JPH0228926A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents

半導体装置の製造装置

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JPH0228926A
JPH0228926A JP17958688A JP17958688A JPH0228926A JP H0228926 A JPH0228926 A JP H0228926A JP 17958688 A JP17958688 A JP 17958688A JP 17958688 A JP17958688 A JP 17958688A JP H0228926 A JPH0228926 A JP H0228926A
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JP
Japan
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wafer
wafer cassette
wafers
semiconductor
static electricity
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JP17958688A
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Inventor
Kenji Yoneda
健司 米田
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Matsushita Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造装置、とりわけ半導体ウェ
ーハの回転乾燥装置に関するものである。
従来の技術 近年、半導体集積回路の高集積化、微細化に伴いこれ等
の半導体装置の製造に使用される半導体装置の製造装置
でもサブミクロンクラスのパーティクルの付着を減少さ
せることが重要な課題となっている。なかでも、半導体
ウェーハの洗浄技術は半導体装置の製造中に付着したパ
ーティクルや不純物を取り除くのに非常に重要な技術で
ある。
これらの洗浄装置では最終洗浄後の半導体ウェーハの乾
燥に回転乾燥装置が多く用いられている。
回転乾燥装置は半導体ウェーハを高速回転させ遠心力に
より半導体ウェーハ上の液体を飛散させ脱水を行うもの
である。
第1図すは回転乾燥装置の断面図を示したものである。
回転機構9に接続された回転軸8を中心として支持アー
ム6によりウェーハカセットホルダー1が保持されてい
るこのウェーハカセットホルダー1の内部には半導体ウ
ェーハ3を複数枚数積載した非導電性、耐薬品性のウェ
ーハカセット2が保持されている。このウェーハカセッ
ト2は洗浄装置から手動または自動により搬送されウエ
−ハカセットホルダー1にセットされる。半導体ウェー
ハ3とウェーハカセット2を保持したウェーハカセット
ホルダー1は回転軸8を中心として公転回転運動を行い
脱水を行う。第2図は第1図すで示したウェーハカセッ
トホルダー1の部分のA−A’方面からの断面図である
。ウェーハカセットホルダー1は両側で支持アームによ
って保持されており、半導体ウェーハ3は非導電性、耐
薬品性のウェーハカセット2に積載されている。このた
め半導体ウェーハ3はウェーハカセットホルダー1から
電気的かつ機械的に接触していない。
発明が解決しようとする課題 従来例で述べたウエーハカセットホルダーハ非導電性の
ウェーハカセットにより半導体ウェーハと機械的に非接
触の構造を持っていた。回転乾燥装置では高速でウェー
ハが回転するためウェー゛ハと周囲の雰囲気との摩擦に
より多食の静電気が発生する。これらの静電気は半導体
ウェーハがウェーハカセットホルダーと電気的および機
械的に非接触である為、逃げ場がなくウェーハとウェー
ハの間にいわゆるキャパシタの形で蓄積される。この蓄
積された電荷は回転乾燥終了後も電荷の逃げ場がないた
め放電することはない。このようにウェーハ間に電荷が
蓄積されている状態では静電気により雰囲気中に浮遊し
ているパーティクルをウェーハに付着しやすくなり、ま
た−旦付着したパーティクルは静電気のためとれにくく
なる。さらに、これらの帯電したウェーハを他の装置に
装着する場合ウェーハ間や他の金属物質とウェーハの間
で放電が生じMOS)ランジスタのゲート酸化膜やDR
AMの容量絶縁膜などの静電破壊をもたらし半導体装置
の製造歩留りの低下を招く。
本発明は、前記の回転乾燥中に発生した静電気がウェー
ハ間に蓄積することによるパーティクルの付着およびウ
ェーハ間に蓄積された静電気による半導体素子の静電破
壊の発生を解決するだめのもので、従来の回転乾燥装置
の構造を大幅に変更することなくウェーハ間への静電気
の蓄積を防止する構造を備えた半導体装置の製造装置を
実現するものである。
課題を解決するための手段 本発明の半導体装置の製造装置は、回転乾燥装置におい
て、非導電性かつ耐薬品性のウェーハカセットに積載さ
れた半導体ウェーハをウェーハカセットごと保持し、そ
れ自身が回転かんそう装置の回転軸に対して公転回転運
動を行う構造を有するウェーハカセットホルダーで、ウ
ェーハカセットホルダー自身が導電性かつ耐薬品性を有
し、ウェーハの回転乾燥中は常にウェーハカセット内の
半導体ウェーハ全数と導電性のウェーハカセットホルダ
ーが機械的に接触し、かつウェーハカセットホルダー自
身は電気的に接地された構造を有している。
作用 この構造の回転乾燥装置によると回転乾燥中にウェーハ
と雰囲気の摩擦によフ発生した静電気はウェーハカセッ
トが非導電性の為、ウェーハ間に蓄積しようとするが半
導体ウェーハが導電性のウェーハカセットホルダーと機
械的に接触しているためウェーハ間に蓄積しようとした
静電気はウェーハカセットホルダーに流れ、さらにこの
ウェーハカセットホルダーは電気的に接地されている為
、これらの電荷は接地へ流れ半導体ウェーハ間には電荷
は蓄積されない。このため静電気によるウェーハへのパ
ーティクルの付着を最小限に抑えることが出来、またウ
ェーハ上に造り込まれた半導体装置を静電破壊すること
もない。
実施例 以下、本発明の実施例を第1口器に示す断面図に従い記
述する。
第1図aは第1図すに示した回転乾燥装置のウェーハカ
セットホルダーの部分を詳細に示したものでるる。第1
図aにおいてステンレス316で構成された支持アーム
6によりウェーハカセットホルダー1は保持されている
。このウェーハカセットホルダーの底部にはスプリング
5を介して接触子4が接地されている。これらの材質は
すべてステンレス316で構成されておシ導電性及び耐
薬品性を持っている。またこれらの部分は支持アーム6
を通して接地されている。半導体ウエーハ3はテフロン
製のウェーハカセット2に積載されておち、ウェーハカ
セットは洗浄装置から手動または自動によりウェーノー
カセットホルダー1にセットされる。このとき半導体ウ
ェーハはカセット底部で接触子4にわずかに接触する。
ウェーハカセットのセット後ウェーノーカセットホルダ
ーは第1図すの回転軸を中心に公転回転を行うがこのと
き遠心力により脱水がおこなわれると同時にウェーハは
接触子4に強くおしつけられる。しかし、接触子4はス
プリング6により保持されている為ウェーハ3と接触子
4との接触により生ずるショックを吸収することができ
る0これらの構造により回転乾燥中に発生した静電気は
半導体ウェーハ3から接触子4.スプリング5.ウエー
ノ)カセットホルダー1.支持アーム6を通って接地7
へ導びかれる。このためウェーハ間に静電気が蓄積する
ことなく静電気によるパーティクルの付着や放電による
半導体装置の静電破壊をおこさずに回転乾燥装置での脱
水が可能となるO 発明の効果 以上のように、本発明による半導体装置の製造装置はウ
ェーハ間に静電気を蓄積させることなく半導体ウェーハ
を回転乾燥が可能であり、静電気によるパーティクルの
ウェーハへの付着や静電破壊によるウェーハ上に造り込
まれた半導体装置の歩留り低下を招くことなく脱水、乾
燥を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図aは本発明による半導体装置の製造装置のウェー
ハカセットホルダー断面図、第1図すは本発明および従
来例に用いる回転乾燥装置の断面図、第2図は従来例の
装置のウェーハカセットホルダーの断面図である。 1・・・・・・ウェーハカセットホルダー 2・・・・
・・ウェーハカセット、3・・・・・・半導体ウェーハ
、4・・・・・・接触子、6・・・・・・スプリング、
6・・・・・・支持アーム、7・・・・・・接地、8・
・・・・・回転軌、9・・・・・・回転機構、10・・
・・・・回転乾燥装置筐体〇

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体ウェーハを積載する非導電性かつ耐薬品性のウェ
    ーハカセットと、前記ウェーハカセットを保持し、それ
    自身が前記半導体ウェーハを回転させる回転軸に対して
    公転運動を行うとともに導電性かつ耐薬品性を有するカ
    セットホルダーとを有し前記半導体ウェーハを回転させ
    てその遠心力により半導体ウェーハに付着している液体
    を飛散させて乾燥する間、前記半導体ウェーハは前記カ
    セットホルダーと機械的に接触し、かつ前記ウェーハカ
    セットホルダーは電気的に接地されていることを特徴と
    する半導体装置の製造装置。
JP63179586A 1988-07-19 1988-07-19 半導体装置の製造装置 Expired - Fee Related JPH0817164B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08274061A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Nec Yamaguchi Ltd 半導体ウェハの回転乾燥装置
US8657811B2 (en) 2003-05-01 2014-02-25 Keio University Intravascular diagnostic or therapeutic apparatus using high-intensity pulsed light

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63115215U (ja) * 1987-01-22 1988-07-25

Patent Citations (1)

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US8657811B2 (en) 2003-05-01 2014-02-25 Keio University Intravascular diagnostic or therapeutic apparatus using high-intensity pulsed light

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JPH0817164B2 (ja) 1996-02-21

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