうの種類は、主面（４）及びファイバ
の端部（２２）に施された金属層によって決まる。例え
ば、金属層が表面に金をメツキしたものの場合には、イ
ンジウム・鉛か又は金・錫のろうを用いれば良い。例え
ば、金８０％、錫２０％で融点が２８０°Ｃのろうを用
いてグイ及び基板並びにファイバ及び基板を固着した場
合には、その後の組立作業の際にもっと融点の低い種々
のろうを自由に用いることが出来る。このような組立作
業には、基板に蓋状の部品を接続したり、パッケージの
出力管にファイバを封入したりする工程が含まれている
のが普通である。
付け）する為のろうの種類は、主面（４）及びファイバ
の端部（２２）に施された金属層によって決まる。例え
ば、金属層が表面に金をメツキしたものの場合には、イ
ンジウム・鉛か又は金・錫のろうを用いれば良い。例え
ば、金８０％、錫２０％で融点が２８０°Ｃのろうを用
いてグイ及び基板並びにファイバ及び基板を固着した場
合には、その後の組立作業の際にもっと融点の低い種々
のろうを自由に用いることが出来る。このような組立作
業には、基板に蓋状の部品を接続したり、パッケージの
出力管にファイバを封入したりする工程が含まれている
のが普通である。
偏光性を有する光ファイバは、光ファイバの中心軸の回
りに対称ではない。例えば、光ファイバのコアは断面が
楕円形のこともあるし、又は光ファイバが縦方向の強度
を増加する脈状部分を含んでいることもある。このよう
なファイバでも中心軸に関して所定の方向でファイバ取
付台に固定可能で、更に、ファイバ取付台はファイバの
端部の中心軸に関して所定の角度で基板に固定すること
が可能である。この結果、レーザ・ダイオードからの出
力光の偏光状態を維持したまま、光ファイバを伝播させ
ることが可能である。
りに対称ではない。例えば、光ファイバのコアは断面が
楕円形のこともあるし、又は光ファイバが縦方向の強度
を増加する脈状部分を含んでいることもある。このよう
なファイバでも中心軸に関して所定の方向でファイバ取
付台に固定可能で、更に、ファイバ取付台はファイバの
端部の中心軸に関して所定の角度で基板に固定すること
が可能である。この結果、レーザ・ダイオードからの出
力光の偏光状態を維持したまま、光ファイバを伝播させ
ることが可能である。
以上本発明の好適実施例について説明したが、本発明は
ここに説明した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱することなく必要に応じて種々の変
形及び変更を実施し得ることは当業者には明らかである
。例えば、本明細書では、シングル・モードの光出力モ
ジニールに関して説明したが、本発明は、マルチ・モー
ドの光出力モジュール及び光受信モジュールにも応用可
能である。マルチ′・モードの装置の場合には、シング
ル・モードのモジュールの場合に比較して、ダイオード
に対する光ファイバの位置調整許容範囲はそれほど厳し
いものではない。更に、気密性を完全にする必要がなく
、通気性が許容されるような場合には、ろう付けの代わ
りに有機接着剤を用いて組み立てることも可能である。
ここに説明した実施例のみに限定されるものではなく、
本発明の要旨を逸脱することなく必要に応じて種々の変
形及び変更を実施し得ることは当業者には明らかである
。例えば、本明細書では、シングル・モードの光出力モ
ジニールに関して説明したが、本発明は、マルチ・モー
ドの光出力モジュール及び光受信モジュールにも応用可
能である。マルチ′・モードの装置の場合には、シング
ル・モードのモジュールの場合に比較して、ダイオード
に対する光ファイバの位置調整許容範囲はそれほど厳し
いものではない。更に、気密性を完全にする必要がなく
、通気性が許容されるような場合には、ろう付けの代わ
りに有機接着剤を用いて組み立てることも可能である。
［発明の効果］
本発明の電気・光信号変換モジュールによれば、電気・
光信号変換器及び光ファイバが共に支持部材の主面上に
直接固着され、取付台を使用していないので、周囲の温
度変化による取付台の部材の熱膨張係数の違いによって
両者の光学的結合が損なわれることがない。更に、本発
明の電気・光信号変換モジニールの組立方法によれば、
光ファイバを支持部材の主面上に直接固着する際に、把
持部品を光ファイバの端部付近に固着し、この把持部品
をマイクロ・マニピュレータ等で把持することにより、
光ファイバの位置を適正に調整出来る。
光信号変換器及び光ファイバが共に支持部材の主面上に
直接固着され、取付台を使用していないので、周囲の温
度変化による取付台の部材の熱膨張係数の違いによって
両者の光学的結合が損なわれることがない。更に、本発
明の電気・光信号変換モジニールの組立方法によれば、
光ファイバを支持部材の主面上に直接固着する際に、把
持部品を光ファイバの端部付近に固着し、この把持部品
をマイクロ・マニピュレータ等で把持することにより、
光ファイバの位置を適正に調整出来る。
従って、細い光ファイバを直接把持する必要がなく把持
及び位置合わせが容易で組立が簡単になる。
及び位置合わせが容易で組立が簡単になる。
第１図は、ダイオード・パッケージが接続され、光ファ
イバの接続前の基板（支持部材）の部分斜視図、第２Ａ
図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図は、基板に取り付ける＊ｍの
為の光ファイバの加工作業の様子を順に示す図、第３図
は、基板に光ファイバを取り付けた際の斜視図である。 （２）は支持部材（基板）、（４）は主面、（１４）は
電気・光信号変換器、（２８）は把持部品、（２２）は
光ファイバである。
イバの接続前の基板（支持部材）の部分斜視図、第２Ａ
図、第２Ｂ図及び第２Ｃ図は、基板に取り付ける＊ｍの
為の光ファイバの加工作業の様子を順に示す図、第３図
は、基板に光ファイバを取り付けた際の斜視図である。 （２）は支持部材（基板）、（４）は主面、（１４）は
電気・光信号変換器、（２８）は把持部品、（２２）は
光ファイバである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、平面状の主面を有する支持部材と、 該支持部材の主面に直接固着された電気・光信号変換器
と、 上記支持部材の主面に直接固着され、端面が上記電気・
光信号変換器と光学的に結合されるように配置された光
ファイバとを具えることを特徴とする電気・光信号変換
モジュール。 ２、支持部材の平面状の主面に電気・光信号変換器を直
接固着し、 光ファイバの端部付近に把持部品を固着し、上記把持部
品を把持することにより上記光ファイバ及び上記電気・
光信号変換器が光学的に結合するように上記支持部材の
主面上で上記光ファイバの位置を調整し、 上記光ファイバを上記支持部材の主面に直接固着するこ
とを特徴とする電気・光変換モジュールの組立方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US332270 | 1989-04-03 | ||
| US07/332,270 US4997253A (en) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | Electro-optical transducer module and a method of fabricating such a module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02287307A true JPH02287307A (ja) | 1990-11-27 |
| JP2739605B2 JP2739605B2 (ja) | 1998-04-15 |
Family
ID=23297495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2069530A Expired - Fee Related JP2739605B2 (ja) | 1989-04-03 | 1990-03-19 | 電気・光信号変換モジュール及びこの変換モジュールの組立方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4997253A (ja) |
| JP (1) | JP2739605B2 (ja) |
| GB (1) | GB2230647B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5123065A (en) * | 1991-06-17 | 1992-06-16 | Tektronix, Inc. | Electro-optical transducer module |
| FR2686708B1 (fr) * | 1992-01-27 | 1994-12-09 | Mars Actel | Procede de prehension et de manipulation d'une fibre optique. |
| EP0554153A1 (fr) * | 1992-01-27 | 1993-08-04 | Alcatel Cable Interface | Procédé et dispositif de préhension et de manipulation d'une fibre optique |
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1989
- 1989-04-03 US US07/332,270 patent/US4997253A/en not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-20 GB GB9003836A patent/GB2230647B/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-03-19 JP JP2069530A patent/JP2739605B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPS63167311A (ja) * | 1986-12-29 | 1988-07-11 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光素子と光フアイバとの結合器 |
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| GB2230647A (en) | 1990-10-24 |
| JP2739605B2 (ja) | 1998-04-15 |
| US4997253A (en) | 1991-03-05 |
| GB2230647B (en) | 1993-02-24 |
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