JPH0229209B2

JPH0229209B2 -

Info

Publication number: JPH0229209B2
Application number: JP58162724A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; Yukihiko Oonuki; Shigeru Oono
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1983-09-05
Filing date: 1983-09-05
Publication date: 1990-06-28
Also published as: JPS6053956A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。固体撮像装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
像装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を図る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に図ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる、或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する等の不都
合な点が生ずる場合が少なくなかつた。更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや螢光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに、支持体に到達する光の量
が多くなると、支持体自体が光導電層を透過して
来る光に対する反射率が高い場合には、光導電層
内に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
を光源とする場合には大きな問題となつている。更に、ａ−Si材料で光導電層を構成する場合に
は、その電気的、光導電的特性の改良を図るため
に、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等のハロ
ゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼素原
子や燐原子等が或いはその他の特性改良のために
他の原子が、各々構成原子として光導電層中に含
有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方如何
によつては、形成した層の電気的或いは光導電的
特性に問題が生ずる場合がある。即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないこと、或いは暗部において、支持体
側よりの電荷の注入の阻止が充分でないこと等が
生ずる場合が少なくない。更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちであつた。この現象は、殊に支持体が通常、電
子写真分野に於いて使用されているドラム状支持
体の場合に多く起る等、経時的安定性の点にいて
解決される可き点がある。従つてａ−Si材料そのものの特性改良が図られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材に使用される光
導電部材としての適用性とその応用性という観点
から総括的に鋭意研究検討を続けた結果、シリコ
ン原子（Si）とゲルマニウム原子（Ge）とを母
体とし、水素原子(H)又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコンゲルマニウ
ム原子、ハロゲン化アモルフアスシリコンゲルマ
ニウム、或いはハロゲン含有水素化アモルフアス
シルコンゲルマニウム〔以後これ等の総称的表記
として「ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成される光導電性を示す非晶質層を有する光導
電部材の構成を以後に説明される様な特定化の下
に設計されて作成された光導電部材は実用上著し
く優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電
部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕して
いること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していること及び長波長側に
於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見
出した点に基づいている。本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、長波長側の光感度特性に優れる
と共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際し
ても劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ん
ど観測されない電子写真用光導電部材を提供する
ことを主たる目的とする。本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い電子写真用光導電部材を提
供することである。本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い電子写真用光導電部材を提供す
ることである。本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真特性を有する光導電部材を提供
することである。本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。本発明の更にもう一つの目的は、高光感度性、
高SN比特性及び支持体との間に良好な電気的接
触性を有する電子写真用光導電部材を提供するこ
とである。本発明の電子写真用光導電部材（以下単に光導
電部材と称する）は、電子写真用光導電部材用の
支持体と、シリコン原子と前記シリコン原子との
和に対して１〜9.5×10⁵atomic ppmのゲルマニ
ウム原子とを含む非晶質材料で構成された層厚１
〜100μの光導電性を示す光受容層とを有し、該
光受容層中におけるゲルマニウム原子の分布状態
が層厚方向に不均一であつて、支持体側において
ゲルマニウム原子の分布濃度の高い部分を有し、
前記支持体側とは反対側においては前記分布濃度
は前記支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有し、ゲルマウニム原子の分布濃度の最大値がシ
リコン原子に対して1000atomic ppm以上であ
り、該光受容層中には0.001〜50atomic％の窒素
原子が含有されていることを特徴とする。上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る光受容層が、層自体が強靭であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することができる。更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊に半導体レーザとのマツチ
ングに優れ、且つ光応答が速い。以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１と、該支持体の上にあつ
てａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）から成り、窒素原子を含有
し、光導電性を有する光受容層１０２とを有す
る。光受容層１０２中に含有されるゲルマニウム原
子は、該光受容層１０２の層厚方向には連続的で
あつて且つ前記支持体１０１の設けられてある側
とは反対の側（光受容層１０２の表面１０４側）
の方に対して前記支持体側（光受容層１０２の表
面１０５側）の方に多く分布した状態となる様に
前記光受容層１０２中に含有される。本発明の光導電部材においては、光受容層中に
含有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚
方向においては、前記の様な分布状態を取り、支
持体の表面と平行な面内方向には均一な分布状態
とされるのが望ましいものである。第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の光受容層中に含有されるゲルマニウム原
子の層厚方向の分布状態の典型的例が示される。第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は光導電性を示す
光受容層の層厚を示し、t_Bは支持体側の光受容層
の表面の位置を、t_Tは支持体側とは反対側の光受
容層の表面の位置を示す。即ち、ゲルマニウム原
子の含有される光受容層はt_B側よりt_T側に向つて
層形成がなされる。第２図には、光受容層中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が
示される。第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される光受容層が形成される支持体の表面と
該光受容層の表面とが接する界面位置t_Bよりt₁の
位置までは、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃが
C₁なる一定の値を取り乍らゲルマニウム原子が、
形成される光受容層に含有され、位置t₁よりは界
面位置t_Tに至るまで分布濃度C₂より徐々に連続的
に減少されている。界面位置t_Tにおいてはゲルマ
ニウム原子の分布濃度ＣはC₃とされる。第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bより位置t_T
に至るまで濃度C₄から徐々に連続的に減少して
位置t_Tにおいて濃度C₅となる様な分布状態を形成
している。第４図の場合には、位置t_Bより位置t₂まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C₆と一定値
とされ、位置t₂と位置t_Tとの間において、徐徐に
連続的に減少され、位置t_Tにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置t_Bより位置t_Tに至るまで、濃度C₈より
連続的に徐々に減少され、位置t_Tにおいて実質的
に零とされている。第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置t_Bと位置t₃間においては、
濃度C₉と一定値であり、位置t_Tにおいては濃度
C₁₀とされる。位置t₃と位置t_Tとの間では、分布濃
度Ｃは一次関数的に位置t₃より位置t_Tに至るまで
減少されている。第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置t_Bより位置t₄までは濃度C₁₁の一定値を取り、
位置t₄より位置t_Tまでは濃度C₁₂より濃度C₁₃まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。第８図に示す例においては、位置t_Bより位置t_T
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C₁₄より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。第９図においては、位置t_Bより位置t₅に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C₁₅
より濃度C₁₆まで一次関数的に減少され、位置t₅
と位置t_Tとの間においては、濃度C₁₆の一定値と
された例が示されている。第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置t_Bにおいて濃度C₁₇で
あり、位置t₆に至るまではこの濃度C₁₇より初め
はゆつくりと減少され、t₆の位置付近において
は、急激に減少されて位置t₆では濃度C₁₈とされ
る。位置t₆と位置t₇との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t₇で濃度C₁₉となり、位置t₇と位置t₈との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t₈に
おいて、濃度C₂₀に至る。位置t₈と位置t_Tの間にお
いては、濃度C₂₀より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。以上、第２図乃至第１０図により、光受容層中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布
状態の典型例の幾つかを説明した様に、本発明に
おいては、支持体側において、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面t_T側におい
ては、前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り
低くされた部分を有するゲルマニウム原子の分布
状態が光受容層に設けられている。本発明に於ける光導電部材を構成する光受容層
は好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマ
ニウム原子が比較的高濃度で含有されている局在
領域Ａを有するのが望ましい。本発明に於いては局在領域Ａは、第２図乃至第
１０図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置
t_Bより5μ以内に設けられるのが望ましいものであ
る。本発明においては、上記局在領域Ａは、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域L_Tとされる場合もあ
るし、又、層領域L_Tの一部とされる場合もある。局在領域Ａを層領域L_Tの一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される
特性に従つて適宜決められる。局在領域Ａはその中に含有されるゲルマニウム
原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原
子の分布濃度の最大値C_naxがシリコン原子に対し
て、好ましくは1000atomic ppm以上、より好適
には5000atomic ppm以上、最適には１×
10⁴atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される非晶質層は、支持体側からの層厚で
5μ以内（t_Bから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大
値C_naxが存在する様に形成されるのが好ましいも
のである。本発明において、光受容層中に含有されるゲル
マニウム原子の含有量としては、本発明の目的が
効果的に達成される様に所望に従つて適宜決めら
れるが、シリコン原子との和に対して好ましくは
１〜9.5×10⁵atomic ppm、より好しくは100〜８
×10⁵atomic ppm、最適には、500〜７×
10⁵atomic ppmとされるのが望ましいものであ
る。本発明の光導電部材に於いては、光受容層中に
於けるゲルマニウム原子の分布状態は、全層領域
にゲルマニウム原子が連続的に分布し、ゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体側より
光受容層の自由表面側に向つて、減少する変化が
与えられているので、分布濃度Ｃの変化率曲線を
所望に従つて任意に設計することによつて、要求
される特性を持つた光受容層を所望通りに実現す
ることが出来る。例えば、光受容層中に於けるゲルマニウムの分
布濃度Ｃを支持体側に於いては、充分高め、光受
容層の自由表面側に於いては、極力低める様な、
分布濃度Ｃの変化を、ゲルマニウム原子の分布濃
度曲線に与えることによつて、可視光領域を含
む、比較的短波長から比較的長波長迄の全領域の
波長の光に対して高光感度化を図ることが出来
る。又、後述される様に、光受容層の支持体側端部
に於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃを極端
に大きくすることにより、半導体レーザを使用し
た場合の、光受容層のレーザ照射面側に於いて充
分吸収し切れない長波長側の光を光受容層の支持
体側端部層領域に於いて、実質的に完全に吸収す
ることが出来、支持体面からの反射による干渉を
効果的に防止することが出来る。本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と光受容層との間の
密着性の改良を図る目的の為に、光受容層中に
は、窒素原子が含有される。光受容層中に含有さ
れる窒素原子は、光受容層の全層領域に万遍なく
含有されても良いし、或いは、光受容層の一部の
層領域のみに含有させて遍在させても良い。又、窒素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｎ）が、
光受容層の層厚方向に於いては、均一であつて
も、第２図乃至第１０図を用いて説明したゲルマ
ニウム原子の分布状態と同様に分布濃度Ｃ（Ｎ）
が層厚方向には不均一であつても良い。つまり、窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｎ）が層厚方
向に不均一である場合の窒素原子の分布状態は、
第２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の
場合と同様に説明され得る。本発明に於いて、光受容層に設けられる窒素原
子の含有されている層領域Ｎは、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の
全層領域を占める様に設けられ、支持体と光受容
層との間の密着性の強化を図るのを主たる目的と
する場合には、光受容層の支持体側端部層領域を
占める様に設けられる。前者の場合、層領域Ｎ中に含有される窒素原子
の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強
化を確実に図る為に比較的多くされるのが望まし
い。又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、光受容層の自由表面側に於いて比較的低濃度
に分布させるか、或いは、光受容層の自由表面側
の表面層領域には、窒素原子を積極的に含有させ
ない様な窒素原子の分布状態を層領域Ｎ中に形成
すれば良い。本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域
Ｎに含有される窒素原子の含有量は、層領域Ｎ自
体に要求される特性、或いは該層領域Ｎが支持体
に直に接触して設けられる場合には、該支持体と
の接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。又、前記層領域Ｎに直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該
他の層領域との接触界面に於ける特性との関係も
考慮されて、窒素原子の含有量が適宜選択され
る。層領域Ｎ中に含有される窒素原子の量は、形成
される光導電部材に要求される特性に応じて所望
に従つて適宜決められるが、好ましくは、0.001
〜50atomic％、より好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。本発明に於いて、層領域Ｎが光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくと
も、層領域Ｎの層厚T₀の光受容層の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域Ｎに含有さ
れる窒素原子の含有量の上限は、前記の値より充
分少なくされるのが望ましい。本発明の場合には、層領域Ｎの層厚T₀が光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上
となる様な場合には、層領域Ｎ中に含有される窒
素原子の量の上限としては、好ましくは、
30atomic％以下、より好ましくは、20atomic％
以下、最適には10atomic％以下とされるのが望
ましいものである。本発明において、光受容層を構成する窒素原子
の含有される層領域Ｎは、上記した様に支持体側
の方に窒素原子が比較的高濃度で含有されている
局在領域Ｂを有するものとして設けられるのが望
ましく、この場合には、支持体と光受容層との間
の密着性をより一層向上させることが出来る。上記局在領域Ｂは、第２図乃至第１０図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置t_Bより5μ以内
に設けられるのが望ましい。本発明においては、上記局在領域Ｂは、界面位
置t_Bより5μ厚までの全層領域L_Tとされる場合もあ
るし、又、層領域L_Tの一部とされる場合もある。局在領域を層領域L_Tの一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に要求される特
性に従つて適宜決められる。局在領域Ｂはその中に含有される窒素原子の層
厚方向の分布状態として窒素原子の分布濃度の最
大値C_naxが好ましくは500atomic ppm以上、よ
り好ましくは800atomic ppm以上、最適には
1000atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。即ち、本発明においては、窒素原子の含有され
る層領域Ｎは、支持体側からの層厚で5μ以内（t_B
から5μ層の層領域）に分布濃度の最大値C_naxが存
在する様に形成されるのが望ましい。本発明において、必要に応じて光受容層中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）としては、具体的に
はフツ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられ、殊に
フツ素、塩素を好適なものとして挙げることが出
来る。本発明において、Ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる光受容層を形成するには例えばグロー放電
法、スパツタリング法、或いはイオンプレーテイ
ング法等の放電現象を利用する真空堆積法によつ
て成される。例えば、グロー放電法によつて、ａ
−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成される光受容層を形成す
るには、基本的にはシリコン原子（Si）を供給し
得るSi供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るGe供給用の原料ガスと、必
要に応じて水素原子(H)導入用の原料ガス又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内部
が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で導
入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、予
め所定位置に設置されてある、所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所
望の変化率曲線に従つて制御し乍らａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成さ
れたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じて、He，Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供
給用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子(H)又
は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパ
ツタリング用の堆積室に導入し、所望のガスのプ
ラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ge供給用
の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に従つ
て制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタリン
グしてやれば良い。イオンプレーテイング法の場合には、例えば多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH₄，Si₂H₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH₄，Si₂H₆が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，Ge₅H₁₂，
Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，Ge₉H₂₀等のガス状
態の又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効
に使用されるものとして挙げられ、殊に、層作成
作業時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点
で、GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈が好ましいものとし
て挙げられる。本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えばハロゲンガス、ハロゲン
化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換された
シラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得るハ
ロゲン化合物が好ましく挙げられる。又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ClF，ClF₃，
BrF₅，BrF₃，IF₃，IF₇，ICl，IBr等のハロゲン
間化合物を挙げることが出来る。ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF₄，Si₂F₆，SiCl₄，SiBr₄等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る光受容層を
形成する事が出来る。グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む光
受容層を製造する場合、基本的には、例えばSi供
給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素とGe供給
用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウムとAr，
H₂，He等のガス等を所定の混合比とガス流量に
なる様にして光受容層を形成する堆積室に導入
し、グロー放電を生起してこれ等のガスのプラズ
マ雰囲気を形成することによつて、所望の支持体
上に光受容層を形成し得るものであるが、水素原
子の導入割合の制御を一層容易になる様に図る為
にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含
む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成して
も良い。又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えば、H₂、或いは前記した
シラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス
類をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガ
ス類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HCl，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH₂F₂，
SiH₂I₂，SiH₂Cl₂，SiHCl₃，SiH₂Br₂，SiHBr₃等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF₃，
GeH₂F₂，GeH₃F，GeHCl₃，GeH₂Cl₂，
GeH₃Cl，GeHBr₃，GeH₂Br₂，GeH₃Br，
GeHI₃，GeH₂I₂，GeH₃I等の水素化ハロゲン化
ゲルマニウム、等の水素原子を構成要素の１つと
するハロゲン化物、GeF₄，GeCl₄，GeBr₄，
GeI₄，GeF₂，GeCl₂，GeBr₂，GeI₂等のハロゲン
化ゲルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化
し得る物質も有効な光受容層形成用の出発物質と
して挙げる事が出来る。これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化
物は、光受容層形成の際に層中にハロゲン原子の
導入と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極
めて有効な水素原子も導入されるので、本発明に
おいては好適なハロゲン導入用の原料として使用
される。水素原子を光受容層中に構造的に導入するに
は、上記の他にH₂、或いはSiH₄，SiH₆，Si₃H₈，
Si₄H₁₀等の水素化硅素をGeを供給する為のゲル
マニウム又はゲルマニウム化合物と、或いは、
GeH₄，Ge₂H₆，Ge₃H₈，Ge₄H₁₀，Ge₅H₁₂，
Ge₆H₁₄，Ge₇H₁₆，Ge₈H₁₈，Ge₉H₂₀等の水素化
ゲルマニウムとSiを供給する為のシリコン又はシ
リコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電を
生起させる事でも行う事が出来る。本発明の好ましい例において、形成される光導
電部材の光受容層中に含有される水素原子(H)の量
又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロ
ゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は好ましくは0.01〜
40atomic％、より好適には0.05〜30atomic％、
最適には0.1〜25atomic％とされるのが望ましい。光受容層中に含有される水素原子(H)又は／及び
ハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば
支持体温度又は／及び水素原子(H)、或いはハロゲ
ン原子（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物
質の堆積装置系内へ導入する量、放電電力等を制
御してやれば良い。本発明の光導電部材に於ける光受容層の層厚
は、光受容層中で発生されるフオトキヤリアが効
率良く輸送される様に所望に従つて適宜決めら
れ、好ましくは、１〜100μ、より好適には１〜
80μ、最適には２〜50μとされるのが望ましい。本発明に於いて、光受容層に窒素原子の含有さ
れた層領域Ｎを設けるには、光受容層の形成の際
に窒素原子導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層
中にその量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域Ｎを形成するのにグロー放電法を用いる
場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の
中から所望に従つて選択されたものに窒素原子導
入用の出発物質が加えられる。その様な窒素原子
導入用の出発物質としては、少なくとも窒素原子
を構成原子とするガス状の物質又はガス化し得る
物質をガス化したものの中の大概のものが使用さ
れ得る。例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、窒素原子（Ｎ）を構成原子とする原料
ガスと、必要に応じて水素原子(H)又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所
望の混合比で混合して使用するか、又は、シリコ
ン原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、窒素
原子（Ｎ）及び水素原子(H)を構成原子とする原料
ガスとを、これも又所望の混合比で混合して使用
することが出来る。又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子(H)
とを構成原子とする原料ガスに窒素原子Ｎを構成
原子とする原料ガスを混合して使用しても良い。層領域Ｎを形成する際に使用される窒素原子Ｎ
導入用の原料ガスに成り得るものとして有効に使
用される出発物質は、具体的には例えば窒素N₂、
アンモニアNH₃，ヒドラジンH₂NNH₂，アジ化
水素HN₃、アジ化アンモニウムNH₄N₃等のガス
状の又はガス化し得る窒素、窒化物及びアジ化物
等の窒素化合物を挙げることが出来る。この他
に、窒素原子（Ｎ）の導入に加えて、ハロゲン原
子（Ｘ）の導入も行えるという点から、三弗化窒
素F₃N、四弗化窒素F₄N₂等のハロゲン化窒素化
合物を挙げることが出来る。本発明に於いては、層領域Ｎ中には窒素原子で
得られる効果を更に助長させる為に、窒素原子に
加えて、更に酸素原子を含有することが出来る。
酸素原子を層領域Ｎに導入する為の酸素原子導入
用の原料ガスとしては、例えば酸素O₂、オゾン
O₃、一一酸化窒素NO、二酸化窒素NO₂，一二酸
化窒素N₂O，三二酸化窒素N₂O₃、四三酸化窒素
N₂O₄，五二酸化窒素N₂O₅，三酸化窒素NO₃、シ
リコン原子（Si）と酸素原子（Ｏ）と水素原子(H)
とを構成原子とする、例えば、ジシロキサン
H₃SiOSiH₃、トリシロキサンH₃SiOSiH₂OSiH₃
等の低級シロキサン等を挙げることが出来る。スパツタリング法によつて、窒素原子を含有す
る層領域Ｎを形成するには、単結晶又は多結晶の
Siウエーハー又はSi₃N₄、又はSiとSi₃N₄が混合
されて含有されているウエーハーをターゲツトと
して、これ等を種々のガス雰囲気中でスパツタリ
ングすることによつて行えば良い。例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、窒素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを、必
要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の
堆積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマ
を形成して前記Siウエーハーをスパツタリングす
れば良い。又、別には、SiとSi₃N₄とは別々のターゲツト
として、又はSiとSi₃N₄の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を構成
原子として含有するガス雰囲気中でスパツタリン
グすることによつて成される。窒素原子導入用の
原料ガスとしては、先述したグロー放電の例で示
した原料ガスの中の窒素原子導入用の原料ガス
が、スパツタリングの場合にも有効なガスとして
使用され得る。本発明に於いて、光受容層の形成の際に、窒素
原子の含有される層領域Ｎを設ける場合、該層領
域Ｗに含有される窒素原子の分布濃度Ｃ（Ｗ）を
層厚方向に変化させて、所望の層厚方向の分布状
態（depth profile）を有する層領域Ｎを形成す
るには、グロー放電の場合には、分布濃度Ｃ（Ｎ）
を変化させるべき窒素原子導入用の出発物質のガ
スを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従つて
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによ
つて成される。例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用
いられている何らかの方法により、ガス流路系の
途中に設けられた所定のニードルバルブの開口を
漸次変化させる操作を行えば良い。このとき、流
量の変化率は線型である必要はなく、例えばマイ
コン等を用いて、あらかじめ設計された変化率曲
線に従つて流量を制御し、所望の含有率曲線を得
ることもできる。層領域Ｎをスパツタリング法によつて形成する
場合、窒素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ（Ｎ）を
層厚方向で変化させて、窒素原子の層厚方向の所
望の分布状態（depth profile）を形成するには、
第一には、グロー放電法による場合と同様に、窒
素原子導入用の出発物質をガス状態で使用し、該
ガスを堆積室中へ導入する際のガス流量を所望に
従つて適宜変化させることによつて成される。第二には、スパツタリング用のターゲツトを、
例えばSiとSi₃N₄との混合されたターゲツトを使
用するのであれば、SiとSi₃N₄との混合比を、タ
ーゲツトの層厚方向に於いて、予め変化させてお
くことによつて成される。本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Al、
Cr、Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr，
Al，Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，
Pd，In₂O₃，SnO₂，ITO（In₂O₃＋SnO₂）等から
成る薄膜を設けることによつて導電性が付与さ
れ、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂フ
イルムであれば、NiCr，Al，Ag，Pd，Zn，Ni，
Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金
属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパツタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその
表面をラミネート処理して、その表面に導電性が
付与される。支持体の形状としては、円筒状、ベ
ルト状、板状等任意の形状とし得、所望によつ
て、その形状は決定されるが、例えば、第１図の
光導電部材１００を電子写真用像形成部材として
使用するのであれば連続高速複写の場合には、無
端ベルト状又は円筒状とするのが望ましい。支持
体の厚さは、所望通りの光導電部材が形成される
様に適宜決定されるが、光導電部材として可撓性
が要求される場合には、支持体としての機能が充
分発揮される範囲内であれば可能な限り薄くされ
る。而乍ら、この様な場合支持体の製造上及び取
扱い上、機械的強度等の点から、好ましくは、
10μ以上とされる。次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH₄ガス（純度99.999％、
以下SiH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH₄ガス（純度99.999％、以下
GeH₄／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF₄ガス（純度99.99％、以下SiF₄／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNH₃ガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はH₂ガス（純度
99.999％）ボンベである。これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10⁶torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。次にシリンダー状基体１１３７上に光受容層を
形成する場合の１例をあげると、ガスボンベ１１
０２よりSiH₄／Heガス、ガスボンベ１１０３よ
りGeH₄／Heガス、ガスボンベ１１０５より
NH₃ガスをバルブ１１２２，１１２３，１１２
５を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２８，１
１３０の圧を１Kg／cm²に調整し、流入バルブ１１
１２，１１１３，１１１５を徐々に開けて、マス
フロコントローラ１１０７，１１０８，１１１０
内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ１１
１７，１１１８，１１２０、補助バルブ１１３２
を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１０１に流
入させる。このときのSiH₄／Heガス流量と
GeH₄／Heガス流量とNH₃ガス流量との比が所
望の値になるように流出バルブ１１１７，１１１
８，１１２０を調整し、又、反応室１１０１内の
圧力が所望の値になるように真空計１１３６の読
みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調整
する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒーター
１１３８により50〜400℃程度の範囲の温度に設
定されていることを確認された後、電源１１４０
を所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロ
ー放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された
変化率曲線に従つてGeH₄／Heガスの流量を手動
あるいは外部駆動モータ等の方法によつてバルブ
１１１８の開口を漸次変化させる操作を行なつて
形成される層中に含有されるゲルマニウム原子の
分布濃度を制御する。又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
図るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。以下実施例について説明する。実施例１第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第１表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。実施例２第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例３第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例４第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例５第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例６第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例７第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、層形成を行つ
て電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例８実施例１に於いて、SiH₄／Heガスの代りに
Si₂H₆／Heガスを使用し、第８表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例９実施例１に於いて、SiH₄／Heガスの代りに
SiF₄／Heガスを使用し、第９表に示す条件にし
た以外は、実施例１と同様の条件にして層形成を
行つて電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例 10 実施例１に於いて、SiH₄／Heガスの代りに
（SiH₄／He＋SiF₄／He）ガスを使用し、第10表
に示す条件にした以外は、実施例１と同様の条件
にして層形成を行つて電子写真用像形成部材を得
た。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。実施例 11 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第11表に示す条件で第１２図
に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガスのガス流量比を
層作成経過時間と共に変化させて層形成を行つて
電子写真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。実施例 12 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のAl基体上に、第12表に示す条件で、第１９
図に示すガス流量比の変化率曲線に従つて、
GeH₄／HeガスとSiH₄／Heガス、及びNH₃ガス
と、SiH₄／Heガスのガス流量比の夫々を層作成
経過時間と共に変化させて層形成を行つて電子写
真用像形成部材を得た。こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3sec間コロナ帯電を行
い、直ちに光像を照射した光像はタングステンラ
ンプ光源を用い、2lux・secの光量を透過型のテ
ストチヤートを通して照射させた。その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なナ
トー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。実施例 13 実施例１に於いて、第１層の作成の際にNH₃
の（SiH₄＋GeH₄）に対する流量を第13表に示す
様に変えた以外は、実施例１と同様の条件で電子
写真用像形成部材の夫々を作成した。こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第13表に示す結果が得られた。実施例 14 実施例１に於いて、第１層の層厚を第14表に示
す様に変える以外は、実施例１と同様にして各電
子写真用像形成部材を作成した。こうして得られた各像形成部材に就いて、実施
例１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形
成したところ第14表に示す結果が得られた。実施例 15 実施例１〜10に於いて光源をタングステンラン
プの代りに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行つた以外
は、実施例１と同様のトナー画像形成条件にし
て、実施例１〜10と同様の条件で作成した電子写
真用像形成部材の夫々に就てトナー転写画像の画
質評価を行つたところ、解像力に優れ、階調再現
性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。

【表】

【表】 ◎：優良 ○：良好 △：実用上
充分である

【表】 ◎：優良 ○：良好 △：実用上
充分である
以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層…
約200℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々光受容層中の窒素原子の分布状態を説明する
為の説明図、第１１図は、本発明で使用された装
置の模式的説明図で、第１２図乃至第１９図は
夫々本発明の実施例に於けるガス流量比の変化率
曲線を示す説明図である。１００…光導電部材、１０１…支持体、１０２
…光受容層。

Claims

【特許請求の範囲】１電子写真用光導電部材用の支持体と、シリコ
ン原子と前記シリコン原子との和に対して１〜
9.5×10⁵atomic ppmのゲルマニウム原子とを含
む非晶質材料で構成された層厚１〜100μの光導
電性を示す光受容層とを有し、該光受容層中におけるゲルマニウム原子の分布
状態が層厚方向に不均一であつて、支持体側にお
いてゲルマニウム原子の分布濃度の高い部分を有
し、前記支持体側とは反対側においては前記分布
濃度は前記支持体側に較べて可成り低くされた部
分を有し、ゲルマウニム原子の分布濃度の最大値がシリコ
ン原子に対して1000atomic ppm以上であり、該光受容層中には0.001〜50atomic％の窒素原
子が含有されていることを特徴とする電子写真用
光導電部材。２前記光受容層中に水素原子が含有されている
特許請求の範囲第１項に記載の電子写真用光導電
部材。３前記光光受容層中にハロゲン原子が含有され
ている特許請求の範囲第１項又は同第２項に記載
の電子写真用光導電部材。