JPH02292814A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH02292814A JPH02292814A JP1113809A JP11380989A JPH02292814A JP H02292814 A JPH02292814 A JP H02292814A JP 1113809 A JP1113809 A JP 1113809A JP 11380989 A JP11380989 A JP 11380989A JP H02292814 A JPH02292814 A JP H02292814A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- chamber
- film
- wall
- resist coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体装置の製造工程で使用されるレジスト
塗布装置に関し、さらに具体的に述べればホルダの回転
を利用したレジスト塗布装置に関するものである。
塗布装置に関し、さらに具体的に述べればホルダの回転
を利用したレジスト塗布装置に関するものである。
(従来の技術)
従来のこの種のレジスト塗布装置について,第3図に示
す要部断面図により説明する。同図において,従来のレ
ジスト塗布装置は、中央に開口部1aを有する蓋1を施
した円筒状のチャンバ2と、」;記のチャンバ2の底を
貫通する回転軸3の先シ1みに固定したホルダ4とから
構成されている。レジストを塗布するウェハ5は、上記
のホルダ4の表面に装着される。
す要部断面図により説明する。同図において,従来のレ
ジスト塗布装置は、中央に開口部1aを有する蓋1を施
した円筒状のチャンバ2と、」;記のチャンバ2の底を
貫通する回転軸3の先シ1みに固定したホルダ4とから
構成されている。レジストを塗布するウェハ5は、上記
のホルダ4の表面に装着される。
このように構成されたレジス1一塗布装置の動作につい
て説明する。
て説明する。
まず、ウェハ5をホルダ4の上に装着し、レジストをウ
ェハ5の中央に載せた後、回転軸3を回転させると、レ
ジストは遠心カでウェハ5の表面に均一に広がる。
ェハ5の中央に載せた後、回転軸3を回転させると、レ
ジストは遠心カでウェハ5の表面に均一に広がる。
なお、上記のチャンバ2および蓋1は、遠心カで飛散し
たレジスl一が外部に出ないように保護するもので,装
着したレジストが剥雛し易いようにテフロン加工等が施
されている。チャンバ2や蓋1に付着したレジストは、
従来、塗布作業が終了した後に、有機溶剤を含ませた布
でふき取ったり,レジストを乾燥させた後に、物理的に
削り取ったりしていた。
たレジスl一が外部に出ないように保護するもので,装
着したレジストが剥雛し易いようにテフロン加工等が施
されている。チャンバ2や蓋1に付着したレジストは、
従来、塗布作業が終了した後に、有機溶剤を含ませた布
でふき取ったり,レジストを乾燥させた後に、物理的に
削り取ったりしていた。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記の構成では、終了直後の清掃は、有
機溶剤を含ませた布等でふき取るため、レジストが多量
の場合には時間がかかるばかりでなく排気設備の整備が
必要となるという問題があった。また、乾燥後に削り取
る場合には、ダストを発生するため、クリーンルーム内
で作業できないという問題があった。
機溶剤を含ませた布等でふき取るため、レジストが多量
の場合には時間がかかるばかりでなく排気設備の整備が
必要となるという問題があった。また、乾燥後に削り取
る場合には、ダストを発生するため、クリーンルーム内
で作業できないという問題があった。
また、連続して塗布作業を行った場合には、テフロン加
工を施してあっても、レジストの剥には容易でないとい
う問題もあった。
工を施してあっても、レジストの剥には容易でないとい
う問題もあった。
本発明は上記の問題を解決するもので、チャンバ表面に
付着するレジストを容易に除去できるレジス1一塗布装
置を堤供するものである。
付着するレジストを容易に除去できるレジス1一塗布装
置を堤供するものである。
(課題を解決するための手段)
上記の課題を解決するため、本発明は、レジスl・が付
着する部分にあらかじめ溶剤に溶解する皮膜を形成させ
るものである。
着する部分にあらかじめ溶剤に溶解する皮膜を形成させ
るものである。
(作 用)
上記の構成により、付着したレジストの多少にかかわら
ず溶剤に浸漬することにより短時間で除去ができ、また
、クリーンルーム内の作業が可能となる。
ず溶剤に浸漬することにより短時間で除去ができ、また
、クリーンルーム内の作業が可能となる。
(実施例)
本発明の第1の実施例を第1図および第2図により説明
する。第1図は本発明によるレジスト塗布装置の要部断
面図で、本実施例が、第3図に示した従来例と異なる点
は、蓋1およびチャンバ2の内面に、有機溶剤に容易に
溶解する高分子膜6を形成した点である。その他は従来
例と変わらないので,同じ構成部品には同一符号を付し
て説明を省略する。また、ウェハ5の表面にレジス1−
を塗布する動作も従来例と変わらないので、その説明も
省略する。
する。第1図は本発明によるレジスト塗布装置の要部断
面図で、本実施例が、第3図に示した従来例と異なる点
は、蓋1およびチャンバ2の内面に、有機溶剤に容易に
溶解する高分子膜6を形成した点である。その他は従来
例と変わらないので,同じ構成部品には同一符号を付し
て説明を省略する。また、ウェハ5の表面にレジス1−
を塗布する動作も従来例と変わらないので、その説明も
省略する。
次に、上記の高分子膜6の動作について、第2図により
説明する。第2図(a)ないし(d)は、チャンバ2の
一部を拡大して示す模型図である。
説明する。第2図(a)ないし(d)は、チャンバ2の
一部を拡大して示す模型図である。
まず、チャンバ2の内壁に、有機溶剤に容易に溶解する
高分子膜6を塗布する(第2図(a))。次に,レジス
ト塗布作業を行うと、飛散したレジス1・7が高分子膜
6の上に付着する(第2図(b))。
高分子膜6を塗布する(第2図(a))。次に,レジス
ト塗布作業を行うと、飛散したレジス1・7が高分子膜
6の上に付着する(第2図(b))。
作業が終了した後、チャンバ2を上記の有機溶剤に浸漬
すると、高分子膜6は溶解するので、レジスト7はチャ
ンバ2の内壁から浮き上った形となり(第2図(C))
、一体となって剥離される(第2図(d))。有機溶剤
が蒸発して乾燥したチャンバ2の内壁に高分子膜6を塗
布する(第2図(a))と、次のレジスト塗布作業の準
備が完了する。
すると、高分子膜6は溶解するので、レジスト7はチャ
ンバ2の内壁から浮き上った形となり(第2図(C))
、一体となって剥離される(第2図(d))。有機溶剤
が蒸発して乾燥したチャンバ2の内壁に高分子膜6を塗
布する(第2図(a))と、次のレジスト塗布作業の準
備が完了する。
次に、第2の実施例について、第1図および第2図を利
用して説明する。本実施例が上述の第1の実施例と異な
る点は、第1の実施例が有機溶剤に容易に溶解する高分
子膜6の代りに、過酸化水素により酸化物となって溶解
するタングステン膜を形成した点である。タングステン
膜が形成されたレジスト塗布装置は、第1図と全く同じ
であり,また、タングステン膜の動作も、有機溶剤が過
酸化水素に替ったのみで、全く変わりがないので,その
説明を省略する。
用して説明する。本実施例が上述の第1の実施例と異な
る点は、第1の実施例が有機溶剤に容易に溶解する高分
子膜6の代りに、過酸化水素により酸化物となって溶解
するタングステン膜を形成した点である。タングステン
膜が形成されたレジスト塗布装置は、第1図と全く同じ
であり,また、タングステン膜の動作も、有機溶剤が過
酸化水素に替ったのみで、全く変わりがないので,その
説明を省略する。
なお、ほとんどのレジスト7は過酸化水素水に溶解しな
いので,枦過すると、レジストは容易に分離できるので
、廃棄時にレジストにタングステンが混入することはな
い。また,過酸化水素に溶けた酸化タングステンの分雛
も容易なので、排水の汚染もない。
いので,枦過すると、レジストは容易に分離できるので
、廃棄時にレジストにタングステンが混入することはな
い。また,過酸化水素に溶けた酸化タングステンの分雛
も容易なので、排水の汚染もない。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば、溶剤に容易に溶
解する皮膜を利用して化学的にレジス1一を浮かして剥
離するので,人力で拭き取ったり、削り取ったりする物
理的な作業がなくなり、作業時間が短縮するばかりでな
く,クリーンルーム内の作業にも適した作業となる。ま
た、レジストの量の多少にかかわらず剥離に要する時間
は同じである。
解する皮膜を利用して化学的にレジス1一を浮かして剥
離するので,人力で拭き取ったり、削り取ったりする物
理的な作業がなくなり、作業時間が短縮するばかりでな
く,クリーンルーム内の作業にも適した作業となる。ま
た、レジストの量の多少にかかわらず剥離に要する時間
は同じである。
第1図は本発明によるレジス1一塗布装置の要部断面図
、第2図(a)ないし(d)はレジストの剥離過程を示
す模型図、第3図は従来のレジスl・塗布装置の要部断
面図である。 1 ・・・蓋、 1a・・・開口部、 2・・・チャン
バ, 3 ・・・回転軸、 4 ・・・ホルダ,5・・
・ウェハ、 6 ・・・高分子膜、 7 ・・レジスト
。 第 図 第 図 第 図 (d) [・
、第2図(a)ないし(d)はレジストの剥離過程を示
す模型図、第3図は従来のレジスl・塗布装置の要部断
面図である。 1 ・・・蓋、 1a・・・開口部、 2・・・チャン
バ, 3 ・・・回転軸、 4 ・・・ホルダ,5・・
・ウェハ、 6 ・・・高分子膜、 7 ・・レジスト
。 第 図 第 図 第 図 (d) [・
Claims (1)
- レジストの飛散防止用のチャンバの中に、ウェハ等の塗
布対象物を装着するスピンドルを備えたレジスト塗布装
置において、チャンバの内壁に溶剤に容易に溶解する皮
膜を形成したことを特徴とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1113809A JPH02292814A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1113809A JPH02292814A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02292814A true JPH02292814A (ja) | 1990-12-04 |
Family
ID=14621604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1113809A Pending JPH02292814A (ja) | 1989-05-08 | 1989-05-08 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02292814A (ja) |
-
1989
- 1989-05-08 JP JP1113809A patent/JPH02292814A/ja active Pending
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