JPH047503B2 - - Google Patents
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- JPH047503B2 JPH047503B2 JP57071954A JP7195482A JPH047503B2 JP H047503 B2 JPH047503 B2 JP H047503B2 JP 57071954 A JP57071954 A JP 57071954A JP 7195482 A JP7195482 A JP 7195482A JP H047503 B2 JPH047503 B2 JP H047503B2
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- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
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- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
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Description
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮影装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
影装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる、或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに支持体に到達する光の量が
多くなると、支持体自体が光導電層を透過して来
る光に対する反射率が高い場合には、光導電層内
に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
ーを光源とする場合には大きな問題となつてい
る。 或いは又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を計る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注目の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングしに、ブレード
を用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白
スジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりし
ていた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは
多湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると
俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮影装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成される光導電性を示す非晶質層を有する光導
電部材の構成を以後に説明される様な特定化の下
に設計されて作成された光導電部材は実用上著し
く優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電
部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕して
いること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していること及び長波長側に
於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見
出した点に基いている。 本考案は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆ど使用環境に制限を受けない全
環境型であり、長波長側の光感度特性に優れると
共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ど観
測されない光導電部材を提供することを主たる目
的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、該支持体上にシリコン原子とゲルマニウム原
子とを母体とする非晶質材料で構成された第１の
層領域とシリコン原子を母体とし、ゲルマニウム
を含まない非晶質材料で構成され光導電性を示す
第２層領域とが前記支持体側より順に設けられた
層構成の第１の非晶質層と、シリコン原子と炭素
原子とを母体とする非晶質材料で構成された第２
の非晶質層と、を有し、前記第１の層領域中にお
けるゲルマニウム原子の分布濃度が前記支持体よ
り該支持体側とは反対の側に向かつて減少し、且
つ、前記第１の非晶質には酸素原子が含有されて
いることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用された
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊にに半導体レーザとのマツ
チングに優れ、且つ光応答が速い。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、第一の非晶質層
（）１０２及び第二の非晶質層（）１０５と
を有し、該非晶質層（）１０５は自由表面１０
６を一方の端面に有している。第一の非晶質層
（）１０２は支持体１０１側よりゲルマニウム
原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第１
の層領域（Ｇ）１０３とａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成
され、光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０
４とが順に積層された層構造を有する。第１の層
領域（Ｇ）１０３中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３の層厚方向に
は連続的であつて且つ前記支持体１０１の設けら
れてある側とは反対の側（第二の非晶質層１０５
側）の方に対して前記支持体１０１側の方に多く
の分布した状態となる様に前記第１の層領域
（Ｇ）１０３中に含有される。 本発明の光導電部材においては、第１の層領域
（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状
態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態
を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均一
な分布状態とされるのが望ましいものである。 本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらずこの様な層構造に第一
の非晶質層（）を形成することによつて可視光
領域を含む、比較的短波長から比較的長波長迄の
全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
導電部材とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原
子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方
向の分布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域
（Ｓ）に向つて減少する変化が与えられているの
で、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）と
の間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に支
持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃを極端に大きくすることにより半導体レーザ等
を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆ど
吸収し切れない長波長側の光を第１の層領域
（Ｇ）に於いて実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止するこ
とが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非
晶質材料の夫々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が
示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域
（Ｇ）の層厚を示し、tBは支持体側の第１の層領
域（Ｇ）の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域
（Ｇ）はtB側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）が形成される表面
と該第１の層領域（Ｇ）の表面とが接する界面位
置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲルマニ
ウム原子が形成される第１の層領域（Ｇ）に含有
され、位置t1より濃度C2より界面位置tTに至るま
で徐々に連続的に減少されている。界面位置tTに
おいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC3と
される。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐徐に
連続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBより位置tTに至るまで、濃度C3より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10される。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17で
あり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初め
はゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8に
おいて、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間にお
いては、濃度C20より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。 本発明に於ける光導電部材を構成する第１の非
晶質層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）はき
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領
域（Ａ）を有するのが望ましい。 本考案に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃
至第１０図に示す信号を用いて説明すれば、界面
位置tBより5μ以内に設けられるのが望ましいもの
である。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域Ａを層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウ
ム原子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子に
対して、通常は1000atomic ppm以上、最適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）は、支持体側から
の層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃
度の最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが好
ましいものである。 本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量としては、本発
明の目的が効果的に達成される様に所望に従つて
適宜決められるが、通常は１〜9.5×105atomic
ppm、好ましくは100〜8.0×105atomic ppm、最
適には500〜７×105atomic ppmとされるのが望
ましいものである。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので形成
される光導電部材に所望の特性が充分与えられる
様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払
われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚
TBは、通常の場合、30Å〜50μ、好ましくは40Å
〜40μ、最適には50Å〜30μとされるが望ましい。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場
合、0.5〜90μ、好ましくは１〜80μ、最適には２
〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）の層厚TBと第２の層領域
（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両層領
域に要求される特性の第一の非晶質層（）全体
に要求される特性との相互間の有機的関連性に基
いて、光導電部材の層設計の際に所望に従つて、
適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては通常の場合１〜100μ、
好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされるの
が望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、通常はTB／
Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×105
atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）の層厚TBとしては、成可く薄くされるのが
望ましく、好ましくは30μ以下、より好ましくは
25μ以下、最適には20μ以下とされるが望ましい
ものである。 本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域
（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は、
該層領域（Ｇ）の全層領域にゲルマニウム原子が
連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の
分布濃度Ｃが支持体側より第一の非晶質層（）
の自由表面側に向つて、減少する変化が与えられ
ているので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従
つて任意に設計することによつて、要求される特
性を持つた第一の非晶質層（）を所望通りに実
現することが出来る。 例えば、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマ
ニウムの分布濃度Ｃを支持体側に於いては、充分
高め、第１の層領域（Ｇ）の自由表面側に於いて
は、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化をゲルマ
ニウム原子の分布濃度曲線に与えることによつ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的
長波長迄の全領域の波長の光に対して光感度化を
図ることが出来る。 又、後述される様に第１の層領域（Ｇ）の支持
体側端部に於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レーザ
を使用した場合の、レーザ照射面側にある第２の
層領域（Ｓ）に於いて充分吸収し切れない長波長
側の光を層領域（Ｇ）に於いて、実質的に完全に
吸収することが出来、支持体面からの反射による
干渉を効果的に防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の非晶質層
（）との間の密着性の改良を図る目的の為に、
第一の非晶質層（）中には、酸素原子が含有さ
れる。 第一の非晶質層（）中に含有される酸素原子
は、第一の非晶質層（）の全層領域に万偏なく
含有されても良いし、或いは、第一の非晶質層
（）の一部の層領域のみに含有させて偏在させ
ても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｏ）が、
第一の非晶質層（）の層厚方向に於いては、均
一であつても、第２図乃至第１０図を用いて説明
したゲルマニウム原子の分布状態と同様に分布濃
度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一であつても良い。 詰り、酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）が層厚方向
に不均一である場合の酸素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる酸素原子の含有されている層領域（Ｏ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の非晶質層（）の全層領域を占め
る様に設けられ、支持体と第一の非晶質層（）
との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とす
る場合には、第一の非晶質層（）の支持体側端
部層領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の含有量は、高光感度を維持する為に、比較
的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着
性の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが
望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の非晶質層（）の自由表面側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第一の非
晶質層（）の自由表面側の表層領域には、酸素
原子を積極的には含有させない様な酸素原子の分
布状態を層領域（Ｏ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の含有
量は、層領域（Ｏ）自体に要求される特性、或い
は該層領域（Ｏ）が支持体に直に接触して設けら
れる場合には、該支持体との接触界面に於ける特
性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。 又、前記層領域（Ｏ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、通常の場合、
0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 本発明に於いて、層領域（Ｏ）が第一の非晶質
層（）の全域を占めるか、或いは、第一の非晶
質層（）の全域を占めなくとも、層領域（Ｏ）
の層厚T0の第一の非晶質層（）の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域（Ｏ）に含
有される酸素原子の含有量の上限は、前記の値よ
り充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には層領域（Ｏ）の層厚T0が非
晶質層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以
上となる様な場合には、層領域（Ｏ）中に含有さ
れる酸素原子の量の上限としては、通常は、
30atomic％以下、好ましくは、20atomic％以下、
最適には10atomic％以下とされるのが望ましい
ものである。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものと
して設けられるのが望ましく、この場合には、支
持体と第一の非晶質層（）との間の密着性をよ
り一層向上させることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ
以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域を層領域（LT）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される非晶質層に要求され
る特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度
の最大値Cnaxが通常は500atomic ppm以上、好
適には800atomic ppm以上、最適には
1000atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cnaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて、第一の非晶質
層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）及び第２
の層領域（Ｓ）中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、
ヨウ素が挙げられ、殊にフツ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を供
給し得るSi供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るGe供給用の原料ガスと必要
に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されてある所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所
望の変化率曲線に従つて制御し乍らａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成さ
れたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じてHe，Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲンナ原子（Ｘ）導入用のガスを
スパツタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
のプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ge供
給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，Ge6
H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等のガス状態の
又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点で、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8が好ましいものとして挙
げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えば、ハロゲンガス、ハロゲ
ン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得る
ハロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ＣＦ，ＣF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，IC，IBr等のハロゲ
ン間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiC4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、
例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えばH2、或いは前記したシ
ラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類
をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガス
類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HC，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Ｃ2，SiHC3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3，GeH2
F2，GeH3Ｆ，GeHC3，GeH2Ｃ2，GeH3Ｃ
，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，GeHI3，
GeH2I2，GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニ
ウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化合、GeF4，GeC4，GeBr4，GeI4，
GeF2，GeC2，GeBr2，GeI2等のハロゲン化ゲ
ルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得
る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲ
ン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導
入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，Si2
H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素をGeを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
或いは、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5
H12，Ge6H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等の水
素化ゲルマニウムSiを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される第一
の非晶質層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）
中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合0.01〜40atomic％、
好適には0.05〜30atomic％最適には0.1〜
25atomic％とされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはロゲン原子Ｘを含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電電力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（）の中
より、Ｇ供給用の原料ガスとなる出発物質を除い
た出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発物
質（）〕を使用して第１の層領域（Ｇ）を形成
する場合と、同様の方法と条件に従つて行うこと
が出来る。 即ち、本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには例え
ばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイオ
ンプレーテイング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によつて成される。例えば、グロー放電法
によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の
層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子Siを供給し得るSi供給用の原料ガ
スと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されてある所定の支持表面上にａ−Si（Ｈ，
Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパツ
タリング法で形成する場合には、例えばAr，He
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたターゲツト
をスパツタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域（Ｇ）の上に設け
られ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層
領域（Ｓ）には、伝導特性を制御する物質を含有
させることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与え
るＰ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Ａ（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In
（インジウム）、Ｔ（タリウム）等があり、殊に
好適に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は該層領域
（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量として
は、通常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適
には0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜
200atomic ppmとされるのが望ましいものであ
る。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物
質、例えば第族原子或いは第族原子を構造的
に導入するには、層形成の際に第族原子導入用
の出発物質或いは第族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成する
為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第族原子導入用の出発物質と成り得るも
のとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第族原子導入の
出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、B2H6，B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，B6
H12，B6H14等の水素化硼素、BF3，BC3，
BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡＣ3，GaC3，Ga（CH3）3，InC3，
ＴＣ3等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ，PF3，
PF5，PC3，PC5，PBr3，PBr5，PI3等のハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH3，
AsF3，AsC3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，
SbF5，SbC3，SbC5，BiH3，BiC3，BiBr3
等も第族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることが出来る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に酸素
原子の含有された層領域（Ｏ）を設けるには、第
一の非晶質層（）の形成の際に酸素原子導入用
の出発物質を前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域
（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の非晶質層（）形成用の出
発物質の中から所望に従つて選択されたものに酸
素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な
酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも
酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子Ｏを構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原
料ズスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、シリコン原子（Si）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（Si）、酸素原子
（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 具体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸
化窒素（N2Ｏ）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸
化窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化
窒素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例
えば、ジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキ
サン（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン
等を挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る第一の非晶質層（）を形成するには、単結晶
又は多結晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
リングすることによつて成される。酸素原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパツタリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）の形成
の際に酸素原子の含有される層領域（Ｏ）を設け
る場合、該層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の
分布濃度Ｃ（Ｏ）を層厚方向に変化させて所望の
層厚方向の分布状態（depth profile）を有する
層領域（Ｏ）を形成するには、グロー放電の場合
には分布濃度Ｃ（Ｏ）を変化させるべき酸素原子
導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望
の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによつて成される。例えば、手
動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられてい
る何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニールドバルブの開口を漸次変化さ
せる操作を行えば良い。このとき、流量の変化率
は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用
いて、あらかじめ設計された本科率曲線に従つて
流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもで
きる。層領域（Ｏ）をスパツタリング法によつて
形成する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ
（Ｏ）を層厚方向で変化させて、酸素原子の層厚
方向の所望の分布状態（depth profile）を形成
するには、第一にはグロー放電法による場合と同
様に酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ズスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。第二にはスパツタリング用のターゲツトを、
例えばSiとSiO2との混合されたターゲツトを使
用するのであれば、SiとSiO2との混合比をター
ゲツトの層厚方向に於いて予め変化させておくこ
とによつて成される。 本発明に於いて、形成される非晶質層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の
場合１〜40atomic％、好適には５〜30atomic％、
最適には５〜25atomic％、とされるが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０３は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境
特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為
に設けられる。 又、本発明においては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０３とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、シリ
コン原子（Si）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
とを含む非晶質材料（以後、「ａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-y」、但し、０＜ｘ，ｙ＜１、と記す）
で構成される。 ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される第二
の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツ
タリング法、イオンプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件に制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び
ロゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー
放電法或はスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量
の混合比で混合して、支持体の設置してある真空
堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グ
ロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て、前記支持体上に既に形成されてある第一の非
晶質層（）上にａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを
堆積させれば良い。 本考案に於いて、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも１つの構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子と
する原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子とす
る原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合
するか、或いは、Siを構成原子とする原料ガス
と、Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Ｃ，Br，Ｉであり、殊にＦ，Ｃが望ま
しいものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4，SiH2H6，Si3H8，Si4
H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間
化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅
素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体としては、
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハ
ロゲン化水素としては、FH，HI，HC，HBr、
ハロゲン間化合物としては、BrF，ＣＦ，Ｃ
F3，ＣF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，IC，
IBrハロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiC
４，SiC3Br，SiC2Br2，SiCBr3，SiC3Ｉ，
SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2
F2，SiH2Ｃ2，SiHC3，SiH3Ｃ，SiH3Br，
SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，
Si2H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CF4，CC4CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3Ｆ，CH3Ｃ，CH3Br，CH3Ｉ，
C2H5Ｃ等のハロゲン置換パラフイン系炭化水
素、SF4，SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si
（CH3）4，Si（C2H5）4、等のケイ化アルキルやSiC
（CH3）3，SiC2（CH3）2，SiC3CH3等のハ
ロゲン含有ケイ化アルキル名とのシラン誘導体も
有効なものとして挙げることが出来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHC3，SiH2Ｃ2，SiC4、
或いはSiH3Ｃ等を所定の混合比にしてガス状
態で第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入
してグロー放電を生起させることによつてａ−
（SixC1-x）y（Ｃ＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質
層（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲
気中でスパツターリングすることによつて行えば
良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶
質層（）形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質までの間の性質を、各々示すので本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ
−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所
望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向
上を主な目的として設けるにはａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yは使用環境に於いて電気絶縁性的挙
動の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に伴せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、20〜
400℃、好適には50〜350℃、最適には100〜300℃
とされるのが望ましいものである。第二の非晶質
層（）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第二の非晶質層（）を形成する場合
には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1
−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成する為の特性を有す
るａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては通常
10〜300W、好適には20〜250W、最適には50w〜
200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yからなる第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作成条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる第二の非晶質層
（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、第二の非晶質層（）を構
成する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適
宜所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後
「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される
非晶質材料（以後「ａ−（SibC1-b）CH1-e」と記
す。但し、０＜ｂ，ｃ＜１）、シリコン原子と炭
素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、「ａ−（SidC1-d）
e（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す。但し、０＜ｄ，ｅ＜１）
に分類される。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
SiaC1-aで構成される場合、第二の非晶質層（）
に含有される炭素原子の量は通常としては、１×
10-3〜90atomic％、好適には１〜80atomic％、
最適には10〜75atomic％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示
で行えば、ａが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2
〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
（SibC1-b）cH1-cで構成される場合、第二の非晶質
層（）に含有される炭素原子の量は、通常１×
10-3〜90atomic％とされ、好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、通常の場合１〜40atomic％、好ましくは
２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量が
ある場合に形成される光導電部材は、実際面に於
いて優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行えば
ｂが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、最
適には0.15〜0.9、ｃが通常0.6〜0.99、好適には
0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが望まし
い。 第二の非晶質層（）が、ａ−（SidC1-d）e
（Ｈ，Ｘ）1-eで構成される場合には、第二の非晶
質層（）中に含有される炭素原子の含有量とし
ては、通常、１×10-3〜90atomic％、好適には
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合１〜20atomic％好適
には１〜18atomic％、最適には２〜15atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がある場合に形成される光導電部材を
実際面に於いて充分適用させ得るものである。必
要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合19atomic％以下、好適には
13atomic％以下とされるのが望ましいものであ
る。 即ち、先のａ−（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行えば、ｄが通常、0.1〜0.99999、好
適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅが通常
0.8〜0.99、好適には0.82〜0.99、最適には0.85〜
0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いて考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Ａ、
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Ａ、Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，
Pt，Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等
から成る薄膜を設けることによつて導電性が付与
され、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂
フイルムであれば、NiCr、Ａ、Ag，Pb，Zn，
Ni，Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導
電性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はC2H4ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶
質層（）を形成する場合の１例をあげると、ガ
スボンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボン
ベ１１０３よりGeH4／Heガス、ガスボンベ１１
０５よりNOガスをバルブ１１２２，１１２３，
１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２
８，１１２９の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３，１１１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７，１１０８，
１１０９内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，１１１９、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量とGeH4／Heガス流量とNOガス流量との比が
所望の値になるように流出バルブ１１１７，１１
１８，１１１９を調整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の
読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変
化率曲線に従つてGeH4／Heガスの流量を手動あ
るいき外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１
１１８の開口を漸次変化させる操作を行なつて形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）
が形成された段階に於いて、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変える以外は、同様な条件と手順に従つて所望
時間グロー放電を維持することで第１の層領域
（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。 第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物
質を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成
の際に例えばB2H6，PH3等のガスを堆積室１１
０１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には、上記のガスに、例えばSiF4ガス
を更に付加して、グロー放電を生起させれば良
い。 又、第一の非晶質層（）中に水素原子を含有
させずにハロゲン原子を含有させる場合には、先
のSiH4／Heガス及びGeH4／Heガスの代りに、
SiF4／Heガス及びGeF4／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
るには、第一の非晶質層（）の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH4ガス，C2H4
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を生起
させることによつて成される。 第二の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或い
は、これにSiH4ガスを加えて上記と同様にして
第二の非晶質層（）を形成することによつて成
される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH4ガ
スと、C2H4ガスの反応室１１０１内に導入され
る流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパ
ツターリングで層形成する場合には、ターゲツト
を形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエ
ハのスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン
粉末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてター
ゲツトを成型することによつて所望に応じて制御
することが出来る。第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原
子導入用の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１
１０１内に導入される際の流量を調整することに
よつて成される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のＡ基体上に第１表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つてGeH4／He
ガスとSiH4／Heガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて第一の非晶質層（）を形
成し、次いで第１表に示す条件で第二の非晶質層
を形成して電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3set間コロナ帯電を行
い、直ち光像を照射した光像はタングステンラン
プ光源を用い、2lux.setの光量を透過型のテスト
チヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代わり
に、Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件
にした以外は、実施例１と同様にして、電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代わり
に、SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件
にした以外は、実施例１と同様にして電子写真用
像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代わり
に、（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第
10表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の
条件にして電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 11 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材を夫々を形
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第11A表に示す結果が得られる。 実施例 12 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を形
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第12A表に示す結果が得られた。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、第13表に示
す条件で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガス、
NOガスとSiH4／Heガス、とのガス流量比を層
作成経過時間と、共に夫々変化させ、その他の条
件は実施例１と同様にして、電子写真用像形成部
材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、第14表に示
す条件で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガス、
NOガスとSiH4／Heガスとのガス流量比を層作
成経過時間と共に夫々変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、電子写真用像形成部材を
形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 15 実施例１〜10に於いて、光源をタングステンラ
ンプの代わりに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行つた以外
は、実施例１と同様のトナー画像形成条件にし
て、実施例１〜10と同様の条件で作成した電子写
真用像形成部材の夫々に就いてトナー転写画像の
画質評価を行つたところ、解像力に優れ、階調再
現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 16 非晶質層（）の作成条件を第15表に示す各条
件にした以外は、実施例２〜10の各実施例と同様
の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の夫
夫（試料No.12−201〜12−208，12−301〜12−
308，…，12−1001〜12−1009の72個の試料）を
作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫
夫を個別に複写装置に設置し、5kVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタン
グステンランプを用い、光量は1.0lux.secとした。
潜像は荷電性の現像剤（トナーとキヤリヤを含
む）によつて現像され、通常の紙に転写された。
転写画像は、極めて良好なものであつた。転写さ
れないで電子写真用像形成部材上に残つたトナー
は、ゴムブレードによつてクリーニングされた。
このような工程を繰り返し10万回以上行つても、
いずれの場合も画像の劣化は見られなかつた。 各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第15A表に示
す。 実施例 17 非晶質層（）の形成時の際に、スパツターリ
ング法を採用し、シリコンウエハとグラフアイト
のターゲツト面積比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は、実施例１と全く同様な方法によつ
て像形成部材の夫々を作成した。こうして得られ
た像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現象、クリーニングの工程を約５万回
繰返した後画像評価を行つたところ第16表の如き
結果を得た。 実施例 18 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガスとC2
H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は実施例１と全く同様な方法によつて像
形成部材の夫夫を作した。こうして得られた各像
形成部材につき、実施例１に述べた如き方法で転
写までの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行つたところ、第17表の如き結果を得た。 実施例 19 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質
層（）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な
方法によつて像形成部材の夫々を作成した。こう
して得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万
回繰り返した後、画像評価を行つたところ第18表
の如き結果を得た。 実施例 20 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し第19表の結果を得
た。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、ｒ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある光導電部材に関す
る。 固体撮影装置、或いは像形成分野における電子
写真用像形成部材や原稿読取装置における光導電
層を形成する光導電材料としては、高感度で、
SN比〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照
射する電磁波のスペクトル特性にマツチングした
吸収スペクトル特性を有すること、光応答性が速
く、所望の暗抵抗値を有すること、使用時におい
て人体に対して無公害であること、更には固体撮
影装置においては、残像を所定時間内に容易に処
理することができること等の特性が要求される。
殊に、事務機としてオフイスで使用される電子写
真装置内に組込まれる電子写真用像形成部材の場
合には、上記の使用時における無公害性は重要な
点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後ａ−Siと表
記す）があり、例えば、独国公開第2746967号公
報、同第2855718号公報には電子写真用像形成部
材として、独国公開第2933411号公報には光電変
換読取装置への応用が記載されている。 而乍ら、従来のａ−Siで構成された光導電層を
有する光導電部材は、暗抵抗値、光感度、光応答
性等の電気的、光学的、光導電的特性、及び耐湿
性等の使用環境特性の点、更には経時的安定性の
点において、総合的な特性向上を計る必要がある
という更に改良される可き点が存するのが実情で
ある。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、高光感度化、高暗抵抗化を同時に計ろうとす
ると、従来においては、その使用時において残留
電位が残る場合が度々観測され、この種の光導電
部材は長時間繰返し使用し続けると、繰返し使用
による疲労の蓄積が起つて、残像が生ずる所謂ゴ
ースト現象を発する様になる、或いは、高速で繰
返し使用すると応答性が次第に低下する、等の不
都合な点が生ずる場合が少なくなかつた。 更には、ａ−Siは可視光領域の短波長側に較べ
て、長波長側の波長領域よりも長い波長領域の吸
収係数が比較的小さく、現在実用化されている半
導体レーザとのマツチングに於いて、通常使用さ
れているハロゲンランプや蛍光灯を光源とする場
合、長波長側の光を有効に使用し得ていないとい
う点に於いて、夫々改良される余地が残つてい
る。 又、別には、照射される光が光導電層中に於い
て、充分吸収されずに支持体に到達する光の量が
多くなると、支持体自体が光導電層を透過して来
る光に対する反射率が高い場合には、光導電層内
に於いて多重反射による干渉が起つて、画像の
「ボケ」が生ずる一要因となる。 この影響は、解像度を上げる為に、照射スポツ
トを小さくする程大きくなり、殊に半導体レーザ
ーを光源とする場合には大きな問題となつてい
る。 或いは又、ａ−Si材料で光導電層を構成する場
合には、その電気的、光導電的特性の改良を計る
ために、水素原子或いは弗素原子や塩素原子等の
ハロゲン原子、及び電気伝導型の制御のために硼
素原子や燐原子等が或いはその他の特性改良のた
めに他の原子が、各々構成原子として光導電層中
に含有されるが、これ等の構成原子の含有の仕方
如何によつては、形成した層の電気的或いは光導
電的特性や耐圧性に問題が生ずる場合があつた。 即ち、例えば、形成した光導電層中に光照射に
よつて発生したフオトキヤリアの該層中での寿命
が充分でないことや暗部において、支持体側より
の電荷の注目の阻止が充分でないこと、或いは、
転写紙に転写された画像に俗に「白ヌケ」と呼ば
れる、局所的な放電破壊現象によると思われる画
像欠陥や、例えば、クリーニングしに、ブレード
を用いるとその摺擦によると思われる、俗に「白
スジ」と云われている所謂画像欠陥が生じたりし
ていた。又、多湿雰囲気中で使用したり、或いは
多湿雰囲気中に長時間放置した直後に使用すると
俗に云う画像のボケが生ずる場合が少なくなかつ
た。 更には、層厚が十数μ以上になると層形成用の
真空堆積室より取り出した後、空気中での放置時
間の経過と共に、支持体表面からの層の浮きや剥
離、或いは層に亀裂が生ずる等の現象を引起し勝
ちになる。この現象は、殊に支持体が通常、電子
写真分野に於いて使用されているドラム状支持体
の場合に多く起る等、経時的安定性の点に於いて
解決される可き点がある。 従つてａ−Si材料そのものの特性改良が計られ
る一方で光導電部材を設計する際に、上記した様
な問題の総てが解決される様に工夫される必要が
ある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
−Siに就て電子写真用像形成部材や固体撮影装
置、読取装置等に使用される光導電部材としての
適用性とその応用性という観点から総括的に鋭意
研究検討を続けた結果、シリコン原子を母体と
し、水素原子（Ｈ）又はハロゲン原子（Ｘ）のい
ずれか一方を少なくとも含有するアモルフアス材
料、所謂水素化アモルフアスシリコン、ハロゲン
化アモルフアスシリコン、或いはハロゲン含有水
素化アモルフアスシリコン〔以後これ等の総称的
表記として「ａ−Si（Ｈ，Ｘ）」を使用する〕から
構成される光導電性を示す非晶質層を有する光導
電部材の構成を以後に説明される様な特定化の下
に設計されて作成された光導電部材は実用上著し
く優れた特性を示すばかりでなく、従来の光導電
部材と較べてみてもあらゆる点において凌駕して
いること、殊に電子写真用の光導電部材として著
しく優れた特性を有していること及び長波長側に
於ける吸収スペクトル特性に優れていることを見
出した点に基いている。 本考案は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆ど使用環境に制限を受けない全
環境型であり、長波長側の光感度特性に優れると
共に耐光疲労に著しく長け、繰返し使用に際して
も劣化現象を起さず、残留電位が全く又は殆ど観
測されない光導電部材を提供することを主たる目
的とする。 本発明の別の目的は、全可視光域に於いて光感
度が高く、殊に半導体レーザとのマツチングに優
れ、且つ光応答の速い光導電部材を提供すること
である。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分ある光導電部材
を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の光導電部
材を提供することである。 本発明の更にもう１つの目的は、高光感度性、
高SN比特性を有する光導電部材を提供すること
でもある。 本発明の他の目的は、支持体上に設けられる層
と支持体との間や積層される層の各層間に於ける
密着性に優れ、構造配列的に緻密で安定的であ
り、層品質の高い光導電部材を提供することであ
る。 本発明の更に他の目的は、長期の使用に於いて
画像欠陥や画像のボケが全くなく、濃度が高く、
ハーフトーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高
品質画像を得ることが容易にできる電子写真用の
光導電部材を提供することである。 本発明の光導電部材は、光導電部材用の支持体
と、該支持体上にシリコン原子とゲルマニウム原
子とを母体とする非晶質材料で構成された第１の
層領域とシリコン原子を母体とし、ゲルマニウム
を含まない非晶質材料で構成され光導電性を示す
第２層領域とが前記支持体側より順に設けられた
層構成の第１の非晶質層と、シリコン原子と炭素
原子とを母体とする非晶質材料で構成された第２
の非晶質層と、を有し、前記第１の層領域中にお
けるゲルマニウム原子の分布濃度が前記支持体よ
り該支持体側とは反対の側に向かつて減少し、且
つ、前記第１の非晶質には酸素原子が含有されて
いることを特徴とする。 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の光導電部材は、前記した諸問題の総てを
解決し得、極めて優れた電気的、光学的、光導電
的特性、耐圧性及び使用環境特性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用された
場合には、画像形成への残留電位の影響が全くな
く、その電気的特性が安定しており高感度で、高
SN比を有するものであつて、耐光疲労、繰返し
使用特性に長け、濃度が高く、ハーフトーンが鮮
明に出て、且つ解像度の高い、高品質の画像を安
定して繰返し得ることができる。 更に、本発明の光導電部材は、全可視光域に於
いて光感度が高く、殊にに半導体レーザとのマツ
チングに優れ、且つ光応答が速い。 又、本発明の光導電部材は支持体上に形成され
る非晶質層が、層自体が強靱であつて、且つ支持
体との密着性に著しく優れており、高速で長時間
連続的に繰返し使用することが出来る。 以下、図面に従つて、本発明の光導電部材に就
て詳細に説明する。 第１図は、本発明の第１の実施態様例の光導電
部材の層構成を説明するために模式的に示した模
式的構成図である。 第１図に示す光導電部材１００は、光導電部材
用としての支持体１０１の上に、第一の非晶質層
（）１０２及び第二の非晶質層（）１０５と
を有し、該非晶質層（）１０５は自由表面１０
６を一方の端面に有している。第一の非晶質層
（）１０２は支持体１０１側よりゲルマニウム
原子を含有するａ−Si（Ｈ，Ｘ）（以後「ａ−
SiGe（Ｈ，Ｘ）」と略記する）で構成された第１
の層領域（Ｇ）１０３とａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成
され、光導電性を有する第２の層領域（Ｓ）１０
４とが順に積層された層構造を有する。第１の層
領域（Ｇ）１０３中に含有されるゲルマニウム原
子は、該第１の層領域（Ｇ）１０３の層厚方向に
は連続的であつて且つ前記支持体１０１の設けら
れてある側とは反対の側（第二の非晶質層１０５
側）の方に対して前記支持体１０１側の方に多く
の分布した状態となる様に前記第１の層領域
（Ｇ）１０３中に含有される。 本発明の光導電部材においては、第１の層領域
（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の分布状
態は、層厚方向においては、前記の様な分布状態
を取り、支持体の表面と平行な面内方向には均一
な分布状態とされるのが望ましいものである。 本発明に於いては、第一の層領域（Ｇ）上に設
けられる第２の層領域（Ｓ）中には、ゲルマニウ
ム原子は含有されておらずこの様な層構造に第一
の非晶質層（）を形成することによつて可視光
領域を含む、比較的短波長から比較的長波長迄の
全領域の波長の光に対して光感度が優れている光
導電部材とし得るものである。 又、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態は、全層領域にゲルマニウム原
子が連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方
向の分布濃度Ｃが支持体側より第２の層領域
（Ｓ）に向つて減少する変化が与えられているの
で、第１の層領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）と
の間に於ける親和性に優れ、且つ後述する様に支
持体側端部に於いてゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃを極端に大きくすることにより半導体レーザ等
を使用した場合の、第２の層領域（Ｓ）では殆ど
吸収し切れない長波長側の光を第１の層領域
（Ｇ）に於いて実質的に完全に吸収することが出
来、支持体面からの反射による干渉を防止するこ
とが出来る。 又、本発明の光導電部材に於いては、第１の層
領域（Ｇ）と第２の層領域（Ｓ）とを構成する非
晶質材料の夫々がシリコン原子という共通の構成
要素を有しているので、積層界面に於いて化学的
な安定性の確保が充分成されている。 第２図乃至第１０図には、本発明における光導
電部材の第１の層領域（Ｇ）中に含有されるゲル
マニウム原子の層厚方向の分布状態の典型的例が
示される。 第２図乃至第１０図において、横軸はゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層領域
（Ｇ）の層厚を示し、tBは支持体側の第１の層領
域（Ｇ）の端面の位置を、tTは支持体側とは反対
側の第１の層領域（Ｇ）の端面の位置を示す。即
ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層領域
（Ｇ）はtB側よりtT側に向つて層形成がなされる。 第２図には、第１の層領域（Ｇ）中に含有され
るゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の第１
の典型例が示される。 第２図に示される例では、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）が形成される表面
と該第１の層領域（Ｇ）の表面とが接する界面位
置tBよりt1の位置までは、ゲルマニウム原子の分
布濃度ＣがC1なる一定の値を取り乍らゲルマニ
ウム原子が形成される第１の層領域（Ｇ）に含有
され、位置t1より濃度C2より界面位置tTに至るま
で徐々に連続的に減少されている。界面位置tTに
おいてはゲルマニウム原子の分布濃度ＣはC3と
される。 第３図に示される例においては、含有されるゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは位置tBより位置tT
に至るまで濃度C4から徐々に連続的に減少して
位置tTにおいて濃度C5となる様な分布状態を形成
している。 第４図の場合には、位置tBより位置t2まではゲ
ルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度C6と一定値
とされ、位置t2と位置tTとの間において、徐徐に
連続的に減少され、位置tTにおいて、分布濃度Ｃ
は実質的に零とされている（ここで実質的に零と
は検出限界量未満の場合である）。 第５図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは位置tBより位置tTに至るまで、濃度C3より
連続的に徐々に減少され、位置tTにおいて実質的
に零とされている。 第６図に示す例においては、ゲルマニウム原子
の分布濃度Ｃは、位置tBと位置t3間においては、
濃度C9と一定値であり、位置tTにおいては濃度
C10される。位置t3と位置tTとの間では、分布濃度
Ｃは一次関数的に位置t3より位置tTに至るまで減
少されている。 第７図に示される例においては、分布濃度Ｃは
位置tBより位置t4までは濃度C11の一定値を取り、
位置t4より位置tTまでは濃度C12より濃度C13まで
一次関数的に減少する分布状態とされている。 第８図に示す例においては、位置tBより位置tT
に至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃
度C14より実質的に零に至る様に一次関数的に減
少している。 第９図においては、位置tBより位置t5に至るま
ではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度C15
より濃度C16まで一次関数的に減少され、位置t5
と位置tTとの間においては、濃度C16の一定値と
された例が示されている。 第１０図に示される例においては、ゲルマニウ
ム原子の分布濃度Ｃは位置tBにおいて濃度C17で
あり、位置t6に至るまではこの濃度C17より初め
はゆつくりと減少され、t6の位置付近において
は、急激に減少されて位置t6では濃度C18とされ
る。 位置t6と位置t7との間においては、初め急激に
減少されて、その後は、緩かに徐々に減少されて
位置t7で濃度C19となり、位置t7と位置t8との間で
は、極めてゆつくりと徐々に減少されて位置t8に
おいて、濃度C20に至る。位置t8と位置tTの間にお
いては、濃度C20より実質的に零になる様に図に
示す如き形状の曲線に従つて減少されている。 以上、第２図乃至第１０図により、第１の層領
域（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層厚
方向の分布状態の典型例の幾つかを説明した様
に、本発明においては、支持体側において、ゲル
マニウム原子の分布濃度Ｃの高い部分を有し、界
面tT側においては、前記分布濃度Ｃは支持体側に
較べて可成り低くされた部分を有するゲルマニウ
ム原子の分布状態が第１の層領域（Ｇ）に設けら
れている。 本発明に於ける光導電部材を構成する第１の非
晶質層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）はき
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニ
ウム原子が比較的高濃度で含有されている局在領
域（Ａ）を有するのが望ましい。 本考案に於いては局在領域（Ａ）は、第２図乃
至第１０図に示す信号を用いて説明すれば、界面
位置tBより5μ以内に設けられるのが望ましいもの
である。 本発明においては、上記局在領域（Ａ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域Ａを層領域（LT）の一部とするか又
は全部とするかは、形成される非晶質層に要求さ
れる特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態としてゲルマニウ
ム原子の分布濃度の最大値Cnaxがシリコン原子に
対して、通常は1000atomic ppm以上、最適には
5000atomic ppm以上、最適には１×104atomic
ppm以上とされる様な分布状態となり得る様に層
形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、ゲルマニウム原子の
含有される第１の層領域（Ｇ）は、支持体側から
の層厚で5μ以内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃
度の最大値Cnaxが存在する様に形成されるのが好
ましいものである。 本発明において、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量としては、本発
明の目的が効果的に達成される様に所望に従つて
適宜決められるが、通常は１〜9.5×105atomic
ppm、好ましくは100〜8.0×105atomic ppm、最
適には500〜７×105atomic ppmとされるのが望
ましいものである。 本発明に於いて第１の層領域（Ｇ）と第２の層
領域（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので形成
される光導電部材に所望の特性が充分与えられる
様に、光導電部材の設計の際に充分なる注意が払
われる必要がある。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）の層厚
TBは、通常の場合、30Å〜50μ、好ましくは40Å
〜40μ、最適には50Å〜30μとされるが望ましい。 又、第２の層領域（Ｓ）の層厚Ｔは、通常の場
合、0.5〜90μ、好ましくは１〜80μ、最適には２
〜50μとされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）の層厚TBと第２の層領域
（Ｓ）の層厚Ｔの和（TB＋Ｔ）としては、両層領
域に要求される特性の第一の非晶質層（）全体
に要求される特性との相互間の有機的関連性に基
いて、光導電部材の層設計の際に所望に従つて、
適宜決定される。 本発明の光導電部材に於いては、上記の（TB
＋Ｔ）の数値範囲としては通常の場合１〜100μ、
好適には１〜80μ、最適には２〜50μとされるの
が望ましい。 本発明のより好ましい実施態様例に於いては、
上記の層厚TB及び層厚Ｔとしては、通常はTB／
Ｔ≦１なる関係を満足する際に、夫々に対して適
宜適切な数値が選択されるのが望ましい。 上記の場合に於ける層厚TB及び層厚Ｔの数値
の選択に於いて、より好ましくは、TB／Ｔ≦0.9、
最適にはTB／Ｔ≦0.8なる関係が満足される様に
層厚TB及び層厚Ｔの値が決定されるのが望まし
いものである。 本発明に於いて、第１の層領域（Ｇ）中に含有
されるゲルマニウム原子の含有量が１×105
atomic ppm以上の場合には、第１の層領域
（Ｇ）の層厚TBとしては、成可く薄くされるのが
望ましく、好ましくは30μ以下、より好ましくは
25μ以下、最適には20μ以下とされるが望ましい
ものである。 本発明の光導電部材に於いては、第１の層領域
（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布状態は、
該層領域（Ｇ）の全層領域にゲルマニウム原子が
連続的に分布し、ゲルマニウム原子の層厚方向の
分布濃度Ｃが支持体側より第一の非晶質層（）
の自由表面側に向つて、減少する変化が与えられ
ているので、分布濃度Ｃの変化率曲線を所望に従
つて任意に設計することによつて、要求される特
性を持つた第一の非晶質層（）を所望通りに実
現することが出来る。 例えば、第１の層領域（Ｇ）中に於けるゲルマ
ニウムの分布濃度Ｃを支持体側に於いては、充分
高め、第１の層領域（Ｇ）の自由表面側に於いて
は、極力低める様な、分布濃度Ｃの変化をゲルマ
ニウム原子の分布濃度曲線に与えることによつ
て、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的
長波長迄の全領域の波長の光に対して光感度化を
図ることが出来る。 又、後述される様に第１の層領域（Ｇ）の支持
体側端部に於いて、ゲルマニウム原子の分布濃度
Ｃを極端に大きくすることにより、半導体レーザ
を使用した場合の、レーザ照射面側にある第２の
層領域（Ｓ）に於いて充分吸収し切れない長波長
側の光を層領域（Ｇ）に於いて、実質的に完全に
吸収することが出来、支持体面からの反射による
干渉を効果的に防止することが出来る。 本発明の光導電部材に於いては、高光感度化と
高暗抵抗化、更には、支持体と第一の非晶質層
（）との間の密着性の改良を図る目的の為に、
第一の非晶質層（）中には、酸素原子が含有さ
れる。 第一の非晶質層（）中に含有される酸素原子
は、第一の非晶質層（）の全層領域に万偏なく
含有されても良いし、或いは、第一の非晶質層
（）の一部の層領域のみに含有させて偏在させ
ても良い。 又、酸素原子の分布状態は分布濃度Ｃ（Ｏ）が、
第一の非晶質層（）の層厚方向に於いては、均
一であつても、第２図乃至第１０図を用いて説明
したゲルマニウム原子の分布状態と同様に分布濃
度Ｃ（Ｏ）が層厚方向には不均一であつても良い。 詰り、酸素原子の分布濃度Ｃ（Ｏ）が層厚方向
に不均一である場合の酸素原子の分布状態は、第
２図乃至第１０図を用いてゲルマニウム原子の場
合と同様に説明され得る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる酸素原子の含有されている層領域（Ｏ）
は、光感度と暗抵抗の向上を主たる目的とする場
合には、第一の非晶質層（）の全層領域を占め
る様に設けられ、支持体と第一の非晶質層（）
との間の密着性の強化を図るのを主たる目的とす
る場合には、第一の非晶質層（）の支持体側端
部層領域を占める様に設けられる。 前者の場合、層領域（Ｏ）中に含有される酸素
原子の含有量は、高光感度を維持する為に、比較
的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着
性の強化を確実に図る為に比較的多くされるのが
望ましい。 又、前者と後者の両方を同時に達成する目的の
為には、支持体側に於いて比較的高濃度に分布さ
せ、第一の非晶質層（）の自由表面側に於いて
比較的低濃度に分布させるか、或いは、第一の非
晶質層（）の自由表面側の表層領域には、酸素
原子を積極的には含有させない様な酸素原子の分
布状態を層領域（Ｏ）中に形成すれば良い。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に設け
られる層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の含有
量は、層領域（Ｏ）自体に要求される特性、或い
は該層領域（Ｏ）が支持体に直に接触して設けら
れる場合には、該支持体との接触界面に於ける特
性との関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択
することが出来る。 又、前記層領域（Ｏ）に直に接触して他の層領
域が設けられる場合には、該他の層領域の特性
や、該他の層領域との接触界面に於ける特性との
関係も考慮されて、酸素原子の含有量が適宜選択
される。 層領域（Ｏ）中に含有される酸素原子の量は、
形成される光導電部材に要求される特性に応じて
所望に従つて適宜決められるが、通常の場合、
0.001〜50atomic％、好ましくは、0.002〜
40atomic％、最適には0.003〜30atomic％とされ
るのが望ましいものである。 本発明に於いて、層領域（Ｏ）が第一の非晶質
層（）の全域を占めるか、或いは、第一の非晶
質層（）の全域を占めなくとも、層領域（Ｏ）
の層厚T0の第一の非晶質層（）の層厚Ｔに占
める割合が充分多い場合には、層領域（Ｏ）に含
有される酸素原子の含有量の上限は、前記の値よ
り充分少なくされるのが望ましい。 本発明の場合には層領域（Ｏ）の層厚T0が非
晶質層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以
上となる様な場合には、層領域（Ｏ）中に含有さ
れる酸素原子の量の上限としては、通常は、
30atomic％以下、好ましくは、20atomic％以下、
最適には10atomic％以下とされるのが望ましい
ものである。 本発明において、第一の非晶質層（）を構成
する酸素原子の含有される層領域（Ｏ）は、上記
した様に支持体側の方に酸素原子が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものと
して設けられるのが望ましく、この場合には、支
持体と第一の非晶質層（）との間の密着性をよ
り一層向上させることが出来る。 上記局在領域（Ｂ）は、第２図乃至第１０図に
示す記号を用いて説明すれば、界面位置tBより5μ
以内に設けられるのが望ましい。 本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界
面位置tBより5μ厚までの全層領域（LT）とされる
場合もあるし、又、層領域（LT）の一部とされ
る場合もある。 局在領域を層領域（LT）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される非晶質層に要求され
る特性に従つて適宜決められる。 局在領域（Ｂ）はその中に含有される酸素原子
の層厚方向の分布状態として酸素原子の分布濃度
の最大値Cnaxが通常は500atomic ppm以上、好
適には800atomic ppm以上、最適には
1000atomic ppm以上とされる様な分布状態とな
り得る様に層形成されるのが望ましい。 即ち、本発明においては、酸素原子の含有され
る層領域（Ｏ）は、支持体側からの層厚で5μ以
内（tBから5μ厚の層領域）に分布濃度の最大値
Cnaxが存在する様に形成されるのが望ましい。 本発明において、必要に応じて、第一の非晶質
層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）及び第２
の層領域（Ｓ）中に含有されるハロゲン原子
（Ｘ）としては、具体的にはフツ素、塩素、臭素、
ヨウ素が挙げられ、殊にフツ素、塩素を好適なも
のとして挙げることが出来る。 本発明において、ａ−SiGe（Ｈ，Ｘ）で構成さ
れる第１の層領域（Ｇ）を形成するには例えばグ
ロー放電法、スパツタリング法、或いはイオンプ
レーテイング法等の放電現象を利用する真空堆積
法によつて成される。 例えば、グロー放電法によつて、ａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）で構成される第１の層領域（Ｇ）を形
成するには、基本的にはシリコン原子（Si）を供
給し得るSi供給用の原料ガスとゲルマニウム原子
（Ge）を供給し得るGe供給用の原料ガスと必要
に応じて水素原子（Ｈ）導入用の原料ガス又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に所望のガス圧状態で
導入して、該堆積室内にグロー放電を生起させ、
予め所定位置に設置されてある所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所
望の変化率曲線に従つて制御し乍らａ−SiGe
（Ｈ，Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、
スパツタリング法で形成する場合には、例えば
Ar，He等の不活性ガス又はこれ等のガスをベー
スとした混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたタ
ーゲツト、或いは、該ターゲツトとGeで構成さ
れたターゲツトの二枚を使用して、又は、Siと
Geの混合されたターゲツトを使用して、必要に
応じてHe，Ar等の稀釈ガスで稀釈されたGe供給
用の原料ガスを、必要に応じて、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲンナ原子（Ｘ）導入用のガスを
スパツタリング用の堆積室に導入し、所望のガス
のプラズマ雰囲気を形成すると共に、前記Ge供
給用の原料ガスのガス流量を所望の変化率曲線に
従つて制御し乍ら、前記のターゲツトをスパツタ
リングしてやれば良い。 イオンプレーテイング法の場合には例えば、多
結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマ
ニウム又は単結晶ゲルマニウムとを、夫々蒸発源
として蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加
熱法、或いは、エレクトロンビーム法（EB法）
等によつて加熱蒸発させ、飛翔蒸発物を所望のガ
スプラズマ雰囲気中を通過させる以外は、スパツ
タリング法の場合と同様にする事で行うことが出
来る。 本発明において使用されるSi供給用の原料ガス
と成り得る物質としては、SiH4，Si2H6，Si3H8，
Si4H10等のガス状態の又はガス化し得る水素化硅
素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙
げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Si供
給効率の良さ等の点でSiH4，Si2H6が好ましいも
のとして挙げられる。 Ge供給用の原料ガスと成り得る物質としては、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5H12，Ge6
H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等のガス状態の
又はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使
用されるものとして挙げられ、殊に、層作成作業
時の取扱い易さ、Ge供給効率の良さ等の点で、
GeH4，Ge2H6，Ge3H8が好ましいものとして挙
げられる。 本発明において使用されるハロゲン原子導入用
の原料ガスとして有効なのは、多くのハロゲン化
合物が挙げられ、例えば、ハロゲンガス、ハロゲ
ン化物、ハロゲン間化合物、ハロゲンで置換され
たシラン誘導体等のガス状態の又はガス化し得る
ハロゲン化合物が好ましく挙げられる。 又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを
構成要素とするガス状態の又はガス化し得る、ハ
ロゲン原子を含む水素化硅素化合物も有効なもの
として本発明においては挙げることが出来る。 本発明において好適に使用し得るハロゲン化合
物としては、具体的には、フツ素、塩素、臭素、
ヨウ素のハロゲンガス、BrF，ＣＦ，ＣF3，
BrF5，BrF3，IF3，IF7，IC，IBr等のハロゲ
ン間化合物を挙げることが出来る。 ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲ
ン原子で置換されたシラン誘導体としては、具体
的には例えばSiF4，Si2F6，SiC4，SiBr4等のハ
ロゲン化硅素が好ましいものとして挙げることが
出来る。 この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用
してグロー放電法によつて本発明の特徴的な光導
電部材を形成する場合には、Ge供給用の原料ガ
スと共にSiを供給し得る原料ガスとしての水素化
硅素ガスを使用しなくとも、所望の支持体上にハ
ロゲン原子を含むａ−SiGeから成る第１の層領
域（Ｇ）を形成する事が出来る。 グロー放電法に従つて、ハロゲン原子を含む第
１の層領域（Ｇ）を作成する場合、基本的には、
例えばSi供給用の原料ガスとなるハロゲン化硅素
とGe供給用の原料ガスとなる水素化ゲルマニウ
ムとAr，H2，He等のガス等を所定の混合比とガ
ス流量になる様にして第１の層領域（Ｇ）を形成
する堆積室に導入し、グロー放電を生起してこれ
等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによつ
て、所望の支持体上に第１の層領域（Ｇ）を形成
し得るものであるが、水素原子の導入割合の制御
を一層容易になる様に図る為にこれ等のガスに更
に水素ガス又は水素原子を含む硅素化合物のガス
も所望量混合して層形成しても良い。 又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で
複数種混合して使用しても差支えないものであ
る。 スパツタリング法、イオンプレーテイング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を
導入するには、前記のハロゲン化合物又は前記の
ハロゲン原子を含む硅素化合物のガスを堆積室中
に導入して該ガスのプラズマ雰囲気を形成してや
れば良いものである。 又、水素原子を導入する場合には、水素原子導
入用の原料ガス、例えばH2、或いは前記したシ
ラン類又は／及び水素化ゲルマニウム等のガス類
をスパツタリング用の堆積室中に導入して該ガス
類のプラズマ雰囲気を形成してやれば良い。 本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料
ガスとして上記されたハロゲン化合物或いはハロ
ゲンを含む硅素化合物が有効なものとして使用さ
れるものであるが、その他に、HF，HC，
HBr，HI等のハロゲン化水素、SiH2F2，SiH2
I2，SiH2Ｃ2，SiHC3，SiH2Br2，SiHBr3等
のハロゲン置換水素化硅素、及びGeHF3，GeH2
F2，GeH3Ｆ，GeHC3，GeH2Ｃ2，GeH3Ｃ
，GeHBr3，GeH2Br2，GeH3Br，GeHI3，
GeH2I2，GeH3Ｉ等の水素化ハロゲン化ゲルマニ
ウム、等の水素原子を構成要素の１つとするハロ
ゲン化合、GeF4，GeC4，GeBr4，GeI4，
GeF2，GeC2，GeBr2，GeI2等のハロゲン化ゲ
ルマニウム、等々のガス状態の或いはガス化し得
る物質も有効な第１の層領域（Ｇ）形成用の出発
物質として挙げる事が出来る。 これ等の物質の中水素原子を含むハロゲン化物
は、第１の層領域（Ｇ）形成の際に層中にハロゲ
ン原子の導入と同時に電気的或いは光電的特性の
制御に極めて有効な水素原子も導入されるので、
本発明においては好適なハロゲン導入用の原料と
して使用される。 水素原子を第１の層領域（Ｇ）中に構造的に導
入するには、上記の他にH2、或いはSiH4，Si2
H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素をGeを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と
或いは、GeH4，Ge2H6，Ge3H8，Ge4H10，Ge5
H12，Ge6H14，Ge7H16，Ge8H18，Ge9H20等の水
素化ゲルマニウムSiを供給する為のシリコン又は
シリコン化合物と、を堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。 本発明の好ましい例において、形成される第一
の非晶質層（）を構成する第１の層領域（Ｇ）
中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量
の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の場合0.01〜40atomic％、
好適には0.05〜30atomic％最適には0.1〜
25atomic％とされるのが望ましい。 第１の層領域（Ｇ）中に含有される水素原子
（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御
するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはロゲン原子Ｘを含有させる為に使用
される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放
電電力等を制御してやれば良い。 本発明に於いて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成され
る第２の層領域（Ｓ）を形成するには、前記した
第１の層領域（Ｇ）形成用の出発物質（）の中
より、Ｇ供給用の原料ガスとなる出発物質を除い
た出発物質〔第２の層領域（Ｓ）形成用の出発物
質（）〕を使用して第１の層領域（Ｇ）を形成
する場合と、同様の方法と条件に従つて行うこと
が出来る。 即ち、本発明において、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の層領域（Ｓ）を形成するには例え
ばグロー放電法、スパツタリング法、或いはイオ
ンプレーテイング法等の放電現象を利用する真空
堆積法によつて成される。例えば、グロー放電法
によつて、ａ−Si（Ｈ，Ｘ）で構成される第２の
層領域（Ｓ）を形成するには、基本的には前記し
たシリコン原子Siを供給し得るSi供給用の原料ガ
スと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガス
を、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該
堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置
に設置されてある所定の支持表面上にａ−Si（Ｈ，
Ｘ）からなる層を形成させれば良い。又、スパツ
タリング法で形成する場合には、例えばAr，He
等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした
混合ガスの雰囲気中でSiで構成されたターゲツト
をスパツタリングする際、水素原子（Ｈ）又は／
及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパツタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。 本発明の光導電部材に於いては、ゲルマニウム
原子の含有される第１の層領域（Ｇ）の上に設け
られ、ゲルマニウム原子の含有されない第２の層
領域（Ｓ）には、伝導特性を制御する物質を含有
させることにより、該層領域（Ｓ）の伝導特性を
所望に従つて任意に制御することが出来る。 この様な物質としては、所謂、半導体分野で云
われる不純物を挙げることが出来、本発明に於い
ては、形成される第２の層領域（Ｓ）を構成する
ａ−Si（Ｈ，Ｘ）に対して、Ｐ型伝導特性を与え
るＰ型不純物、及びｎ型伝導特性を与えるｎ型不
純物を挙げることが出来る。 具体的には、Ｐ型不純物としては周期律表第
族に属する原子（第族原子）、例えば、Ｂ（硼
素）、Ａ（アルミニウム）、Ga（ガリウム）、In
（インジウム）、Ｔ（タリウム）等があり、殊に
好適に用いられるのは、Ｂ，Gaである。 ｎ型不純物としては、周期律表第族に属する
原子（第族原子）、例えば、Ｐ（燐）、As（砒
素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）等であり、
殊に、好適に用いられるのは、Ｐ，Asである。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）に含有さ
れる伝導特性を制御する物質の含有量は該層領域
（Ｓ）に要求される伝導特性、或いは該層領域
（Ｓ）に直に接触して設けられる他の層領域の特
性や、該他の層領域との接触界面に於ける特性と
の関係等、有機的関連性に於いて、適宜選択する
ことが出来る。 本発明に於いて、第２の層領域（Ｓ）中に含有
される伝導特性を制御する物質の含有量として
は、通常の場合、0.001〜1000atomic ppm、好適
には0.05〜500atomic ppm、最適には0.1〜
200atomic ppmとされるのが望ましいものであ
る。 第２の層領域（Ｓ）中に伝導特性を制御する物
質、例えば第族原子或いは第族原子を構造的
に導入するには、層形成の際に第族原子導入用
の出発物質或いは第族原子導入用の出発物質を
ガス状態で堆積室中に、第２の層領域を形成する
為の他の出発物質と共に導入してやれば良い。こ
の様な第族原子導入用の出発物質と成り得るも
のとしては、常温常圧でガス状の又は、少なくと
も層形成条件下で容易にガス化し得るものが採用
されるのが望ましい。その様な第族原子導入の
出発物質として具体的には硼素原子導入用として
は、B2H6，B4H10，B5H9，B5H11，B6H10，B6
H12，B6H14等の水素化硼素、BF3，BC3，
BBr3等のハロゲン化硼素等が挙げられる。この
他、ＡＣ3，GaC3，Ga（CH3）3，InC3，
ＴＣ3等も挙げることが出来る。 第族原子導入用の出発物質として、本発明に
おいて有効に使用されるのは、燐原子導入用とし
ては、PH3，P2H4等の水素化燐、PH4Ｉ，PF3，
PF5，PC3，PC5，PBr3，PBr5，PI3等のハ
ロゲン化燐が挙げられる。この他、AsH3，
AsF3，AsC3，AsBr3，AsF5，SbH3，SbF3，
SbF5，SbC3，SbC5，BiH3，BiC3，BiBr3
等も第族原子導入用の出発物質の有効なものと
して挙げることが出来る。 本発明に於いて、第一の非晶質層（）に酸素
原子の含有された層領域（Ｏ）を設けるには、第
一の非晶質層（）の形成の際に酸素原子導入用
の出発物質を前記した第一の非晶質層（）形成
用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやれば良い。層領域
（Ｏ）を形成するのにグロー放電法を用いる場合
には、前記した第一の非晶質層（）形成用の出
発物質の中から所望に従つて選択されたものに酸
素原子導入用の出発物質が加えられる。その様な
酸素原子導入用の出発物質としては、少なくとも
酸素原子を構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 例えばシリコン原子（Si）を構成原子とする原
料ガスと、酸素原子Ｏを構成原子とする原料ガス
と、必要に応じて水素原子（Ｈ）又は及びハロゲ
ン原子（Ｘ）を構成原子とする原料ガスとを所望
の混合比で混合して使用するか、又は、シリコン
原子（Si）を構成原子とする原料ガスと、酸素原
子（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）を構成原子とする原
料ズスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、シリコン原子（Si）を構成原子とす
る原料ガスと、シリコン原子（Si）、酸素原子
（Ｏ）及び水素原子（Ｈ）の３つを構成原子とす
る原料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、シリコン原子（Si）と水素原子
（Ｈ）とを構成原子とする原料ガスに酸素原子
（Ｏ）を構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 具体的には、例えば酸素（O2）、オゾン（O3）、
一酸化窒素（NO）、二酸化窒素（NO2）、一二酸
化窒素（N2Ｏ）、三二酸化窒素（N2O3）、四二酸
化窒素（N2O4）、五二酸化窒素（N2O5）、三酸化
窒素（NO3）、シリコン原子（Si）と酸素原子
（Ｏ）と水素原子（Ｈ）とを構成原子とする、例
えば、ジシロキサン（H3SiOSiH3）、トリシロキ
サン（H3SiOSiH2OSiH3）等の低級シロキサン
等を挙げることが出来る。 スパツタリング法によつて、酸素原子を含有す
る第一の非晶質層（）を形成するには、単結晶
又は多結晶のSiウエーハー又はSiO2ウエーハー
をターゲツトとして、これ等を種々のガス雰囲気
中でスパツタリングすることによつて行えば良
い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、酸素原子と必要に応じて水素原子又は／
及びハロゲン原子を導入する為の原料ガスを必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツタリングすれ
ば良い。 又、別には、SiとSiO2とは別々のターゲツト
として、又はSiとSiO2の混合した一枚のターゲ
ツトを使用することによつて、スパツター用のガ
スとしての稀釈ガスの雰囲気中で又は少なくとも
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
構成原子として含有するガス雰囲気中でスパツタ
リングすることによつて成される。酸素原子導入
用の原料ガスとしては、先述したグロー放電の例
で示した原料ガスの中の酸素原子導入用の原料ガ
スが、スパツタリングの場合にも有効なガスとし
て使用され得る。 本発明において、第一の非晶質層（）の形成
の際に酸素原子の含有される層領域（Ｏ）を設け
る場合、該層領域（Ｏ）に含有される酸素原子の
分布濃度Ｃ（Ｏ）を層厚方向に変化させて所望の
層厚方向の分布状態（depth profile）を有する
層領域（Ｏ）を形成するには、グロー放電の場合
には分布濃度Ｃ（Ｏ）を変化させるべき酸素原子
導入用の出発物質のガスを、そのガス流量を所望
の変化率曲線に従つて適宜変化させ乍ら、堆積室
内に導入することによつて成される。例えば、手
動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられてい
る何らかの方法により、ガス流路系の途中に設け
られた所定のニールドバルブの開口を漸次変化さ
せる操作を行えば良い。このとき、流量の変化率
は線型である必要はなく、例えばマイコン等を用
いて、あらかじめ設計された本科率曲線に従つて
流量を制御し、所望の含有率曲線を得ることもで
きる。層領域（Ｏ）をスパツタリング法によつて
形成する場合、酸素原子の層厚方向の分布濃度Ｃ
（Ｏ）を層厚方向で変化させて、酸素原子の層厚
方向の所望の分布状態（depth profile）を形成
するには、第一にはグロー放電法による場合と同
様に酸素原子導入用の出発物質をガス状態で使用
し、該ズスを堆積室中へ導入する際のガス流量を
所望に従つて適宜変化させることによつて成され
る。第二にはスパツタリング用のターゲツトを、
例えばSiとSiO2との混合されたターゲツトを使
用するのであれば、SiとSiO2との混合比をター
ゲツトの層厚方向に於いて予め変化させておくこ
とによつて成される。 本発明に於いて、形成される非晶質層を構成す
る第２の層領域（Ｓ）中に含有される水素原子
（Ｈ）の量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素
原子とハロゲン原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は通常の
場合１〜40atomic％、好適には５〜30atomic％、
最適には５〜25atomic％、とされるが望ましい。 第１図に示される光導電部材１００に於いては
第一の非晶質層（）１０２上に形成される第二
の非晶質層（）１０３は自由表面を有し、主に
耐湿性、連続繰返し使用特性、耐圧性、使用環境
特性、耐久性に於いて本発明の目的を達成する為
に設けられる。 又、本発明においては、第一の非晶質層（）
１０２と第二の非晶質層（）１０３とを構成す
る非晶質材料の各々がシリコン原子という共通の
構成要素を有しているので、積層界面に於いて化
学的な安定性の確保が充分成されている。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、シリ
コン原子（Si）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じ
て水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）
とを含む非晶質材料（以後、「ａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-y」、但し、０＜ｘ，ｙ＜１、と記す）
で構成される。 ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yで構成される第二
の非晶質層（）の形成はグロー放電法、スパツ
タリング法、イオンプランテーシヨン法、イオン
プレーテイング法、エレクトロンビーム法等によ
つて成される。これ等の製造法は、製造条件、設
備資本投下の負荷程度、製造規模、作製される光
導電部材に所望される特性等の要因によつて適宜
選択されて採用されるが、所望する特性を有する
光導電部材を製造する為の作製条件に制御が比較
的容易である、シリコン原子と共に炭素原子及び
ロゲン原子を、作製する第二の非晶質層（）中
に導入するのが容易に行える等の利点からグロー
放電法或はスパツターリング法が好適に採用され
る。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して第二
の非晶質層（）を形成しても良い。 グロー放電法によつて第二の非晶質層（）を
形成するには、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y形成
用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量
の混合比で混合して、支持体の設置してある真空
堆積用の堆積室に導入し、導入されたガスを、グ
ロー放電を生起させることでガスプラズマ化し
て、前記支持体上に既に形成されてある第一の非
晶質層（）上にａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yを
堆積させれば良い。 本考案に於いて、ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
形成用の原料ガスとしては、シリコン原子（Si）、
炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）、ハロゲン原子
（Ｘ）の中の少なくとも１つの構成原子とするガ
ス状の物質又はガス化し得る物質をガス化したも
のの中の大概のものが使用され得る。 Si，Ｃ，Ｈ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子
とする原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原
料ガスと、必要に応じてＨを構成原子とする原料
ガス又は／及びＸを構成原子とする原料ガスとを
所望の混合比で混合して使用するか、又はSiを構
成原子とする原料ガスと、Ｃ及びＨを構成原子と
する原料ガス又は／及びＣ及びＸを構成原子とす
る原料ガスとを、これも又、所望の混合比で混合
するか、或いは、Siを構成原子とする原料ガス
と、Si，Ｃ及びＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又は、Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原
料ガスとを混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＨとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良いし、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）として好適なのは
Ｆ，Ｃ，Br，Ｉであり、殊にＦ，Ｃが望ま
しいものである。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）を形成
するのに有効に使用される原料ガスと成り得るも
のとしては、常温常圧に於いてガス状態のもの又
は容易にガス化し得る物質を挙げることが出来
る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）形成用
の原料ガスとして有効に使用されるのは、SiとＨ
とを構成原子とするSiH4，SiH2H6，Si3H8，Si4
H10等のシラン（Silane）類等の水素化硅素ガ
ス、ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素数１
〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系炭化水
素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間
化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水素化硅
素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としてはメタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
−ブタン（ｎ−C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン−１（C4H8）、ブテ
ン−２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン（C3
H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体としては、
フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハ
ロゲン化水素としては、FH，HI，HC，HBr、
ハロゲン間化合物としては、BrF，ＣＦ，Ｃ
F3，ＣF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，IC，
IBrハロゲン化硅素としてはSiF4，Si2F6，SiC
４，SiC3Br，SiC2Br2，SiCBr3，SiC3Ｉ，
SiBr4、ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2
F2，SiH2Ｃ2，SiHC3，SiH3Ｃ，SiH3Br，
SiH2Br2、SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，
Si2H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CF4，CC4CBr4，CHF3，
CH2F2，CH3Ｆ，CH3Ｃ，CH3Br，CH3Ｉ，
C2H5Ｃ等のハロゲン置換パラフイン系炭化水
素、SF4，SF6等のフツ素化硫黄化合物、Si
（CH3）4，Si（C2H5）4、等のケイ化アルキルやSiC
（CH3）3，SiC2（CH3）2，SiC3CH3等のハ
ロゲン含有ケイ化アルキル名とのシラン誘導体も
有効なものとして挙げることが出来る。 これ等の第二の非晶質層（）形成物質は、形
成される第二の非晶質層（）中に、所定の組成
比でシリコン原子、炭素原子及びハロゲン原子と
必要に応じて水素原子とが含有される様に、第二
の非晶質層（）の形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の層が形
成され得るSi（CH3）4と、ハロゲン原子を含有さ
せるものとしてのSiHC3，SiH2Ｃ2，SiC4、
或いはSiH3Ｃ等を所定の混合比にしてガス状
態で第二の非晶質層（）形成用の装置内に導入
してグロー放電を生起させることによつてａ−
（SixC1-x）y（Ｃ＋Ｈ）1-yから成る第二の非晶質
層（）を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて第二の非晶質層
（）を形成するには、単結晶又は多結晶のSiウ
エーハー又はＣウエーハー又はSiとＣが混合され
て含有されているウエーハーをターゲツトとし
て、これ等を必要に応じてハロゲン原子又は／及
び水素原子を構成要素として含む種々のガス雰囲
気中でスパツターリングすることによつて行えば
良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＨ又は／及びＸを導入する為の原料
ガスを、必要に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパ
ツター用の堆積室中に導入し、これ等のガスのガ
スプラズマを形成して前記Siウエーハーをスパツ
ターリングすれば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、必要に応じて水素原子又
は／及びハロゲン原子を含有するガス雰囲気中で
スパツターリングすることによつて成される。
Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料ガスとなる物質とし
ては先述したグロー放電の例で示した第二の非晶
質層（）形成用の物質がスパツターリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）をグロ
ー放電法又はスパツターリング法で形成する際に
使用される稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例
えばHe，Ne，Ar等が好適なものとして挙げる
ことが出来る。 本発明に於ける第二の非晶質層（）は、その
要求される特性が所望通りに与えられる様に注意
深く形成される。 即ち、Si，Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを
構成原子とする物質は、その作成条件によつて構
造的には結晶からアモルフアスまでの形態を取
り、電気物性的には、導電性から半導体性、絶縁
性までの間の性質を、又光導電的性質から非光導
電的性質までの間の性質を、各々示すので本発明
に於いては、目的に応じた所望の特性を有するａ
−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが形成される様に、所
望に従つてその作成条件の選択が厳密に成され
る。例えば、第二の非晶質層（）を耐圧性の向
上を主な目的として設けるにはａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yは使用環境に於いて電気絶縁性的挙
動の顕著な非晶質材料として作成される。 又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上
を主たる目的として第二の非晶質層（）が設け
られる場合には上記の電気絶縁性の度合はある程
度緩和され、照射される光に対してある程度の感
度を有する非晶質材料としてａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yが作成される。 第一の非晶質層（）の表面にａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yから成る第二の非晶質層（）を形
成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
層の構造及び特性を左右する重要な因子であつ
て、本発明に於いては、目的とする特性を有する
ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが所望通りに作成さ
れ得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制御さ
れるのが望ましい。 本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成さ
れる為の第二の非晶質層（）の形成法に伴せて
適宜最適範囲が選択されて、第二の非晶質層
（）の形成が実行されるが、通常の場合、20〜
400℃、好適には50〜350℃、最適には100〜300℃
とされるのが望ましいものである。第二の非晶質
層（）の形成には、層を構成する原子の組成比
の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて比
較的容易である事等の為に、グロー放電法やスパ
ツターリング法の採用が有利であるが、これ等の
層形成法で第二の非晶質層（）を形成する場合
には、前記の支持体温度と同様に層形成の際の放
電パワーが作成されるａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1
−ｙの特性を左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成する為の特性を有す
るａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-yが生産性良く効果
的に作成される為の放電パワー条件としては通常
10〜300W、好適には20〜250W、最適には50w〜
200Wとされるのが望ましいものである。 堆積室内のガス圧は通常は0.01〜1Torr、好適
には、0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明に於いては第二の非晶質層（）を作成
する為の支持体温度、放電パワーの望ましい数値
範囲として前記した範囲の値が挙げられるが、こ
れ等の層作成フアクターは、独立的に別々に決め
られるものではなく、所望特性のａ−（SixC1-x）y
（Ｈ，Ｘ）1-yからなる第二の非晶質層（）が形
成される様に相互的有機的関連性に基づいて各層
作成フアクターの最適値が決められるのが望まし
い。 本発明の光導電部材に於ける第二の非晶質層
（）に含有される炭素原子の量は、第二の非晶
質層（）の作成条件と同様、本発明の目的を達
成する所望の特性が得られる第二の非晶質層
（）が形成される重要な因子である。 本発明に於ける第二の非晶質層（）に含有さ
れる炭素原子の量は、第二の非晶質層（）を構
成する非晶質材料の種類及びその特性に応じて適
宜所望に応じて決められるものである。 即ち、前記一般式ａ−（SixC1-x）y（Ｈ，Ｘ）1-y
で示される非晶質材料は、大別すると、シリコン
原子と炭素原子とで構成される非晶質材料（以後
「ａ−SiaC1-a」と記す。但し、０＜ａ＜１）、シ
リコン原子と炭素原子と水素原子とで構成される
非晶質材料（以後「ａ−（SibC1-b）CH1-e」と記
す。但し、０＜ｂ，ｃ＜１）、シリコン原子と炭
素原子とハロゲン原子と必要に応じて水素原子と
で構成される非晶質材料（以後、「ａ−（SidC1-d）
e（Ｈ，Ｘ）1-e」と記す。但し、０＜ｄ，ｅ＜１）
に分類される。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
SiaC1-aで構成される場合、第二の非晶質層（）
に含有される炭素原子の量は通常としては、１×
10-3〜90atomic％、好適には１〜80atomic％、
最適には10〜75atomic％とされるのが望ましい
ものである。即ち、先のａ−SiaC1-aのａの表示
で行えば、ａが通常は0.1〜0.99999、好適には0.2
〜0.99、最適には0.25〜0.9である。 本発明に於いて、第二の非晶質層（）がａ−
（SibC1-b）cH1-cで構成される場合、第二の非晶質
層（）に含有される炭素原子の量は、通常１×
10-3〜90atomic％とされ、好ましくは１〜
90atomic％、最適には10〜80atomic％とされる
のが望ましいものである。水素原子の含有量とし
ては、通常の場合１〜40atomic％、好ましくは
２〜35atomic％、最適には５〜30atomic％とさ
れるのが望ましく、これ等の範囲に水素含有量が
ある場合に形成される光導電部材は、実際面に於
いて優れたものとして充分適用させ得るものであ
る。 即ち、先のａ−（SibC1-b）cH1-cの表示で行えば
ｂが通常は0.1〜0.99999、好適には0.1〜0.99、最
適には0.15〜0.9、ｃが通常0.6〜0.99、好適には
0.65〜0.98、最適には0.7〜0.95であるのが望まし
い。 第二の非晶質層（）が、ａ−（SidC1-d）e
（Ｈ，Ｘ）1-eで構成される場合には、第二の非晶
質層（）中に含有される炭素原子の含有量とし
ては、通常、１×10-3〜90atomic％、好適には
１〜90atomic％、最適には10〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合１〜20atomic％好適
には１〜18atomic％、最適には２〜15atomic％
とされるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン
原子含有量がある場合に形成される光導電部材を
実際面に於いて充分適用させ得るものである。必
要に応じて含有される水素原子の含有量として
は、通常の場合19atomic％以下、好適には
13atomic％以下とされるのが望ましいものであ
る。 即ち、先のａ−（SidC1-d）e（Ｈ，Ｘ）1-eのｄ，
ｅの表示で行えば、ｄが通常、0.1〜0.99999、好
適には0.1〜0.99、最適には0.15〜0.9、ｅが通常
0.8〜0.99、好適には0.82〜0.99、最適には0.85〜
0.98であるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚の
数範囲は、本発明の目的を効果的に達成する為の
重要な因子の１つである。 本発明の目的を効果的に達成する様に所期の目
的に応じて適宜所望に従つて決められる。 又、第二の非晶質層（）の層厚は、該層
（）中に含有される炭素原子の量や第一の非晶
質層（）の層厚との関係に於いても、各々の層
領域に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従つて適宜決定される必要がある。 更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経
済性の点に於いて考慮されるのが望ましい。 本発明に於ける第二の非晶質層（）の層厚と
しては、通常0.003〜30μ、好適には0.004〜20μ、
最適には0.005〜10μとされるのが望ましいもので
ある。 本発明において使用される支持体としては、導
電性でも電気絶縁性であつても良い。導電性支持
体としては、例えば、NiCr、ステンレス、Ａ、
Cr，Mo，Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセ
テート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等の
合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラミ
ツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶縁
性支持体は、好適には少なくともその一方の表面
を導電処理され、該導電処理された表面側に他の
層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであれば、その表面に、NiCr、
Ａ、Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，
Pt，Pd，In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等
から成る薄膜を設けることによつて導電性が付与
され、或いはポリエステルフイルム等の合成樹脂
フイルムであれば、NiCr、Ａ、Ag，Pb，Zn，
Ni，Au，Cr，Mo，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt
等の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、ス
パツタリング等でその表面に設け、又は前記金属
でその表面をラミネート処理して、その表面に導
電性が付与される。支持体の形状としては、円筒
状、ベルト状、板状等任意の形状とし得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の光導電部材１００を電子写真用像形成部材と
して使用するのであれば連続高速複写の場合に
は、無端ベルト状又は円筒状とするのが望まし
い。支持体の厚さは、所望通りの光導電部材が形
成される様に適宜決定されるが、光導電部材とし
て可撓性が要求される場合には、支持体としての
機能が充分発揮される範囲内であれば可能な限り
薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製造
上及び取扱い上、機械的強度等の点から、通常
は、10μ以上とされる。 次に本発明の光導電部材の製造方法の一例の概
略について説明する。 第１１図に光導電部材の製造装置の一例を示
す。 図中の１１０２〜１１０６のガスボンベには、
本発明の光導電部材を形成するための原料ガスが
密封されており、その１例としてたとえば１１０
２は、Heで稀釈されたSiH4ガス（純度99.999％、
以下SiH4／Heと略す。）ボンベ、１１０３はHe
で稀釈されたGeH4ガス（純度99.999％、以下
GeH4／Heと略す。）ボンベ、１１０４はHeで稀
釈されたSiF4ガス（純度99.99％、以下SiF4／He
と略す。）ボンベ、１１０５はNOガス（純度
99.999％）ボンベ、１１０６はC2H4ガス（純度
99.999％）ボンベである。 これらのガスを反応室１１０１に流入させるに
はガスボンベ１１０２〜１１０６のバルブ１１２
２〜１１２６、リークバルブ１１３５が閉じられ
ていることを確認し、又、流入バルブ１１１２〜
１１１６、流出バルブ１１１７〜１１２１、補助
バルブ１１３２，１１３３が開かれていることを
確認して、先づメインバルブ１１３４を開いて反
応室１１０１、及び各ガス配管内を排気する。次
に真空計１１３６の読みが約５×10-6torrになつ
た時点で補助バルブ１１３２，１１３３、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じる。 次にシリンダー状基体１１３７上に第一の非晶
質層（）を形成する場合の１例をあげると、ガ
スボンベ１１０２よりSiH4／Heガス、ガスボン
ベ１１０３よりGeH4／Heガス、ガスボンベ１１
０５よりNOガスをバルブ１１２２，１１２３，
１１２４を開いて出口圧ゲージ１１２７，１１２
８，１１２９の圧を１Kg／cm2に調整し、流入バル
ブ１１１２，１１１３，１１１４を徐々に開け
て、マスフロコントローラ１１０７，１１０８，
１１０９内に夫々流入させる。引き続いて流出バ
ルブ１１１７，１１１８，１１１９、補助バルブ
１１３２を徐々に開いて夫々のガスを反応室１１
０１に流入させる。このときのSiH4／Heガス流
量とGeH4／Heガス流量とNOガス流量との比が
所望の値になるように流出バルブ１１１７，１１
１８，１１１９を調整し、又、反応室１１０１内
の圧力が所望の値になるように真空計１１３６の
読みを見ながらメインバルブ１１３４の開口を調
整する。そして基体１１３７の温度が加熱ヒータ
ー１１３８により50〜400℃の範囲の温度に設定
されていることを確認された後、電源１１４０を
所望の電力に設定して反応室１１０１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変
化率曲線に従つてGeH4／Heガスの流量を手動あ
るいき外部駆動モータ等の方法によつてバルブ１
１１８の開口を漸次変化させる操作を行なつて形
成される層中に含有されるゲルマニウム原子の分
布濃度を制御する。 上記の様にして、所望時間グロー放電を維持し
て、所望層厚に、基体１１３７上に第１の層領域
（Ｇ）を形成する。所望層厚に第１の層領域（Ｇ）
が形成された段階に於いて、流出バルブ１１１８
を完全に閉じること、及び必要に応じて放電条件
を変える以外は、同様な条件と手順に従つて所望
時間グロー放電を維持することで第１の層領域
（Ｇ）上にゲルマニウム原子の実質的に含有され
ない第２の層領域（Ｓ）を形成することが出来
る。 第２の層領域（Ｓ）中に、伝導性を支配する物
質を含有させるには、第２の層領域（Ｓ）の形成
の際に例えばB2H6，PH3等のガスを堆積室１１
０１の中に導入するガスに加えてやれば良い。 第一の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させる場合には、上記のガスに、例えばSiF4ガス
を更に付加して、グロー放電を生起させれば良
い。 又、第一の非晶質層（）中に水素原子を含有
させずにハロゲン原子を含有させる場合には、先
のSiH4／Heガス及びGeH4／Heガスの代りに、
SiF4／Heガス及びGeF4／Heガスを使用すれば
良い。 上記の様にして所望層厚に形成された第一の非
晶質層（）上に第二の非晶質層（）を形成す
るには、第一の非晶質層（）の形成の際と同様
なバルブ操作によつて、例えばSiH4ガス，C2H4
ガスの夫々を必要に応じてHe等の稀釈ガスで稀
釈して、所望の条件に従つて、グロー放電を生起
させることによつて成される。 第二の非晶質層（）中にハロゲン原子を含有
させるには、例えばSiF4ガスとC2H4ガス、或い
は、これにSiH4ガスを加えて上記と同様にして
第二の非晶質層（）を形成することによつて成
される。 夫々の層を形成する際に必要なガスの流出バル
ブ以外の流出バルブは全て閉じることは言うまで
もなく、又夫々の層を形成する際、前層の形成に
使用したガスが反応室１１０１内、流出バルブ１
１１７〜１１２１から反応室１１０１内に至るガ
ス配管内に残留することを避けるために、流出バ
ルブ１１１７〜１１２１を閉じ、補助バルブ１１
３２，１１３３を開いてメインバルブ１１３４を
全開して系内を一旦高真空に排気する操作を必要
に応じて行う。 第二の非晶質層（）中に含有される炭素原子
の量は例えば、グロー放電による場合はSiH4ガ
スと、C2H4ガスの反応室１１０１内に導入され
る流量比を所望に従つて変えるか、或いは、スパ
ツターリングで層形成する場合には、ターゲツト
を形成する際シリコンウエハとグラフアイトウエ
ハのスパツタ面積比率を変えるか、又はシリコン
粉末とグラフアイト粉末の混合比率を変えてター
ゲツトを成型することによつて所望に応じて制御
することが出来る。第二の非晶質層（）中に含
有されるハロゲン原子（Ｘ）の量は、ハロゲン原
子導入用の原料ガス、例えばSiF4ガスが反応室１
１０１内に導入される際の流量を調整することに
よつて成される。 又、層形成を行つている間は層形成の均一化を
計るため基体１１３７はモータ１１３９により一
定速度で回転させてやるのが望ましい。 以下実施例について説明する。 実施例 １ 第１１図に示した製造装置により、シリンダー
状のＡ基体上に第１表に示す条件で第１２図に
示すガス流量比の変化率曲線に従つてGeH4／He
ガスとSiH4／Heガスのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて第一の非晶質層（）を形
成し、次いで第１表に示す条件で第二の非晶質層
を形成して電子写真用像形成部材を得た。 こうして得られた像形成部材を、帯電露光実験
装置に設置し5.0kVで0.3set間コロナ帯電を行
い、直ち光像を照射した光像はタングステンラン
プ光源を用い、2lux.setの光量を透過型のテスト
チヤートを通して照射させた。 その後直ちに、荷電性の現像剤（トナーとキ
ヤリアーを含む）を像形成部材表面をカスケード
することによつて、像形成部材表面上に良好なト
ナー画像を得た。像形成部材上のトナー画像を、
5.0kVのコロナ帯電で転写紙上に転写した所、
解像力に優れ、階調再現性のよい鮮明な高濃度の
画像が得られた。 実施例 ２ 第１１図に示した製造装置により、第２表に示
す条件で第１３図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ３ 第１１図に示した製造装置により、第３表に示
す条件で第１４図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ４ 第１１図に示した製造装置により、第４表に示
す条件で第１５図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ５ 第１１図に示した製造装置により、第５表に示
す条件で第１６図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ６ 第１１図に示した製造装置により、第６表に示
す条件で第１７図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ７ 第１１図に示した製造装置により、第７表に示
す条件で第１８図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガスのガ
ス流量比を層作成経過時間と共に変化させ、その
他の条件は実施例１と同様にして、第一の非晶質
層（）を形成した以外は、実施例１と同様にし
て、電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ８ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代わり
に、Si2H6／Heガスを使用し、第８表に示す条件
にした以外は、実施例１と同様にして、電子写真
用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 ９ 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代わり
に、SiF4／Heガスを使用し、第９表に示す条件
にした以外は、実施例１と同様にして電子写真用
像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 10 実施例１に於いて、SiH4／Heガスの代わり
に、（SiH4／He＋SiF4／He）ガスを使用し、第
10表に示す条件にした以外は、実施例１と同様の
条件にして電子写真用像形成部材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 11 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
11表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材を夫々を形
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第11A表に示す結果が得られる。 実施例 12 実施例１〜10に於いて、第３層の作成条件を第
12表に示す条件にした以外は、各実施例に示す条
件と同様にして電子写真用像形成部材の夫々を形
成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ第12A表に示す結果が得られた。 実施例 13 第１１図に示した製造装置により、第13表に示
す条件で第１９図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガス、
NOガスとSiH4／Heガス、とのガス流量比を層
作成経過時間と、共に夫々変化させ、その他の条
件は実施例１と同様にして、電子写真用像形成部
材を形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 14 第１１図に示した製造装置により、第14表に示
す条件で第２０図に示すガス流量比の変化率曲線
に従つて、GeH4／HeガスとSiH4／Heガス、
NOガスとSiH4／Heガスとのガス流量比を層作
成経過時間と共に夫々変化させ、その他の条件は
実施例１と同様にして、電子写真用像形成部材を
形成した。 こうして得られた像形成部材に就いて、実施例
１と同様の条件及び手順で転写紙上に画像を形成
したところ極めて鮮明な画質が得られた。 実施例 15 実施例１〜10に於いて、光源をタングステンラ
ンプの代わりに810nmのGaAs系半導体レーザ
（10mW）を用いて、静電像の形成を行つた以外
は、実施例１と同様のトナー画像形成条件にし
て、実施例１〜10と同様の条件で作成した電子写
真用像形成部材の夫々に就いてトナー転写画像の
画質評価を行つたところ、解像力に優れ、階調再
現性の良い鮮明な高品位の画像が得られた。 実施例 16 非晶質層（）の作成条件を第15表に示す各条
件にした以外は、実施例２〜10の各実施例と同様
の条件と手順に従つて電子写真用像形成部材の夫
夫（試料No.12−201〜12−208，12−301〜12−
308，…，12−1001〜12−1009の72個の試料）を
作成した。 こうして得られた各電子写真用像形成部材の夫
夫を個別に複写装置に設置し、5kVで0.2sec間
コロナ帯電を行い、光像を照射した。光源はタン
グステンランプを用い、光量は1.0lux.secとした。
潜像は荷電性の現像剤（トナーとキヤリヤを含
む）によつて現像され、通常の紙に転写された。
転写画像は、極めて良好なものであつた。転写さ
れないで電子写真用像形成部材上に残つたトナー
は、ゴムブレードによつてクリーニングされた。
このような工程を繰り返し10万回以上行つても、
いずれの場合も画像の劣化は見られなかつた。 各試料の転写画像の総合画質評価と繰返し連続
使用による耐久性の評価の結果を第15A表に示
す。 実施例 17 非晶質層（）の形成時の際に、スパツターリ
ング法を採用し、シリコンウエハとグラフアイト
のターゲツト面積比を変えて、非晶質層（）に
於けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化
させる以外は、実施例１と全く同様な方法によつ
て像形成部材の夫々を作成した。こうして得られ
た像形成部材の夫々につき、実施例１に述べた如
き、作像、現象、クリーニングの工程を約５万回
繰返した後画像評価を行つたところ第16表の如き
結果を得た。 実施例 18 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガスとC2
H4ガスの流量比を変えて、非晶質層（）に於
けるシリコン原子と炭素原子の含有量比を変化さ
せる以外は実施例１と全く同様な方法によつて像
形成部材の夫夫を作した。こうして得られた各像
形成部材につき、実施例１に述べた如き方法で転
写までの工程を約５万回繰り返した後、画像評価
を行つたところ、第17表の如き結果を得た。 実施例 19 非晶質層（）の層の形成時、SiH4ガス、
SiF4ガス、C2H4ガスの流量比を変えて、非晶質
層（）に於けるシリコン原子と炭素原子の含有
量比を変化させる以外は、実施例１と全く同様な
方法によつて像形成部材の夫々を作成した。こう
して得られた各像形成部材につき実施例１に述べ
た如き作像、現像、クリーニングの工程を約５万
回繰り返した後、画像評価を行つたところ第18表
の如き結果を得た。 実施例 20 非晶質層（）の層厚を変える以外は、実施例
１と全く同様な方法によつて像形成部材の夫々を
作成した。実施例１に述べた如き、作像、現像、
クリーニングの工程を繰り返し第19表の結果を得
た。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
◎：優良 ○：良好
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用に充分耐
える ×〓画像欠陥を生ずる
える ×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分で
ある ×〓画像欠陥を生ずる
ある ×〓画像欠陥を生ずる
【表】
◎〓非常に良好 ○〓良好 △〓実用上充分である
×〓画像欠陥を生ずる
×〓画像欠陥を生ずる
【表】
以上の本発明の実施例に於ける共通の層作成条
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層… …約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層… …約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
件を以下に示す。 基体温度：ゲルマニウム原子（Ge）含有層… …約200℃ ゲルマニウム原子（Ge）非含有層… …約250℃ 放電周波数：13.56MHz 反応時反応室内圧：0.3Torr
第１図は、本発明の光導電部材の層構成を説明
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々第一の層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の
分布状態を説明する為の説明図、第１１図は、本
発明で使用された装置の模式的説明図で、第１２
図乃至第２０図は夫々本発明の実施例に於けるガ
ス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０５……第二
の非晶質層（）。
する為の模式的層構成図、第２図乃至第１０図は
夫々第一の層領域（Ｇ）中のゲルマニウム原子の
分布状態を説明する為の説明図、第１１図は、本
発明で使用された装置の模式的説明図で、第１２
図乃至第２０図は夫々本発明の実施例に於けるガ
ス流量比の変化率曲線を示す説明図である。 １００……光導電部材、１０１……支持体、１
０２……第一の非晶質層（）、１０５……第二
の非晶質層（）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光導電部材用の支持体と、該支持体上にシリ
コン原子とゲルマニウム原子とを母体とする非晶
質材料で構成され光導電性を示す第１の層領域と
シリコン原子を母体とし、ゲルマニウム原子を含
まない非晶質材料で構成され光導電性を示す第２
の層領域とが前記支持体側より順に設けられた層
構成の第１の非晶質層と、シリコン原子と炭素原
子とを母体とする非晶質材料で構成された第２の
非晶質層と、を有し、前記第１の層領域中に於け
るゲルマニウム原子の分布濃度が前記支持体側よ
り該支持体側とは反対の側に向かつて減少し、且
つ、前記第１の非晶質層には酸素原子が含有され
ている事を特徴とする光導電部材。 ２ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方に水素原子が含有されてい
る特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ３ 前記水素原子の含有量が0.01〜40atomic％で
ある特許請求の範囲第２項に記載の光導電部材。 ４ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方にハロゲン原子が含有され
ている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
材。 ５ 前記ハロゲン原子の含有量が0.01〜40atomic
％である特許請求の範囲第４項に記載の光導電部
材。 ６ 前記第１の層領域及び前記第２の層領域の少
なくともいずれか一方に水素原子とハロゲン原子
が含有されている特許請求の範囲第１項に記載の
光導電部材。 ７ 前記水素原子とハロゲン原子の含有量の和が
0.01〜40atomic％である特許請求の範囲第６項に
記載の光導電部材。 ８ 前記ハロゲン原子はフツ素、塩素から選ばれ
る特許請求の範囲第４項又は第６項に記載の光導
電部材。 ９ 前記第１の層領域中に含有されるゲルマニウ
ム原子の量が１〜9.5×105atomic ppmである特
許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １０ 前記ゲルマニウム原子の含有量が１×105
atomic ppm以上でかつ前記第１の層領域の層厚
が30μ以下である特許請求の範囲第９項に記載の
光導電部材。 １１ 前記第１の層領域の層厚Ｔが30Å〜50μで
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １２ 前記第２の層領域の層厚TBが0.5〜90μで
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １３ 前記第１の層領域と前記第２の層領域の層
厚の和（Ｔ＋TB）が１〜100μである特許請求の
範囲第１項に記載の光導電部材。 １４ 前記第１の層領域の層厚Ｔと前記第２の層
領域の層厚TBとがTB／Ｔ≦１とされている特許
請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 １５ 前記酸素原子の分布濃度が前期非晶質層の
層厚方向に不均一に分布している特許請求の範囲
第１項に記載の光導電部材。 １６ 前記酸素原子の分布濃度は前記支持体側に
高い特許請求の範囲第１５項に記載の光導電部
材。 １７ 前記酸素原子の含有量が0.001〜50atomic
％である特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
材。 １８ 前記酸素原子の分布濃度の最大値が
500atomic ppm以上である特許請求の範囲第１
６項に記載の光導電部材。 １９ 前記第２の非晶質層の層厚は0.003〜30μで
ある特許請求の範囲第１項に記載の光導電部材。 ２０ 前記第２の非晶質層には水素原子が含有さ
れている特許請求の範囲第１項に記載の光導電部
材。 ２１ 前記水素原子の含有量は１〜40atomic％
である特許請求の範囲第２０項に記載の光導電部
材。 ２２ 前記第２の非晶質層には水素原子及びハロ
ゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１項
に記載の光導電部材。 ２３ 前記水素原子の含有量は19atomic％であ
り、ハロゲン原子の含有量は１〜20atomic％で
ある特許請求の範囲第２２項に記載の光導電部
材。 ２４ 前記炭素原子の含有量は１×10-3〜
90atomic％である特許請求の範囲第１項に記載
の光導電部材。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071954A JPS58187943A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 光導電部材 |
| FR8305341A FR2524661B1 (fr) | 1982-03-31 | 1983-03-31 | Element photoconducteur |
| DE19833311835 DE3311835A1 (de) | 1982-03-31 | 1983-03-31 | Fotoleitfaehiges aufzeichnungselement |
| US06/486,940 US4517269A (en) | 1982-04-27 | 1983-04-20 | Photoconductive member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57071954A JPS58187943A (ja) | 1982-04-28 | 1982-04-28 | 光導電部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58187943A JPS58187943A (ja) | 1983-11-02 |
| JPH047503B2 true JPH047503B2 (ja) | 1992-02-12 |
Family
ID=13475383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57071954A Granted JPS58187943A (ja) | 1982-03-31 | 1982-04-28 | 光導電部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58187943A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6326660A (ja) * | 1986-02-07 | 1988-02-04 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JP4731611B2 (ja) * | 2003-10-28 | 2011-07-27 | エヌイーシー ショット コンポーネンツ株式会社 | 感温ペレット型温度ヒューズおよび感温ペレットの製造方法 |
-
1982
- 1982-04-28 JP JP57071954A patent/JPS58187943A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58187943A (ja) | 1983-11-02 |