JPH0228911B2 - Konetsudendoseidenkizetsuenkiban - Google Patents
KonetsudendoseidenkizetsuenkibanInfo
- Publication number
- JPH0228911B2 JPH0228911B2 JP4045681A JP4045681A JPH0228911B2 JP H0228911 B2 JPH0228911 B2 JP H0228911B2 JP 4045681 A JP4045681 A JP 4045681A JP 4045681 A JP4045681 A JP 4045681A JP H0228911 B2 JPH0228911 B2 JP H0228911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass cloth
- boron nitride
- hexagonal boron
- substrate
- metal plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、熱放散性と耐電圧が良好で信頼性が
高い高熱伝導性電気絶縁基板に関するものであ
る。
高い高熱伝導性電気絶縁基板に関するものであ
る。
従来から熱放散性を必要とするパワーICを含
む混成集積回路用基板として、セラミツクやガラ
ス基板が用いられているが、これらの基板は切
断、孔あけ等の後加工が困難であるとともに熱放
散性も不十分であつた。
む混成集積回路用基板として、セラミツクやガラ
ス基板が用いられているが、これらの基板は切
断、孔あけ等の後加工が困難であるとともに熱放
散性も不十分であつた。
又、金属板と熱硬化性樹脂との複合絶縁板やア
ルミニウム板の表面に電気絶縁性のアルマイト皮
膜を形成したものなどが開発されているが、前者
は有機質が絶縁層であるために熱伝導性が悪く、
又後者は基板の温度が上昇した場合にアルマイト
皮膜にひび割れが入り、電気絶縁性が著しく低下
するなどの欠点があつた。
ルミニウム板の表面に電気絶縁性のアルマイト皮
膜を形成したものなどが開発されているが、前者
は有機質が絶縁層であるために熱伝導性が悪く、
又後者は基板の温度が上昇した場合にアルマイト
皮膜にひび割れが入り、電気絶縁性が著しく低下
するなどの欠点があつた。
本発明は、これらの欠点を解消し、熱伝導性と
ともに耐電圧が良好であり、且つ電気絶縁層の厚
さが均一な高信頼性のある高熱伝導性電気絶縁基
板を提供するものである。この基板は、各種の集
積回路用基板、その他の印刷配線板、放熱板等に
好適なものである。
ともに耐電圧が良好であり、且つ電気絶縁層の厚
さが均一な高信頼性のある高熱伝導性電気絶縁基
板を提供するものである。この基板は、各種の集
積回路用基板、その他の印刷配線板、放熱板等に
好適なものである。
本発明に関連して、先に形状因子が1.0〜1.4で
平滑な面を有する多面体状の金属酸化物粒子を有
機質高分子中に分散させた混合物からなる皮膜を
金属板上に設けることにより、熱放散性が良好な
高熱伝導性電気絶縁基板が得られることを発見
し、これを提案したが、その後の研究により、こ
の基板をつくる上において、金属板上に上記混合
物を塗布し、乾燥工程を経て、プレスにより加
圧、加熱して硬化１体化する際に、金属板端部か
ら有機質高分子及び金属酸化物粒子が流出し、絶
縁層の厚さが不均一になること、及び絶縁層中に
気泡が残留するため耐電圧性が不均一になる等の
問題があり、これを避けようとすると有機質高分
子等の流出防止手段を別に設けねばならず、生産
性の低下等を来たすことがわかつた。
平滑な面を有する多面体状の金属酸化物粒子を有
機質高分子中に分散させた混合物からなる皮膜を
金属板上に設けることにより、熱放散性が良好な
高熱伝導性電気絶縁基板が得られることを発見
し、これを提案したが、その後の研究により、こ
の基板をつくる上において、金属板上に上記混合
物を塗布し、乾燥工程を経て、プレスにより加
圧、加熱して硬化１体化する際に、金属板端部か
ら有機質高分子及び金属酸化物粒子が流出し、絶
縁層の厚さが不均一になること、及び絶縁層中に
気泡が残留するため耐電圧性が不均一になる等の
問題があり、これを避けようとすると有機質高分
子等の流出防止手段を別に設けねばならず、生産
性の低下等を来たすことがわかつた。
これらの問題点を改善する為に、更に検討を行
なつた結果、ガラスクロス中に前記混合物を介在
させるとともに、そのガラスクロスを金属板上に
固着し、１体化させて基板を構成することによ
り、熱放散性を損うことなく耐電圧が良好で絶縁
層の厚さが均一な高信頼性のある高熱伝導性電気
絶縁基板が得られることを見出し、特許出願し
た。この中には更に熱伝導性を改良する為に前記
した特定形状の金属酸化物粒子に加えて熱伝導性
の良い六方晶BN、BeO等を添加したものも含ま
れている。
なつた結果、ガラスクロス中に前記混合物を介在
させるとともに、そのガラスクロスを金属板上に
固着し、１体化させて基板を構成することによ
り、熱放散性を損うことなく耐電圧が良好で絶縁
層の厚さが均一な高信頼性のある高熱伝導性電気
絶縁基板が得られることを見出し、特許出願し
た。この中には更に熱伝導性を改良する為に前記
した特定形状の金属酸化物粒子に加えて熱伝導性
の良い六方晶BN、BeO等を添加したものも含ま
れている。
但し、この場合は前記金属酸化物と併用してい
るため、その添加量には限度があつた。
るため、その添加量には限度があつた。
一方、ICの高密度が更に進むにつれ、基板に
対して、更に熱放散性が良いことが要求されるよ
うになつた。このような事情に鑑みて、上記基板
に対して、六方晶BNを多量部数添加、或は、六
方晶BNのみを添加するのを試作評価した結果、
次の如き問題点があることがわかつた。即ち、一
般に市販されているBN微粉は、粒径が小さく、
又、有機高分子に対しての濡れが悪い為に、基板
の耐電圧が低下し、又金属板、ガラスクロスに対
しての密着強度が低下することがわかつた。
対して、更に熱放散性が良いことが要求されるよ
うになつた。このような事情に鑑みて、上記基板
に対して、六方晶BNを多量部数添加、或は、六
方晶BNのみを添加するのを試作評価した結果、
次の如き問題点があることがわかつた。即ち、一
般に市販されているBN微粉は、粒径が小さく、
又、有機高分子に対しての濡れが悪い為に、基板
の耐電圧が低下し、又金属板、ガラスクロスに対
しての密着強度が低下することがわかつた。
本発明は、これらの欠点を解消し、熱伝導性、
耐電圧と共に密着強度が良好であり、且つ電気絶
縁層の厚さが均一な高信頼性のある高熱伝導性電
気絶縁基板を得ることを目的に開発したものであ
り、その特徴は上記した基板においてボロンナイ
トライド微粉末を特定の結合剤を用い焼結粒子に
して使用する点にある。
耐電圧と共に密着強度が良好であり、且つ電気絶
縁層の厚さが均一な高信頼性のある高熱伝導性電
気絶縁基板を得ることを目的に開発したものであ
り、その特徴は上記した基板においてボロンナイ
トライド微粉末を特定の結合剤を用い焼結粒子に
して使用する点にある。
即ち、本発明の第１は金属板とガラスクロスと
がカルシウム硼酸塩又は硼ケイ酸ガラスを結合剤
とする六方晶ボロンナイトライドの焼結粒子と有
機質高分子との混合物で１体に固着している高熱
伝導性電気絶縁基板であり、第２の発明はこの基
板のガラスクロス上に金属箔が一体に固着してい
る高熱伝導性電気絶縁基板である。これらの場合
においてガラスクロス及び金属箔は金属板の片面
又は両面に固着させることができる。
がカルシウム硼酸塩又は硼ケイ酸ガラスを結合剤
とする六方晶ボロンナイトライドの焼結粒子と有
機質高分子との混合物で１体に固着している高熱
伝導性電気絶縁基板であり、第２の発明はこの基
板のガラスクロス上に金属箔が一体に固着してい
る高熱伝導性電気絶縁基板である。これらの場合
においてガラスクロス及び金属箔は金属板の片面
又は両面に固着させることができる。
以下本発明を詳しく説明する。
六方晶ボロンナイトライド微粉末の焼結結合剤
としては種々のものが知られているが、焼結粒子
を本発明の基板に使用する場合は結合剤としては
カルシウム硼酸塩又は硼ケイ酸ガラスが好まし
い。
としては種々のものが知られているが、焼結粒子
を本発明の基板に使用する場合は結合剤としては
カルシウム硼酸塩又は硼ケイ酸ガラスが好まし
い。
カルシウム硼酸塩は3CaO・B2O3、CaO・
B2O3、CaO・2B2O3等の組成のものであり、勿
論これらは混合したものでもよい。即ち、CaOと
B2O3のモル比で表わせばCaO／B2O3が0.5〜３の
範囲の組成にして使用するのが好ましい。CaO／
B2O3が0.5より小さいと吸湿性を示し、基板の耐
電圧が低下し、又３より大きいと結合剤としての
結合力が弱い。
B2O3、CaO・2B2O3等の組成のものであり、勿
論これらは混合したものでもよい。即ち、CaOと
B2O3のモル比で表わせばCaO／B2O3が0.5〜３の
範囲の組成にして使用するのが好ましい。CaO／
B2O3が0.5より小さいと吸湿性を示し、基板の耐
電圧が低下し、又３より大きいと結合剤としての
結合力が弱い。
硼けい酸ガラスとしては、硼酸の含有量は、３
〜10重量％が好ましい。硼酸が10重量％を越える
と吸湿性を示し基板の耐電圧が低下し、硼酸が３
重量％未満では結合剤としての結合力が弱い。
〜10重量％が好ましい。硼酸が10重量％を越える
と吸湿性を示し基板の耐電圧が低下し、硼酸が３
重量％未満では結合剤としての結合力が弱い。
これらの結合剤の添加量は、六方晶ボロンナイ
トライドに対して１〜20重量％好ましくは２〜15
重量％である。添加量が１重量％未満では、焼結
した六方晶ボロンナイトライド粉末の粒子の強度
が弱く、有機高分子物質への混合に際して粒子の
崩壊が生じ、基板の耐電圧が低下し、20重量％を
越えると基板の熱伝導率が低下する。
トライドに対して１〜20重量％好ましくは２〜15
重量％である。添加量が１重量％未満では、焼結
した六方晶ボロンナイトライド粉末の粒子の強度
が弱く、有機高分子物質への混合に際して粒子の
崩壊が生じ、基板の耐電圧が低下し、20重量％を
越えると基板の熱伝導率が低下する。
六方晶ボロンナイトライドの焼結粒子を得るに
は先ず六方晶ボロンナイトライドと上記の結合剤
とをボールミル等で混合した後、混合粉末を常温
加圧下で成型し、非酸化性雰囲気下、温度1000〜
2000℃で焼結するか、上記条件下で圧力50〜450
Kg／cm2で熱圧成型して六方晶ボロンナイトライド
の焼結体とする。次いでこの六方晶ボロンナイト
ライドの焼結体を粉砕機で粉砕するか、又は、切
削機等により切削した後、これを粉砕し更に所望
の粒径以下の粒子に篩分し、六方晶ボロンナイト
ライドの焼結粒子とする。粒子の大きさは、最大
粒径がガラスクロスの厚さと同程度が好ましく、
又ガラスクロスの中に入ることができるようにす
る必要があるが通常は最大50μ程度が適当であ
り、下限はあまり小さいと前記したような問題が
生ずるので2μ程度が好ましい。
は先ず六方晶ボロンナイトライドと上記の結合剤
とをボールミル等で混合した後、混合粉末を常温
加圧下で成型し、非酸化性雰囲気下、温度1000〜
2000℃で焼結するか、上記条件下で圧力50〜450
Kg／cm2で熱圧成型して六方晶ボロンナイトライド
の焼結体とする。次いでこの六方晶ボロンナイト
ライドの焼結体を粉砕機で粉砕するか、又は、切
削機等により切削した後、これを粉砕し更に所望
の粒径以下の粒子に篩分し、六方晶ボロンナイト
ライドの焼結粒子とする。粒子の大きさは、最大
粒径がガラスクロスの厚さと同程度が好ましく、
又ガラスクロスの中に入ることができるようにす
る必要があるが通常は最大50μ程度が適当であ
り、下限はあまり小さいと前記したような問題が
生ずるので2μ程度が好ましい。
これらの粒子粉末と有機質高分子との混合物を
用いてガラスクロスと金属板とを１体化させるに
は、例えば、ガラスクロスに混合物を塗布し、こ
れを金属板に重ね合せ、乾燥し、次いで加圧下で
加熱硬化する。更に金属箔を１体化させるにはガ
ラスクロス上に金属箔を載せ、上記同様処理すれ
ばよい。金属箔は銅、アルミニウム、ニツケル等
が用いられる。
用いてガラスクロスと金属板とを１体化させるに
は、例えば、ガラスクロスに混合物を塗布し、こ
れを金属板に重ね合せ、乾燥し、次いで加圧下で
加熱硬化する。更に金属箔を１体化させるにはガ
ラスクロス上に金属箔を載せ、上記同様処理すれ
ばよい。金属箔は銅、アルミニウム、ニツケル等
が用いられる。
焼結六方晶ボロンナイトライド粒子はガラスク
ロスの網目の中に均一に分散し、プレス時に均一
な絶縁層が形成され気泡の残留がない高信頼性を
持つ高熱伝導性電気絶縁基板が得られる。
ロスの網目の中に均一に分散し、プレス時に均一
な絶縁層が形成され気泡の残留がない高信頼性を
持つ高熱伝導性電気絶縁基板が得られる。
六方晶ボロンナイトライド粉末の有機質高分子
への添加量は、重量で10〜150％が適当である。
への添加量は、重量で10〜150％が適当である。
本発明に用いられる有機質高分子としては、エ
ポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂等
であり、又ガラスクロスは平織り或は、朱子織り
のいずれでもよく、ガラスクロスの表面処理の有
無及び種類は特に限定されないが、使用される有
機質高分子に適合したカツプリング剤等によつて
処理されたものが好ましい。
ポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂等
であり、又ガラスクロスは平織り或は、朱子織り
のいずれでもよく、ガラスクロスの表面処理の有
無及び種類は特に限定されないが、使用される有
機質高分子に適合したカツプリング剤等によつて
処理されたものが好ましい。
ガラスクロスの厚さは30〜110μｍの範囲の中
から必要な絶縁層の厚さに応じて選択され、そし
て六方晶ボロンナイトライドと有機質高分子との
混合物がガラスクロスの網目内を充填するように
構成される。
から必要な絶縁層の厚さに応じて選択され、そし
て六方晶ボロンナイトライドと有機質高分子との
混合物がガラスクロスの網目内を充填するように
構成される。
本発明に用いられる金属板は、アルミニウム、
鉄、銅等が適用され、その表面処理の有無は限定
されない。これらの金属板の厚さはIC基板等で
は一般に0.5〜３mmの範囲のものが用いられる。
鉄、銅等が適用され、その表面処理の有無は限定
されない。これらの金属板の厚さはIC基板等で
は一般に0.5〜３mmの範囲のものが用いられる。
次に金属板にガラスクロスを前記混合物で１体
化させる方法の１例について説明する。
化させる方法の１例について説明する。
先ずガラスクロスを金属板上に重ね合せ、ガラ
スクロス上に混合物をスプレーガン、フローコー
ター、糊付機等により塗布する。塗布量はガラス
クロスがかくれる程度が適当である。塗布後は
120〜150℃で数十分乾燥する。次いで圧力70〜
120Kg／cm2、温度150〜200℃の条件で約40〜70分
間、加圧、加熱して金属板とガラスクロスを圧着
する。この際ガラスクロス上に金属箔を置いて圧
着すれば金属箔張り高熱伝導性絶縁基板が得られ
る。
スクロス上に混合物をスプレーガン、フローコー
ター、糊付機等により塗布する。塗布量はガラス
クロスがかくれる程度が適当である。塗布後は
120〜150℃で数十分乾燥する。次いで圧力70〜
120Kg／cm2、温度150〜200℃の条件で約40〜70分
間、加圧、加熱して金属板とガラスクロスを圧着
する。この際ガラスクロス上に金属箔を置いて圧
着すれば金属箔張り高熱伝導性絶縁基板が得られ
る。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
実施例 １
CaO・B2O3の結合剤を５重量％添加した六方
晶ボロンナイトライド粉末をアルミナ製ボールミ
ルで混合した後、温度1800℃、圧力120Kg／cm2で
熱圧成型して焼結体を得、次いでこれを粉砕し、
粒度44μ以下に篩分けして六方晶ボロンナイトラ
イドの焼結粒子を得た。
晶ボロンナイトライド粉末をアルミナ製ボールミ
ルで混合した後、温度1800℃、圧力120Kg／cm2で
熱圧成型して焼結体を得、次いでこれを粉砕し、
粒度44μ以下に篩分けして六方晶ボロンナイトラ
イドの焼結粒子を得た。
２ｍ／ｍ厚のアルミニウム板（縦20cm、横20
cm）に50μｍ厚のガラスクロス（日東紡製WE−
05）を載せ、このガラスクロス上に、上記の粒子
粉末30重量部とエポキシ樹脂75重量部及びアミン
系硬化液から成るメチル・エチルケトン35重量部
との混合溶液を糊付機を用いて塗布し、120℃で
10分間乾燥後、圧力100Kg／cm2温度150℃の加圧、
加熱下で60分間キユアーして高熱伝導性電気絶縁
基板を得た。この基板の貫層破壊電圧は45〜55
（KV／mm）で、引きはがし強さは、1.5Kg／cmで
あつた。
cm）に50μｍ厚のガラスクロス（日東紡製WE−
05）を載せ、このガラスクロス上に、上記の粒子
粉末30重量部とエポキシ樹脂75重量部及びアミン
系硬化液から成るメチル・エチルケトン35重量部
との混合溶液を糊付機を用いて塗布し、120℃で
10分間乾燥後、圧力100Kg／cm2温度150℃の加圧、
加熱下で60分間キユアーして高熱伝導性電気絶縁
基板を得た。この基板の貫層破壊電圧は45〜55
（KV／mm）で、引きはがし強さは、1.5Kg／cmで
あつた。
又熱伝導度を測定するため前記したガラスクロ
ス、六方晶ボロンナイトライド及びエポキシ樹脂
の同一組成のもので、厚み0.5mmのシートを作成
した。上記と同様にしてキユアーした後、熱伝導
度を測定したところ、0.6Kcal／ｍ・hr・℃であ
つた。比較のため、六方晶ボロンナイトライドの
代りに形状因子（長径／短形）1.0〜1.4で同粒度
のコランダム粒子を用いた以外は前記同様にして
シートをつくり、熱伝導度を測定した。結果は
0.42Kcal／ｍ・hr・℃で本発明のものより小さか
つた。
ス、六方晶ボロンナイトライド及びエポキシ樹脂
の同一組成のもので、厚み0.5mmのシートを作成
した。上記と同様にしてキユアーした後、熱伝導
度を測定したところ、0.6Kcal／ｍ・hr・℃であ
つた。比較のため、六方晶ボロンナイトライドの
代りに形状因子（長径／短形）1.0〜1.4で同粒度
のコランダム粒子を用いた以外は前記同様にして
シートをつくり、熱伝導度を測定した。結果は
0.42Kcal／ｍ・hr・℃で本発明のものより小さか
つた。
実施例 ２
六方晶ボロンナイトライド焼結粒子として、
SiO2／B2O3＝９／１（重量比）の結合剤を８重量
％添加し実施例１と同様にして得たものを用い
た。又基板の製作も実施例１の如く行なつた。こ
のものの貫層破壊電圧は40〜50（KV／mm）で、
引きはがし強さは、1.4Kg／cmであつた。
SiO2／B2O3＝９／１（重量比）の結合剤を８重量
％添加し実施例１と同様にして得たものを用い
た。又基板の製作も実施例１の如く行なつた。こ
のものの貫層破壊電圧は40〜50（KV／mm）で、
引きはがし強さは、1.4Kg／cmであつた。
比較例 １
六方晶ボロンナイトライド粉末として、市販の
もの（粒径2μ以下）をそのまま使用した。この
ものを用いた基板の貫層破壊電圧は０〜30
（KV／mm）で、引きはがし強さは0.5Kg／cmであ
つた。
もの（粒径2μ以下）をそのまま使用した。この
ものを用いた基板の貫層破壊電圧は０〜30
（KV／mm）で、引きはがし強さは0.5Kg／cmであ
つた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 金属板とガラスクロスとがカルシウム硼酸塩
又は硼ケイ酸ガラスを結合剤とする六方晶ボロン
ナイトライドの焼結粒子と有機質高分子との混合
物で１体に固着されてなる高熱伝導性電気絶縁基
板。 ２ 金属板とガラスクロス及びその上の金属箔と
がカルシウム硼酸塩又は硼ケイ酸ガラスを結合剤
とする六方晶ボロンナイトライドの焼結粒子と有
機高分子との混合物で１体に固着されてなる高熱
伝導性電気絶縁基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045681A JPH0228911B2 (ja) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | Konetsudendoseidenkizetsuenkiban |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045681A JPH0228911B2 (ja) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | Konetsudendoseidenkizetsuenkiban |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57155794A JPS57155794A (en) | 1982-09-25 |
| JPH0228911B2 true JPH0228911B2 (ja) | 1990-06-27 |
Family
ID=12581137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4045681A Expired - Lifetime JPH0228911B2 (ja) | 1981-03-23 | 1981-03-23 | Konetsudendoseidenkizetsuenkiban |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0228911B2 (ja) |
-
1981
- 1981-03-23 JP JP4045681A patent/JPH0228911B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57155794A (en) | 1982-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4307147A (en) | Highly thermal conductive and electrical insulating substrate | |
| EP0434013B1 (en) | Epoxy resin-impregnated glass cloth sheet having adhesive layer | |
| JP6844066B2 (ja) | 絶縁シート、積層体、及び基板 | |
| JP5774472B2 (ja) | 熱強化された電気絶縁性接着ペースト | |
| JP2001203313A (ja) | 熱伝導基板およびその製造方法 | |
| JP6748967B2 (ja) | シート状熱硬化性樹脂組成物、並びにそれを用いた樹脂シート、モジュール部品、パワーデバイス及びコイル部品 | |
| US4784893A (en) | Heat conductive circuit board and method for manufacturing the same | |
| JPH04323889A (ja) | 金属ベース配線基板 | |
| JP2007153969A (ja) | 高熱伝導性樹脂組成物および配線用基板 | |
| JPH0883963A (ja) | 金属ベース基板 | |
| JPH0228911B2 (ja) | Konetsudendoseidenkizetsuenkiban | |
| JP2008208183A (ja) | 樹脂組成物とプリプレグ並びに積層板 | |
| JPH02110125A (ja) | 高熱伝導性樹脂組成物 | |
| JPS605589A (ja) | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板 | |
| JP3001400B2 (ja) | 高周波用プリント配線基板とその製造方法 | |
| JPH04367763A (ja) | 合成樹脂被覆金属板の製造方法 | |
| CN115004358A (zh) | 导热性片、叠层体及半导体装置 | |
| JPH0883979A (ja) | 金属ベース基板の製造方法 | |
| JPS605598A (ja) | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板の製造方法 | |
| JPH06224552A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
| JPH06310824A (ja) | 金属ベース印刷回路用基板 | |
| JPH03185896A (ja) | 印刷配線基板の製造方法 | |
| JPS6358392B2 (ja) | ||
| JPS607195A (ja) | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板の製造方法 | |
| JPS6259021A (ja) | 印刷回路用積層板の製造方法 |